JPS60128635A - 素子分離領域の形成方法 - Google Patents
素子分離領域の形成方法Info
- Publication number
- JPS60128635A JPS60128635A JP23683783A JP23683783A JPS60128635A JP S60128635 A JPS60128635 A JP S60128635A JP 23683783 A JP23683783 A JP 23683783A JP 23683783 A JP23683783 A JP 23683783A JP S60128635 A JPS60128635 A JP S60128635A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxide film
- forming
- selective
- oxidation
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、素子弁ｍ領域の形成方法に関する。
従来、素子分離領域の形成は、次のように行われている
。先ず、第１図（Ａ）に示す如く、半導体基板１上に絶
縁膜からなる下地膜２、チツ化シリコン膜らかなる耐酸
化マスク１ＩＫ３を順次形成する。次に、同図（Ｂ）に
示す如く、耐酸化マスク膜３の所定領域に下地１１２を
露出する窓４を形成する。次いで、この窓４を介して選
択酸化を施し、選択酸化膜５を形成する。然る後、同図
（Ｃ）に示す如く、耐酸化膜３を除去してフィールド酸
化膜６を得る。
。先ず、第１図（Ａ）に示す如く、半導体基板１上に絶
縁膜からなる下地膜２、チツ化シリコン膜らかなる耐酸
化マスク１ＩＫ３を順次形成する。次に、同図（Ｂ）に
示す如く、耐酸化マスク膜３の所定領域に下地１１２を
露出する窓４を形成する。次いで、この窓４を介して選
択酸化を施し、選択酸化膜５を形成する。然る後、同図
（Ｃ）に示す如く、耐酸化膜３を除去してフィールド酸
化膜６を得る。
このようにしてフィールド酸化膜６を形成するものでは
、耐酸化１１！Ｊ３に形成する窓４の径Ｌ ＃ｔ ／Ｊ
＼さくなるど、酸化時間当りのフィード酸化膜６の膜厚
Ｘ１．Ｘ２が小さくなる。つまり、形成するパターンが
微細になるに従ってフィード酸化膜６の膜厚が小さくな
ってしまう。その結果、後の工程で施す不純物がフィー
ルド酸化膜６を貫通し、絶縁膜としての働きが失われて
しまう。この問題を解消するために選択酸化の時間を長
くすると、窓４の周辺領域の直下にフィールド酸化膜６
の端部が入り込む所謂バーズビークが発生する問題があ
った。
、耐酸化１１！Ｊ３に形成する窓４の径Ｌ ＃ｔ ／Ｊ
＼さくなるど、酸化時間当りのフィード酸化膜６の膜厚
Ｘ１．Ｘ２が小さくなる。つまり、形成するパターンが
微細になるに従ってフィード酸化膜６の膜厚が小さくな
ってしまう。その結果、後の工程で施す不純物がフィー
ルド酸化膜６を貫通し、絶縁膜としての働きが失われて
しまう。この問題を解消するために選択酸化の時間を長
くすると、窓４の周辺領域の直下にフィールド酸化膜６
の端部が入り込む所謂バーズビークが発生する問題があ
った。
本発明は、所定の膜厚を有するフィールド酸化膜を容易
に形成して素子特性の優れた半導体装置を提供すること
ができる素子分離領域の形成方法を提供することをその
目的とする−ものである。
に形成して素子特性の優れた半導体装置を提供すること
ができる素子分離領域の形成方法を提供することをその
目的とする−ものである。
本発明は、選択酸化膜上に平坦化膜を残存した状態で耐
酸化マスク膜及び段差形成用膜を除去すると共に、選択
酸化膜の周辺領域を除去する工程を設けたことにより、
所定の膜厚を有するフィールド酸化膜を容易に形成して
、素子特性の優れた半導体装置を提供することができる
素子分領域の形成方法である。
酸化マスク膜及び段差形成用膜を除去すると共に、選択
酸化膜の周辺領域を除去する工程を設けたことにより、
所定の膜厚を有するフィールド酸化膜を容易に形成して
、素子特性の優れた半導体装置を提供することができる
素子分領域の形成方法である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
先ず、第２図（Ａ）に示す如く、半導体基板２Ｏ上に絶
縁膜からなる下地膜２１、耐酸化マスク膜２２、段差形
成用膜２３を順次形成する。耐酸化マスク膜２２は、例
えばチッ化シリコン膜で形成されており、段差形成用膜
２３は、酸化膜で形成されている。
縁膜からなる下地膜２１、耐酸化マスク膜２２、段差形
成用膜２３を順次形成する。耐酸化マスク膜２２は、例
えばチッ化シリコン膜で形成されており、段差形成用膜
２３は、酸化膜で形成されている。
次に、同図（Ｂ）に示す如く、ＣＦ系のガスからなるエ
ツチング液を用いて段差形成用膜２３及び耐酸化マスク
用膜２２の所定領域に、下地膜２１の一部分を露出する
窓２４を開口する。
ツチング液を用いて段差形成用膜２３及び耐酸化マスク
用膜２２の所定領域に、下地膜２１の一部分を露出する
窓２４を開口する。
次に、同図（Ｃ）に示す如く、窓２４を介して選択酸化
を施し、半導体基板２Ｏに選択酸化膜２５を形成する。
を施し、半導体基板２Ｏに選択酸化膜２５を形成する。
次に、同図（Ｄ）に示す如く、段差形成用膜２３上に窓
２４を塞ぐようにして平坦化Ｉｔ！２６を形成する。平
坦化膜２６は、例えばレジスト膜で形成されている。
２４を塞ぐようにして平坦化Ｉｔ！２６を形成する。平
坦化膜２６は、例えばレジスト膜で形成されている。
次に、同図（Ｅ）に示す如く、段差形成用膜２３の表面
が完全に露出するまで酸素を含んだガスでエッチバック
を施し、平坦化ＩＩ ２６表面領域を除去する。次いで
、段差形成用膜２３を、選択酸化膜２５上に残存した平
坦化１１１２６ａをマスクにしてフッ化アンモニウから
なるエツチング液で除去する。同様に、残存した平坦化
１！ ２６ ａをマスクにして耐酸化マスク膜２２を、
ＣＦ系のガスからなるエツチング液で除去する。然る後
、同図（Ｆ）に示す如く、残存した平坦化膜２６ａをマ
スクにしてエツチング液理を施し、下地膜２１を含む選
択酸化膜２５の周辺領域を除去してフィールド酸化膜２
７を得る。
が完全に露出するまで酸素を含んだガスでエッチバック
を施し、平坦化ＩＩ ２６表面領域を除去する。次いで
、段差形成用膜２３を、選択酸化膜２５上に残存した平
坦化１１１２６ａをマスクにしてフッ化アンモニウから
なるエツチング液で除去する。同様に、残存した平坦化
１！ ２６ ａをマスクにして耐酸化マスク膜２２を、
ＣＦ系のガスからなるエツチング液で除去する。然る後
、同図（Ｆ）に示す如く、残存した平坦化膜２６ａをマ
スクにしてエツチング液理を施し、下地膜２１を含む選
択酸化膜２５の周辺領域を除去してフィールド酸化膜２
７を得る。
こようにこの素子分領域の形成方法によれば、選択酸化
膜２５を残存した平坦化膜２６ａで保護した状態で段差
形成用膜２３及び耐酸化マスク膜２２の除去を行なうと
共に、選択酸化１１！２５のパターンニングを行なうの
で、充分に厚い膜厚のフィールド酸化膜２７を微細なパ
ターンおいても容易に形成することができる。その結果
、フィールド酸化膜２７の直下の領域を不純物イオン等
から確実に保護して素子特性の優れた半導体装置を提供
することができる。
膜２５を残存した平坦化膜２６ａで保護した状態で段差
形成用膜２３及び耐酸化マスク膜２２の除去を行なうと
共に、選択酸化１１！２５のパターンニングを行なうの
で、充分に厚い膜厚のフィールド酸化膜２７を微細なパ
ターンおいても容易に形成することができる。その結果
、フィールド酸化膜２７の直下の領域を不純物イオン等
から確実に保護して素子特性の優れた半導体装置を提供
することができる。
以上説明した如く、本発明に係る素子分領域の形成方法
によれば、所定の膜厚を有するフィールド酸化膜を容易
に形成して素子特性の優れた半導体装置を提供すること
ができるものである。
によれば、所定の膜厚を有するフィールド酸化膜を容易
に形成して素子特性の優れた半導体装置を提供すること
ができるものである。
第１図（Ａ）乃岳同図（Ｃ）は、従来の素子分離領域の
形成方法を示す説明図、第２図（Ａ）乃至同図（Ｆ＞は
、本発明方法を工程順に示す説明図である。 ２０・・・半導体基板、２１・・・下地膜、２２・・・
耐酸化マスク膜、２３・・・段差形成用膜、２４・・・
窓、２５・・・選択酸化膜、２６・・・平坦化膜、２７
・・・フィールド酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｊ１１図 第２図
形成方法を示す説明図、第２図（Ａ）乃至同図（Ｆ＞は
、本発明方法を工程順に示す説明図である。 ２０・・・半導体基板、２１・・・下地膜、２２・・・
耐酸化マスク膜、２３・・・段差形成用膜、２４・・・
窓、２５・・・選択酸化膜、２６・・・平坦化膜、２７
・・・フィールド酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｊ１１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板上に下地膜、耐酸化マスク膜、段差形成用膜
を順次形成する工程と、前記耐酸化マスク膜及び段差形
成用膜を貫通して前記下地膜の所定領域を露出する窓を
形成する工程と、該窓内の前記下地膜に選択的に酸化を
施して選択酸化膜を形成する工程と、該選択酸化膜およ
び前記段差形成用股上に平坦化用膜を形成する工程と、
該平坦化用膜に前記段差形成用膜の表面全面を露出する
までエツチングを施す工程と、前記段差形成用膜、前記
耐酸化マスク膜を除去する工程と、残存した平坦化用膜
をマスクにして前記選択酸化膜の周辺領域を除去してフ
ィールド酸化膜を形成する工程とを具備することを特徴
どする素子分離領域の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23683783A JPS60128635A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 素子分離領域の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23683783A JPS60128635A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 素子分離領域の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128635A true JPS60128635A (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=17006516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23683783A Pending JPS60128635A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 素子分離領域の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743566A (en) * | 1985-06-14 | 1988-05-10 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a silicon slice is locally provided with field oxide with a channel stopper |
| US5567645A (en) * | 1993-04-24 | 1996-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device isolation method in integrated circuits |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23683783A patent/JPS60128635A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743566A (en) * | 1985-06-14 | 1988-05-10 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a silicon slice is locally provided with field oxide with a channel stopper |
| US5567645A (en) * | 1993-04-24 | 1996-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device isolation method in integrated circuits |
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