JPS6335096B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6335096B2 JPS6335096B2 JP58031217A JP3121783A JPS6335096B2 JP S6335096 B2 JPS6335096 B2 JP S6335096B2 JP 58031217 A JP58031217 A JP 58031217A JP 3121783 A JP3121783 A JP 3121783A JP S6335096 B2 JPS6335096 B2 JP S6335096B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- organic silicon
- silicon compound
- pattern
- dimensional accuracy
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 38
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
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- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は感光性樹脂を使用して微細パターン
を形成する微細パターン形成方法に関するもので
ある。
を形成する微細パターン形成方法に関するもので
ある。
半導体集積回路装置の高集積化が進むにつれ
て、パターンの微細化が要求される。すなわち、
第１図に示すように、被エツチング材料１上に感
光性樹脂２を寸法精度よくパターン形成すること
が要求される。
て、パターンの微細化が要求される。すなわち、
第１図に示すように、被エツチング材料１上に感
光性樹脂２を寸法精度よくパターン形成すること
が要求される。
しかしながら、従来の微細パターン形成方法で
は感光性樹脂２のマスク性としての厚みが厚くな
ると、第２図に示すように、解像力が低下するた
め、寸法精度に限界がある。逆に、感光性樹脂２
のマスク性としての厚みを薄くすると、寸法精度
は向上するが、マスク性が低下するなど、要求さ
れる寸法精度が得られない欠点があつた。
は感光性樹脂２のマスク性としての厚みが厚くな
ると、第２図に示すように、解像力が低下するた
め、寸法精度に限界がある。逆に、感光性樹脂２
のマスク性としての厚みを薄くすると、寸法精度
は向上するが、マスク性が低下するなど、要求さ
れる寸法精度が得られない欠点があつた。
したがつて、この発明の目的は感光性樹脂を使
用し、要求される寸法精度のパターンを容易に形
成することができる微細パターン形成方法を提供
するものである。
用し、要求される寸法精度のパターンを容易に形
成することができる微細パターン形成方法を提供
するものである。
このような目的を達成するため、この発明は被
エツチング材料上に第１の感光性樹脂を塗布する
工程と、この第１の感光性樹脂上に第２の感光性
樹脂を塗布する工程と、この第２の感光性樹脂を
露光・現像処理し、所定パターンの開口部を形成
する工程と、この第２の感光性樹脂の開口部を有
機シリコン化合物で埋める工程と、この開口部に
埋め込まれた有機シリコン化合物を低温熱処理す
る工程と、この有機シリコン化合物をマスクとし
て、第１の感光性樹脂および第２の感光性樹脂を
除去し、この有機シリコン化合物および第１の感
光性樹脂による２層構造パターンを形成する工程
とを備えるものであり、以下実施例を用いて詳細
に説明する。
エツチング材料上に第１の感光性樹脂を塗布する
工程と、この第１の感光性樹脂上に第２の感光性
樹脂を塗布する工程と、この第２の感光性樹脂を
露光・現像処理し、所定パターンの開口部を形成
する工程と、この第２の感光性樹脂の開口部を有
機シリコン化合物で埋める工程と、この開口部に
埋め込まれた有機シリコン化合物を低温熱処理す
る工程と、この有機シリコン化合物をマスクとし
て、第１の感光性樹脂および第２の感光性樹脂を
除去し、この有機シリコン化合物および第１の感
光性樹脂による２層構造パターンを形成する工程
とを備えるものであり、以下実施例を用いて詳細
に説明する。
第３図ａ〜第３図ｄはこの発明に係る微細パタ
ーン形成方法の一実施例を工程別に示す断面図で
ある。同図において、３は第２の感光性樹脂、４
は有機シリコン化合物である。
ーン形成方法の一実施例を工程別に示す断面図で
ある。同図において、３は第２の感光性樹脂、４
は有機シリコン化合物である。
次に上記構成による微細パターン形成工程につ
いて説明する。まず、第３図ａに示すように、被
エツチング材料１上に第１の感光性樹脂２を塗布
したのち、この第１の感光性樹脂２上に第２の感
光性樹脂３を塗布する。このとき、この第２の感
光性樹脂３の厚さはパターン寸法精度が得られる
厚さであり、例えば3000Å程度である。次に、第
３図ｂに示すように、この第２の感光性樹脂３上
に投影露光、または直接露光したのち、現像処理
を行い、この第２の感光性樹脂３に所定パターン
の開口部を作る。次に、第３図ｃに示すように、
有機シリコン化合物４を第２の感光性樹脂３の開
口部に埋める。この場合、この有機シリコン化合
物４はアルコール系に溶解しているため、濃度の
低いものを使用し、高回転による塗布を行なうこ
とによつて、開口部のみ埋めこむことができる。
そして、この埋め込まれた有機シリコン化合物４
に低温熱処理を施し、硬化させる。次に、第３図
ｄに示すように、この有機シリコン化合物４をマ
スクとして、第１の感光性樹脂２および第２の感
光性樹脂３を酸素プラズマによる異方性エツチン
グを行なうと、有機シリコン化合物４および第１
の感光性樹脂２による２層構造を有する微細パタ
ーンを形成することができる。
いて説明する。まず、第３図ａに示すように、被
エツチング材料１上に第１の感光性樹脂２を塗布
したのち、この第１の感光性樹脂２上に第２の感
光性樹脂３を塗布する。このとき、この第２の感
光性樹脂３の厚さはパターン寸法精度が得られる
厚さであり、例えば3000Å程度である。次に、第
３図ｂに示すように、この第２の感光性樹脂３上
に投影露光、または直接露光したのち、現像処理
を行い、この第２の感光性樹脂３に所定パターン
の開口部を作る。次に、第３図ｃに示すように、
有機シリコン化合物４を第２の感光性樹脂３の開
口部に埋める。この場合、この有機シリコン化合
物４はアルコール系に溶解しているため、濃度の
低いものを使用し、高回転による塗布を行なうこ
とによつて、開口部のみ埋めこむことができる。
そして、この埋め込まれた有機シリコン化合物４
に低温熱処理を施し、硬化させる。次に、第３図
ｄに示すように、この有機シリコン化合物４をマ
スクとして、第１の感光性樹脂２および第２の感
光性樹脂３を酸素プラズマによる異方性エツチン
グを行なうと、有機シリコン化合物４および第１
の感光性樹脂２による２層構造を有する微細パタ
ーンを形成することができる。
以上詳細に説明したように、この発明に係る微
細パターン形成方法によれば第２の感光性樹脂に
より、有機シリコン化合物の埋め込み部の寸法精
度が向上し、しかも、有機シリコン化合物のマス
ク性が優れていることによつて、第１の感光性樹
脂を精度よくエツチングすることができる。ま
た、上部に有機シリコン化合物を有することによ
つて形成パターンのマスク性が向上するなどの効
果がある。
細パターン形成方法によれば第２の感光性樹脂に
より、有機シリコン化合物の埋め込み部の寸法精
度が向上し、しかも、有機シリコン化合物のマス
ク性が優れていることによつて、第１の感光性樹
脂を精度よくエツチングすることができる。ま
た、上部に有機シリコン化合物を有することによ
つて形成パターンのマスク性が向上するなどの効
果がある。
第１図は要求されるパターン寸法精度を示す断
面図、第２図は従来の微細パターン形成方法によ
つて形成したパターン寸法精度を示す断面図、第
３図ａ〜第３図ｄはこの発明に係る微細パターン
形成方法の一実施例を示す断面図である。 １……被エツチング材料、２……第１の感光性
樹脂、３……第２の感光性樹脂、４……有機シリ
コン化合物。なお、図中、同一符号は同一または
相当部分を示す。
面図、第２図は従来の微細パターン形成方法によ
つて形成したパターン寸法精度を示す断面図、第
３図ａ〜第３図ｄはこの発明に係る微細パターン
形成方法の一実施例を示す断面図である。 １……被エツチング材料、２……第１の感光性
樹脂、３……第２の感光性樹脂、４……有機シリ
コン化合物。なお、図中、同一符号は同一または
相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 被エツチング材料上に第１の感光性樹脂を塗
布する工程と、この第１の感光性樹脂上に第２の
感光性樹脂を塗布する工程と、この第２の感光性
樹脂を露光・現像処理し、所定パターンの開口部
を形成する工程と、この第２の感光性樹脂の開口
部を有機シリコン化合物で埋める工程と、この開
口部に埋め込まれた有機シリコン化合物を低温熱
処理する工程と、この有機シリコン化合物をマス
クとして第１の感光性樹脂および第２の感光性樹
脂を除去し、この有機シリコン化合物および第１
の感光性樹脂による２層構造パターンを形成する
工程とを備えたことを特徴とする微細パターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58031217A JPS59155933A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58031217A JPS59155933A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155933A JPS59155933A (ja) | 1984-09-05 |
| JPS6335096B2 true JPS6335096B2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=12325261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58031217A Granted JPS59155933A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155933A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60214532A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成方法 |
| JPH05211115A (ja) * | 1992-10-15 | 1993-08-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP3874989B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2007-01-31 | シャープ株式会社 | パターンの形成方法 |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP58031217A patent/JPS59155933A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59155933A (ja) | 1984-09-05 |
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