JP2772172B2 - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JP2772172B2 JP2772172B2 JP20904291A JP20904291A JP2772172B2 JP 2772172 B2 JP2772172 B2 JP 2772172B2 JP 20904291 A JP20904291 A JP 20904291A JP 20904291 A JP20904291 A JP 20904291A JP 2772172 B2 JP2772172 B2 JP 2772172B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- pattern
- light
- forming
- patterning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレチクルに関し、特にス
テッパー型露光装置によるフォトリソグラヘィ技術に関
する。
テッパー型露光装置によるフォトリソグラヘィ技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＳＩ用レチクルは、図２に示す
ように、透明な石英ガラス１０上にクロームで形成され
るパターン７，８及びパターンのない部分９で構成され
ている。図２の平面及びＢ−Ｂ′断面図が図４（ａ），
（ｂ）である。ＬＳＩ構造は微細な素子をウェハー上に
形成すること（パターニング）が重要であり、パターニ
ングは、レチクル，フォトレジスト及び露光装置，現像
プロセスとエッチングにより構成される。
ように、透明な石英ガラス１０上にクロームで形成され
るパターン７，８及びパターンのない部分９で構成され
ている。図２の平面及びＢ−Ｂ′断面図が図４（ａ），
（ｂ）である。ＬＳＩ構造は微細な素子をウェハー上に
形成すること（パターニング）が重要であり、パターニ
ングは、レチクル，フォトレジスト及び露光装置，現像
プロセスとエッチングにより構成される。
【０００３】図５に示すように光源１１，図２に示した
レチクル、及びフォトレジスト１２をコーティング（塗
布）したウェハー（半導体基板）１３が露光装置内に設
置してあり、図２のレチクルのパターン７及び８を光源
１１によりフォトレジストをコーティングしたウェハー
１３上に投影し露光する。ネガタイプレジストの場合は
露光により光の作用で照射された部分とそうでない部分
とでは、現像における溶剤の溶解度に著しい差が生じパ
ターニングすることができる。またポジタイプレジスト
の場合は、露光により照射された部分が光分解し現像液
に可溶な性質となるのでパターニングすることができ
る。
レチクル、及びフォトレジスト１２をコーティング（塗
布）したウェハー（半導体基板）１３が露光装置内に設
置してあり、図２のレチクルのパターン７及び８を光源
１１によりフォトレジストをコーティングしたウェハー
１３上に投影し露光する。ネガタイプレジストの場合は
露光により光の作用で照射された部分とそうでない部分
とでは、現像における溶剤の溶解度に著しい差が生じパ
ターニングすることができる。またポジタイプレジスト
の場合は、露光により照射された部分が光分解し現像液
に可溶な性質となるのでパターニングすることができ
る。
【０００４】一方このレチクルは、ゴミなどの異物が付
着するとその部分もパターンの部分と同様な働きをする
ので意図したパターニングができなくなるという不具合
が生じるので付着した異物を除去するため図６に示すレ
チクル洗浄機にて洗浄する。洗浄法は回転ブラシ１４及
び１５にてレチクル表面上に付着した異物を物理的に除
去する方法である。ブラシの長さは、洗浄回数が増すに
つれ短くなるので、定期的にレチクルとブラシとの距離
を構成することにより異物除去能力を一定に保ってい
る。
着するとその部分もパターンの部分と同様な働きをする
ので意図したパターニングができなくなるという不具合
が生じるので付着した異物を除去するため図６に示すレ
チクル洗浄機にて洗浄する。洗浄法は回転ブラシ１４及
び１５にてレチクル表面上に付着した異物を物理的に除
去する方法である。ブラシの長さは、洗浄回数が増すに
つれ短くなるので、定期的にレチクルとブラシとの距離
を構成することにより異物除去能力を一定に保ってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＬＳＩ用レ
チクルでは、図４（ｂ）に示すように、パターン７及び
８とパターンのない部分９において段差があり、レチク
ルを洗浄する回転ブラシ１５によってパターン７及び８
の端の部分７ａおよび８ａは回転ブラシ１５との摩擦が
大きく、物理的な力や静電気が発生する。例えば図８に
示すように、図４に示したレチクルのパターン７は、１
００回，２００回，３００回と洗浄する回数が増えるに
つれクロームで形成されているパターン７は寸法が短く
なり、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）のようになる。洗浄
回数が３００回の場合（図８（ｃ））はウェハー上に形
成されるパターンはポジタイプレジストの場合０．５μ
ｍ程設計値より短くなり、仮に設計マージンが０．４μ
ｍであれば意図した素子が形成されないという問題があ
った。
チクルでは、図４（ｂ）に示すように、パターン７及び
８とパターンのない部分９において段差があり、レチク
ルを洗浄する回転ブラシ１５によってパターン７及び８
の端の部分７ａおよび８ａは回転ブラシ１５との摩擦が
大きく、物理的な力や静電気が発生する。例えば図８に
示すように、図４に示したレチクルのパターン７は、１
００回，２００回，３００回と洗浄する回数が増えるに
つれクロームで形成されているパターン７は寸法が短く
なり、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）のようになる。洗浄
回数が３００回の場合（図８（ｃ））はウェハー上に形
成されるパターンはポジタイプレジストの場合０．５μ
ｍ程設計値より短くなり、仮に設計マージンが０．４μ
ｍであれば意図した素子が形成されないという問題があ
った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＳＩ用レチク
ルは微細な素子を形成するためのパターンの他に素子を
形成しない保護を目的とするダミーなパターンを素子形
成用パターンの周辺に備えている。
ルは微細な素子を形成するためのパターンの他に素子を
形成しない保護を目的とするダミーなパターンを素子形
成用パターンの周辺に備えている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のＬＳＩ用レチクルの概略
の斜視図で、図３（ａ）は図１のの平面図で、（ｂ）は
Ａ−Ａ′断面図である。本レチクルは、石英ガラス６上
に素子を形成するためのクロームパターン１と２があ
り、素子を形成しないダミーのパターン４及び５で保護
してある。
る。図１は本発明の一実施例のＬＳＩ用レチクルの概略
の斜視図で、図３（ａ）は図１のの平面図で、（ｂ）は
Ａ−Ａ′断面図である。本レチクルは、石英ガラス６上
に素子を形成するためのクロームパターン１と２があ
り、素子を形成しないダミーのパターン４及び５で保護
してある。
【０００８】次に図６に示したレチクル洗浄機にて本レ
チクルを洗浄する例を示す。図７に示すように、（ａ）
１００回洗浄後、（ｂ）２００回洗浄後、（ｃ）３００
回洗浄後の図１のレチクルはダミーパターン４の寸法が
変化する。同じく図８（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来の
図２のレチクルのようすを示しており、パターン寸法が
洗浄回数が増すにつれ短くなっている。本発明のレチク
ルは、素子を形成しないダミーパターン４，５により素
子を形成するためのパターン１．２を保護することがで
きる。また洗浄機の回転ブラシの回転方向及びセットす
るレチクルの向きが一定であれば、図９（ａ），（ｂ）
に示すようなダミーパターンにすることが可能で、レチ
クルの面積縮小が可能となる。
チクルを洗浄する例を示す。図７に示すように、（ａ）
１００回洗浄後、（ｂ）２００回洗浄後、（ｃ）３００
回洗浄後の図１のレチクルはダミーパターン４の寸法が
変化する。同じく図８（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来の
図２のレチクルのようすを示しており、パターン寸法が
洗浄回数が増すにつれ短くなっている。本発明のレチク
ルは、素子を形成しないダミーパターン４，５により素
子を形成するためのパターン１．２を保護することがで
きる。また洗浄機の回転ブラシの回転方向及びセットす
るレチクルの向きが一定であれば、図９（ａ），（ｂ）
に示すようなダミーパターンにすることが可能で、レチ
クルの面積縮小が可能となる。
【０００９】次に第２の実施例について説明する。図１
０のように素子を形成しないダミーパターンの一部に電
極を形成するパターン３１を設ける。例えば、ゲートポ
リシリコン等導電性の物質をパターニングする目的のレ
チクルであれば、パターニング後抵抗値（パターニング
抵抗値と称す）を測定する事ができる。レチクルの洗浄
回数が多くなると、レチクル洗浄機の回転ブラシにより
レチクルのダミーパターン３１が削られ、細くなるとパ
ターニング抵抗値は大きくなり、最後には無限大とな
る。このパターニング抵抗値をモニターすることによ
り、レチクル使用限度を検知する事が可能である。図１
１にパターニング抵抗値の変化例を示す。
０のように素子を形成しないダミーパターンの一部に電
極を形成するパターン３１を設ける。例えば、ゲートポ
リシリコン等導電性の物質をパターニングする目的のレ
チクルであれば、パターニング後抵抗値（パターニング
抵抗値と称す）を測定する事ができる。レチクルの洗浄
回数が多くなると、レチクル洗浄機の回転ブラシにより
レチクルのダミーパターン３１が削られ、細くなるとパ
ターニング抵抗値は大きくなり、最後には無限大とな
る。このパターニング抵抗値をモニターすることによ
り、レチクル使用限度を検知する事が可能である。図１
１にパターニング抵抗値の変化例を示す。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレチクル
は、微細な素子を形成するためのパターンを素子を形成
しないダミーパターンで保護しているので、レチクル洗
浄機の回転ブラシによるレチクルパターンの欠落を容易
に防止できるという効果を有する。
は、微細な素子を形成するためのパターンを素子を形成
しないダミーパターンで保護しているので、レチクル洗
浄機の回転ブラシによるレチクルパターンの欠落を容易
に防止できるという効果を有する。
【図１】本発明のＬＳＩ用レチクルの概略図。
【図２】従来のＬＳＩ用レチクルの概略図。
【図３】図１に示したレチクルの平面図とＡ−Ａ′断面
図。
図。
【図４】図２に示したレチクルの平面図とＢ−Ｂ′断面
図。
図。
【図５】露光装置内の光源１１及びウェハー（半導体基
板）１３、フォトレジスト１２及びレチクルの位置関係
を示す概略図。
板）１３、フォトレジスト１２及びレチクルの位置関係
を示す概略図。
【図６】レチクル洗浄機の概略図。
【図７】図６のレチクル洗浄機で（ａ）１００回、
（ｂ）２００回、（ｃ）３００回洗浄した後の図３のレ
チクルの概略図。
（ｂ）２００回、（ｃ）３００回洗浄した後の図３のレ
チクルの概略図。
【図８】図６の洗浄機で（ａ）１００回、（ｂ）２００
回、（ｃ）３００回洗浄した後の図４のレチクルの概略
図。
回、（ｃ）３００回洗浄した後の図４のレチクルの概略
図。
【図９】洗浄機の回転ブラシの回転方向及びセットする
レチクルの向きが一定の場合の実施例を示す図で（ａ）
は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ′断面図。
レチクルの向きが一定の場合の実施例を示す図で（ａ）
は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ′断面図。
【図１０】第２の実施例のＬＳＩ用レチクルの平面図。
【図１１】図１０のレチクルの洗浄回数とパターニング
抵抗値を示すグラフ。
抵抗値を示すグラフ。
【符号の説明】 １，２，７，８ 素子用クロームパターン ９ パターンのないガラス部 ７ａ，８ａ 素子用クロームパターン端部 ４，５ 保護用ダミーパターン ６，１０ 石英ガラス
Claims (3)
- 【請求項１】 透光性基板上に素子形成用の不透光性又
は透光性のパターンを備えたレチクルにおいて、素子を
形成するパターンの保護を目的とし、且つ、前記素子を
形成するパターンを囲繞したダミーパターンを備えたこ
とを特徴とするレチクル。 - 【請求項２】 透光性基板上に素子形成用の不透光性又
は透光性のパターンを備えたレチクルにおいて、素子を
形成するパターンの保護を目的とし、前記素子を形成す
るパターンの各辺に対応する辺が、前記素子を形成する
パターンの辺よりも長いダミーパターンを、前記素子を
形成するパターンの近傍、且つ、洗浄用回転ブラシが前
記素子を形成するパターンよりも先に当たる位置に設け
たことを特徴とするレチクル。 - 【請求項３】 ダミーパターンに電極パターンを設けた
ことを特徴とする請求項１又は２記載のレチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20904291A JP2772172B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20904291A JP2772172B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | レチクル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545859A JPH0545859A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2772172B2 true JP2772172B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=16566299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20904291A Expired - Lifetime JP2772172B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2772172B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878150A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-11 | Nec Corp | ガラスマスク |
| JPH01195450A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトマスクのパターン作成法 |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP20904291A patent/JP2772172B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545859A (ja) | 1993-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980324 |