JP3200815B2 - ビーム露光用反転マスクパターンデータ作成方法 - Google Patents
ビーム露光用反転マスクパターンデータ作成方法Info
- Publication number
- JP3200815B2 JP3200815B2 JP18012392A JP18012392A JP3200815B2 JP 3200815 B2 JP3200815 B2 JP 3200815B2 JP 18012392 A JP18012392 A JP 18012392A JP 18012392 A JP18012392 A JP 18012392A JP 3200815 B2 JP3200815 B2 JP 3200815B2
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- Japan
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- pattern
- peripheral
- mask
- data
- inverted
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- Expired - Lifetime
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビームやレー
ザビームなどのビームでネガ型レジストを露光してフォ
トマスクを製作するための反転マスクパターンデータを
作成するビーム露光用反転マスクパターンデータ作成方
法に関する。
ザビームなどのビームでネガ型レジストを露光してフォ
トマスクを製作するための反転マスクパターンデータを
作成するビーム露光用反転マスクパターンデータ作成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路素子の微細化に伴い、フ
ォトマスク上の遮光部と透過部の面積比が１対１に近づ
いてきた。この為、マスクブランク上にネガ型レジスト
を塗布し、これに対し、反転マスクパターンを電子ビー
ムやレーザビーム等のビームで描画するとが可能となっ
た。
ォトマスク上の遮光部と透過部の面積比が１対１に近づ
いてきた。この為、マスクブランク上にネガ型レジスト
を塗布し、これに対し、反転マスクパターンを電子ビー
ムやレーザビーム等のビームで描画するとが可能となっ
た。
【０００３】図６は、従来のビーム露光用反転マスクパ
ターンデータ作成方法を示す。
ターンデータ作成方法を示す。
【０００４】記録媒体１０には、ＣＡＤで作成したチッ
プ部パターン設計データが書き込まれている。記録媒体
１１には、チップ部パターン３１の周辺に配置される各
種形状の周辺部パターン設計データが登録されている。
一方、記録媒体１２には、マスクサイズ、周辺部パター
ン選択データ及び周辺部パターン配置データが書き込ま
れている。
プ部パターン設計データが書き込まれている。記録媒体
１１には、チップ部パターン３１の周辺に配置される各
種形状の周辺部パターン設計データが登録されている。
一方、記録媒体１２には、マスクサイズ、周辺部パター
ン選択データ及び周辺部パターン配置データが書き込ま
れている。
【０００５】以下、括弧内の数値は図中のステップ識別
番号を表す。
番号を表す。
【０００６】（１３）記録媒体１０からチップ部マスク
パターン設計データを読み出し、所望のパターンを描い
たマスクを得るための図形処理、例えばサイジング処理
等を行う。例えば図７（Ａ）において、図形処理後のチ
ップ部パターン３１は、回路部パターン３１ａと、これ
を取り囲む矩形枠のスクライブパターン３１ｂとからな
る。簡単化のために、図では回路部パターン３１ａをＦ
字パターンで表している。図中、ハッチングのある部分
はデータ‘１’を表し、ハッチングの無い部分はデータ
‘０’を表している。
パターン設計データを読み出し、所望のパターンを描い
たマスクを得るための図形処理、例えばサイジング処理
等を行う。例えば図７（Ａ）において、図形処理後のチ
ップ部パターン３１は、回路部パターン３１ａと、これ
を取り囲む矩形枠のスクライブパターン３１ｂとからな
る。簡単化のために、図では回路部パターン３１ａをＦ
字パターンで表している。図中、ハッチングのある部分
はデータ‘１’を表し、ハッチングの無い部分はデータ
‘０’を表している。
【０００７】（１４）記録媒体１２からマスクサイズ、
周辺部パターン選択データ及び周辺部パターン配置デー
タを読み出し、この周辺部パターン選択データに基づい
て、記録媒体１１から周辺部パターンを選択して読み出
す。周辺部パターンは、例えば図７（Ａ）に示すような
パターン３２ａ（アライメントマーク）である。読み出
した周辺部パターンを、上記マスクサイズ及び周辺部パ
ターン配置データに基づいて、例えば図７（Ａ）に示す
周辺部パターン３２ａ、３２ｂ及び３２ｃのようにマス
ク領域３３内に配置する。
周辺部パターン選択データ及び周辺部パターン配置デー
タを読み出し、この周辺部パターン選択データに基づい
て、記録媒体１１から周辺部パターンを選択して読み出
す。周辺部パターンは、例えば図７（Ａ）に示すような
パターン３２ａ（アライメントマーク）である。読み出
した周辺部パターンを、上記マスクサイズ及び周辺部パ
ターン配置データに基づいて、例えば図７（Ａ）に示す
周辺部パターン３２ａ、３２ｂ及び３２ｃのようにマス
ク領域３３内に配置する。
【０００８】（１５）図形処理されたチップ部パターン
と、マスク領域３３内に配置された周辺部パターンとを
重合わせて、図７（Ａ）に示すようなマスクパターン３
０を得る。
と、マスク領域３３内に配置された周辺部パターンとを
重合わせて、図７（Ａ）に示すようなマスクパターン３
０を得る。
【０００９】（１６）マスクパターン３０を反転して、
図７（Ｂ）に示すような反転マスクパターン＊３０を得
る。ここに、＊は反転を表している。
図７（Ｂ）に示すような反転マスクパターン＊３０を得
る。ここに、＊は反転を表している。
【００１０】（１７）反転マスクパターン＊３０のデー
タをビーム露光装置のデータ形式に変換する。
タをビーム露光装置のデータ形式に変換する。
【００１１】この変換されたデータをビーム露光装置に
与えて、マスクブランク上のネガ型レジストに対し図７
（Ｂ）に示すハッチング部分を露光し、現像処理すれ
ば、ハッチング部分が遮光部となりハッチングの無い白
抜き部分が透過部となったフォトマスクパターンが得ら
れる。
与えて、マスクブランク上のネガ型レジストに対し図７
（Ｂ）に示すハッチング部分を露光し、現像処理すれ
ば、ハッチング部分が遮光部となりハッチングの無い白
抜き部分が透過部となったフォトマスクパターンが得ら
れる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、チップ部パタ
ーン＊３１の外側部分は、周辺部パターン＊３２ａ、＊
３２ｂ及び＊３２ｃを除いて広範囲にわたり露光するこ
とになるので、電子銃やレーザガン等のビーム発生装置
の寿命低下及びフォトマスク製作のスループット低下を
招く。
ーン＊３１の外側部分は、周辺部パターン＊３２ａ、＊
３２ｂ及び＊３２ｃを除いて広範囲にわたり露光するこ
とになるので、電子銃やレーザガン等のビーム発生装置
の寿命低下及びフォトマスク製作のスループット低下を
招く。
【００１３】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、ビーム発生装置の寿命及びフォトマスクのスループ
ットを向上させることができるビーム露光用反転マスク
パターンデータ作成方法を提供することにある。
み、ビーム発生装置の寿命及びフォトマスクのスループ
ットを向上させることができるビーム露光用反転マスク
パターンデータ作成方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係るビーム露光
用反転マスクパターンデータ作成方法を、実施例図中の
対応する構成要素の符号を引用して説明する。
用反転マスクパターンデータ作成方法を、実施例図中の
対応する構成要素の符号を引用して説明する。
【００１５】第１発明では、例えば図１、図２（Ｃ）及
び図３に示す如く、（２０、２１）マスク領域内におい
て、チップ部パターンを覆うチップ領域＊４１及び周辺
部パターンを覆う周辺領域＊４２ａ〜＊４２ｃ、すなわ
ち、図２（Ｃ）中のハッチングの無い白抜き部分を２値
の一方の値、残りの領域、すなわち、図２（Ｃ）中のハ
ッチング部分を２値の他方の値とするブランキングパタ
ーン５０のデータを作成するステップと、（１３〜１
６）マスク領域内において、チップ部パターン＊３１及
び周辺部パターン＊３２ａ〜＊３２ｃ、すなわち、図３
（Ａ）中のハッチングの無い白抜き部分を２値の該一方
の値とし残りの領域、すなわち、図３（Ａ）中のハッチ
ング部分を２値の他方の値とするマスクパターン＊３０
のデータを作成するステップと、（２２）ブランキング
パターン５０のデータとマスクパターン＊３０のデータ
との排他的論理和を演算して反転マスクパターン６０の
データを得るステップとを備えている。
び図３に示す如く、（２０、２１）マスク領域内におい
て、チップ部パターンを覆うチップ領域＊４１及び周辺
部パターンを覆う周辺領域＊４２ａ〜＊４２ｃ、すなわ
ち、図２（Ｃ）中のハッチングの無い白抜き部分を２値
の一方の値、残りの領域、すなわち、図２（Ｃ）中のハ
ッチング部分を２値の他方の値とするブランキングパタ
ーン５０のデータを作成するステップと、（１３〜１
６）マスク領域内において、チップ部パターン＊３１及
び周辺部パターン＊３２ａ〜＊３２ｃ、すなわち、図３
（Ａ）中のハッチングの無い白抜き部分を２値の該一方
の値とし残りの領域、すなわち、図３（Ａ）中のハッチ
ング部分を２値の他方の値とするマスクパターン＊３０
のデータを作成するステップと、（２２）ブランキング
パターン５０のデータとマスクパターン＊３０のデータ
との排他的論理和を演算して反転マスクパターン６０の
データを得るステップとを備えている。
【００１６】第２発明では、例えば図４、図５、図２
（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す如く、（１４Ａ、１４Ｂ）
マスク領域３３内において、周辺部パターン３２の内側
を２値の一方の値とし周辺部パターン３２の外側かつ周
辺部パターンを覆う周辺領域４２の内側を２値の他方の
値とする周辺部反転パターン６２ａ〜６２ｃのデータを
作成するステップと、 （１３、１６Ａ）チップ部パタ
ーン＊３１の内側を２値の一方の値としチップ部パター
ン＊３１の外側かつチップ部パターン＊３１を覆うチッ
プ領域４１の内側を２値の他方の値とするチップ部反転
パターン６１のデータを作成するステップと、（１５
Ａ）周辺部反転パターン６２ａ〜６２ｃのデータにチッ
プ部反転パターン６１のデータを重ね合わせた反転マス
クパターン６０のデータを得るステップとを備えてい
る。
（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す如く、（１４Ａ、１４Ｂ）
マスク領域３３内において、周辺部パターン３２の内側
を２値の一方の値とし周辺部パターン３２の外側かつ周
辺部パターンを覆う周辺領域４２の内側を２値の他方の
値とする周辺部反転パターン６２ａ〜６２ｃのデータを
作成するステップと、 （１３、１６Ａ）チップ部パタ
ーン＊３１の内側を２値の一方の値としチップ部パター
ン＊３１の外側かつチップ部パターン＊３１を覆うチッ
プ領域４１の内側を２値の他方の値とするチップ部反転
パターン６１のデータを作成するステップと、（１５
Ａ）周辺部反転パターン６２ａ〜６２ｃのデータにチッ
プ部反転パターン６１のデータを重ね合わせた反転マス
クパターン６０のデータを得るステップとを備えてい
る。
【００１７】
【作用】上記第１発明又は第２発明により作成された反
転マスクパターンデータに基づいてビーム露光すれば、
図３（Ｂ）に示すチップ部反転パターン６１及び周辺部
反転パターン６２ａ〜６２ｃのハッチング部のみビーム
露光され、不要部分のビーム露光が行われないので、ビ
ーム発生装置の寿命及びフォトマスク製作のスループッ
トが大幅に向上する。
転マスクパターンデータに基づいてビーム露光すれば、
図３（Ｂ）に示すチップ部反転パターン６１及び周辺部
反転パターン６２ａ〜６２ｃのハッチング部のみビーム
露光され、不要部分のビーム露光が行われないので、ビ
ーム発生装置の寿命及びフォトマスク製作のスループッ
トが大幅に向上する。
【００１８】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明に係るビーム露
光用反転マスクパターンデータ作成方法の実施例を説明
する。
光用反転マスクパターンデータ作成方法の実施例を説明
する。
【００１９】［第１実施例］図１は、第１実施例のビー
ム露光用反転マスクパターンデータ作成方法を示す。図
６と同一構成要素には、同一符号を付してその説明を省
略する。
ム露光用反転マスクパターンデータ作成方法を示す。図
６と同一構成要素には、同一符号を付してその説明を省
略する。
【００２０】記録媒体１１Ａには、図６の記録媒体１１
に登録された各種周辺部パターン設計データの他に、各
周辺部パターンに対応して、この周辺部パターンを取り
囲む図２（Ａ）に示すような周辺領域パターン（アライ
メントマーク領域パターン）４２ａが登録されている。
に登録された各種周辺部パターン設計データの他に、各
周辺部パターンに対応して、この周辺部パターンを取り
囲む図２（Ａ）に示すような周辺領域パターン（アライ
メントマーク領域パターン）４２ａが登録されている。
【００２１】（２０）記録媒体１０から、図７（Ａ）に
示すような矩形枠状のスクライブパターン３１ｂの縦
Ａ、横Ｂ及び線幅Ｗを読み出し、縦Ａ＋２Ｗ及び横Ｂ＋
２Ｗの図２（Ａ）に示すようなチップ領域パターン４１
を作成する。また、記録媒体１２からマスクサイズ、周
辺部パターン選択データ及び周辺部パターン配置データ
を読み出し、これに基づいて、記録媒体１１Ａから周辺
領域パターン４２ａを読み出し、これを配置することに
より図２（Ａ）に示すようなチップ領域パターン４１、
周辺領域パターン４２ａ〜４２ｃからなるマスク内領域
パターン４０を作成し、また、図２（Ｂ）に示すような
マスク領域パターン＊３３を作成する。
示すような矩形枠状のスクライブパターン３１ｂの縦
Ａ、横Ｂ及び線幅Ｗを読み出し、縦Ａ＋２Ｗ及び横Ｂ＋
２Ｗの図２（Ａ）に示すようなチップ領域パターン４１
を作成する。また、記録媒体１２からマスクサイズ、周
辺部パターン選択データ及び周辺部パターン配置データ
を読み出し、これに基づいて、記録媒体１１Ａから周辺
領域パターン４２ａを読み出し、これを配置することに
より図２（Ａ）に示すようなチップ領域パターン４１、
周辺領域パターン４２ａ〜４２ｃからなるマスク内領域
パターン４０を作成し、また、図２（Ｂ）に示すような
マスク領域パターン＊３３を作成する。
【００２２】（２１）図２（Ａ）に示すようなマスク内
領域パターン４０とマスク領域パターン＊３３との排他
的論理和を演算して、図２（Ｃ）に示すようなブランク
＊４１及び＊４２ａ〜＊４２ｃを有するブランキングパ
ターン５０を得る。
領域パターン４０とマスク領域パターン＊３３との排他
的論理和を演算して、図２（Ｃ）に示すようなブランク
＊４１及び＊４２ａ〜＊４２ｃを有するブランキングパ
ターン５０を得る。
【００２３】（２２）このブランキングパターン５０
と、ステップ１３〜１６（図６のステップ１３〜１６と
同一）で作成した図３（Ａ）に示すような反転マスクパ
ターン＊３０との排他的論理和を演算し、図３（Ｂ）に
示すような要部反転マスクパターン６０を得る。この要
部反転マスクパターン６０は、チップ部反転パターン６
１と、その周辺の周辺部反転パターン６２ａ〜６２ｃと
からなり、チップ部反転パターン６１は、回路部パター
ン＊３１ａと、その外周のスクライブパターン＊３１ｂ
と、スクライブパターン＊３１ｂの外周の枠パターン６
１ａとからなる。
と、ステップ１３〜１６（図６のステップ１３〜１６と
同一）で作成した図３（Ａ）に示すような反転マスクパ
ターン＊３０との排他的論理和を演算し、図３（Ｂ）に
示すような要部反転マスクパターン６０を得る。この要
部反転マスクパターン６０は、チップ部反転パターン６
１と、その周辺の周辺部反転パターン６２ａ〜６２ｃと
からなり、チップ部反転パターン６１は、回路部パター
ン＊３１ａと、その外周のスクライブパターン＊３１ｂ
と、スクライブパターン＊３１ｂの外周の枠パターン６
１ａとからなる。
【００２４】この要部反転マスクパターン６０は、ハッ
チング部が図７（Ｂ）の反転マスクパターン＊３０のハ
ッチング部に比し大幅に狭くなっている。この要部反転
マスクパターン６０のデータをビーム露光に用いれば、
チップ部反転パターン６１及び周辺部反転パターン６２
ａ〜６２ｃのハッチング部のみビーム露光され、不要部
分のビーム露光が行われないので、ビーム発生装置の寿
命及びフォトマスク製作のスループットが大幅に向上す
る。
チング部が図７（Ｂ）の反転マスクパターン＊３０のハ
ッチング部に比し大幅に狭くなっている。この要部反転
マスクパターン６０のデータをビーム露光に用いれば、
チップ部反転パターン６１及び周辺部反転パターン６２
ａ〜６２ｃのハッチング部のみビーム露光され、不要部
分のビーム露光が行われないので、ビーム発生装置の寿
命及びフォトマスク製作のスループットが大幅に向上す
る。
【００２５】［第２実施例］図４は、第２実施例のビー
ム露光用反転マスクパターンデータ作成方法を示す。図
１と同一構成要素には、同一符号を付してその説明を省
略する。
ム露光用反転マスクパターンデータ作成方法を示す。図
１と同一構成要素には、同一符号を付してその説明を省
略する。
【００２６】（１４Ａ）記録媒体１２から周辺部パター
ン選択データを読み出し、これに基づいて、記録媒体１
１Ａから図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すような周辺部パタ
ーン３２及び周辺領域パターン＊４２を読み出し、周辺
部パターン３２と周辺領域パターン＊４２との否定論理
和演算を行って、図５（Ｃ）に示すような周辺部反転パ
ターン６２を作成する。
ン選択データを読み出し、これに基づいて、記録媒体１
１Ａから図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すような周辺部パタ
ーン３２及び周辺領域パターン＊４２を読み出し、周辺
部パターン３２と周辺領域パターン＊４２との否定論理
和演算を行って、図５（Ｃ）に示すような周辺部反転パ
ターン６２を作成する。
【００２７】（１４Ｂ）記録媒体１２からマスクサイズ
及び周辺部パターン配置データを読み出し、これに基づ
いて、図５（Ｄ）に示すようにマスク領域３３内に周辺
部反転パターン６２を配置して周辺部反転パターン６２
ａ、６２ｂ及び６２ｃとする。
及び周辺部パターン配置データを読み出し、これに基づ
いて、図５（Ｄ）に示すようにマスク領域３３内に周辺
部反転パターン６２を配置して周辺部反転パターン６２
ａ、６２ｂ及び６２ｃとする。
【００２８】（１６Ａ）一方、ステップ１３で図形処理
された図５（Ｅ）に示すようなチップ部パターン３１に
対し、図２（Ａ）のチップ領域パターン４１内において
‘１’の部分を‘０’とし‘０’の部分を‘１’とする
反転処理を行って、図５（Ｆ）に示すようなチップ部反
転パターン６１を得る。
された図５（Ｅ）に示すようなチップ部パターン３１に
対し、図２（Ａ）のチップ領域パターン４１内において
‘１’の部分を‘０’とし‘０’の部分を‘１’とする
反転処理を行って、図５（Ｆ）に示すようなチップ部反
転パターン６１を得る。
【００２９】（１５Ａ）このチップ部反転パターン６１
を、ステップ１４Ｂで得た図５（Ｄ）に示すようなパタ
ーンと重合わせて、図３（Ｂ）に示すような要部反転マ
スクパターン６０を得る。
を、ステップ１４Ｂで得た図５（Ｄ）に示すようなパタ
ーンと重合わせて、図３（Ｂ）に示すような要部反転マ
スクパターン６０を得る。
【００３０】この第２実施例では、図１のステップ２２
の排他的論理和演算を行う必要がないので、処理が第１
実施例よりも簡単となる。
の排他的論理和演算を行う必要がないので、処理が第１
実施例よりも簡単となる。
【００３１】
【発明の効果】本第１発明又は第２発明に係るビーム露
光用反転マスクパターンデータ作成方法により作成され
た反転マスクパターンデータに基づいてビーム露光すれ
ば、チップ部反転パターン及び周辺部反転パターンのみ
ビーム露光され、不要部分のビーム露光が行われないの
で、ビーム発生装置の寿命及びフォトマスク製作のスル
ープットが大幅に向上するという効果を奏する。
光用反転マスクパターンデータ作成方法により作成され
た反転マスクパターンデータに基づいてビーム露光すれ
ば、チップ部反転パターン及び周辺部反転パターンのみ
ビーム露光され、不要部分のビーム露光が行われないの
で、ビーム発生装置の寿命及びフォトマスク製作のスル
ープットが大幅に向上するという効果を奏する。
【図１】本発明の第１実施例のビーム露光用反転マスク
パターンデータ作成方法を示すフローチャートである。
パターンデータ作成方法を示すフローチャートである。
【図２】図１のステップ２０及び２１の説明図である。
【図３】図１のステップ１６及び２２の説明図である。
【図４】本発明の第２実施例のビーム露光用反転マスク
パターンデータ作成方法を示すフローチャートである。
パターンデータ作成方法を示すフローチャートである。
【図５】図４のステップ１４Ａ、１４Ｂ及び２３の説明
図である。
図である。
【図６】従来のビーム露光用反転マスクパターンデータ
作成方法のフローチャートである。
作成方法のフローチャートである。
【図７】図６のステップ１５及び１６の説明図である。
【符号の説明】 １０、１１、１１Ａ、１２ 記録媒体 ３０、６０ マスクパターン ＊３０ 反転マスクパターン ３１ チップ部パターン ３１ａ、＊３１ａ 回路部パターン ３１ｂ、＊３１ｂ スクライブパターン ３２、３２ａ〜３２ｃ 周辺部パターン ３３ マスク領域 ＊３３ マスク領域パターン ４０ マスク内領域パターン ４１、＊４１ チップ領域パターン ４２、４２ａ〜４２ｃ、＊４２、＊４２ａ〜＊４２ｃ
周辺領域パターン ５０ ブランキングパターン ＊６０ 要部反転マスクパターン ６１ チップ部反転パターン ６２ａ〜６２ｃ 周辺部反転パターン
周辺領域パターン ５０ ブランキングパターン ＊６０ 要部反転マスクパターン ６１ チップ部反転パターン ６２ａ〜６２ｃ 周辺部反転パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 義正 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 直江 光史 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 浦口 雅弘 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−220459（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−47825（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−111325（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−115035（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−191346（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−243262（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/08
Claims (2)
- 【請求項１】 マスク領域内において、チップ部パター
ンを覆うチップ領域（＊４１）及び周辺部パターンを覆
う周辺領域（＊４２ａ〜＊４２ｃ）を２値の一方の値と
し残りの領域を２値の他方の値とするブランキングパタ
ーンデータ（５０）を作成するステップ（２０、２１）
と、 該マスク領域内において、該チップ部パターン（＊３
１）及び該周辺部パターン（＊３２ａ〜＊３２ｃ）を２
値の該一方の値とし残りの領域を２値の他方の値とする
マスクパターン（＊３０）のデータを作成するステップ
（１３〜１６）と、 該ブランキングパターンデータと該マスクパターンデー
タとの排他的論理和を演算して反転マスクパターンデー
タ（６０）を得るステップ（２２）と、 を有することを特徴とするビーム露光用反転マスクパタ
ーンデータ作成方法。 - 【請求項２】 マスク領域（３３）内において、周辺部
パターン（３２）の内側を２値の一方の値とし該周辺部
パターンの外側かつ該周辺部パターンを覆う周辺領域
（４２）の内側を２値の他方の値とする周辺部反転パタ
ーンデータ（６２ａ〜６２ｃ）を作成するステップ（１
４Ａ、１４Ｂ）と、 チップ部パターン（＊３１）の内側を２値の一方の値と
し該チップ部パターンの外側かつ該チップ部パターン覆
うチップ領域の内側を２値の他方の値とするチップ部反
転パターンデータ（６１）を作成するステップ（１３、
１６Ａ）と、 該周辺部反転パターンデータに該チップ部反転パターン
データを重ね合わせた反転マスクパターンデータ（６
０）を得るステップ（１５Ａ）と、 を有することを特徴とするビーム露光用反転マスクパタ
ーンデータ作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18012392A JP3200815B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | ビーム露光用反転マスクパターンデータ作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18012392A JP3200815B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | ビーム露光用反転マスクパターンデータ作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629199A JPH0629199A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3200815B2 true JP3200815B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=16077824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18012392A Expired - Lifetime JP3200815B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | ビーム露光用反転マスクパターンデータ作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3200815B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69709658T2 (de) * | 1996-09-05 | 2002-08-14 | Japan Energy Corp., Tokio/Tokyo | Saurer katalysator in fester form und verfahren zur herstellung desselben |
| WO2004111728A1 (ja) | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Fujitsu Limited | データ保存方法及びデータ保存装置 |
| JP7026554B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-02-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP18012392A patent/JP3200815B2/ja not_active Expired - Lifetime
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