JP2002055438A - Ｅｓｄ保護機能を有するフォトマスク - Google Patents
Ｅｓｄ保護機能を有するフォトマスクInfo
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスク上の回路パターンの薄い回路端
が中和放電反応により損傷されることを回避するため
に、中和放電反応により放電ピークを通して空気中に静
電荷を放電する放電保護機能をフォトマスクに提供す
る。 【解決手段】 透明な基板と；該透明な基板の表面の所
定の領域に配置されたパターン化されたシールド層と；
透明基板の表面上に配置された静電荷（ＥＳＤ）保護層
とからなり、ＳＤ保護層はシールド層を囲み、ＥＳＤ保
護層は複数の放電ピークからなり、該放電ピークはフォ
トマスクから電荷を除去するために空気中に静電気を放
電するために用いられる。
が中和放電反応により損傷されることを回避するため
に、中和放電反応により放電ピークを通して空気中に静
電荷を放電する放電保護機能をフォトマスクに提供す
る。 【解決手段】 透明な基板と；該透明な基板の表面の所
定の領域に配置されたパターン化されたシールド層と；
透明基板の表面上に配置された静電荷（ＥＳＤ）保護層
とからなり、ＳＤ保護層はシールド層を囲み、ＥＳＤ保
護層は複数の放電ピークからなり、該放電ピークはフォ
トマスクから電荷を除去するために空気中に静電気を放
電するために用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放電（ＥＳＤ）保護
機能を有するフォトマスクに関し、より詳細には放電ピ
ークを通して空気中に静電気を放電するフォトマスクに
関する。
機能を有するフォトマスクに関し、より詳細には放電ピ
ークを通して空気中に静電気を放電するフォトマスクに
関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィは半導体製造の全プ
ロセスで重要な段階を占める。フィルムパターン又はド
ーパント領域のようなＭＯＳトランジスタに関すること
はこの段階により決定される。フォトリソグラフィは光
感応材料の層で覆い、光感応材料上のガラスマスクを通
して平行光線を投射することにより基本的に進められ
る。フォトマスク上の回路レイアウトのパターンの故
に、光感応材料はフォトマスク上のパターンを半導体ウ
エハーに転写するために選択的光反応を被る。
ロセスで重要な段階を占める。フィルムパターン又はド
ーパント領域のようなＭＯＳトランジスタに関すること
はこの段階により決定される。フォトリソグラフィは光
感応材料の層で覆い、光感応材料上のガラスマスクを通
して平行光線を投射することにより基本的に進められ
る。フォトマスク上の回路レイアウトのパターンの故
に、光感応材料はフォトマスク上のパターンを半導体ウ
エハーに転写するために選択的光反応を被る。
【０００３】一般に、フォトマスクはその基礎としてガ
ラス又は水晶の平坦で透明な板と、フォトマスクの表面
にわたり１０００オングストロームのクロムのフィルム
の層からなる。フォトマスク上の透明−不透明レイアウ
トを有するパターンはパターン転写のためにクロムフィ
ルム上にエッチングされる。フォトマスクを用い又は準
備するプロセスでは、それは静電気を誘導し、これはフ
ォトマスク上に電界を形成し、これは空気中の粒子をフ
ォトマスクに引きつけ、又はフォトマスクの表面上で中
和する放電活動を引き起こし、ある種の焼け（burning
mark）が生ずる。従って、フォトマスクを通って転写さ
れるパターンは汚染される。
ラス又は水晶の平坦で透明な板と、フォトマスクの表面
にわたり１０００オングストロームのクロムのフィルム
の層からなる。フォトマスク上の透明−不透明レイアウ
トを有するパターンはパターン転写のためにクロムフィ
ルム上にエッチングされる。フォトマスクを用い又は準
備するプロセスでは、それは静電気を誘導し、これはフ
ォトマスク上に電界を形成し、これは空気中の粒子をフ
ォトマスクに引きつけ、又はフォトマスクの表面上で中
和する放電活動を引き起こし、ある種の焼け（burning
mark）が生ずる。従って、フォトマスクを通って転写さ
れるパターンは汚染される。
【０００４】図１を参照するに、これは従来技術のフォ
トマスク１０である。ＥＳＤ保護機能を有する従来技術
のフォトマスクは透明なクオーツ基板１２、パターン転
写用のクオーツ基板１２の表面上の所定の領域に配置さ
れたパターン領域１４、クオーツ基板の表面上及びパタ
ーン領域１２の周囲に配置されたインナクロムフィルム
１６、クオーツ基板１２の表面上及びインナクロムフィ
ルム１６の周囲に配置された露出されたクオーツ基板か
らなるＥＳＤアニュラス１８、ＥＳＤアニュラス１８及
びクオーツ基板１２の表面上のアウタクロムフィルム２
０からなる。
トマスク１０である。ＥＳＤ保護機能を有する従来技術
のフォトマスクは透明なクオーツ基板１２、パターン転
写用のクオーツ基板１２の表面上の所定の領域に配置さ
れたパターン領域１４、クオーツ基板の表面上及びパタ
ーン領域１２の周囲に配置されたインナクロムフィルム
１６、クオーツ基板１２の表面上及びインナクロムフィ
ルム１６の周囲に配置された露出されたクオーツ基板か
らなるＥＳＤアニュラス１８、ＥＳＤアニュラス１８及
びクオーツ基板１２の表面上のアウタクロムフィルム２
０からなる。
【０００５】フォトマスク１０がユーザーに触れるとき
に、それはアウタクロムフィルム２０上に静電荷を誘導
する。アウタクロムフィルム２０上の静電荷はインナク
ロムフィルム１６上に反対の誘導電荷を誘導する。イン
ナクロムフィルム１６及びパターン領域１４は電気的に
中立（neutral）である故にパターン領域１４はまたイ
ンナクロムフィルム１６上に誘導された電荷の誘導で、
等しい量の反対の電荷を担持する。
に、それはアウタクロムフィルム２０上に静電荷を誘導
する。アウタクロムフィルム２０上の静電荷はインナク
ロムフィルム１６上に反対の誘導電荷を誘導する。イン
ナクロムフィルム１６及びパターン領域１４は電気的に
中立（neutral）である故にパターン領域１４はまたイ
ンナクロムフィルム１６上に誘導された電荷の誘導で、
等しい量の反対の電荷を担持する。
【０００６】従って、電界はパターン領域１４に形成さ
れ、それによりパターン領域１４上の空気中の粒子を引
き寄せ、或いは空気中の粒子と中和するための放電反応
を引き起こし、パターン領域１４に焼けを残す。また中
和放電反応は回路パターンの薄い端で高熱を生じ、パタ
ーンを損傷する。その上、アウタクロムフィルム２０の
誘導電荷がある程度集積すると、それによりインナクロ
ムフィルム１６の反対電荷と中和放電反応を生じ、同様
に集積された電荷を打ち消し、インナクロムフィルム１
６とアウタクロムフィルム２０を中立に保つ。中和放電
反応で、電荷はそれ自体に蓄積された電気的エネルギー
を放出し、より安定な状態に達する。電気エネルギーは
熱に変わり、パターン領域の薄い回路端に焼けを生じ、
パターンを損傷する。
れ、それによりパターン領域１４上の空気中の粒子を引
き寄せ、或いは空気中の粒子と中和するための放電反応
を引き起こし、パターン領域１４に焼けを残す。また中
和放電反応は回路パターンの薄い端で高熱を生じ、パタ
ーンを損傷する。その上、アウタクロムフィルム２０の
誘導電荷がある程度集積すると、それによりインナクロ
ムフィルム１６の反対電荷と中和放電反応を生じ、同様
に集積された電荷を打ち消し、インナクロムフィルム１
６とアウタクロムフィルム２０を中立に保つ。中和放電
反応で、電荷はそれ自体に蓄積された電気的エネルギー
を放出し、より安定な状態に達する。電気エネルギーは
熱に変わり、パターン領域の薄い回路端に焼けを生じ、
パターンを損傷する。
【０００７】半導体ウエハーの現在の幅が０．１８ミク
ロン、更に０．１５ミクロンの狭さを目指している故
に、中和放電反応により引き起こされる回路パターンの
損傷は基板の幅が狭くなるほどより悪化する。回路パタ
ーンの損傷が生ずる度毎に、フォトマスク、更に半導体
ウエハー全体までもが廃棄されなければならなくなる。
従って、そのような損傷はパターン転写の品質に影響
し、生産性を著しく低下するのみならず、フォトマスク
の寿命を短くする。
ロン、更に０．１５ミクロンの狭さを目指している故
に、中和放電反応により引き起こされる回路パターンの
損傷は基板の幅が狭くなるほどより悪化する。回路パタ
ーンの損傷が生ずる度毎に、フォトマスク、更に半導体
ウエハー全体までもが廃棄されなければならなくなる。
従って、そのような損傷はパターン転写の品質に影響
し、生産性を著しく低下するのみならず、フォトマスク
の寿命を短くする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はフォト
マスク上の回路パターンの薄い回路端が中和放電反応に
より損傷されることを回避するために、中和放電反応に
より放電ピークを通して空気中に静電荷を放電する放電
保護機能をフォトマスクに提供することにより上記問題
を解決することにある。
マスク上の回路パターンの薄い回路端が中和放電反応に
より損傷されることを回避するために、中和放電反応に
より放電ピークを通して空気中に静電荷を放電する放電
保護機能をフォトマスクに提供することにより上記問題
を解決することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、透明な基板
と；該透明な基板の表面の所定の領域に配置されたパタ
ーン化されたシールド層と；透明基板の表面上に配置さ
れた静電荷（ＥＳＤ）保護層とからなり、ＥＳＤ保護層
はシールド層を囲み、ＥＳＤ保護層は複数の放電ピーク
からなり、該放電ピークはフォトマスクから電荷を除去
するために空気中に静電気を放電するために用いられる
ＥＳＤ保護機能を有するフォトマスクにより達成され
る。
と；該透明な基板の表面の所定の領域に配置されたパタ
ーン化されたシールド層と；透明基板の表面上に配置さ
れた静電荷（ＥＳＤ）保護層とからなり、ＥＳＤ保護層
はシールド層を囲み、ＥＳＤ保護層は複数の放電ピーク
からなり、該放電ピークはフォトマスクから電荷を除去
するために空気中に静電気を放電するために用いられる
ＥＳＤ保護機能を有するフォトマスクにより達成され
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図２を参照するに、これは本発明
のフォトマスクの平面図である。このフォトマスクはＥ
ＳＤ保護機能を有するフォトマスク３０を提供する。フ
ォトマスク３０はクオーツ又はガラスからなる透明基板
３２、その上の所定の領域にわたる所定のパターンを有
するパターン化されたシールド層により形成されたパタ
ーン領域３４、その周囲及び透明基板３２上のＥＳＤ保
護層３６からなる。
のフォトマスクの平面図である。このフォトマスクはＥ
ＳＤ保護機能を有するフォトマスク３０を提供する。フ
ォトマスク３０はクオーツ又はガラスからなる透明基板
３２、その上の所定の領域にわたる所定のパターンを有
するパターン化されたシールド層により形成されたパタ
ーン領域３４、その周囲及び透明基板３２上のＥＳＤ保
護層３６からなる。
【００１１】パターン領域３４及びＥＳＤ保護層３６両
方のパターン化されたシールド層はクロムフィルムから
なり、これはまず磁気的ＤＣスパッタリングにより、続
いてクロムフィルム上の所定のパターンをパターン化
し、エッチングすることにより透明基板３２の表面にわ
たり１０００から１２００オングストロームの厚さに形
成される。パターン領域３４及びＥＳＤ保護層３６のパ
ターン化されたシールド層の表面は各クロム層の反射率
を減少するために反射防止層として各クロム層にわたり
２００オングストロームの厚さのＣｒ２Ｏ３層を有す
る。同一のエッチングプロセスを通して、鋸歯状の形状
に、ＥＳＤ保護層３６の外縁の周囲に外側に向けて複数
の放電ピークが形成される。
方のパターン化されたシールド層はクロムフィルムから
なり、これはまず磁気的ＤＣスパッタリングにより、続
いてクロムフィルム上の所定のパターンをパターン化
し、エッチングすることにより透明基板３２の表面にわ
たり１０００から１２００オングストロームの厚さに形
成される。パターン領域３４及びＥＳＤ保護層３６のパ
ターン化されたシールド層の表面は各クロム層の反射率
を減少するために反射防止層として各クロム層にわたり
２００オングストロームの厚さのＣｒ２Ｏ３層を有す
る。同一のエッチングプロセスを通して、鋸歯状の形状
に、ＥＳＤ保護層３６の外縁の周囲に外側に向けて複数
の放電ピークが形成される。
【００１２】フォトマスク３０が他のオブジェクトのど
のユーザーと接触した場合でも、静電荷はパターン領域
３４及びＥＳＤ保護層３６のクロムフィルムに誘起され
る。ピーク放電の法則により、電界のピーク領域はより
強く、静電荷は電界を形成するためにＥＳＤ保護層３６
を囲む各ピークに集中する。静電荷がある程度放電ピー
クに集積される故に、空気中の粒子の反対電荷は誘導さ
れ、静電荷は各ピークの端に集まる。この時点で、中和
放電反応がピークの静電荷と空気中の誘導電荷との間で
生じ、両者の担持している電荷を打ち消し合う。換言す
ると、フォトマスク３０の静電荷はマスク３０から静電
気を空気中に除去するためにＥＳＤ保護層３６のピーク
を通して空気中の粒子と中和放電反応をなす。
のユーザーと接触した場合でも、静電荷はパターン領域
３４及びＥＳＤ保護層３６のクロムフィルムに誘起され
る。ピーク放電の法則により、電界のピーク領域はより
強く、静電荷は電界を形成するためにＥＳＤ保護層３６
を囲む各ピークに集中する。静電荷がある程度放電ピー
クに集積される故に、空気中の粒子の反対電荷は誘導さ
れ、静電荷は各ピークの端に集まる。この時点で、中和
放電反応がピークの静電荷と空気中の誘導電荷との間で
生じ、両者の担持している電荷を打ち消し合う。換言す
ると、フォトマスク３０の静電荷はマスク３０から静電
気を空気中に除去するためにＥＳＤ保護層３６のピーク
を通して空気中の粒子と中和放電反応をなす。
【００１３】中和放電反応で、ピークの電荷と空気中の
誘導電荷は電気エネルギーを放出し、より安定な状態に
達する。再び放出された電気エネルギーはピークの温度
を上昇させる。しかし、ピークの機能がＥＳＤ保護機能
をなすためにそのチップに静電荷を集中させることであ
る故に、各ピークのチップの中和放電反応から生じた高
熱は焼けの発生にも関わらず、パターン領域３４のパタ
ーン転写の明瞭さを減少させない。
誘導電荷は電気エネルギーを放出し、より安定な状態に
達する。再び放出された電気エネルギーはピークの温度
を上昇させる。しかし、ピークの機能がＥＳＤ保護機能
をなすためにそのチップに静電荷を集中させることであ
る故に、各ピークのチップの中和放電反応から生じた高
熱は焼けの発生にも関わらず、パターン領域３４のパタ
ーン転写の明瞭さを減少させない。
【００１４】図３を参照するに、これは本発明による代
替的なフォトマスク４０を示す。フォトマスク４０はク
オーツ又はガラスからなる透明基板４２、その上の所定
の領域にわたる所定のパターンを有するパターン化され
たクロムのシールド層により形成されたパターン領域４
４、その周囲及び透明基板４２上のクロムフィルムを含
むＥＳＤ保護層４６からなる。ＥＳＤ保護層４６はＥＳ
Ｄ保護層４６からの静電荷を空気中に放電するために用
いられる外側を向いたＥＳＤ保護層４６の表面に配置さ
れた複数の放電ピークを有する。更にまた、ＥＳＤ保護
層４６はパターン領域４４のシールド層と接触しておら
ず、ＥＳＤ保護層４６の側方のパターン領域４４のシー
ルド層の縁は放電ピークを有さない。
替的なフォトマスク４０を示す。フォトマスク４０はク
オーツ又はガラスからなる透明基板４２、その上の所定
の領域にわたる所定のパターンを有するパターン化され
たクロムのシールド層により形成されたパターン領域４
４、その周囲及び透明基板４２上のクロムフィルムを含
むＥＳＤ保護層４６からなる。ＥＳＤ保護層４６はＥＳ
Ｄ保護層４６からの静電荷を空気中に放電するために用
いられる外側を向いたＥＳＤ保護層４６の表面に配置さ
れた複数の放電ピークを有する。更にまた、ＥＳＤ保護
層４６はパターン領域４４のシールド層と接触しておら
ず、ＥＳＤ保護層４６の側方のパターン領域４４のシー
ルド層の縁は放電ピークを有さない。
【００１５】フォトマスク３０と同様に、＋Ｑの静電荷
がパターン領域４４に形成されると、それはＥＳＤ保護
層４６の内側に誘導電荷−Ｑを生ずる、即ちＥＳＤ保護
層４６に同量の静電荷を誘導する。ＥＳＤ保護層４６は
全体として電気的に中立である故に、ＥＳＤ保護層４６
の外側は＋Ｑの静電荷を有し、同様に、これらの＋Ｑの
静電荷はピークに集中する。各ピークの電荷はある量ま
で集積され、各ピークの＋Ｑの静電荷は空気中の粒子と
中和放電反応をなし、フォトマスク４０から空気中に放
出され、その中立状態を復元する。
がパターン領域４４に形成されると、それはＥＳＤ保護
層４６の内側に誘導電荷−Ｑを生ずる、即ちＥＳＤ保護
層４６に同量の静電荷を誘導する。ＥＳＤ保護層４６は
全体として電気的に中立である故に、ＥＳＤ保護層４６
の外側は＋Ｑの静電荷を有し、同様に、これらの＋Ｑの
静電荷はピークに集中する。各ピークの電荷はある量ま
で集積され、各ピークの＋Ｑの静電荷は空気中の粒子と
中和放電反応をなし、フォトマスク４０から空気中に放
出され、その中立状態を復元する。
【００１６】本発明では、ＥＳＤ保護層はフォトマスク
の外縁に外向きの複数のピークを有し、これはピークの
みに電界を生じるよう、フォトマスク内に形成された静
電荷を集中し、それによりパターン領域が電気的に妨害
されることを防ぐ。更に、空気中の粒子がパターン領域
に吸着される代わりに、ピークの電界に引き寄せられ
る。ピークのある強度の電界を生ずる静電荷がある程度
集積されると、それらは空気中の粒子と中和放電反応を
なす。それが各ピークのチップ（先端）にある故に、中
和放電反応及びそれに続く高熱が生じたときに、それら
は焼けを引き起こさず、パターン領域内の回路パターン
を損傷せず、パターン転写の明瞭さを減少させることは
ない。
の外縁に外向きの複数のピークを有し、これはピークの
みに電界を生じるよう、フォトマスク内に形成された静
電荷を集中し、それによりパターン領域が電気的に妨害
されることを防ぐ。更に、空気中の粒子がパターン領域
に吸着される代わりに、ピークの電界に引き寄せられ
る。ピークのある強度の電界を生ずる静電荷がある程度
集積されると、それらは空気中の粒子と中和放電反応を
なす。それが各ピークのチップ（先端）にある故に、中
和放電反応及びそれに続く高熱が生じたときに、それら
は焼けを引き起こさず、パターン領域内の回路パターン
を損傷せず、パターン転写の明瞭さを減少させることは
ない。
【図１】従来技術のフォトマスクの平面図である。
【図２】本発明のフォトマスクの平面図である。
【図３】本発明による代替的なのフォトマスクの平面図
である。
である。
１０ フォトマスク １２ 透明なクオーツ基板 １４ パターン領域 １６ インナクロムフィルム １８ ＥＳＤアニュラス ２０ アウタクロムフィルム ３０ フォトマスク ３２ 透明基板 ３４ パターン領域 ３６ ＥＳＤ保護層 ４０ フォトマスク ４２ 透明基板 ４４ パターン領域 ４６ ＥＳＤ保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポン チャオ−リン 台湾、シン−チュ シティ、ウェン−チャ ン ストリート、105番 (72)発明者 リー タイ−ユアン 台湾、タイペイ シティ、チュン チィ ロード、セクション ２、レーン 32、９ 番、４Ｆ Ｆターム(参考） 2H095 BB02 BC14 BC17 BC20
Claims (19)
- 【請求項１】透明な基板と；該透明な基板の表面の所定
の領域に配置されたパターン化されたシールド層と；透
明基板の表面上に配置された静電荷（ＥＳＤ）保護層と
からなり、ＥＳＤ保護層はシールド層を囲み、ＥＳＤ保
護層は複数の放電ピークからなり、該放電ピークはフォ
トマスクから電荷を除去するために空気中に静電気を放
電するために用いられるＥＳＤ保護機能を有するフォト
マスク。 - 【請求項２】 透明基板はクオーツ又はガラスから作ら
れる請求項１記載のマスク。 - 【請求項３】 シールド層及びＥＳＤ保護層は不透明な
導電性材料で作られる請求項１記載のマスク。 - 【請求項４】 シールド層及びＥＳＤ保護層は両方とも
クロム（Ｃｒ）フィルムで作られ、マスクは表面処理さ
れたクロムマスク又は反射防止クロムマスクである請求
項３記載のマスク。 - 【請求項５】 クロムフィルムは磁気的直流（ＤＣ）ス
パッタリング法を用いて形成され、クロムフィルムは約
１０００オングストロームから１２００オングストロー
ムの厚さを有する請求項４記載のマスク。 - 【請求項６】 クロムフィルムは更に、その上に酸化ク
ロム（Ｃｒ２Ｏ３）を含み、酸化クロムフィルムは約２
００オングストロームの厚さを有し、反射防止層として
用いられる請求項４記載のマスク。 - 【請求項７】 複数の放電ピークは鋸歯状型の縁を形成
するＥＳＤ保護層の外縁を囲む請求項１記載のマスク。 - 【請求項８】 複数の放電ピークはＥＳＤ保護層の表面
から突出する請求項１記載のマスク。 - 【請求項９】 複数の放電ピークは先端電界効果を用い
て空気中に放電する請求項１記載のマスク。 - 【請求項１０】透明な基板と；該透明な基板の表面の所
定の領域に配置されたパターン化されたシールド層と；
透明基板の表面上に配置され、シールド層を覆う透明保
護層と；透明基板の表面上に配置され、シールド層を囲
む静電荷（ＥＳＤ）保護層とからなり、ＥＳＤ保護層は
その外縁上に配置された複数の放電ピークからなり、該
放電ピークは空気中に静電気を放電するために用いられ
るＥＳＤ保護機能を有するフォトマスク。 - 【請求項１１】 透明基板はクオーツ又はガラスから作
られる請求項１０記載のマスク。 - 【請求項１２】 シールド層及びＥＳＤ保護層は不透明
な導電性材料で作られる請求項１０記載のマスク。 - 【請求項１３】 シールド層及びＥＳＤ保護層は両方と
もクロム（Ｃｒ）フィルムで作られ、マスクは表面処理
されたクロムマスク又は反射防止クロムマスクである請
求項１２記載のマスク。 - 【請求項１４】 クロムフィルムは磁気的直流（ＤＣ）
スパッタリング法を用いて形成され、クロムフィルムは
約１０００オングストロームから１２００オングストロ
ームの厚さを有する請求項１３記載のマスク。 - 【請求項１５】 クロムフィルムは更に、その上に酸化
クロム（Ｃｒ２Ｏ３）を含み、酸化クロムフィルムは約
２００オングストロームの厚さを有し、反射防止層とし
て用いられる請求項１３記載のマスク。 - 【請求項１６】 複数の放電ピークは鋸歯状型の縁を形
成するようＥＳＤ保護層の外縁を囲む請求項１０記載の
マスク。 - 【請求項１７】 ＥＳＤ保護層はシールド層と接触せ
ず、放電ピークはシールド層に隣接したＥＳＤ保護層の
側に配置されない請求項１０記載のマスク。 - 【請求項１８】 複数の放電ピークはＥＳＤ保護層の表
面から突出する請求項１０記載のマスク。 - 【請求項１９】 複数の放電ピークは先端電界効果を用
いて空気中に放電する請求項１０記載のマスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/584,698 US6372390B1 (en) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | Photo mask with an ESD protective function |
| JP2000228578A JP3342693B2 (ja) | 2000-06-01 | 2000-07-28 | Ｅｓｄ保護機能を有するフォトマスク |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/584,698 US6372390B1 (en) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | Photo mask with an ESD protective function |
| JP2000228578A JP3342693B2 (ja) | 2000-06-01 | 2000-07-28 | Ｅｓｄ保護機能を有するフォトマスク |
Publications (2)
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Cited By (17)
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|---|---|---|---|---|
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