JPH0228936A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0228936A JPH0228936A JP17956888A JP17956888A JPH0228936A JP H0228936 A JPH0228936 A JP H0228936A JP 17956888 A JP17956888 A JP 17956888A JP 17956888 A JP17956888 A JP 17956888A JP H0228936 A JPH0228936 A JP H0228936A
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Links
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の形成方法のうち、素子特性を劣
化させる不純物および結晶欠陥を素子領域から排除する
ための技術、即ち、ゲッタリング技術に関するものであ
る。
化させる不純物および結晶欠陥を素子領域から排除する
ための技術、即ち、ゲッタリング技術に関するものであ
る。
従来の技術
単結晶基板に結晶欠陥が存在する場合には、前記結晶欠
陥が不純物や他の結晶欠陥のゲッタリング源となシ得る
ことはよく知られている。このため、単結晶基板の裏面
にバックサイドダメージ処理を施して、裏面をゲッタリ
ング源とした単結晶基板が広く用いられている。
陥が不純物や他の結晶欠陥のゲッタリング源となシ得る
ことはよく知られている。このため、単結晶基板の裏面
にバックサイドダメージ処理を施して、裏面をゲッタリ
ング源とした単結晶基板が広く用いられている。
発明が解決しようとする課題
上記従来の技術では、裏面にゲッタリング源があるため
、表面層における不純物汚染や微小欠陥に対する効力が
低いという問題点があった。
、表面層における不純物汚染や微小欠陥に対する効力が
低いという問題点があった。
課題を解決するための手段
本発明では、シリコン半導体基板表面の所定域に、選択
的に結晶欠陥を誘起し、ゲッタリング源とするために、
シリコン半導体表面の所定域にのみ窒化シリコン膜を形
成し、選択酸化を施した。
的に結晶欠陥を誘起し、ゲッタリング源とするために、
シリコン半導体表面の所定域にのみ窒化シリコン膜を形
成し、選択酸化を施した。
結晶欠陥を誘起する領域は、素子内部のＰＮ接合に接し
ない領域であればよい。
ない領域であればよい。
作 用
本発明の方法によれば、窒化シリコン膜の厚さと、選択
酸化時に形成される酸化シリコン膜の厚さとによシ、結
晶欠陥の発生量を制御でき、かつ単結晶表面にゲッタリ
ング源を形成するために、表面からの汚染や微小欠陥に
対する効果が大きい。
酸化時に形成される酸化シリコン膜の厚さとによシ、結
晶欠陥の発生量を制御でき、かつ単結晶表面にゲッタリ
ング源を形成するために、表面からの汚染や微小欠陥に
対する効果が大きい。
実施例
第１図を用いて本発明の一実施例を説明する。
シリコン半導体基板１に、窒化シリコン膜２を被着した
ものが第１図Ａである。窒化シリコン膜２は化学気相成
長法で形成した。次いで公知のフォトエツチング技術に
よ）、ヌクライプレーン領域内部の所定域を開孔したも
のが第１図Ｂである。
ものが第１図Ａである。窒化シリコン膜２は化学気相成
長法で形成した。次いで公知のフォトエツチング技術に
よ）、ヌクライプレーン領域内部の所定域を開孔したも
のが第１図Ｂである。
次いで、酸化雰囲気において、窒化シリコン膜２の開口
部を選択酸化した。この時、窒化シリコン膜２と基板１
との間に応力を緩和する様な膜が存在しないため、酸化
シリコン膜４の体積膨張時の応力によ多結晶欠陥が誘起
された（第１図Ｃ）。
部を選択酸化した。この時、窒化シリコン膜２と基板１
との間に応力を緩和する様な膜が存在しないため、酸化
シリコン膜４の体積膨張時の応力によ多結晶欠陥が誘起
された（第１図Ｃ）。
結晶欠陥が誘起される領域５は、窒化シリコン膜２が厚
い程また、酸化シリコン膜４が厚い程、また選択酸化時
の温度が低い程、広くなる傾向にあった。最後に窒化シ
リコン膜２と酸化シリコン膜４を除去し、スクライプレ
ーン領域３内のシリコン基板１表面層に結晶欠陥層５が
形成でき第１図りとなった。本発明の工程は、半導体装
置形成工程の前でも途中でもよい。
い程また、酸化シリコン膜４が厚い程、また選択酸化時
の温度が低い程、広くなる傾向にあった。最後に窒化シ
リコン膜２と酸化シリコン膜４を除去し、スクライプレ
ーン領域３内のシリコン基板１表面層に結晶欠陥層５が
形成でき第１図りとなった。本発明の工程は、半導体装
置形成工程の前でも途中でもよい。
かくして形成した結晶欠陥領域５を、シリコン基板１上
からみたものが第５図である。第５図に示した領域５は
、半導体装置領域７を完全に取シ囲んでいるが、スクラ
イプレーン領域内であればいずれの領域でも可能であフ
周囲も完全に取シ囲まなくてもよい。
からみたものが第５図である。第５図に示した領域５は
、半導体装置領域７を完全に取シ囲んでいるが、スクラ
イプレーン領域内であればいずれの領域でも可能であフ
周囲も完全に取シ囲まなくてもよい。
第２図、第３図、第４図は、本発明の他の実施例を示し
たものでおり、第２図は結晶欠陥発生領域にのみ窒化シ
リコン膜２を形成しく第２図Ｂ）、選択酸化を施すもの
である。
たものでおり、第２図は結晶欠陥発生領域にのみ窒化シ
リコン膜２を形成しく第２図Ｂ）、選択酸化を施すもの
である。
第３図および第４図は、素子領域に酸化シリコン膜６を
形成した後、窒化シリコン膜２を被着するものであ）、
窒化シリコン膜２の内部応力を緩和したものである。第
３図は、選択酸化領域をスクライプレーン領域３内とし
たものでちゃ、第４図はヌクライプレーン領域３内に窒
化シリコン膜を形成した場合のものである。
形成した後、窒化シリコン膜２を被着するものであ）、
窒化シリコン膜２の内部応力を緩和したものである。第
３図は、選択酸化領域をスクライプレーン領域３内とし
たものでちゃ、第４図はヌクライプレーン領域３内に窒
化シリコン膜を形成した場合のものである。
発明の効果
本発明によれば、表面層からの不純物汚染や微小欠陥の
ゲッタリング源を、シリコン半導体基板表面に形成でき
、かつ、素子特性を劣化させることもない。
ゲッタリング源を、シリコン半導体基板表面に形成でき
、かつ、素子特性を劣化させることもない。
第１図、第２図、第３図、第４図は本発明を説明するた
めの図、第６図は本発明の適用箇所を説明するための図
である。 １・・・・・・シリコン半導体基板、２・・・・・・窒
化シリコン膜、３・・・・・・スクライプレーン領域、
４．ｅ・・・・・・酸化シリコン膜、６・・・・・・結
晶欠陥領域、７・・・・・・半導体装置領域。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第 図 トシリコソギＩＩ不基Ｉ及 ２−−一鵞化シリコゾＲ更 ３−−−スクラｌプＬ−シ＃１べ、 第 図 第 図 第 図 ｃ−１１化シリコン諜 ３−−一叉クライブし一ン４ｙゆ（
めの図、第６図は本発明の適用箇所を説明するための図
である。 １・・・・・・シリコン半導体基板、２・・・・・・窒
化シリコン膜、３・・・・・・スクライプレーン領域、
４．ｅ・・・・・・酸化シリコン膜、６・・・・・・結
晶欠陥領域、７・・・・・・半導体装置領域。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第 図 トシリコソギＩＩ不基Ｉ及 ２−−一鵞化シリコゾＲ更 ３−−−スクラｌプＬ−シ＃１べ、 第 図 第 図 第 図 ｃ−１１化シリコン諜 ３−−一叉クライブし一ン４ｙゆ（
Claims (1)
- シリコン基板表面に選択的に窒化シリコン膜を形成し、
前記窒化シリコン膜を耐酸化材料とした選択酸化を施し
、前記窒化シリコン膜の端部近傍の前記シリコン基板表
面に結晶欠陥を誘起させた後、前記窒化シリコン膜およ
び前記選択酸化によシ形成した酸化シリコン膜を除去す
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17956888A JPH0228936A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17956888A JPH0228936A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228936A true JPH0228936A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16068012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17956888A Pending JPH0228936A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323484A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び半導体記憶装置 |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP17956888A patent/JPH0228936A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323484A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び半導体記憶装置 |
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