JP2001215685A - レチクルパターンの作成方法及びその作成装置 - Google Patents
レチクルパターンの作成方法及びその作成装置Info
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- JP2001215685A JP2001215685A JP2000028473A JP2000028473A JP2001215685A JP 2001215685 A JP2001215685 A JP 2001215685A JP 2000028473 A JP2000028473 A JP 2000028473A JP 2000028473 A JP2000028473 A JP 2000028473A JP 2001215685 A JP2001215685 A JP 2001215685A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レチクルパターンの作成において、スクライ
ブラインデータ作成後、スクライブライン上にダミーパ
ターンの手配置が必要となる。また、チップデータに
は、ダイシング後のチップ内部に水等の侵入を防ぐこと
を目的としたシールリングデータを手配置が必要とな
る。レチクルパターン作成に膨大な時間を要し、工数的
な無駄とミスが生じる。 【解決手段】 ダミーデータ用制御ファイルとシールリ
ング用制御ファイルを用いることにより、ダミーデー
タ、シールリングデータの自動作成工程を挿入する。こ
れにより、プロセス条件が変わる度のチップの再設計工
程を排除でき、レチクルパターン作成における工数的な
無駄とミスを改善する。
ブラインデータ作成後、スクライブライン上にダミーパ
ターンの手配置が必要となる。また、チップデータに
は、ダイシング後のチップ内部に水等の侵入を防ぐこと
を目的としたシールリングデータを手配置が必要とな
る。レチクルパターン作成に膨大な時間を要し、工数的
な無駄とミスが生じる。 【解決手段】 ダミーデータ用制御ファイルとシールリ
ング用制御ファイルを用いることにより、ダミーデー
タ、シールリングデータの自動作成工程を挿入する。こ
れにより、プロセス条件が変わる度のチップの再設計工
程を排除でき、レチクルパターン作成における工数的な
無駄とミスを改善する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造に使用さ
れるレチクルマスクのパターンの一部を構成するスクラ
イブラインの図形データを作成するレチクルパターンの
作成方法及び装置に関するものである。
れるレチクルマスクのパターンの一部を構成するスクラ
イブラインの図形データを作成するレチクルパターンの
作成方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のスクライブライン、スクライブラ
イン上ダミーデータ、及びシールリングデータの作成方
法を図１１に基づいて説明する。
イン上ダミーデータ、及びシールリングデータの作成方
法を図１１に基づいて説明する。
【０００３】まず、半導体チップサイズ、スクライブラ
イン幅、露光装置の有効露光領域、及び遮光フレーム幅
の入力パラメータを読み込み、続けて、最多チップブロ
ック構成計算、有効露光領域はみだし長計算、はみだし
長補正、スクライブラインパターン作成を行う（特開平
１１−２３７７２５号公報）。その後、ウエハー上の平
坦化のために、スクライブライン上にダミーパターンを
手作成している。また、チップデータには、ダイシング
後のチップ内部に水等の侵入を防ぐことを目的とし、チ
ップ境界とチップパターンとの間にシールリングデータ
を手作成し、それを、レチクルパターンデータと合成
し、レチクルパターンデータを得る。
イン幅、露光装置の有効露光領域、及び遮光フレーム幅
の入力パラメータを読み込み、続けて、最多チップブロ
ック構成計算、有効露光領域はみだし長計算、はみだし
長補正、スクライブラインパターン作成を行う（特開平
１１−２３７７２５号公報）。その後、ウエハー上の平
坦化のために、スクライブライン上にダミーパターンを
手作成している。また、チップデータには、ダイシング
後のチップ内部に水等の侵入を防ぐことを目的とし、チ
ップ境界とチップパターンとの間にシールリングデータ
を手作成し、それを、レチクルパターンデータと合成
し、レチクルパターンデータを得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、全マスクレイヤーに配置しているアライ
メントマークを考慮して、アライメントマーク配置領域
を除く全てのスクライブライン領域に対してダミーデー
タを手配置しなければならないため、膨大な工数を要す
るという問題点がある。
来の構成では、全マスクレイヤーに配置しているアライ
メントマークを考慮して、アライメントマーク配置領域
を除く全てのスクライブライン領域に対してダミーデー
タを手配置しなければならないため、膨大な工数を要す
るという問題点がある。
【０００５】さらに、チップデータ側にシールリングデ
ータを作成することにより、プロセス条件が変わる度に
チップの再設計が必要となり、工数的な無駄とミスが生
じるという問題点がある。
ータを作成することにより、プロセス条件が変わる度に
チップの再設計が必要となり、工数的な無駄とミスが生
じるという問題点がある。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、スクライブライン上のダミーデータ、及びシールリ
ングデータを迅速に、かつ、ミスなく作成できるレチク
ルパターンの作成方法及び装置を提供することを目的と
する。
で、スクライブライン上のダミーデータ、及びシールリ
ングデータを迅速に、かつ、ミスなく作成できるレチク
ルパターンの作成方法及び装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成する本発
明のレチクルパターンの作成方法は、ダミーデータ用制
御ファイルを用いたダミーデータ自動作成工程を挿入す
る。ダミーデータの発生領域は、スクライブライン発生
領域からスクライブライン上に配置しているアライメン
トマーク配置領域を差し引いた領域とする。
明のレチクルパターンの作成方法は、ダミーデータ用制
御ファイルを用いたダミーデータ自動作成工程を挿入す
る。ダミーデータの発生領域は、スクライブライン発生
領域からスクライブライン上に配置しているアライメン
トマーク配置領域を差し引いた領域とする。
【０００８】さらに、従来方法のチップデータ上に配置
していたシールリングデータ作成を廃止してシールリン
グ用制御ファイルを用いることにより、マスクレイヤー
毎にシールリングデータをレチクルパターン側に自動作
成工程を挿入する。
していたシールリングデータ作成を廃止してシールリン
グ用制御ファイルを用いることにより、マスクレイヤー
毎にシールリングデータをレチクルパターン側に自動作
成工程を挿入する。
【０００９】この構成によって、スクライブライン上の
ダミーデータ、及びシールリングデータ作成を自動化で
きるので、従来に比べてレチクルパターンの作成ミスを
減らし、レチクルパターンの作成時間を大幅に短縮する
ことができる。
ダミーデータ、及びシールリングデータ作成を自動化で
きるので、従来に比べてレチクルパターンの作成ミスを
減らし、レチクルパターンの作成時間を大幅に短縮する
ことができる。
【００１０】本発明の請求項１記載のレチクルパターン
の作成方法は、スクライブライン上のダミーデータ作成
規則をデータベース化し、前記データベース化された作
成規則に基づいてスクライブライン上にダミーデータを
自動作成することを特徴とする。
の作成方法は、スクライブライン上のダミーデータ作成
規則をデータベース化し、前記データベース化された作
成規則に基づいてスクライブライン上にダミーデータを
自動作成することを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項２記載のレチクルパターン
の作成方法は、スクライブライン上のダミーデータ作成
規則をデータベース化し、前記データベース化された作
成規則に基づいてスクライブライン上にダミーデータ作
成領域を計算し、前記スクライブライン上に配置されて
いるマーク図形データ領域を前記ダミーデータ作成領域
から除外してダミーデータを作成することを特徴とす
る。
の作成方法は、スクライブライン上のダミーデータ作成
規則をデータベース化し、前記データベース化された作
成規則に基づいてスクライブライン上にダミーデータ作
成領域を計算し、前記スクライブライン上に配置されて
いるマーク図形データ領域を前記ダミーデータ作成領域
から除外してダミーデータを作成することを特徴とす
る。
【００１２】本発明の請求項３記載のレチクルパターン
の作成方法は、ダミーデータ作成規則データとスクライ
ブライン上に配置されているマーク図形領域データを読
み込む第１工程と、前記第１工程で読み込んだデータに
基づいてダミーデータ作成領域を計算してダミーデータ
を自動作成する第２工程とを有することを特徴とする。
の作成方法は、ダミーデータ作成規則データとスクライ
ブライン上に配置されているマーク図形領域データを読
み込む第１工程と、前記第１工程で読み込んだデータに
基づいてダミーデータ作成領域を計算してダミーデータ
を自動作成する第２工程とを有することを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項４記載のレチクルパターン
の作成装置は、ダミーデータ作成規則データとスクライ
ブライン上に配置されているマーク図形領域データを読
み込む第１手段と、前記第１手段で読み込んだデータに
基づいてダミーデータ作成領域を計算してダミーデータ
を自動作成する第２手段とを有することを特徴とする。
の作成装置は、ダミーデータ作成規則データとスクライ
ブライン上に配置されているマーク図形領域データを読
み込む第１手段と、前記第１手段で読み込んだデータに
基づいてダミーデータ作成領域を計算してダミーデータ
を自動作成する第２手段とを有することを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項５記載のレチクルパターン
の作成方法は、シールリングデータ作成用制御データを
読み込む第１工程と、前記第１工程で読み込んだシール
リングデータ作成用制御データからシールリングデータ
を自動作成する第２工程とを有することを特徴とする。
の作成方法は、シールリングデータ作成用制御データを
読み込む第１工程と、前記第１工程で読み込んだシール
リングデータ作成用制御データからシールリングデータ
を自動作成する第２工程とを有することを特徴とする。
【００１５】本発明の請求項６記載のレチクルパターン
の作成方法は、請求項５において、シールリングデータ
作成用制御データは、層に対応してスクライブラインの
形状、スクライブライン中心からの距離、およびシール
リングデータの幅を記述したことを特徴とする。
の作成方法は、請求項５において、シールリングデータ
作成用制御データは、層に対応してスクライブラインの
形状、スクライブライン中心からの距離、およびシール
リングデータの幅を記述したことを特徴とする。
【００１６】本発明の請求項７記載のレチクルパターン
の作成装置は、シールリングデータ作成用制御データを
読み込む第１手段と、前記第１手段で読み込んだシール
リングデータ作成用制御データからシールリングを自動
作成する第２手段とを有し、前記シールリングデータ作
成用制御データは、層に対応してスクライブラインの形
状、スクライブライン中心からの距離、およびシールリ
ングデータの幅を記述したことを特徴とする。
の作成装置は、シールリングデータ作成用制御データを
読み込む第１手段と、前記第１手段で読み込んだシール
リングデータ作成用制御データからシールリングを自動
作成する第２手段とを有し、前記シールリングデータ作
成用制御データは、層に対応してスクライブラインの形
状、スクライブライン中心からの距離、およびシールリ
ングデータの幅を記述したことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のレチクルパターン
の作成方法を具体的な実施の形態に基づいて説明する。
の作成方法を具体的な実施の形態に基づいて説明する。
【００１８】図１は本発明のレチクルパターンの作成方
法を実現するレチクルパターン作成装置を示す。スクラ
イブラインデータ、スクライブライン上ダミーデータ、
及びシールリングデータの自動生成によるレチクルパタ
ーンデータ作成を実行するこの作成装置は次のように構
成されている。
法を実現するレチクルパターン作成装置を示す。スクラ
イブラインデータ、スクライブライン上ダミーデータ、
及びシールリングデータの自動生成によるレチクルパタ
ーンデータ作成を実行するこの作成装置は次のように構
成されている。
【００１９】１はパラメータ読み込み工程、２はシール
リング用制御ファイル読み込み工程、３はダミーデータ
作成用ファイル読み込み工程、４は最多チップブロック
構成計算工程、５は有効露光領域はみだし長計算工程、
６ははみ出し長補正工程、７はスクライブラインパター
ン作成工程、８はシールリングデータ生成工程、９はダ
ミーデータ生成工程、１０は作成されたレチクルパター
ンデータである。
リング用制御ファイル読み込み工程、３はダミーデータ
作成用ファイル読み込み工程、４は最多チップブロック
構成計算工程、５は有効露光領域はみだし長計算工程、
６ははみ出し長補正工程、７はスクライブラインパター
ン作成工程、８はシールリングデータ生成工程、９はダ
ミーデータ生成工程、１０は作成されたレチクルパター
ンデータである。
【００２０】シールリングデータは、工程２でシールリ
ング用制御ファイルを読み込み、工程８でシールリング
データを自動生成する。ダミーデータは、工程３でダミ
ーデータ用制御ファイルを読み込み、工程９でをダミー
データを自動生成する。
ング用制御ファイルを読み込み、工程８でシールリング
データを自動生成する。ダミーデータは、工程３でダミ
ーデータ用制御ファイルを読み込み、工程９でをダミー
データを自動生成する。
【００２１】まず、工程３と工程９とに関するダミーデ
ータの自動生成について説明する。半導体チップサイ
ズ、スクライブライン幅、露光装置の有効露光領域、及
び遮光フレーム幅の入力パラメータを読み込み、続け
て、ダミーデータ用制御ファイルの読み込みを行う。
ータの自動生成について説明する。半導体チップサイ
ズ、スクライブライン幅、露光装置の有効露光領域、及
び遮光フレーム幅の入力パラメータを読み込み、続け
て、ダミーデータ用制御ファイルの読み込みを行う。
【００２２】図２は縮小投影露光装置用レチクルを示
す。１１はレチクルパターンデータ領域、１２はスクラ
イブラインデータ領域、１３は本体チップ領域である。
図３は図２の部分１４の拡大である。
す。１１はレチクルパターンデータ領域、１２はスクラ
イブラインデータ領域、１３は本体チップ領域である。
図３は図２の部分１４の拡大である。
【００２３】工程９はスクライブライン上のダミーデー
タ作成規則がデータベース化されており、工程３でダミ
ーデータ用制御ファイルに記述している数値を読み取っ
た結果に基づいて、データベース化された作成規則に基
づいてスクライブライン上にダミーデータを自動作成す
る。
タ作成規則がデータベース化されており、工程３でダミ
ーデータ用制御ファイルに記述している数値を読み取っ
た結果に基づいて、データベース化された作成規則に基
づいてスクライブライン上にダミーデータを自動作成す
る。
【００２４】具体的には、スクライブ中心線１５から本
体チップ内側に向かって距離１７の範囲内で、距離１６
の場所から幅１８のデータを作成し、さらに、距離１９
の間隔をあけて幅１８のデータ作成作業を繰り返す。
体チップ内側に向かって距離１７の範囲内で、距離１６
の場所から幅１８のデータを作成し、さらに、距離１９
の間隔をあけて幅１８のデータ作成作業を繰り返す。
【００２５】また、スクライブライン上にアライメント
マークが配置している場合には、その領域２０はダミー
データ１８の発生除外領域とするようにデータベース化
されている。
マークが配置している場合には、その領域２０はダミー
データ１８の発生除外領域とするようにデータベース化
されている。
【００２６】このダミーデータ発生除外領域を考慮した
ダミーデータ作成の具体例を述べる。図４はダミーデー
タ発生領域を示すレイヤーのデータである。これは、ス
クライブ中心線２１より内側にあり、スクライブライン
上に配置されたアライメントマーク部分２２（図３では
アライメントマーク部分２０）を除外した領域である。
ダミーデータ作成の具体例を述べる。図４はダミーデー
タ発生領域を示すレイヤーのデータである。これは、ス
クライブ中心線２１より内側にあり、スクライブライン
上に配置されたアライメントマーク部分２２（図３では
アライメントマーク部分２０）を除外した領域である。
【００２７】図５はダミーレイヤーのデータである。２
３はスクライブ中心線である。図６は図５の２４部分の
拡大図である。このデータは、スクライブライン中心線
２５より内側にあり、一定の範囲２６内で、距離２７の
場所から幅２８のデータを作成し、さらに、距離２９の
間隔をあけて幅２８のデータ作成作業を繰り返す。図４
のデータと図５のデータを論理演算することにより、図
２のダミーデータを自動作成する。
３はスクライブ中心線である。図６は図５の２４部分の
拡大図である。このデータは、スクライブライン中心線
２５より内側にあり、一定の範囲２６内で、距離２７の
場所から幅２８のデータを作成し、さらに、距離２９の
間隔をあけて幅２８のデータ作成作業を繰り返す。図４
のデータと図５のデータを論理演算することにより、図
２のダミーデータを自動作成する。
【００２８】次に工程２と工程８とに関するシールリン
グデータの自動生成について説明する。図７は縮小投影
露光装置用レチクルを示す平面図である。
グデータの自動生成について説明する。図７は縮小投影
露光装置用レチクルを示す平面図である。
【００２９】３１はレチクルパターンデータ領域、３２
はスクライブラインデータ領域、３３は本体チップ領
域、３４はシールリングデータである。工程２でシール
リング用制御ファイルに記述している数値を読み取り、
記述マスクレイヤーに対し、図８と図９との２種類のシ
ールリングデータを作成する。
はスクライブラインデータ領域、３３は本体チップ領
域、３４はシールリングデータである。工程２でシール
リング用制御ファイルに記述している数値を読み取り、
記述マスクレイヤーに対し、図８と図９との２種類のシ
ールリングデータを作成する。
【００３０】図８はレクトタイプのシールリングデータ
である。スクライブ中心３５から距離３６の位置に幅３
７のデータを作成する。図９はオクタルタイプのシール
リングデータである。スクライブ中心３８から距離３９
の位置に幅４０のデータを作成し、さらに、距離４１の
位置に幅４０のデータを作成する。
である。スクライブ中心３５から距離３６の位置に幅３
７のデータを作成する。図９はオクタルタイプのシール
リングデータである。スクライブ中心３８から距離３９
の位置に幅４０のデータを作成し、さらに、距離４１の
位置に幅４０のデータを作成する。
【００３１】オクタルタイプの４５度のデータの作成方
法について、図１０を参照しながら説明する。図１０は
図９の部分４２の拡大である。スクライブ中心５１から
距離５２の位置に幅５３のデータを作成する。斜め４５
度部分については、スクライブ中心交点５４からＸ、Ｙ
方向に対して距離５２の位置から、さらに、Ｘ、Ｙ方向
にシールリングの外形処理幅５５を移動した２点を底辺
とした高さ５３の長方形データを作成する。
法について、図１０を参照しながら説明する。図１０は
図９の部分４２の拡大である。スクライブ中心５１から
距離５２の位置に幅５３のデータを作成する。斜め４５
度部分については、スクライブ中心交点５４からＸ、Ｙ
方向に対して距離５２の位置から、さらに、Ｘ、Ｙ方向
にシールリングの外形処理幅５５を移動した２点を底辺
とした高さ５３の長方形データを作成する。
【００３２】このような工程８と工程９での自動処理に
より、スクライブライン上のダミーデータ、及び、シー
ルリングデータ作成の自動化を実現している。
より、スクライブライン上のダミーデータ、及び、シー
ルリングデータ作成の自動化を実現している。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明のレチクルパターン
の作成方法は、ダミーデータ用制御ファイルを用いるこ
とで、ダミーデータを自動作成し、レチクルパターンの
一部を短時間で、ミスなく作成することができる。
の作成方法は、ダミーデータ用制御ファイルを用いるこ
とで、ダミーデータを自動作成し、レチクルパターンの
一部を短時間で、ミスなく作成することができる。
【００３４】また、本発明のレチクルパターンの作成方
法は、シールリング作成用制御ファイルを用いること
で、シールリングデータを自動作成し、レチクルパター
ンの一部を短時間で、ミスなく作成することができる。
法は、シールリング作成用制御ファイルを用いること
で、シールリングデータを自動作成し、レチクルパター
ンの一部を短時間で、ミスなく作成することができる。
【図１】本発明のレチクルパターンの作成方法を実現す
るレチクルパターン作成装置の構成図
るレチクルパターン作成装置の構成図
【図２】ダミーデータをもつ縮小投影露光装置用レチク
ルを示す平面図
ルを示す平面図
【図３】スクライブライン上のダミーデータ１４の拡大
図
図
【図４】ダミーデータ発生領域を示すレイヤーのデータ
例の平面図
例の平面図
【図５】ダミーレイヤーのデータ例の平面図
【図６】図５の要部の拡大図
【図７】シールリングデータをもつ縮小投影露光装置用
レチクルを示す平面図
レチクルを示す平面図
【図８】レクトタイプのシールリングデータ例の平面図
【図９】オクタルタイプのシールリングデータ例の平面
図
図
【図１０】オクタルタイプのシールリングデータの拡大
図
図
【図１１】従来のレチクルの作成手順の説明図
１ パラメータ読み込み工程 ２ シールリング用制御ファイル読み込み工程 ３ ダミーデータ作成用ファイル読み込み工程 ４ 最多チップブロック構成計算工程 ５ 有効露光領域はみだし長計算工程 ６ はみ出し長補正工程 ７ スクライブラインパターン作成工程 ８ シールリングデータ生成工程 ９ ダミーデータ生成工程 １０ レチクルパターンデータ １１ レチクルパターンデータ領域 １２ スクライブラインデータ領域 １３ 本体チップ領域 １４ ダミーデータ拡大領域 １５ スクライブ中心線 １６ スクライブ中心線からダミーデータ発生領域まで
の距離 １７ ダミーデータ発生領域 １８ ダミーデータの幅 １９ ダミーデータ発生間隔 ２０ アライメント配置領域 ２１ スクライブ中心線 ２２ アライメント配置領域 ２３ スクライブ中心線 ２４ ダミーデータ拡大領域 ２５ スクライブライン中心線 ２６ ダミーデータ発生領域 ２７ スクライブ中心線からダミーデータ発生領域まで
の距離 ２８ ダミーデータの幅 ２９ ダミーデータ発生間隔 ３１ レチクルパターンデータ領域 ３２ スクライブラインデータ領域 ３３ 本体チップ領域 ３４ シールリングデータ ３５ スクライブ中心 ３６ スクライブ中心線からシールリングデータ発生領
域までの距離 ３７ シールリングデータの幅 ３８ スクライブ中心 ３９ スクライブ中心線からシールリングデータ発生領
域までの距離 ４０ シールリングデータの幅 ４１ シールリングデータ間の距離 ４２ シールリングデータの拡大領域 ５１ スクライブ中心 ５２ スクライブ中心線からシールリングデータ発生領
域までの距離 ５３ シールリングデータの幅 ５４ 縦横スクライブ中心交点 ５５ シールリングの外形処理幅
の距離 １７ ダミーデータ発生領域 １８ ダミーデータの幅 １９ ダミーデータ発生間隔 ２０ アライメント配置領域 ２１ スクライブ中心線 ２２ アライメント配置領域 ２３ スクライブ中心線 ２４ ダミーデータ拡大領域 ２５ スクライブライン中心線 ２６ ダミーデータ発生領域 ２７ スクライブ中心線からダミーデータ発生領域まで
の距離 ２８ ダミーデータの幅 ２９ ダミーデータ発生間隔 ３１ レチクルパターンデータ領域 ３２ スクライブラインデータ領域 ３３ 本体チップ領域 ３４ シールリングデータ ３５ スクライブ中心 ３６ スクライブ中心線からシールリングデータ発生領
域までの距離 ３７ シールリングデータの幅 ３８ スクライブ中心 ３９ スクライブ中心線からシールリングデータ発生領
域までの距離 ４０ シールリングデータの幅 ４１ シールリングデータ間の距離 ４２ シールリングデータの拡大領域 ５１ スクライブ中心 ５２ スクライブ中心線からシールリングデータ発生領
域までの距離 ５３ シールリングデータの幅 ５４ 縦横スクライブ中心交点 ５５ シールリングの外形処理幅
Claims (7)
- 【請求項１】スクライブライン上のダミーデータ作成規
則をデータベース化し、前記データベース化された作成
規則に基づいてスクライブライン上にダミーデータを自
動作成するレチクルパターンの作成方法。 - 【請求項２】スクライブライン上のダミーデータ作成規
則をデータベース化し、 前記データベース化された作成規則に基づいてスクライ
ブライン上にダミーデータ作成領域を計算し、 前記スクライブライン上に配置されているマーク図形デ
ータ領域を前記ダミーデータ作成領域から除外してダミ
ーデータを作成するレチクルパターンの作成方法。 - 【請求項３】ダミーデータ作成規則データとスクライブ
ライン上に配置されているマーク図形領域データを読み
込む第１工程と、 前記第１工程で読み込んだデータに基づいてダミーデー
タ作成領域を計算してダミーデータを自動作成する第２
工程とを有するレチクルパターンの作成方法。 - 【請求項４】ダミーデータ作成規則データとスクライブ
ライン上に配置されているマーク図形領域データを読み
込む第１手段と、 前記第１手段で読み込んだデータに基づいてダミーデー
タ作成領域を計算してダミーデータを自動作成する第２
手段とを有するレチクルパターンの作成装置。 - 【請求項５】シールリングデータ作成用制御データを読
み込む第１工程と、 前記第１工程で読み込んだシールリングデータ作成用制
御データからシールリングデータを自動作成する第２工
程とを有するレチクルパターンの作成方法。 - 【請求項６】シールリングデータ作成用制御データは、 層に対応してスクライブラインの形状、スクライブライ
ン中心からの距離、およびシールリングデータの幅を記
述したことを特徴とする請求項５記載のレチクルパター
ンの作成方法。 - 【請求項７】シールリングデータ作成用制御データを読
み込む第１手段と、 前記第１手段で読み込んだシールリングデータ作成用制
御データからシールリングを自動作成する第２手段とを
有し、前記シールリングデータ作成用制御データは、層
に対応してスクライブラインの形状、スクライブライン
中心からの距離、およびシールリングデータの幅を記述
したことを特徴とするレチクルパターンの作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000028473A JP2001215685A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | レチクルパターンの作成方法及びその作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000028473A JP2001215685A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | レチクルパターンの作成方法及びその作成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001215685A true JP2001215685A (ja) | 2001-08-10 |
Family
ID=18553871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000028473A Pending JP2001215685A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | レチクルパターンの作成方法及びその作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001215685A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007223869A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | ダイシングラインの膜構造、光学基板のウェハ、光学部品、及び光学部品の製造方法 |
| JP2008066716A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US11474426B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask for negative-tone development |
-
2000
- 2000-02-07 JP JP2000028473A patent/JP2001215685A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007223869A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | ダイシングラインの膜構造、光学基板のウェハ、光学部品、及び光学部品の製造方法 |
| JP4582017B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2010-11-17 | エプソントヨコム株式会社 | 光学基板ウェハ、及び光学部品の製造方法 |
| JP2008066716A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US11474426B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask for negative-tone development |
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