CN205374980U - 防静电破坏光罩 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种防静电破坏光罩，包括：石英玻璃；金属铬层，金属铬层内形成有光罩图形；隔离环，位于光罩图形的外围；隔离环将位于光罩图形外围的金属铬层分割为金属铬膜环及外围金属铬膜层两部分，金属隔膜环位于光罩图形与隔离环之间。通过在围绕着光罩图形区外围设置隔离环，将最外圈切割道之外的连续金属铬膜分割为外宽内窄的两部分，有效地减少较窄的金属铬膜环所累积的静电荷数量，降低最外圈切割道两边所承受的静电势差；在隔离环内侧两边设置金属块，组成交错排列的放电端子对，将累积在较宽和较窄金属铬膜上的静电荷，提前在隔离环内进行释放，进一步降低最外圈切割道两边的静电势差，有效降低光罩图形因静电放电而遭受破坏的风险。
Description
技术领域
本实用新型半导体器件结构领域，特别是涉及一种防静电破坏光罩。
背景技术
在半导体晶圆制造行业，向晶圆表面转移图形所用的光罩是由石英玻璃基板、表面金属铬层、防尘薄膜及其框架这三大部分所组成的。众所周知，玻璃与其它某些物体接触或相互摩擦时会起电产生电荷，并且在周围空气环境中也存在大量的游离电荷，这些电荷容易聚集在光罩表面的金属铬层上，产生静电累积。当累积的静电荷达到一定的程度时，就会发生放电现象，所产能的瞬时能量足以掀角甚至炸裂金属铬层，从而破坏由金属铬层所组成的光罩图形，并间接导致错误的图形被转移到晶圆上，最终后果就是晶圆良品率变低。在日常的生产实践中观察到：图形区最外圈切割道附近的图形因发生静电放电而被破坏的现象最为常见，频率最高也最严重。这是由于在最外圈切割道之外的连续金属铬层，其面积更大，累积静电荷的速度更快，因此更容易达到发生静电放电的临界条件。这使得大量静电荷与光罩图形之间仅仅由一圈切割道隔离，并且没有任何引导释放途径。
由于光罩线宽越来越细，目前主流的光罩结构包含一层石英玻璃基板，基板上构成图形的金属铬层，和笼罩在整个光罩图形上的防尘薄膜及其框架。由于防尘薄膜的存在，厂商没有办法增加额外的静电导引结构去释放静电；并且防尘薄膜本身也无法提供良好的电荷隔离效果。此外，由于半导体晶圆制造工艺往往是纳米级别，光罩图形区内的任何细小图形都可能被转移到晶圆上，因此也不允许在光罩图形区内部增加额外的放电结构。所以目前在光罩制作领域并没有十分有效的防静电方法。
在光罩贮存和使用方面，目前的防静电方法有：使用静电消散材质的光罩盒，保持光罩存放柜等设施的接地良好，人员佩戴防静电手套和手环，使用接地良好的工具，适当提高环境湿度以减少静电产生，以及在存放位置和动线上安装离子发生器以中和表面静电等等。但这些方法大都需要额外的成本支出。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种防静电破坏光罩，用于解决现有技术中大面积金属隔膜上累计大量静电荷发生放电，从而对光罩图形造成破坏的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种防静电破坏光罩，所述防静电破坏光罩包括：
石英玻璃；
金属铬层，所述金属铬层内形成有光罩图形；
隔离环，位于所述光罩图形的外围；所述隔离环将位于所述光罩图形外围的所述金属铬层分割为金属铬膜环及外围金属铬膜层两部分，所述金属隔膜环位于所述光罩图形与所述隔离环之间。
作为本实用新型的防静电破坏光罩的一种优选方案，所述隔离环的形状为矩形环状，所述隔离环每边的横向宽度为24μm～960μm。
作为本实用新型的防静电破坏光罩的一种优选方案，所述金属铬膜环的形状为矩形环状，所述金属铬膜环每边的横向宽度为1mm～3mm。
作为本实用新型的防静电破坏光罩的一种优选方案，所述光罩图形外围设有切割道，所述金属铬膜环及所述隔离环位于最外圈所述切割道的外围。
作为本实用新型的防静电破坏光罩的一种优选方案，所述隔离环内设有若干个金属块，所述金属块的一端固定于所述隔离环的内侧。
作为本实用新型的防静电破坏光罩的一种优选方案，所述金属块交错地固定于所述隔离环内侧两边。
作为本实用新型的防静电破坏光罩的一种优选方案，所述金属块的形状为矩形。
作为本实用新型的防静电破坏光罩的一种优选方案，所述金属块的长度为所述隔离环每边横向宽度的1/2，宽度为所述隔离环每边横向宽度的1/8。
作为本实用新型的防静电破坏光罩的一种优选方案，交错相邻的两金属块的最小间距为所述隔离环每边横向宽度的1/8，同侧相邻的两金属块的最小间距为所述隔离环每边横向宽度的3/8。
如上所述，本实用新型的防静电破坏光罩，通过在围绕着光罩图形区外围设置隔离环，将最外圈切割道之外的连续金属铬膜分割为外宽内窄的两部分，有效地减少较窄的金属铬膜环所累积的静电荷数量，降低最外圈切割道两边所承受的静电势差；还通过在隔离环内侧两边设置金属块，组成交错排列的放电端子对，将累积在较宽和较窄金属铬膜上的静电荷，提前在隔离环内进行释放，进一步降低最外圈切割道两边的静电势差，有效降低光罩图形因静电放电而遭受破坏的风险。
附图说明
图1显示为本实用新型的防静电破坏光罩的俯视结构示意图。
图2显示为本实用新型的防静电破坏光罩中隔离环的放大结构示意图。
元件标号说明
1金属铬层
2光罩图形
3隔离环
4金属铬膜环
5外围金属铬膜层
6金属块
7切割道
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，虽图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
请参阅图1，本实用新型提供一种防静电破坏光罩，所述防静电破坏光罩包括：石英玻璃(未示出)；金属铬层1，所述金属铬层1内形成有光罩图形2；隔离环3，位于所述光罩图形2的外围；所述隔离环3将位于所述光罩图形2外围的所述金属铬层1分割为较窄的金属铬膜环4及较宽的外围金属铬膜层5的两部分，所述金属隔膜环4位于所述光罩图形2与所述隔离环3之间。
作为示例，所述隔离环3的形状可以为矩形环状或圆形环状，优选地，本实施例中，所述隔离环3的形状为矩形环状；所述隔离环3包括四条边，所述隔离环3每边的横向宽度可以为24μm～960μm。
作为示例，所述金属铬膜环4的形状与所述隔离环3的形状相对应，可以为矩形环状或圆形环状，优选地，本实施例中，所述隔离环3的形状为矩形环状；所述金属铬膜环4包括四条边，所述金属铬膜环4每边的横向宽度可以为1mm～3mm。
作为示例，所述光罩图形2外围设有切割道7，所述金属铬膜环4及所述隔离环3位于最外圈所述切割道7的外围。
通过在围绕着所述光罩图形2外围设置所述隔离环3，将所述切割道7外围的连续金属铬膜分割为外宽内窄的两部分，有效地减少较窄部分的所述金属铬膜环4所累积的静电荷数量，降低最外圈所述切割道7两边所承受的静电势差，减轻了所述光罩图形2外围的大面积连续的所述金属铬层1上累积的大量静电荷发生放电时对所述光罩图形2的破坏。所述金属铬膜环4及所述隔离环3均位于所述光罩图形2最外圈的所述切割道7的外围，所述金属铬膜环4及所述隔离环3不会在曝光过程中被转移到晶圆上，不会影响光罩设计图形的性能。
请参阅图2，所述隔离环,3内设有若干个金属块6，所述金属块6的一端固定于所述隔离环3的内侧。
作为示例，所述金属块6交错地固定于所述隔离环3内侧相对的两边；具体的，部分所述金属块6的一端固定于所述隔离环3内侧的第一边，另一端延伸至所述隔离环3的内部；另一部分所述金属块6的一端固定于所述隔离环3内侧的第二边，另一端延伸至所述隔离环3的内部；位于所述隔离环3内侧第二边的所述金属块6与位于所述隔离环3内侧第一边的所述金属块6不位于同一直线上，即位于所述隔离环3内侧第二边的所述金属块6对应于位于所述隔离环3内侧第一边的相邻所述金属块6之间。优选地，本实施例中，所有的所述金属块6均平行排布。
作为示例，所述金属块6的形状为矩形。
作为示例，所述金属块6的长度为所述隔离环3每边横向宽度的1/2，宽度为所述隔离环3每边横向宽度的1/8。
作为示例，交错相邻的两所述金属块6的最小间距为所述隔离环3每边横向宽度的1/8，同侧相邻的所述两金属块6的最小间距为所述隔离环3每边横向宽度的3/8；即位于所述隔离环3内侧相对的两边的两所述金属块6的最小间距为所述隔离环3每边横向宽度的1/8，位于所述隔离环3内侧同一边的相邻的所述两金属块6的最小间距为所述隔离环3每边横向宽度的3/8。
在一实施例中，所述隔离环3每边的横向宽度可以为24μm，相应地，所述金属块6的长度为12μm，宽度为3μm，交错相邻的两所述金属块6的最小间距为3μm，同侧相邻的所述两金属块6的最小间距为9μm。
在本实用新型中，所述金属块6的尺寸大小按照最宽松的光罩制作规格进行设计，因此，所述隔离环3及所述金属块7可广泛应用于半导体制造行业的各种规格的光罩设计上，大大节省了后续流程中为防静电破坏所付出的成本。
综上所述，本实用新型提供一种防静电破坏光罩，所述防静电破坏光罩包括：石英玻璃；金属铬层，所述金属铬层内形成有光罩图形；隔离环，位于所述光罩图形的外围；所述隔离环将位于所述光罩图形外围的所述金属铬层分割为金属铬膜环及外围金属铬膜层两部分，所述金属隔膜环位于所述光罩图形与所述隔离环之间。本实用新型的防静电破坏光罩，通过在围绕着光罩图形区外围设置隔离环，将最外圈切割道之外的连续金属铬膜分割为外宽内窄的两部分，有效地减少较窄的金属铬膜环所累积的静电荷数量，降低最外圈切割道两边所承受的静电势差；还通过在隔离环内侧两边设置金属块，组成交错排列的放电端子对，将累积在较宽和较窄金属铬膜上的静电荷，提前在隔离环内进行释放，进一步降低最外圈切割道两边的静电势差，有效降低光罩图形因静电放电而遭受破坏的风险。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (9)
1.一种防静电破坏光罩，其特征在于，所述防静电破坏光罩包括：
石英玻璃；
金属铬层，所述金属铬层内形成有光罩图形；
隔离环，位于所述光罩图形的外围；所述隔离环将位于所述光罩图形外围的所述金属铬层分割为金属铬膜环及外围金属铬膜层两部分，所述金属隔膜环位于所述光罩图形与所述隔离环之间。
2.根据权利要求1所述的防静电破坏光罩，其特征在于：所述隔离环的形状为矩形环状，所述隔离环每边的横向宽度为24μm～960μm。
3.根据权利要求1所述的防静电破坏光罩，其特征在于：所述金属铬膜环的形状为矩形环状，所述金属铬膜环每边的横向宽度为1mm～3mm。
4.根据权利要求1所述的防静电破坏光罩，其特征在于：所述光罩图形外围设有切割道，所述金属铬膜环及所述隔离环位于最外圈所述切割道的外围。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的防静电破坏光罩，其特征在于：所述隔离环内设有若干个金属块，所述金属块的一端固定于所述隔离环的内侧。
6.根据权利要求5所述的防静电破坏光罩，其特征在于：所述金属块交错地固定于所述隔离环内侧两边。
7.根据权利要求6所述的防静电破坏光罩，其特征在于：所述金属块的形状为矩形。
8.根据权利要求7所述的防静电破坏光罩，其特征在于：所述金属块的长度为所述隔离环每边横向宽度的1/2，宽度为所述隔离环每边横向宽度的1/8。
9.根据权利要求6所述的防静电破坏光罩，其特征在于：交错相邻的两金属块的最小间距为所述隔离环每边横向宽度的1/8，同侧相邻的两金属块的最小间距为所述隔离环每边横向宽度的3/8。
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Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| CN108107671A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种防静电光罩 |
| CN108121173A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-05 | 上海华力微电子有限公司 | 光罩装载装置和曝光机 |
| CN109891317A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-06-14 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有静电放电保护的光掩模 |
| CN112394610A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-23 | 长江存储科技有限责任公司 | 光掩膜及其制备方法 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108107671A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种防静电光罩 |
| CN108107671B (zh) * | 2016-11-25 | 2022-03-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种防静电光罩 |
| CN108121173A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-05 | 上海华力微电子有限公司 | 光罩装载装置和曝光机 |
| CN109891317A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-06-14 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有静电放电保护的光掩模 |
| TWI696883B (zh) * | 2019-01-17 | 2020-06-21 | 大陸商長江存儲科技有限責任公司 | 具有靜電放電保護的光罩 |
| WO2020147059A1 (en) * | 2019-01-17 | 2020-07-23 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Photomask with electrostatic discharge protection |
| US11493842B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-11-08 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Photomask with electrostatic discharge protection |
| CN112394610A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-23 | 长江存储科技有限责任公司 | 光掩膜及其制备方法 |
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