JPH0638408B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0638408B2 JPH0638408B2 JP17023186A JP17023186A JPH0638408B2 JP H0638408 B2 JPH0638408 B2 JP H0638408B2 JP 17023186 A JP17023186 A JP 17023186A JP 17023186 A JP17023186 A JP 17023186A JP H0638408 B2 JPH0638408 B2 JP H0638408B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist layer
- pattern
- taper
- semiconductor device
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にドライエ
ッチング工程におけるホトレジストの形状を制御する方
法に関する。
ッチング工程におけるホトレジストの形状を制御する方
法に関する。
従来、半導体装置の製造工程において、リアクティブイ
オンエッチング法（以下ＲＩＥ法という）を用いて被エ
ッチング物の角部をテーパー状にエッチングを施す場合
は、現像後のホトレジスト層を熱処理し、ホトレジスト
層の角部を流動させてテーパーを持たせたのち、ホトレ
ジスト層と被エッチング物とのエッチング選択比を小さ
くする反応ガスを用いてエッチングを行ってきた。
オンエッチング法（以下ＲＩＥ法という）を用いて被エ
ッチング物の角部をテーパー状にエッチングを施す場合
は、現像後のホトレジスト層を熱処理し、ホトレジスト
層の角部を流動させてテーパーを持たせたのち、ホトレ
ジスト層と被エッチング物とのエッチング選択比を小さ
くする反応ガスを用いてエッチングを行ってきた。
上述した従来のエッチング方法では、ホトレジスト層の
角部にテーパーを形成することはできるが、その形状を
制御することはできない。特に、同一熱処理条件によっ
てもホトレジスト層に形成されたパターンの幅によって
テーパーの角度が異なるという問題点がある。
角部にテーパーを形成することはできるが、その形状を
制御することはできない。特に、同一熱処理条件によっ
てもホトレジスト層に形成されたパターンの幅によって
テーパーの角度が異なるという問題点がある。
本発明の目的は、マスクとして用いるホトレジスト層の
角部に形成するテーパーの形状を制御し、被エッチング
物のパターンの角部に再現性の良いテーパーを形成する
ことのできる半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
角部に形成するテーパーの形状を制御し、被エッチング
物のパターンの角部に再現性の良いテーパーを形成する
ことのできる半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成
された薄膜上にホトレジスト層を形成したのちパターニ
ングし所定の部分にパターンを形成する工程と、前記パ
ターンを有するホトレジスト層をＦ，Ｃ，Ｈのうち少
くとも１種類の元素を含むガスと酸素との混合ガスを用
いたプラズマ処理を行ない表面を硬化させる工程と、表
面が硬化した前記ホトレジスト層を加熱して流動させ前
記ホトレジスト層のパターンの角部にテーパーを形成す
る工程と、前記テーパー状の角部を有するホトレジスト
層をマスクとレリアクティブイオンエッチング法を用い
前記薄膜にテーパー状の角部を有するパターンを形成す
る工程とを含んで構成される。
された薄膜上にホトレジスト層を形成したのちパターニ
ングし所定の部分にパターンを形成する工程と、前記パ
ターンを有するホトレジスト層をＦ，Ｃ，Ｈのうち少
くとも１種類の元素を含むガスと酸素との混合ガスを用
いたプラズマ処理を行ない表面を硬化させる工程と、表
面が硬化した前記ホトレジスト層を加熱して流動させ前
記ホトレジスト層のパターンの角部にテーパーを形成す
る工程と、前記テーパー状の角部を有するホトレジスト
層をマスクとレリアクティブイオンエッチング法を用い
前記薄膜にテーパー状の角部を有するパターンを形成す
る工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図(a)〜(d)は本発明の一実施例を説明するための工
程順に示した半導体チップの断面図である。
程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図(a)に示すように、シリコン基板２上にＳｉ
Ｏ２膜を約１μｍの厚さに形成したのち、その表面にホ
トレジスト層３を形成しパターニングして開口部４を形
成する。
Ｏ２膜を約１μｍの厚さに形成したのち、その表面にホ
トレジスト層３を形成しパターニングして開口部４を形
成する。
次に第１図(b)に示すように、Ｃ２ＨＣ３のガスを約
３０％を含む酸素ガスを用いたプラズマで約１０秒間処
理をして、ホトレジスト層３の表面に厚さ約０．０１μ
ｍの表面硬化層３Ａを形成する。
３０％を含む酸素ガスを用いたプラズマで約１０秒間処
理をして、ホトレジスト層３の表面に厚さ約０．０１μ
ｍの表面硬化層３Ａを形成する。
次に第１図(c)に示すように、Ｎ２ガス雰囲気中で１８
０℃、３０分間の熱処理を行うことにより、開口部４の
角部に約６０°のテーパー５を持ったホトレジスト層３
を形成する。このテーパー５の形状はプラズマ処理時間
及び熱処理の温度と時間とにより制御することができ
る。
０℃、３０分間の熱処理を行うことにより、開口部４の
角部に約６０°のテーパー５を持ったホトレジスト層３
を形成する。このテーパー５の形状はプラズマ処理時間
及び熱処理の温度と時間とにより制御することができ
る。
次に第１図(d)に示すように、ホトレジスト層３とＳｉ
Ｏ２膜１とのエッチング速度比が約１の反応ガス、例え
ばＣＦ４＋Ｏ２ガスを用いるＲＩＥ法によりエッチング
し、ＳｉＯ２膜１にテーパー５Ａを有する開口部４Ａを
形成する。
Ｏ２膜１とのエッチング速度比が約１の反応ガス、例え
ばＣＦ４＋Ｏ２ガスを用いるＲＩＥ法によりエッチング
し、ＳｉＯ２膜１にテーパー５Ａを有する開口部４Ａを
形成する。
このようにして形成されたＳｉＯ２膜１の開口部４Ａ
は、ホトレジスト層３に形成された開口部４とほぼ同一
の角度を有するテーパーを持って形成される。このた
め、開口部４Ａの形状は再現性の良いものとなる。
は、ホトレジスト層３に形成された開口部４とほぼ同一
の角度を有するテーパーを持って形成される。このた
め、開口部４Ａの形状は再現性の良いものとなる。
尚、上記実施例においては、ＳｉＯ２膜１にテーパーを
有する開口部を形成する場合について説明したが、Ｓｉ
Ｏ２膜に限定されるものではなく、金属薄膜であっても
よい。又開口部に限らず、他のパターンの角部にテーパ
ーを設ける場合であってもよい。更に、プラズマ処理に
施てはＣ２ＨＣ３と酸素との混合ガスを用いたが、Ｃ
Ｆ４やＣ２Ｈ４等，Ｆ，Ｃ，Ｈのうち少くとも１種類
の元素を含むガスと酸素との混合ガスであればよい。
有する開口部を形成する場合について説明したが、Ｓｉ
Ｏ２膜に限定されるものではなく、金属薄膜であっても
よい。又開口部に限らず、他のパターンの角部にテーパ
ーを設ける場合であってもよい。更に、プラズマ処理に
施てはＣ２ＨＣ３と酸素との混合ガスを用いたが、Ｃ
Ｆ４やＣ２Ｈ４等，Ｆ，Ｃ，Ｈのうち少くとも１種類
の元素を含むガスと酸素との混合ガスであればよい。
以上説明したように本発明は、パターンの形成されたホ
トレジスト層をＦ，Ｃ，Ｈのうち少くとも１種類の元
素を含むガスと酸素との混合ガスを用いてプラズマ処理
を行い、レジスト層表面に硬化層を形成したのち熱処理
を行うことによりテーパー状の角部を有するマスクが形
成できるため、このマスク下の薄膜にテーパー状の角部
を有するパターンを再現性良く形成できる半導体装置の
製造方法が得られる。
トレジスト層をＦ，Ｃ，Ｈのうち少くとも１種類の元
素を含むガスと酸素との混合ガスを用いてプラズマ処理
を行い、レジスト層表面に硬化層を形成したのち熱処理
を行うことによりテーパー状の角部を有するマスクが形
成できるため、このマスク下の薄膜にテーパー状の角部
を有するパターンを再現性良く形成できる半導体装置の
製造方法が得られる。
第１図(a)〜(d)は本発明の一実施例を説明するための工
程順に示した半導体チップの断面図である。 １……ＳｉＯ２膜、２……シリコン基板、３……ホトレ
ジスト層、３Ａ……表面硬化層、４，４Ａ……開口部、
５，５Ａ……テーパー。
程順に示した半導体チップの断面図である。 １……ＳｉＯ２膜、２……シリコン基板、３……ホトレ
ジスト層、３Ａ……表面硬化層、４，４Ａ……開口部、
５，５Ａ……テーパー。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に形成された薄膜上にホトレ
ジスト層を形成したのちパターニングし所定の部分にパ
ターンを形成する工程と、前記パターンを有するホトレ
ジスト層をＦ，Ｃ，Ｈのうち少くとも１種類の元素を
含むガスと酸素との混合ガスを用いたプラズマ処理を行
ない表面を硬化させる工程と、表面が硬化した前記ホト
レジスト層を加熱して流動させ前記ホトレジスト層のパ
ターンの角部にテーパーを形成する工程と、前記テーパ
ー状の角部を有するホトレジスト層をマスクとしリアク
ティブイオンエッチング法を用い前記薄膜にテーパー状
の角部を有するパターンを形成する工程とを含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17023186A JPH0638408B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17023186A JPH0638408B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327024A JPS6327024A (ja) | 1988-02-04 |
| JPH0638408B2 true JPH0638408B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=15901095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17023186A Expired - Lifetime JPH0638408B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638408B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797854B2 (ja) * | 1992-02-07 | 1998-09-17 | 住友金属工業株式会社 | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 |
| JP2789969B2 (ja) * | 1992-11-12 | 1998-08-27 | 住友金属工業株式会社 | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17023186A patent/JPH0638408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6327024A (ja) | 1988-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0638408B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01189923A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02271359A (ja) | シリル化によるポジ型ホトレジストの硬化方法 | |
| JPS59155933A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS6050939A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60110124A (ja) | 微細パタ−ン加工方法 | |
| JPS5911630A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0497523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6331119A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPS63117428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0348424A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2589471B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3149601B2 (ja) | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 | |
| JPS6054775B2 (ja) | ドライ現像方法 | |
| JPS63312645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01214862A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6063934A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6118134A (ja) | エツチング加工方法 | |
| JPH0294439A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02218127A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS60128635A (ja) | 素子分離領域の形成方法 | |
| JPH0511654B2 (ja) | ||
| JPH0622221B2 (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS6187380A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01253915A (ja) | 半導体装置の製造方法 |