JPS5878150A - ガラスマスク - Google Patents
ガラスマスクInfo
- Publication number
- JPS5878150A JPS5878150A JP56176031A JP17603181A JPS5878150A JP S5878150 A JPS5878150 A JP S5878150A JP 56176031 A JP56176031 A JP 56176031A JP 17603181 A JP17603181 A JP 17603181A JP S5878150 A JPS5878150 A JP S5878150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- integrated circuit
- dimensions
- variations
- glass mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路の製造に用いられるガラスマスクに関
するものである。
するものである。
従来、集積回路の内部パターンは、必要とするパターン
のみを形成し回路構成をしていた。このことによ〕、チ
ップ内でのパターン密度に差が生じ、パターンの密な部
分に比較して、パターンの粗な部分はホトエツチング工
程において、パターン寸法が小さくなシ、集積回路の特
性バラツキの一因となってい友。
のみを形成し回路構成をしていた。このことによ〕、チ
ップ内でのパターン密度に差が生じ、パターンの密な部
分に比較して、パターンの粗な部分はホトエツチング工
程において、パターン寸法が小さくなシ、集積回路の特
性バラツキの一因となってい友。
第１図は従来の方法によって配線パターンを形成するた
めのガラスマスクの一部を示した亀のである。Ａ部と８
部には、明らかなパターン密度の差がある。このことに
よ〕、設設計上−の寸法とした寸法１と寸法ｍはパター
ン形成終了後においてｊ＞ｍとなる場合が通常である。
めのガラスマスクの一部を示した亀のである。Ａ部と８
部には、明らかなパターン密度の差がある。このことに
よ〕、設設計上−の寸法とした寸法１と寸法ｍはパター
ン形成終了後においてｊ＞ｍとなる場合が通常である。
これは主にホトエツチング工程において、マスクを通し
てＡ部に照射される光量の、とＢ部照射される光量ΦＢ
がΦムくΦＢ なる関係を持ち、ホトレジストのパター
ン寸法がすでにｌ＞ｍとなる。これは、ホトレジストの
パターン寸法がパターン密度に依存性を持つことを意味
する。同様なパターン依存性は、エツチングレートに４
あＪｌ、 Ｂの部分のパターンは、サイドエツチングさ
れやすい、このため、出来上り寸法において、！〉ｍな
る寸法のばらつきが生じる。
てＡ部に照射される光量の、とＢ部照射される光量ΦＢ
がΦムくΦＢ なる関係を持ち、ホトレジストのパター
ン寸法がすでにｌ＞ｍとなる。これは、ホトレジストの
パターン寸法がパターン密度に依存性を持つことを意味
する。同様なパターン依存性は、エツチングレートに４
あＪｌ、 Ｂの部分のパターンは、サイドエツチングさ
れやすい、このため、出来上り寸法において、！〉ｍな
る寸法のばらつきが生じる。
本発明は、上記寸法ばらつきを低減させることを目的と
したダミーのパターンをパターン密度を一定化するよう
考慮して配置し安定したパターン寸法を得て、集積回路
の特性ばらつきを改善するガラスマスクを提供するもの
である。
したダミーのパターンをパターン密度を一定化するよう
考慮して配置し安定したパターン寸法を得て、集積回路
の特性ばらつきを改善するガラスマスクを提供するもの
である。
この発明紘集積回路製造に用いるガラスマスクにおいて
、必要とするパターン以外にパターン密度を一定化する
ことを目的としたダイ−のパターンから成るものである
。すなわち、本来必要としない、ダイ−のパターンを形
成することで、パターン密度を一定化する。
、必要とするパターン以外にパターン密度を一定化する
ことを目的としたダイ−のパターンから成るものである
。すなわち、本来必要としない、ダイ−のパターンを形
成することで、パターン密度を一定化する。
本発明によれば、必要とするパターンとダイ−のパター
ンをパターン密度が一定化するよう配置することで、ホ
トエツチングによるパターン形成工程において形成され
たパターンの寸法ばらつ色を低下させることかで龜る。
ンをパターン密度が一定化するよう配置することで、ホ
トエツチングによるパターン形成工程において形成され
たパターンの寸法ばらつ色を低下させることかで龜る。
これによって寸法ばらつきから発生する、集積回路の特
性のばらつきを低下で龜る。
性のばらつきを低下で龜る。
以下１図面を用いて本発明の実施例について説明する。
第２図は本発明を用いて第１図の配線パターンにダミー
のパターンを追加したガラスマスクの実施例である。ダ
イ−のパターンを追加したことによシ、マスクを通して
Ａ部に照射される光量Φム゛とＢｔ！６に照射される光
量ΦＢ１ はΦム゛；ΦＩＩｌとなＬホトレジストパタ
ーンの寸法が安定する。
のパターンを追加したガラスマスクの実施例である。ダ
イ−のパターンを追加したことによシ、マスクを通して
Ａ部に照射される光量Φム゛とＢｔ！６に照射される光
量ΦＢ１ はΦム゛；ΦＩＩｌとなＬホトレジストパタ
ーンの寸法が安定する。
また、エツチングにおいても安定したエツチングレート
を示し、配線パターン形成後において、パターン寸法は
ｊ”：ｍ’ となシ、寸法ばらっ麹は無視出来る様に
なる。
を示し、配線パターン形成後において、パターン寸法は
ｊ”：ｍ’ となシ、寸法ばらっ麹は無視出来る様に
なる。
第１図社従来のガラスマスクの部分平面図、第２図は本
発明の一実施例のガラスマスクの部分平面図である。 なお図において、人、λ１・・・偵必要とするパターン
の密な部分、Ｂ、Ｂ’・・・・・・必要とするパターン
の粗な部分、４．Ｉ’・・団・Ａ 、 Ａ’のパターン
寸法、ｍ、ｍ’・・・・・・Ｂ、Ｂ”ｌｌＳのパターン
寸法、ｌ・・・・・・ＥＩ［Ａターン、２・・・・・・
ダミーパターン、である。
発明の一実施例のガラスマスクの部分平面図である。 なお図において、人、λ１・・・偵必要とするパターン
の密な部分、Ｂ、Ｂ’・・・・・・必要とするパターン
の粗な部分、４．Ｉ’・・団・Ａ 、 Ａ’のパターン
寸法、ｍ、ｍ’・・・・・・Ｂ、Ｂ”ｌｌＳのパターン
寸法、ｌ・・・・・・ＥＩ［Ａターン、２・・・・・・
ダミーパターン、である。
Claims (1)
- 集積回路パターン形成に用いるガラスマスクにおいて、
集積回路において必要とするパターン以外にダミーパタ
ーンが形成されていることを特徴とするガラスマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176031A JPS5878150A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | ガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176031A JPS5878150A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | ガラスマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878150A true JPS5878150A (ja) | 1983-05-11 |
Family
ID=16006512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56176031A Pending JPS5878150A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | ガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878150A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0266275A2 (en) * | 1986-10-28 | 1988-05-04 | Fujitsu Limited | An X-ray exposure mask for transferring patterns onto a semiconductor wafer |
| JPH0226760A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | サーマルヘッドの発熱抵抗体形成方法 |
| JPH0545859A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Nec Yamaguchi Ltd | レチクル |
| JPH0683035A (ja) * | 1993-06-28 | 1994-03-25 | Seiko Epson Corp | フレキシブル回路基板用マスク構造 |
| US5436095A (en) * | 1991-07-11 | 1995-07-25 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method or an exposing method for a semiconductor device for a semiconductor integrated circuit device and a mask used therefor |
| EP1043626A1 (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-11 | STMicroelectronics S.r.l. | A method for improving the performance of photolithographic equipment and for increasing the lifetime of the optics thereof |
| US6440614B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-08-27 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Mask and method of manufacturing semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP56176031A patent/JPS5878150A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0266275A2 (en) * | 1986-10-28 | 1988-05-04 | Fujitsu Limited | An X-ray exposure mask for transferring patterns onto a semiconductor wafer |
| EP0266275A3 (en) * | 1986-10-28 | 1989-11-15 | Fujitsu Limited | An x-ray exposure mask for transferring patterns onto a semiconductor wafer |
| JPH0226760A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | サーマルヘッドの発熱抵抗体形成方法 |
| US5436095A (en) * | 1991-07-11 | 1995-07-25 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method or an exposing method for a semiconductor device for a semiconductor integrated circuit device and a mask used therefor |
| JPH0545859A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Nec Yamaguchi Ltd | レチクル |
| JPH0683035A (ja) * | 1993-06-28 | 1994-03-25 | Seiko Epson Corp | フレキシブル回路基板用マスク構造 |
| US6440614B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-08-27 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Mask and method of manufacturing semiconductor device |
| EP1043626A1 (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-11 | STMicroelectronics S.r.l. | A method for improving the performance of photolithographic equipment and for increasing the lifetime of the optics thereof |
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