JPS59155933A - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents

微細パタ−ン形成方法

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JPS59155933A
JPS59155933A JP58031217A JP3121783A JPS59155933A JP S59155933 A JPS59155933 A JP S59155933A JP 58031217 A JP58031217 A JP 58031217A JP 3121783 A JP3121783 A JP 3121783A JP S59155933 A JPS59155933 A JP S59155933A
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JP
Japan
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photosensitive resin
resin
organic silicon
silicon compound
etched
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JP58031217A
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English (en)
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JPS6335096B2 (ja
Inventor
Kuniaki Miyake
邦明 三宅
Masahiro Hatanaka
畑中　正宏
Kyusaku Nishioka
西岡　久作
Wataru Wakamiya
若宮　亙
Masayuki Nakajima
真之 中島
Kenji Takayama
健司 高山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS59155933A publication Critical patent/JPS59155933A/ja
Publication of JPS6335096B2 publication Critical patent/JPS6335096B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は感光性樹脂を使用して微細パターンを形成す
る。微細パターン形成方法に関するものである。
〔従来技術〕
半導体集積回路装置の高集積化が進むにつれて、パター
ンの微細化が要求される。すなわち、第１図に示すよう
に、被エツチング材料（１）上に感光性樹脂（２）を寸
法精度よくパターン形成することが要求される。
しかしながら、従来の微細パターン形成方法では感光性
樹脂（２）のマスク性としての厚みが厚くなると、第２
図に示すように、解像力が低下するため、寸法精度に限
界がある。逆に、感光性樹脂（２）のマスク性としての
厚みを薄くすると、寸法精度は向上するが、マスク性が
低下するな、ど、要求される寸法精度が得られない欠点
があった。
〔発明の概要〕
したがって、この発明の目的は感光性樹脂を使用し、要
求される寸法精度のパターンを容易に形成することがで
きる微細パターン形成方法を提供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は被エツチン
グ材料上に第１の感光性樹脂を塗布する工程と、この第
１の感光性樹脂上に第２の感光性樹脂を塗布する工程と
、この第２の感光性樹脂を露光−°現像処理し、所定パ
ターンの開口部を形成する工程と、この第２の感光性樹
脂の開口部を有機シリコン化合物で埋める工程と、この
開口部に埋め込まｆした有機シリコン化合物を低温熱処
理する工程と、この有機シリコン化合物をマスクとして
、第１の感光性樹脂および第２の感光性樹脂を除去し、
°この有機シリコン化合物および第１の感光性樹脂によ
る２層構造パターンを形成する工程とを備えるものであ
り、以下実施例を用いて詳細に説明する。
〔発明の実施例〕
第３図（、）〜第３図（ｄ）はこの発明に係る微細パタ
ーン形成方法の一実施例を工程別に示す断面図である。
同図において、（３）は第２の感光性樹脂、（４）は有
機シリコン化合物である。
次に上記構成による微細パターン形成工程にっいて説明
する。まず、第３図（、）に示すように、被エツチング
材料（１）上に第１の感光性樹脂（２）を塗布したのち
、この第１の感光性樹脂（２）上に第２の感光性樹脂（
３）を塗布する。このとき、この第２の感光性樹脂（３
）の厚さはノ（ターン寸法精度が得られる厚さであり、
例えば３ｏｏｏｆ程度である。次に、第３図（ｂ）に示
すように、この第２の感光性樹脂（３）上に投影露光、
または直接露光したのち、現像処理を行い、この第２の
感光性樹脂（３）に所定ノくターンの開口部を作る。次
に１第３図（Ｃ）に示すように、有機シリコン化合物（
４）を第２の感光性樹脂（３）の開口部に埋める。この
場合、この有機シリコン化合物（４）はアルコール系に
溶解しているため、濃度の低いものを使用し、高回転に
よる塗布を行なうことによって、開口部のみ埋めこむこ
とができる。
そして、この埋め込まれた有機シリコン化合物（４）に
低温熱処理を施し、硬化させる。次に、第３図（ｄ）に
示すように、この有機シリコン化合物（４）をマスクと
して、第１の感光性樹脂（２）および第２の感光性樹脂
（３）を酸素プラズマによる異方性エツチングを行なう
と、有１機シリコン化合物（４）および第１の感光性樹
脂（２）による２層構造を有する微細パターンを形成す
ることができる。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように、この発明に係渥細パターン
形成方法によｎば第２の感光性樹脂によフ、有機シリコ
ン化合物の埋め込み部の寸法精度が向上し、しかも、有
機シリコン化合物のマスク性が優ｎていること、によっ
て、第１の感光性樹脂を精度よくエツチングすることが
できる。また、上部に有機シリコン化合物を有すること
によって形成パターンのマスク性が向上するなどの効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は要求されるパターン寸法精度を示す断面図、第
２図は従来のｇ細パターン形成方法によって形成したパ
ターン寸法精度を示す断面図、第３図（ａ）〜第３図（
ｄ）はこの発明に係る微細パターン形成方法の一実施例
を示す断面図である。 （１）・・・・被エツチング材料、（２）・・・・第１
の感光性樹脂、（３）・・・・第２の感光性樹脂、（４
）・・・・有機シリコン化合物。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　葛　野　信　− 第１図 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被エツチング材料上に第１の感光性樹脂を塗布する工程
    と、この第１の感光性樹脂上に第２の感光性樹脂を塗布
    する工程と、この第２の感光性樹脂を露光・現像処理し
    、所定パターンの開口部を形成する工程と、この第２の
    感光性樹脂の開口部を有機シリコン化合物で埋める工程
    と、この開口部に埋め込まれた有機シリコン化合物を低
    温熱処理する工程と、この有機シリコン−化合物をマス
    クとして第１の感光性樹脂および第２の感光性樹脂を除
    去し、この有機シリコン化合物および第１の感光性樹脂
    による２層構造パターンを形成する工程とを備えたこと
    を特徴とする微細パターン形成方法。
JP58031217A 1983-02-25 1983-02-25 微細パタ−ン形成方法 Granted JPS59155933A (ja)

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JPS59155933A true JPS59155933A (ja) 1984-09-05
JPS6335096B2 JPS6335096B2 (ja) 1988-07-13

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60214532A (ja) * 1984-04-11 1985-10-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パタ−ン形成方法
JPH05211115A (ja) * 1992-10-15 1993-08-20 Oki Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
KR100396193B1 (ko) * 2000-03-21 2003-08-27 샤프 가부시키가이샤 패턴의 형성방법

Cited By (4)

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JPH0230175B2 (ja) * 1984-04-11 1990-07-04 Nippon Telegraph & Telephone
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KR100396193B1 (ko) * 2000-03-21 2003-08-27 샤프 가부시키가이샤 패턴의 형성방법

Also Published As

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JPS6335096B2 (ja) 1988-07-13

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