JPH0294439A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0294439A JPH0294439A JP24602188A JP24602188A JPH0294439A JP H0294439 A JPH0294439 A JP H0294439A JP 24602188 A JP24602188 A JP 24602188A JP 24602188 A JP24602188 A JP 24602188A JP H0294439 A JPH0294439 A JP H0294439A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にアルミニウ
ム合金層からなる配線パターンの形成方法に関する。
ム合金層からなる配線パターンの形成方法に関する。
従来、この種のアルミニウム合金層の配線パターンの形
成方法は、第３図（ａ）に示したように、半導体基板１
上に形成されたシリコン酸化膜２上に被着形成したＡＩ
を含む合金層３上にレジストよりなるパターン５を形成
したのち第３図（ｂ）に示すように、パターン５をマス
クとして平行平板型リアクティブイオンエッチッグ装置
やイオンミリング装置を用いたドライエツチングによっ
て合金層３をエツチングし配線等のパターン形成を行な
っていた。
成方法は、第３図（ａ）に示したように、半導体基板１
上に形成されたシリコン酸化膜２上に被着形成したＡＩ
を含む合金層３上にレジストよりなるパターン５を形成
したのち第３図（ｂ）に示すように、パターン５をマス
クとして平行平板型リアクティブイオンエッチッグ装置
やイオンミリング装置を用いたドライエツチングによっ
て合金層３をエツチングし配線等のパターン形成を行な
っていた。
上述した従来のアルミニウム合金層からなる配線パター
ンの形成方法は、スパッタ効果の強いドライエツチング
法が用いられるなめ、マスクとなるレジストパターンと
被加工合金層とのエツチング選択比が１ないし０．５程
度しかとれず、そのためレジストパターンの膜厚の十分
厚くしなげればならない。また、レジストパターンの断
面形状が台形の場合には、加工された合金層のパターン
は矩形にはならず、配線形状としては好ましくない三角
形状となり、微細配線パターンの形成が著しく困難にな
るという欠点がある。
ンの形成方法は、スパッタ効果の強いドライエツチング
法が用いられるなめ、マスクとなるレジストパターンと
被加工合金層とのエツチング選択比が１ないし０．５程
度しかとれず、そのためレジストパターンの膜厚の十分
厚くしなげればならない。また、レジストパターンの断
面形状が台形の場合には、加工された合金層のパターン
は矩形にはならず、配線形状としては好ましくない三角
形状となり、微細配線パターンの形成が著しく困難にな
るという欠点がある。
また、ドライエツチングの際に半導体基板の温度がレジ
ストの軟化点よりも上昇するなめ、波長４００ｎｍ以下
の紫外線をドライエツチング前のレジストパターンに照
射し、レジストの軟化温度を上昇させておく必要があり
、工程が増すという欠点がある。
ストの軟化点よりも上昇するなめ、波長４００ｎｍ以下
の紫外線をドライエツチング前のレジストパターンに照
射し、レジストの軟化温度を上昇させておく必要があり
、工程が増すという欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にアル
ミニウムを主成分とする合金層を形成する工程と、前記
合金層上に絶縁膜を形成したのちパターニングしマスク
を形成する工程と、前記マスクを用い異方性エツチング
法により前記合金層をエツチングし配線パターンを形成
する工程とを含んで構成される。
ミニウムを主成分とする合金層を形成する工程と、前記
合金層上に絶縁膜を形成したのちパターニングしマスク
を形成する工程と、前記マスクを用い異方性エツチング
法により前記合金層をエツチングし配線パターンを形成
する工程とを含んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための半導体チップの断面図である。
るための半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、シリコンからなる半導
体基板１上にシリコン酸化膜２と約２％の銅を含むアル
ミニウム合金層３を膜厚０．８μｍで形成し、さらにプ
ラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜４を膜厚１．２μ
ｍで形成する。次でこのシリコン窒化膜４上にフォトレ
ジスト膜からなるレジストパターン５を形成する。
体基板１上にシリコン酸化膜２と約２％の銅を含むアル
ミニウム合金層３を膜厚０．８μｍで形成し、さらにプ
ラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜４を膜厚１．２μ
ｍで形成する。次でこのシリコン窒化膜４上にフォトレ
ジスト膜からなるレジストパターン５を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すようにレジストパターン５をマ
スクとして、シリコン窒化膜４を平行平板型リアクティ
ブイオンエツチング装置を用いて異方性エツチングし、
シリコン窒化膜パターン４ａを形成する。
スクとして、シリコン窒化膜４を平行平板型リアクティ
ブイオンエツチング装置を用いて異方性エツチングし、
シリコン窒化膜パターン４ａを形成する。
次に第１図（Ｃ）に示すように、レジストパターン５お
よびシリコン窒化膜パターン４ａをマスクとして、アル
ミニウム合金層３を異方性エツチングし、アルミニウム
合金層３からなる配線パターン３ａを形成する。レジス
トパターン５は、アルミニウム合金に対し１ないし２程
度のエツチング選択比であるため、ドライエツチング後
は十分に薄くなり、全く存在しなくなる場合もあるが、
レジストが残っている場合には剥離される。
よびシリコン窒化膜パターン４ａをマスクとして、アル
ミニウム合金層３を異方性エツチングし、アルミニウム
合金層３からなる配線パターン３ａを形成する。レジス
トパターン５は、アルミニウム合金に対し１ないし２程
度のエツチング選択比であるため、ドライエツチング後
は十分に薄くなり、全く存在しなくなる場合もあるが、
レジストが残っている場合には剥離される。
次に第１図（ｄ）に示すようにシリコン窒化膜パターン
４ａをドライあるいはウェットエツチング法によってエ
ツチングし除去する。
４ａをドライあるいはウェットエツチング法によってエ
ツチングし除去する。
このように本第１の実施例によれば、アルミニウム合金
層３はレジストパターン５とシリコン窒化膜パターン３
ａをマスクとして異方性エツチングされるため、その断
面形状は配線に適した矩形となり、微細配線パターンの
形成が容易となる。
層３はレジストパターン５とシリコン窒化膜パターン３
ａをマスクとして異方性エツチングされるため、その断
面形状は配線に適した矩形となり、微細配線パターンの
形成が容易となる。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための半導体チップの断面図である。
るための半導体チップの断面図である。
まず第２図（ａ）に示すように、第１の実施例と同様に
半導体基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、次で銅２
％、シリコン１％入りのアルミニウム合金層膜３を膜厚
１．０μｍで形成する。さらにプラズマＣＶＤ法によっ
てシリコ酸化膜１２を膜厚１，５μｍで形成する。次で
その上にレジストパターン５を形成する。
半導体基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、次で銅２
％、シリコン１％入りのアルミニウム合金層膜３を膜厚
１．０μｍで形成する。さらにプラズマＣＶＤ法によっ
てシリコ酸化膜１２を膜厚１，５μｍで形成する。次で
その上にレジストパターン５を形成する。
次に第２図（ｂ）に示すようにレジストパターン５を用
いてシリコン酸化膜１２を異方性エツチングしてシリコ
ン酸化膜パターン１２ａを形成する。
いてシリコン酸化膜１２を異方性エツチングしてシリコ
ン酸化膜パターン１２ａを形成する。
次に第２図（Ｃ）に示すように、レジストパターン５及
びシリコン酸化膜パターン１２ａを用いてアルミニウム
合金層３を異方性エツチングし、配線パターン３ａを形
成する。この時シリコン酸化膜パタン１２ａが除去され
ずに残っているが、これはアルミニウム合金層下の絶縁
膜であるシリコン酸化膜２と同じ酸化膜であるので選択
的に除去できないが、配線パターンの層間絶縁膜の一部
として利用できるので、特に除去する必要はない。
びシリコン酸化膜パターン１２ａを用いてアルミニウム
合金層３を異方性エツチングし、配線パターン３ａを形
成する。この時シリコン酸化膜パタン１２ａが除去され
ずに残っているが、これはアルミニウム合金層下の絶縁
膜であるシリコン酸化膜２と同じ酸化膜であるので選択
的に除去できないが、配線パターンの層間絶縁膜の一部
として利用できるので、特に除去する必要はない。
以上説明したように本発明は、アルミニウム合金層をエ
ツチングして配線パターンを形成する際に、アルミニウ
ム合金とのエツチング選択比がレジストより高いシリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜等を矩形性よく加工してマス
クとして使用することにより、微細な配線パターンを精
度よくかつ良い形状で形成できる効果がある。
ツチングして配線パターンを形成する際に、アルミニウ
ム合金とのエツチング選択比がレジストより高いシリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜等を矩形性よく加工してマス
クとして使用することにより、微細な配線パターンを精
度よくかつ良い形状で形成できる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）及び第２図（ａ）〜〈Ｃ）は本発
明の第１及び第２の実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図、第３図は従来の半導体装置の製造方法を説
明するための半導体チップの断面図である。 １・・・半導体基板、２．１２・・・シリコン酸化膜、
２ａ、１２ａ・・・シリコン酸化膜パターン、３・・・
アルミニウム合金層、３ａ・・・配線パターン、４・・
・シリコン窒化膜、４ａ・・・シリコン窒化膜パターン
、５・・・レジストパターン。 第 図
明の第１及び第２の実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図、第３図は従来の半導体装置の製造方法を説
明するための半導体チップの断面図である。 １・・・半導体基板、２．１２・・・シリコン酸化膜、
２ａ、１２ａ・・・シリコン酸化膜パターン、３・・・
アルミニウム合金層、３ａ・・・配線パターン、４・・
・シリコン窒化膜、４ａ・・・シリコン窒化膜パターン
、５・・・レジストパターン。 第 図
Claims (1)
- 半導体基板上にアルミニウムを主成分とする合金層を形
成する工程と、前記合金層上に絶縁膜を形成したのちパ
ターニングしマスクを形成する工程と、前記マスクを用
い異方性エッチング法により前記合金層をエッチングし
配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24602188A JPH0294439A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24602188A JPH0294439A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294439A true JPH0294439A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17142272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24602188A Pending JPH0294439A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0294439A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6974778B2 (en) | 2001-10-11 | 2005-12-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device manufactured with auxillary mask and method for producing the same |
| US9579803B2 (en) | 2013-04-15 | 2017-02-28 | Delta Electronics, Inc. | Power apparatus having plural rotary motors |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496363A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | Electrode forming method for semiconductor device |
| JPS56122143A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor device |
| JPH01181426A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24602188A patent/JPH0294439A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496363A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | Electrode forming method for semiconductor device |
| JPS56122143A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor device |
| JPH01181426A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6974778B2 (en) | 2001-10-11 | 2005-12-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device manufactured with auxillary mask and method for producing the same |
| US7064081B2 (en) | 2001-10-11 | 2006-06-20 | Rohm Co., Ltd | Semiconductor device and method for producing the same |
| US7241634B2 (en) | 2001-10-11 | 2007-07-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
| US9579803B2 (en) | 2013-04-15 | 2017-02-28 | Delta Electronics, Inc. | Power apparatus having plural rotary motors |
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