JPH0230175B2 - - Google Patents
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- JPH0230175B2 JPH0230175B2 JP59072253A JP7225384A JPH0230175B2 JP H0230175 B2 JPH0230175 B2 JP H0230175B2 JP 59072253 A JP59072253 A JP 59072253A JP 7225384 A JP7225384 A JP 7225384A JP H0230175 B2 JPH0230175 B2 JP H0230175B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical class [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 fluorobutyl methacrylate Chemical compound 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製作における微細なレ
ジストパターンの形成方法に関するものである。
ジストパターンの形成方法に関するものである。
半導体集積回路は微細加工技術の進歩とともに
飛躍的な高密度化を達成してきている。
256KbDRAMに代表される超LSIでは１ミクロン
台の微細パターンが用いられ、さらにメガビツト
級の超々SLIではサブミクロン加工技術が必須の
ものとして求められている。しかし、このように
極めて微細なパターンを形成する際、従来のリソ
グラフイ技術に依つていたのでは種々の困難さの
生じることが知られている。
飛躍的な高密度化を達成してきている。
256KbDRAMに代表される超LSIでは１ミクロン
台の微細パターンが用いられ、さらにメガビツト
級の超々SLIではサブミクロン加工技術が必須の
ものとして求められている。しかし、このように
極めて微細なパターンを形成する際、従来のリソ
グラフイ技術に依つていたのでは種々の困難さの
生じることが知られている。
まず第１点として、基板表面凹凸の問題があ
る。従来の方法では、基板上にただ一層のレジス
ト膜を塗布し、塗布膜厚などのレジスト膜条件に
応じた最適な露光・現像条件を選択して露光・現
像を行うことにより所定のレジストを形成してい
たが、LSI回路のように極めて微細な多数の凹凸
を有する基板上では、場合により膜厚が変化した
り膜表面に凹凸を生じたりするため、露光・現象
の最適条件が場合により異なつてしまい、微細パ
ターンを基板全面にわたつて均一に高精度に形成
するのが困難であるという問題点があつた。これ
を逃れるためには、レジスト膜厚を凹凸段差に比
べ相当厚くし、場所による膜厚変動率や表面凹凸
をできるだけ緩和する必要がある。しかし、一般
にレジスト膜が厚くなるほど、露光のボケや現像
での膨潤などのため、パターンの解像性が低下し
微細パターンの形成は困難になるので、この方法
はサブミクロパターンには適用できない。
る。従来の方法では、基板上にただ一層のレジス
ト膜を塗布し、塗布膜厚などのレジスト膜条件に
応じた最適な露光・現像条件を選択して露光・現
像を行うことにより所定のレジストを形成してい
たが、LSI回路のように極めて微細な多数の凹凸
を有する基板上では、場合により膜厚が変化した
り膜表面に凹凸を生じたりするため、露光・現象
の最適条件が場合により異なつてしまい、微細パ
ターンを基板全面にわたつて均一に高精度に形成
するのが困難であるという問題点があつた。これ
を逃れるためには、レジスト膜厚を凹凸段差に比
べ相当厚くし、場所による膜厚変動率や表面凹凸
をできるだけ緩和する必要がある。しかし、一般
にレジスト膜が厚くなるほど、露光のボケや現像
での膨潤などのため、パターンの解像性が低下し
微細パターンの形成は困難になるので、この方法
はサブミクロパターンには適用できない。
第２点として、レジストの加工耐性の問題があ
る。前述のような微細なレジストパターンをマス
クとして、基板、或は基板上の種々の素子形成用
材料膜を加工するには、旧来の化学薬品を用いた
湿式エツチング法はアンダーカツトを生じるため
使用できず、これに代わつてガスプラズマによ
る、いわゆるドライエツチング法が専ら用いられ
ている。この方法は、マスクパターンに対する加
工パターン寸法の忠実性において極めて優れるも
のであるが、一方において、通常の有機高分子を
主体としたレジスト材料は比較的エツチングされ
やすい傾向がある。このため、加工寸法の忠実性
を最大限に引き出すには、十分にレジスト膜を厚
くしたうえで、微細なパターンを、その側面がな
るべく切り立つよう極力シヤープに形成しなけれ
ばならない。しかし、厚いレジスト膜と微細パタ
ーンとは上述したごとく相反する関係にある。
る。前述のような微細なレジストパターンをマス
クとして、基板、或は基板上の種々の素子形成用
材料膜を加工するには、旧来の化学薬品を用いた
湿式エツチング法はアンダーカツトを生じるため
使用できず、これに代わつてガスプラズマによ
る、いわゆるドライエツチング法が専ら用いられ
ている。この方法は、マスクパターンに対する加
工パターン寸法の忠実性において極めて優れるも
のであるが、一方において、通常の有機高分子を
主体としたレジスト材料は比較的エツチングされ
やすい傾向がある。このため、加工寸法の忠実性
を最大限に引き出すには、十分にレジスト膜を厚
くしたうえで、微細なパターンを、その側面がな
るべく切り立つよう極力シヤープに形成しなけれ
ばならない。しかし、厚いレジスト膜と微細パタ
ーンとは上述したごとく相反する関係にある。
第３点として、露光技術にかかわる問題があ
る。すなわち、これまでの紫外線などを使つたホ
ト露光法では、波長に依存した回折限界のためサ
ブミクロンパターンの形成は実用上極めて困難と
見られることから、新たな技術として、この制約
のない電子ビーム露光法やＸ線露光法が期待を集
めている。現在これらの方法で用いいられるレジ
スト材料には種々のものがあるが、実用的な意味
で高解像性と高感度性を共に満たすものは少な
く、例えばポジ型のフルオロブチルメタクリレー
ト・グリシジルメタクリレート共重合体（FBM
−Ｇ）など、ごく限られたものしかない。しか
し、この種のレジストは第２点に述べたドライエ
ツチング耐性に関して極めて劣る欠点を有し、実
用上の大きな障害となつていた。
る。すなわち、これまでの紫外線などを使つたホ
ト露光法では、波長に依存した回折限界のためサ
ブミクロンパターンの形成は実用上極めて困難と
見られることから、新たな技術として、この制約
のない電子ビーム露光法やＸ線露光法が期待を集
めている。現在これらの方法で用いいられるレジ
スト材料には種々のものがあるが、実用的な意味
で高解像性と高感度性を共に満たすものは少な
く、例えばポジ型のフルオロブチルメタクリレー
ト・グリシジルメタクリレート共重合体（FBM
−Ｇ）など、ごく限られたものしかない。しか
し、この種のレジストは第２点に述べたドライエ
ツチング耐性に関して極めて劣る欠点を有し、実
用上の大きな障害となつていた。
これら従来法の問題点としては、結局、露光と
加工を両立させうるレジスト膜厚の最適値を求め
ることがパターンを微細・高密度化するほど困難
になるということである。
加工を両立させうるレジスト膜厚の最適値を求め
ることがパターンを微細・高密度化するほど困難
になるということである。
以上のような問題点を除くための方法として、
多層レジスト法が知られている（例えば米国特許
第4244799号明細書参照）。ここでは最も基板的な
二層レジストによるパターン形成方法を図面に基
づいて説明する。第１図ａ〜ｂは、この従来の二
層レジストパターン形成方法の工程図である。第
１図に示した工程ａにおいて、基板１上に第１レ
ジスト層２を、その表面が基板表面の凹凸にかか
わらず平坦となるように凹凸段差に比し十分厚く
形成し、更にその上に第２レジスト層３を均一な
厚さに形成する。ここでは第２レジスト層として
ポジ型レジストを用いた場合について例示する。
この後工程ｂにおいて、紫外線又は電子線等の放
射線４で選択的に露光し、第２レジスト層３中に
露光領域５を形成する。続いて工程ｃにおいて、
この感光領域５を選択的に除去し、所要の第１の
マスクパターン６を形成する。更に工程ｄにおい
て、第１のマスクパターン６をマスクに第１レジ
スト層２を選択的に除去して所要の第２のマスク
パターン７を形成する。ここで第１レジスト層２
の選択的除去は液体溶媒による湿式処理でも行い
うるが、微細パターンを精度よく形成するにはド
ライエツチング処理に依らなければならない。従
来の方法では純酸素ガスを用いたプラズマアツシ
ヤー処理や反応性イオンエツチング（RIE）など
で第１レジスト層２を選択除去していたが、これ
らの方法では第１レジスト層２の材料と第２のレ
ジスト層３の材料とのエツチング選択性が高々２
〜３倍と小さいため、マスクとして用いる第２レ
ジスト層３の厚さは第１レジスト層２の最大厚さ
の1/2〜1/3となるよう十分厚くする必要があつ
た。このため第２レジスト層３の露光において、
微細パターンの解像が困難になるとう問題があつ
た。なお第１図においては第２レジスト層３とし
てポジ型レジストの場合を示したが、これがネガ
型レジストの場合であつても従来法の問題点は本
質的に変りがない。
多層レジスト法が知られている（例えば米国特許
第4244799号明細書参照）。ここでは最も基板的な
二層レジストによるパターン形成方法を図面に基
づいて説明する。第１図ａ〜ｂは、この従来の二
層レジストパターン形成方法の工程図である。第
１図に示した工程ａにおいて、基板１上に第１レ
ジスト層２を、その表面が基板表面の凹凸にかか
わらず平坦となるように凹凸段差に比し十分厚く
形成し、更にその上に第２レジスト層３を均一な
厚さに形成する。ここでは第２レジスト層として
ポジ型レジストを用いた場合について例示する。
この後工程ｂにおいて、紫外線又は電子線等の放
射線４で選択的に露光し、第２レジスト層３中に
露光領域５を形成する。続いて工程ｃにおいて、
この感光領域５を選択的に除去し、所要の第１の
マスクパターン６を形成する。更に工程ｄにおい
て、第１のマスクパターン６をマスクに第１レジ
スト層２を選択的に除去して所要の第２のマスク
パターン７を形成する。ここで第１レジスト層２
の選択的除去は液体溶媒による湿式処理でも行い
うるが、微細パターンを精度よく形成するにはド
ライエツチング処理に依らなければならない。従
来の方法では純酸素ガスを用いたプラズマアツシ
ヤー処理や反応性イオンエツチング（RIE）など
で第１レジスト層２を選択除去していたが、これ
らの方法では第１レジスト層２の材料と第２のレ
ジスト層３の材料とのエツチング選択性が高々２
〜３倍と小さいため、マスクとして用いる第２レ
ジスト層３の厚さは第１レジスト層２の最大厚さ
の1/2〜1/3となるよう十分厚くする必要があつ
た。このため第２レジスト層３の露光において、
微細パターンの解像が困難になるとう問題があつ
た。なお第１図においては第２レジスト層３とし
てポジ型レジストの場合を示したが、これがネガ
型レジストの場合であつても従来法の問題点は本
質的に変りがない。
また、二層レジスト法におけるエツチング選択
性不足の問題を除くため、三層レジスト法も考え
られている。この方法は、第１、第２レジスト両
層の間に第３の材料からなる中間層を設け、第２
レジスト層３をマスクに前記中間層を、さらに前
記中間層をマスクに第１レジスト層２を別々の工
程でエツチング処理することとし、それぞれの工
程におけるエツチング選択性が十分とれるよう、
前記中間層の材料およびエツチング条件等を選ぶ
ものである。しかし、前述したように、電子ビー
ム露光用などの高感度・高解像性レジストは、ド
ライエツチング耐性が不足するため上記のエツチ
ング選択性要求を満足させるのは実際上難しく、
さらに従来の三層レジスト法はレジストの積層工
程、ドライエツチングによる微細パターンの転写
工程などが複雑・高度化し、プロセスの制御性や
処理能率の低下、さらにはコストの上昇等、新た
な問題を引き起こすことになり、従来法の根本的
な解決にはならなかつた。
性不足の問題を除くため、三層レジスト法も考え
られている。この方法は、第１、第２レジスト両
層の間に第３の材料からなる中間層を設け、第２
レジスト層３をマスクに前記中間層を、さらに前
記中間層をマスクに第１レジスト層２を別々の工
程でエツチング処理することとし、それぞれの工
程におけるエツチング選択性が十分とれるよう、
前記中間層の材料およびエツチング条件等を選ぶ
ものである。しかし、前述したように、電子ビー
ム露光用などの高感度・高解像性レジストは、ド
ライエツチング耐性が不足するため上記のエツチ
ング選択性要求を満足させるのは実際上難しく、
さらに従来の三層レジスト法はレジストの積層工
程、ドライエツチングによる微細パターンの転写
工程などが複雑・高度化し、プロセスの制御性や
処理能率の低下、さらにはコストの上昇等、新た
な問題を引き起こすことになり、従来法の根本的
な解決にはならなかつた。
本発明の目的は、従来技術での上記した諸問題
点を解決し、より簡便にしかも効率よく、より精
度の高い微細多層パターンを形成することができ
るパターン形成方法を提供することにある。
点を解決し、より簡便にしかも効率よく、より精
度の高い微細多層パターンを形成することができ
るパターン形成方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、基板上に複数種の材料か
らなく多層レジストを順次積層し、そのうち少な
くとも一層に露光処理などによつて凹凸からなる
原パターンの形成したのち、この上にドライエツ
チング耐性の大きな付着膜を堆積して、その一
部、少なくとも原パターンの凸部上の膜をエツチ
ング等の適宜な方法により取り除くことによつて
原パターンに相補的な反転パターンを形成し、こ
れをマスクとして原パターン層以下のレジスト膜
層を選択的にエツチング加工により除去して所望
の多層レジストパターンを得ることを特徴とした
パターン形成方法に関するものである。
らなく多層レジストを順次積層し、そのうち少な
くとも一層に露光処理などによつて凹凸からなる
原パターンの形成したのち、この上にドライエツ
チング耐性の大きな付着膜を堆積して、その一
部、少なくとも原パターンの凸部上の膜をエツチ
ング等の適宜な方法により取り除くことによつて
原パターンに相補的な反転パターンを形成し、こ
れをマスクとして原パターン層以下のレジスト膜
層を選択的にエツチング加工により除去して所望
の多層レジストパターンを得ることを特徴とした
パターン形成方法に関するものである。
第２図ａ〜ｇは、本発明の実施例における工程
図を示すものである。
図を示すものである。
先ず、工程ａにおいて、段差を有する基板１上
に第１レジスト層２としてクロロメチル化ポリス
チレン（CMS）膜を、その表面が平坦となるよ
うやや厚めに回転塗布法により形成した。これを
200℃にて25分間ベークし、さらにCF4プラズマ
処理により表面を硬化させた後、第２レジスト層
３として前記FBM−Ｇ層を約0.7μｍの厚さに回
転塗布した。
に第１レジスト層２としてクロロメチル化ポリス
チレン（CMS）膜を、その表面が平坦となるよ
うやや厚めに回転塗布法により形成した。これを
200℃にて25分間ベークし、さらにCF4プラズマ
処理により表面を硬化させた後、第２レジスト層
３として前記FBM−Ｇ層を約0.7μｍの厚さに回
転塗布した。
次に工程ｂにおいて、電子ビーム４により所定
のパターン部を選択的に露光し、感光領域５を形
成した。
のパターン部を選択的に露光し、感光領域５を形
成した。
しかる後工程ｃにおいて、所定の現像液を用い
てこの感光領域５を溶解除去し、露光パターンに
対応した凹部５′を形成した。このような工程に
より、基板１上に第１レジスト層２として前記
CMS、その上に第２レジスト層３として前記
FBM−Ｇを順次積層し、電子ビーム４により露
光し、現像により第２レジスト層３に第１レジス
ト層２との境界に達する凹部５′を持つ原パター
ンを形成した。
てこの感光領域５を溶解除去し、露光パターンに
対応した凹部５′を形成した。このような工程に
より、基板１上に第１レジスト層２として前記
CMS、その上に第２レジスト層３として前記
FBM−Ｇを順次積層し、電子ビーム４により露
光し、現像により第２レジスト層３に第１レジス
ト層２との境界に達する凹部５′を持つ原パター
ンを形成した。
次に工程ｄにおいて、工程ｃにより形成した原
パターン全面にわたり、SiH4とO2を用いたECR
（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ付着法によ
り連続した付着膜１１を厚さ約0.1μｍに形成し
た。付着膜１１としては、SiO2膜が適している
が、エツチング耐性に優れたものであれば特に
SiO2膜に限定されるものではない。ここで、
ECRプラズマ付着法でにおいて基板表面に付着
膜を形成する場合、付着膜のエツチング耐性はイ
オン衝撃の基板に対する方向性に大きく依存する
ことが知られている。すなわち、基板表面に並行
な面上の付着膜に比べ、垂直あるいは傾斜した面
上の付着膜は極めてエツチングされやすい特徴が
ある。
パターン全面にわたり、SiH4とO2を用いたECR
（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ付着法によ
り連続した付着膜１１を厚さ約0.1μｍに形成し
た。付着膜１１としては、SiO2膜が適している
が、エツチング耐性に優れたものであれば特に
SiO2膜に限定されるものではない。ここで、
ECRプラズマ付着法でにおいて基板表面に付着
膜を形成する場合、付着膜のエツチング耐性はイ
オン衝撃の基板に対する方向性に大きく依存する
ことが知られている。すなわち、基板表面に並行
な面上の付着膜に比べ、垂直あるいは傾斜した面
上の付着膜は極めてエツチングされやすい特徴が
ある。
このことを利用して、工程ｅでは、緩衝弗酸液
（50％弗酸１体積＋弗化アンモニウム飽和水溶液
９体積）中に７秒間浸漬し、あるいはCF4＋O2
（20％）プラズマ中で20秒間処理して原パターン
側面上の付着膜を選択的にエツチング除去し、原
パターン凸部の付着膜１１′と第１のレジスト層
２上の付着膜１１″とを分解した。
（50％弗酸１体積＋弗化アンモニウム飽和水溶液
９体積）中に７秒間浸漬し、あるいはCF4＋O2
（20％）プラズマ中で20秒間処理して原パターン
側面上の付着膜を選択的にエツチング除去し、原
パターン凸部の付着膜１１′と第１のレジスト層
２上の付着膜１１″とを分解した。
つづいて工程ｆにおいて、エチアルコール中で
第２レジスト層３を溶解することにより、第２レ
ジスト層３からなる原パターンをその上部の付着
膜１１′共々除去して、原パターンに相補的な反
転パターン１１″のみを残した。この場合、第１
レジスト層２はアルコールに安定で溶解すること
はない。
第２レジスト層３を溶解することにより、第２レ
ジスト層３からなる原パターンをその上部の付着
膜１１′共々除去して、原パターンに相補的な反
転パターン１１″のみを残した。この場合、第１
レジスト層２はアルコールに安定で溶解すること
はない。
しかる後、工程ｇにおいて、この反転パターン
１１″をマスクにして酸素RIE法により、露出し
ている第１レジスト層２をエツチング除去するこ
とによりパターン転写し、原パターンと相補的な
反転多層レジストパターン１０を形成した。
１１″をマスクにして酸素RIE法により、露出し
ている第１レジスト層２をエツチング除去するこ
とによりパターン転写し、原パターンと相補的な
反転多層レジストパターン１０を形成した。
本実施例の方法によれば、反転パターンを形成
するためのSiO2に代表される付着膜の厚さは原
パターン凹部の広さに依らず一定であるため、膜
厚むらの問題が生じることはない。
するためのSiO2に代表される付着膜の厚さは原
パターン凹部の広さに依らず一定であるため、膜
厚むらの問題が生じることはない。
またECRプラズマ付着法を用いているため、
垂直面あるいは傾斜面上に形成された付着膜の脆
弱性を利用して簡単に原パターン凸部と凹部それ
ぞれの上の付着膜を分離できるので、従来のリフ
トオフ法におけるように付着膜の厚さよりもレジ
スト膜厚を十分大きくして付着膜を上下に分離す
る必要はない。このため、原パターン像を露光す
べき第２レジスト層２の厚さは、付着膜の厚さに
かかわりなく薄くでき、微細パターンの形成に好
都合である。
垂直面あるいは傾斜面上に形成された付着膜の脆
弱性を利用して簡単に原パターン凸部と凹部それ
ぞれの上の付着膜を分離できるので、従来のリフ
トオフ法におけるように付着膜の厚さよりもレジ
スト膜厚を十分大きくして付着膜を上下に分離す
る必要はない。このため、原パターン像を露光す
べき第２レジスト層２の厚さは、付着膜の厚さに
かかわりなく薄くでき、微細パターンの形成に好
都合である。
また本発明の趣旨に従えば、第２レジスト層３
用の材料としては、露光・現像処理によつて凹凸
を有する原パターンを形成し得るものであれば良
いから、実施例に示したようなポジ型レジストだ
けでなくネガ型レジストでも用いることができ
る。
用の材料としては、露光・現像処理によつて凹凸
を有する原パターンを形成し得るものであれば良
いから、実施例に示したようなポジ型レジストだ
けでなくネガ型レジストでも用いることができ
る。
さらに露光手段としても、実施例に示した電子
ビーム以外のイオンビームやＸ線あるいは通常の
紫外光線を用いても同様の効果が得られることは
言うまでもない。
ビーム以外のイオンビームやＸ線あるいは通常の
紫外光線を用いても同様の効果が得られることは
言うまでもない。
また本実施例では露光を施す前の多層レジスト
として二層の場合を示したが、異種のレジスト材
料の積層を容易化するための介在物質や、露光に
用いる放射線の影響から基板領域を守るための保
護材料などを、本発明の趣旨を損なわない範囲で
適宜選択して三層以上の多層レジストとしても良
い。また、この場合や、実施例に示したごとき二
層の場合に露光・現像処理の効果が最上部の一層
にとどまらず上記した種々の中間層や第１レジス
ト層領域に及んでも本発明の効果に変わりが無い
のは明らかである。
として二層の場合を示したが、異種のレジスト材
料の積層を容易化するための介在物質や、露光に
用いる放射線の影響から基板領域を守るための保
護材料などを、本発明の趣旨を損なわない範囲で
適宜選択して三層以上の多層レジストとしても良
い。また、この場合や、実施例に示したごとき二
層の場合に露光・現像処理の効果が最上部の一層
にとどまらず上記した種々の中間層や第１レジス
ト層領域に及んでも本発明の効果に変わりが無い
のは明らかである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明方法によれば、レ
ジスト層の材料選択の自由度の拡大、積層化、膜
厚調整、露光・現像・転写処理等の条件設定や操
作の容易性などの各点で従来法より簡便化及び効
率の向上を達成して、より精度の高い微細パター
ンを形成することができる。
ジスト層の材料選択の自由度の拡大、積層化、膜
厚調整、露光・現像・転写処理等の条件設定や操
作の容易性などの各点で従来法より簡便化及び効
率の向上を達成して、より精度の高い微細パター
ンを形成することができる。
第１図は従来の二層レジストパターン形成方法
の工程図、第２図は本発明の実施例の工程図であ
る。 ＜符号の説明＞、１……基板、２……第１レジ
スト層、３……第２レジスト層、４……電子ビー
ム、５……感光領域、５′……凹部、１０……反
転多層レジストパターン、１１……付着膜、１
１′，１１″……エツチングで上下に分離された付
着膜。
の工程図、第２図は本発明の実施例の工程図であ
る。 ＜符号の説明＞、１……基板、２……第１レジ
スト層、３……第２レジスト層、４……電子ビー
ム、５……感光領域、５′……凹部、１０……反
転多層レジストパターン、１１……付着膜、１
１′，１１″……エツチングで上下に分離された付
着膜。
Claims (1)
- １ 基板上に複数の材料種から成る多層レジスト
膜を順次積層する工程と、そのうちの少なくとも
一層に原パターンを形成する工程と、原パターン
形成面全面にわたつて方向性を有するECRプラ
ズマ付着法により付着膜を形成する工程と、該付
着膜の一部を取り除き、原パターンに相補的な反
転パターンを形成する工程と、該反転パターンを
マスクとして原パターン層以下のレジスト膜層を
選択的にエツチング加工する工程とを含むことを
特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072253A JPS60214532A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | パタ−ン形成方法 |
| US06/721,305 US4599137A (en) | 1984-04-11 | 1985-04-09 | Method of forming resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072253A JPS60214532A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214532A JPS60214532A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0230175B2 true JPH0230175B2 (ja) | 1990-07-04 |
Family
ID=13483942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072253A Granted JPS60214532A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4599137A (ja) |
| JP (1) | JPS60214532A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4642162A (en) * | 1986-01-02 | 1987-02-10 | Honeywell Inc. | Planarization of dielectric layers in integrated circuits |
| US4711822A (en) * | 1986-01-15 | 1987-12-08 | Westinghouse Electric Corp. | Metal core printed circuit boards |
| US4657629A (en) * | 1986-03-27 | 1987-04-14 | Harris Corporation | Bilevel resist process |
| JPH0752772B2 (ja) * | 1986-11-22 | 1995-06-05 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の製法 |
| US5139922A (en) * | 1987-04-10 | 1992-08-18 | Matsushita Electronics Corporation | Method of making resist pattern |
| JPH07113774B2 (ja) * | 1987-05-29 | 1995-12-06 | 株式会社日立製作所 | パタ−ンの形成方法 |
| JPS6450425A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Toshiba Corp | Formation of fine pattern |
| JPH01118126A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-10 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| US4820376A (en) * | 1987-11-05 | 1989-04-11 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Fabrication of CPI layers |
| JP2606900B2 (ja) * | 1988-09-08 | 1997-05-07 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
| US5202286A (en) * | 1989-02-27 | 1993-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming three-dimensional features on substrates with adjacent insulating films |
| US5212117A (en) * | 1989-10-24 | 1993-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device contact structure using lift |
| JPH03138938A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| DE69233232T2 (de) * | 1991-02-22 | 2004-08-05 | Canon K.K. | Elektrischer Verbindungskörper und Herstellungsverfahren dafür |
| KR0141941B1 (ko) * | 1994-11-11 | 1998-07-15 | 문정환 | 감광막의 패터닝방법 |
| EP1489460A3 (en) * | 2003-06-20 | 2008-07-09 | FUJIFILM Corporation | Light-sensitive sheet comprising support, first light-sensitive layer and second light-sensitive layer |
| DE102004032677B4 (de) * | 2004-07-02 | 2008-07-10 | Qimonda Ag | Verfahren zum Herstellen einer Maske auf einem Substrat |
| WO2006033872A2 (en) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming an in-situ recessed structure |
| JP5067848B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2012-11-07 | キヤノン株式会社 | パターンの形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155933A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4244799A (en) * | 1978-09-11 | 1981-01-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns |
| US4389281A (en) * | 1980-12-16 | 1983-06-21 | International Business Machines Corporation | Method of planarizing silicon dioxide in semiconductor devices |
| US4481049A (en) * | 1984-03-02 | 1984-11-06 | At&T Bell Laboratories | Bilevel resist |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59072253A patent/JPS60214532A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-09 US US06/721,305 patent/US4599137A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155933A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60214532A (ja) | 1985-10-26 |
| US4599137A (en) | 1986-07-08 |
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