JP2002107906A - スクライブ内パターンデータ作成装置、及びスクライブ内パターンデータ作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スクライブ内に配置する基本マーク群をライ
ブラリ化しておくことにより、データ配置作業負荷を軽
減するスクライブ内パターンデータ作成装置、及びスク
ライブ内パターンデータ作成方法を提供すること 【解決手段】 基本マーク１０７、１０８、１０９の中
心を一致させて配置した際の全専有領域を包含する最大
領域は基本マーク１０９の専有領域１９に一致し、スク
ライブに遮光皮膜を残すフォトマスクは１１と１３であ
ることから、補助パターンは、基本マーク１０７に対し
て最大領域１９から基本マーク１０７の専有領域を除い
た部分となり、補助パターン付の基本マーク１７が作成
される。また基本マーク１０８についても専有領域とし
て最大領域に一致する領域を追加して基本マーク１８が
作成され、これらの基本マーク１７、１８、１９の中心
を一致させて配置してパターンデータ群ライブラリ２０
として登録する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を製造
する際に必要とされるフォトマスク（レチクルも同様。
以下、フォトマスクと総称。）上のスクライブ内パター
ンデータの作成に関するものであり、特に、作成作業の
効率化に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造においては、不純物の
導入、酸化膜の形成、コンタクトホールの開口、そして
配線層の形成等の各処理毎に順次所定領域をフォトマス
クにてパターン形成して処理を行うが、この場合、処理
間の相対位置を確保するための位置合わせ用各種アライ
メントマークや、位置ズレや処理結果を検査するための
各種検査マーク等をフォトマスクに配置する必要があ
る。

【０００３】これらのアライメントマークや検査マーク
は、フォトマスクのスクライブ領域に配置されるが、従
来より、フォトマスク単位にマーク毎に配置される。配
置に当たっては、図３に示すように、マーク毎に所定大
きさでマークを囲むマーク領域を設定して基本マークと
しておき、スクライブ領域に遮光用データがある場合に
は配置されるマーク領域に相当する部分のスクライブ内
遮光用データを削除する必要がある（図４中、フォトマ
スク１０１乃至１０３に対する基本マークの配置）。ま
た配置に際しては、図４に示すように、前後の工程で使
用されるフォトマスク（図４中、フォトマスク１０２に
対してフォトマスク１０１及びフォトマスク１０３が該
当）に配置される基本マーク（フォトマスク１０１乃至
フォトマスク１０３に配置される基本マーク）との間に
相互の所定位置関係を保つ必要がある。

【０００４】図１には、従来技術におけるフォトマスク
製造までの作業フローを示す。ステップ（以下、Ｓと記
す。）１０１乃至Ｓ１０８は、一般的な半導体装置の設
計工程からフォトマスク製造工程を示す。即ち、製品企
画及び仕様検討（Ｓ１０１）の後、ＭＯＳ、バイポーラ
といった使用デバイスや動作周波数等に合わせた設計ル
ール等の設計テクノロジを決定すると共に（Ｓ１０
２）、適合するプロセステクノロジを決定する（Ｓ１０
３）。両テクノロジの決定の後、論理設計（Ｓ１０
４）、レイアウト設計（Ｓ１０５）、及び設計検証（Ｓ
１０６）を順次行い、半導体装置部分のフォトマスクデ
ータが完成する。

【０００５】一方、スクライブ内の各種基本マーク類の
パターンデータは、半導体装置のレイアウト設計が完了
し、チップサイズやフォトマスク上の面付け数等が確定
して品種情報が決定した後に作成作業が開始される（Ｓ
１０９）。具体的な作業としては、基本マークライブラ
リの作成に始まり、決定したスクライブ領域に合わせた
基本マーク類の配置仕様の検討、実際の配置作業、配置
後のパターンデータについてマーク配置位置、フォトマ
スク毎のマーク形状やマーク領域の確保、あるいはフォ
トマスク間における位置関係等の検証を行う。

【０００６】作業フローの詳細を図２に示す。先ず、基
本となる個々の基本マークを作成し（Ｓ１１０）、基本
マークのライブラリ登録を行う（Ｓ１１１）。ここに基
本マークとは、個々のアライメントマークや検査マーク
のことをいい、プロセステクノロジ毎、あるいは製造設
備毎に必要なマーク仕様に合わせて作成される。

【０００７】次に、使用するフォトマスク枚数、名称、
スクライブ領域幅等のプロセス仕様についての登録を行
った上で（Ｓ１１２）、各プロセス仕様に適合したマー
ク種類、各マークの配置個数、マーク相互間の配置位置
関係、所定製造設備を有する製造ラインに必要な基本マ
ーク類等を１セットとして基本マーク配置基準を登録す
る（Ｓ１１３）。この登録により、所定のプロセステク
ノロジを使用する半導体装置を所定の製造ラインにおい
て製造する際に必要となる一連の基本マーク類に関する
配置基準が１セットして登録されることとなる。尚、Ｓ
１１０乃至Ｓ１１３については、半導体装置の設計作業
とは切り離して予め設定しておくこともできる。

【０００８】半導体装置の設計作業においてレイアウト
作業が完了したら（図１中、Ｓ１０５）、入力されるチ
ップサイズ、面付け数、製品名等の品種処理情報に従い
（Ｓ１１４）、スクライブパターンデータを作成し（Ｓ
１１５）、基本マーク配置基準より配置すべきマーク名
称及び領域を読み込んで（Ｓ１１６、Ｓ１１７）スクラ
イブ上に配置領域を作成する（Ｓ１１８）。そして確保
された配置領域にマーク形状を読み込んで（Ｓ１１９）
スクライブ上にマークを配置する（Ｓ１２０）。ここで
スクライブ上にパターンデータがある場合には、配置す
べきマーク領域に一致するスクライブ領域のデータを削
除する。以上の処理を全てのマークについて全てのフォ
トマスクに対して行い（Ｓ１２１、Ｓ１２２）、最終的
に基本マーク類が配置基準を満たしているかの確認を経
て（Ｓ１２３）スクライブ内の基本マーク類の配置パタ
ーンデータが完成する。このパターンデータと、半導体
装置データとを合わせフォトマスクデータを作成して
（図１中、Ｓ１０７）フォトマスクの製造工程に進む
（図１中、Ｓ１０８）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術においては、スクライブ上にパターンデータがあるフ
ォトマスクに対して個々の基本マークを配置する場合に
は、配置すべき基本マーク領域の位置にあるスクライブ
領域上のデータを削除する必要があり、スクライブ上の
削除領域が配置すべき基本マーク領域と一致するか否か
の検証をする必要があるが、基本マークの配置は基本マ
ーク毎に各フォトマスクに対して行うので、結果として
検証すべき基本マーク配置個所が多数あることとなり検
証に対する負荷が大きいという問題がある。

【００１０】また、基本マーク毎に上記作業を行わなけ
ればならず、マーク配置の作業負荷が大きいと共に、配
置ミスも発生しやすくスクライブ内のマーク配置パター
ンデータの品質上問題がある。

【００１１】更に、基本マークの配置位置はフォトマス
ク相互間においても所定の位置関係を維持する必要があ
り、個々の基本マークを個別に配置する従来技術では、
相互の位置関係を所定の関係に維持することは困難であ
り、人為的なミスが混入しやすく配置品質上問題がある
と共に、配置ミスに対する検証のために多大な負荷を伴
うこととなり問題である。

【００１２】また、基本マークの配置作業は、半導体装
置の設計作業における最終段階であるレイアウト作業が
完了し、チップサイズ、面付け数、製品名等の品種処理
情報が確定してスクライブ領域が確定した後でなければ
開始することができず、半導体装置の設計が完了しても
スクライブ内のマーク配置が完了するまでは、次工程に
進むことができず、効率的なフォトマスクの製造が図れ
ないという問題がある。

【００１３】本発明は前記従来技術の問題点を解消する
ためになされたものであり、使用するプロセステクノロ
ジや製造設備が確定した段階で、スクライブ内に配置す
る基本マーク群の配置パターンデータをライブラリ化し
ておくことにより、フォトマスクデータ配置作業におけ
る負荷を軽減し短期間で作成作業を完了するスクライブ
内パターンデータ作成装置、及びスクライブ内パターン
データ作成方法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１に係るスクライブ内パターンデータ作成装
置は、半導体装置製造用のフォトマスクに、スクライブ
内パターンデータを作成するスクライブ内パターンデー
タ作成装置において、基本マークが登録されたライブラ
リからパターンデータ群を抽出する抽出手段と、スクラ
イブ内のパターンデータ群を所定相互位置に配置した場
合に、パターンデータ群が占めるデータ領域を包含する
１以上の最大パターン領域を設定する設定手段と、パタ
ーンデータ群を構成する個々のパターンデータを、パタ
ーンデータが存在するスクライブ内に配置する場合に、
パターンデータ群が属する最大パターン領域内で、且つ
パターンデータ群の個々のパターンデータ領域を除いた
部分に補助パターンを追加形成する形成手段と、補助パ
ターンを追加形成したパターンデータ群をパターンデー
タ群ライブラリとして登録するパターンデータ群ライブ
ラリ登録手段とを備えることを特徴とする。

【００１５】請求項１のスクライブ内パターンデータ作
成装置では、抽出手段により、スクライブ内において基
本マークが登録されたライブラリからパターンデータ群
を抽出し、設定手段により、これらを所定相互位置に配
置した場合に全データ領域を包含する１以上の最大パタ
ーン領域を設定した上で、形成手段により、パターンデ
ータ群を構成する個々のパターンデータがパターンデー
タの存在するスクライブ内に配置される場合に、最大パ
ターン領域に含まれるパターンデータ領域外の領域に対
して補助パターンを追加形成したものを、パターンデー
タ群ライブラリとして登録する。

【００１６】また、請求項３に係るスクライブ内パター
ンデータ作成方法は、半導体装置を製造するフォトマス
クのスクライブ内に配置するパターンデータを作成する
スクライブ内パターンデータ作成方法において、基本マ
ークが登録されたライブラリからパターンデータ群を抽
出し、スクライブ内のパターンデータ群を所定相互位置
に配置した場合に占めるデータ領域を包含する１以上の
最大パターン領域を設定し、更にパターンデータ群を構
成する個々のパターンデータについて、スクライブ内に
パターンデータが存在する場合、パターンデータ群が属
する最大パターン領域内で、且つパターンデータ群の個
々のパターンデータ領域を除いた部分に補助パターンを
追加形成し、パターンデータ群ライブラリとして登録す
る工程を有することを特徴とする。

【００１７】これにより、パターンデータ群ライブラリ
を配置することにより、パターンデータ群を全フォトマ
スクに対して一括して配置することができ、またパター
ンデータ群に追加された補助パターンによりパターンデ
ータ群の最大パターン領域に合わせてスクライブのパタ
ーンデータを一括削除してやれば、各フォトマスクにお
けるスクライブ内のパターンデータと配置されるパター
ンデータとの位置関係は正しく設定されるので、パター
ンデータの配置作業負荷及び配置後の検証作業負荷が大
幅に軽減されると共に、配置作業、検証作業における配
置ミス等を未然に防止することができ配置品質を大幅に
向上させることができる。

【００１８】また、プロセステクノロジや製造設備が決
定した時点で半導体装置の設計作業と並行してパターン
データ群ライブラリの登録作業を行うことができ、また
設計作業に先立ち予めライブラリを登録しておけば同一
のプロセステクノロジを使用する場合には再利用をする
こともできる。そして、半導体装置の設計が進み品種処
理情報が確定してスクライブ領域が決定した時点で、登
録されたパターンデータ群ライブラリを一括して配置す
ることのみでパターンデータ群の配置を行うことができ
るので、スクライブ内にパターンデータを配置する作業
を短期間に効率的に行うことができ、スクライブ内パタ
ーンデータ作成作業の短納期化に寄与するところが大き
なものとなる。

【００１９】また、請求項２に係るスクライブ内パター
ンデータ作成装置は、請求項１に記載のスクライブ内パ
ターンデータ作成装置において、フォトマスク上の露光
領域を１ピッチとしてウェハ上をステップ状に移動して
露光を行うことにより半導体装置を製造するフォトマス
クのスクライブ内パターンデータ作成装置において、ス
クライブ内にパターンデータを配置する場合、パターン
データ毎のデータ領域に一致する遮光帯パターンデータ
を作成する作成手段と、パターンデータに対応した遮光
帯パターンデータを、パターンデータ群ライブラリと関
連付けて全てのフォトマスクに対して、遮光帯ライブラ
リとして登録する遮光帯ライブラリ登録手段とを備える
ことを特徴とする。

【００２０】請求項２のスクライブ内パターンデータ作
成装置では、パターンデータ群を構成する個々のパター
ンデータがスクライブ内に配置される場合に、作成手段
により、パターンデータ毎のデータ領域に一致した遮光
帯パターンデータを作成し、パターンデータと遮光帯パ
ターンデータとを対応させた上でパターンデータ群ライ
ブラリと関連付けて全フォトマスクに対して、遮光帯ラ
イブラリとして登録する。

【００２１】また、請求項４に係るスクライブ内パター
ンデータ作成方法は、請求項３に記載のスクライブ内パ
ターンデータ作成方法において、フォトマスク上の露光
領域を１ピッチとしてウェハをステップ移動して露光を
行うことにより半導体装置を製造するフォトマスクのス
クライブ内パターンデータ作成方法において、個々のパ
ターンデータをスクライブ内に配置する場合、パターン
データ毎のデータ領域に一致する遮光帯パターンデータ
を作成し、個々のパターンデータと遮光帯パターンデー
タとを対応付け、パターンデータ群ライブラリと関連付
けて全フォトマスクに対して、遮光帯ライブラリとして
登録する工程とを有することを特徴とする。

【００２２】これにより、フォトマスク露光領域の最外
周にパターンデータが存在し対向する最外周領域に二重
露光防止のための遮光帯パターンデータを配置する場合
において、最外周に配置するパターンデータを含むパタ
ーンデータ群ライブラリに関連付けられた遮光帯ライブ
ラリを対向する領域に配置してやれば、関連するパター
ンデータ群ライブラリを構成する全てのパターンデータ
について全フォトマスクに対して一括に遮光帯パターン
データを配置することができるので、パターンデータに
対する遮光帯パターンデータの配置作業負荷及び配置後
の検証作業負荷が大幅に軽減されると共に、配置作業、
検証作業における配置ミス等を未然に防止することがで
き配置品質を大幅に向上させることができる。

【００２３】また、プロセステクノロジや製造設備に合
わせてあらかじめ遮光帯ライブラリを登録しておけば、
半導体装置の品種処理情報が確定してスクライブ領域に
パターンデータ群ライブラリを配置した後に、遮光帯パ
ターンデータの配置を一括して行うことができ、更に予
めライブラリを登録しておけば同一プロセステクノロジ
に対して再利用をすることもできるので、スクライブ内
にパターンデータを配置する作業を短期間に効率的に行
うことができ、スクライブ内パターンデータ作成作業の
短納期化に寄与するところが大きいものとなる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明について具体化した
実施形態を図５乃至図１３に基づき図面を参照しつつ詳
細に説明する。図５は、本実施形態におけるスクライブ
内パターンデータ作成装置を示すブロック図である。図
６は、本実施形態におけるフォトマスク製造フローであ
る。図７は、本実施形態におけるスクライブ内パターン
データ作成フローである。図８は、本実施形態の第１具
体例におけるパターンデータ群ライブラリを示す模式図
である。図９は、本実施形態の第１具体例におけるスク
ライブ内パターンデータ配置図である。図１０は、本実
施形態の第２具体例におけるパターンデータ群ライブラ
リを示す模式図である。図１１は、本実施形態の第２具
体例におけるスクライブ内パターンデータ配置図であ
る。図１２は、本実施形態における遮光帯ライブラリを
示す模式図である。図１３は、遮光帯の効果を説明する
模式図である。

【００２５】図５におけるスクライブ内パターンデータ
作成装置１は、中央処理装置（以下、ＣＰＵと略記す
る。）２を中心にバス８を介して、メモリ３、磁気ディ
スク装置４、表示装置（以下、ＣＲＴと略記する。）
５、キーボード６、及び外部記憶媒体駆動装置７が相互
に接続されており、更に外部記憶媒体駆動装置７にＣＤ
ＲＯＭや磁気媒体等の外部記憶媒体９が着脱可能に設置
される構成である。

【００２６】後述の図７に示すスクライブ内パターンデ
ータ作成フローに示す手順は、上記スクライブ内パター
ンデータ作成装置１内のメモリ３や磁気ディスク装置４
に記録されている他、ＣＤＲＯＭや磁気媒体等の外部記
憶媒体９に記録されている場合に、外部記憶媒体駆動装
置７を介してメモリ３、磁気ディスク装置４に転送記憶
され、あるいは直接ＣＰＵ２に転送される。

【００２７】また、プロセステクノロジや製造設備毎等
に必要なマーク仕様に合わせて作成された個々のアライ
メントマークや検査マーク等の基本マークを登録してお
くライブラリ、使用フォトマスク枚数、名称、スクライ
ブ領域幅等のプロセス仕様についてのプロセス仕様登録
データ、更には個々のプロセス仕様や製造設備に適合し
たマーク種類、各マークの配置個数、マーク相互間の配
置位置関係等を１セットとして登録する基本マーク配置
基準等についても、磁気ディスク装置４や、ＣＤＲＯ
Ｍ、磁気媒体等の外部記憶媒体９に記録されており、図
７に示すスクライブ内パターンデータ作成フローに従
い、ＣＰＵ２からの指令により基本マーク配置基準に基
づき、必要に応じて磁気ディスク装置４等にアクセスし
て基本マーク、プロセス仕様登録データ等を参照しなが
ら基本マーク群の抽出、最大領域の設定、補助パターン
の形成、あるいは遮光帯パターンデータの作成等の処理
を行う。そして、処理結果として図８及び図１０に示す
パターンデータ群ライブラリおよび図１２に示す遮光帯
ライブラリとして、磁気ディスク装置４、あるいは外部
記憶媒体駆動装置７を介してＣＤＲＯＭ、磁気媒体等の
外部記憶媒体９に登録してスクライブ内パターンデータ
を作成する。

【００２８】以下、図６及び図７に示すフローに従い、
図８乃至図１３に基づき具体的に説明する。

【００２９】先ず、図６に示すフォトマスク製造フロー
について説明する。ここで従来技術（図１）に示すフロ
ーと同じステップについては、同一のステップ番号を付
し説明を省略するものとする。

【００３０】製造フローにおいて、使用すべきプロセス
テクノロジが決定した時点（Ｓ１０３）で論理設計（Ｓ
１０４）と並行してスクライブ内パターンデータライブ
ラリの作成処理を開始して基本マーク形状や基本マーク
領域等の基本マークライブラリの整備、使用プロセスや
製造設備に適合した基本マーク類の配置個数、配置位置
等の基本マーク配置基準の整備を行う（Ｓ１）。この間
に半導体装置の設計作業は論理設計（Ｓ１０４）からレ
イアウト設計（Ｓ１０５）へと進められるが、レイアウ
ト設計（Ｓ１０５）の完了により半導体装置のチップサ
イズが確定した時点で、Ｓ１にて作成された基本マーク
ライブラリや基本マーク配置基準に基づき、スクライブ
内パターンデータの作成を行う（Ｓ２）。この間半導体
装置の設計では、設計検証（Ｓ１０６）が行われてい
る。

【００３１】従って、基本マークライブラリや基本マー
ク配置基準の決定といったスクライブ内パターンデータ
ライブラリの作成（Ｓ１）や基本マーク類のスクライブ
内への配置を行うスクライブ内パターンデータの作成
（Ｓ２）を、半導体装置の設計作業と並行して進めるこ
とができるので、スクライブ内パターンデータ配置作業
を半導体装置設計作業の完了後に独立して行うことなく
短期間に効率的に行うことができ、配置作業の短納期化
に寄与するところが大きい。

【００３２】次に、図７に基づき、スクライブ内パター
ンデータライブラリの作成フロー（Ｓ１）、及びスクラ
イブ内パターンデータの作成フロー（Ｓ２）について説
明する。

【００３３】このうち、スクライブ内パターンデータラ
イブラリの作成フロー（Ｓ１）については図７中のＳ３
乃至Ｓ６が該当する。使用するプロセステクノロジが決
定した時点で半導体装置を製造する際に必要となる基本
マーク類が確定するので基本マークの作成を行い（Ｓ
３）マーク形状やマーク専有領域等を決定していく。次
に作成された一連の基本マーク類を１セットとして基本
マークのライブラリ登録を行う（Ｓ４）。ライブラリ登
録は、同一のプロセステクノロジを使用する場合に登録
された基本マーク類を再利用できる点で重要である。

【００３４】また、プロセステクノロジが確定すれば、
そのプロセス構造から製造に必要となるフォトマスクの
組合せが決定され、各フォトマスクの名称や構成枚数が
確定すると共に、製造設備の仕様や製造品質の確保等の
観点から各製造段階における露光現像の際のネガ露光、
ポジ露光の別、半導体ウェハとフォトマスクとの合わせ
精度、スクライブ領域幅等が確定するのでこれらのデー
タを、確定したプロセステクノロジ固有情報として登録
する（Ｓ５）。

【００３５】そして、登録されたプロセステクノロジ固
有情報のライブラリ（Ｓ５）に基づき、必要に応じて登
録された基本マークのライブラリ（Ｓ４）から半導体装
置の製造に必要となる基本マーク類を選択して、スクラ
イブ内での配置基準を検討し、基本マーク配置基準とし
て登録する（Ｓ６）。配置基準として、各基本マークの
名称を初めとして、ネガ・ポジ露光に対応した基本マー
クデータの正反の別、フォトマスクの合わせ精度を確保
するための基本マーク配置個数や配置相互の位置関係、
更には製造設備毎に必要な基本マーク仕様等の情報が登
録される。

【００３６】次に、スクライブ内パターンデータライブ
ラリの作成フロー（Ｓ１）により整備された各種ライブ
ラリ登録に基づき（Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６）、他の基本マー
クとの間で相対的な位置関係を有しない基本マークにつ
いては単独で、基本マーク間及びフォトマスク間におけ
る基本マーク相互の位置関係が所定の位置関係にある場
合には基本マーク群を１まとまりとして抽出し（Ｓ
７）、単独の基本マークについてはその専有領域を、ま
た基本マーク群として抽出された場合には所定の位置関
係に配置した際に全てのマーク専有領域を包含する領域
を最大領域として設定する（Ｓ８）。この場合、全ての
マーク専有領域を１つの最大領域で包含する構成とする
ことも、相互の専有領域が重なり合っている基本マーク
群の集まりを１単位として複数の最大領域を設定するよ
うに構成することも可能である。そしてフォトマスク上
のスクライブ領域が遮光皮膜を残して構成されるフォト
マスクに対して配置される基本マークにおいて、最大領
域内に含まれる部分のうち基本マークの専有領域を除い
た部分については、基本マークとスクライブデータとの
間に空隙が生じないようにスクライブデータと同一の補
助パターンを形成する（Ｓ９）。

【００３７】更に、Ｓ７において抽出された基本マーク
が、フォトマスク上のスクライブ領域に遮光皮膜が形成
されないフォトマスクに対して配置される場合には、基
本マークの専有領域を遮光帯パターンデータとしてデー
タ作成する（Ｓ１０）。

【００３８】これらの処理を全てのフォトマスク（Ｓ１
１）、全ての基本マークに対して行った後（Ｓ１２）、
単独の基本マークについては基本マーク単位で、また基
本マーク群として抽出された場合には基本マーク群を所
定の位置関係に配置した状態で基本マーク群毎に、フォ
トマスク毎に配置する基本マークを全てのフォトマスク
で一括してライブラリ登録すると共に、対応する単独基
本マーク、または基本マーク群について作成された遮光
帯パターンデータも一括してライブラリ登録する（Ｓ１
３）。

【００３９】最後に、登録されたパターンデータ群ライ
ブラリ、及び遮光帯ライブラリに基づくマーク群配置基
準を登録する（Ｓ１４）。ここで登録される配置基準と
はスクライブ内パターンデータライブラリの作成フロー
（Ｓ１）における基本マーク配置基準とは異なり、基本
マーク配置基準等に基づきスクライブ内に配置した場合
に相互の位置関係を所定位置とすべき１群の基本マーク
群を１まとまりのパターンデータ群ライブラリとして構
成した場合の配置基準であり、個々の基本マークを実際
にスクライブ内に配置した状態を表す配置基準として基
本マークの配置基準に優先して適用すべき基準である。

【００４０】以上のスクライブ内パターンデータライブ
ラリの作成フロー（Ｓ１）、及びスクライブ内パターン
データの作成フロー（Ｓ２）の処理により、各基本マー
クをフォトマスク毎に個別に配置することなく相互の位
置関係が所定関係にある基本マーク群を１まとまりとし
て全てのフォトマスクに配置するパターンデータ群ライ
ブラリを構成するので、スクライブ内の基本マーク群の
配置作業及び配置後の検証作業における負荷が大幅に軽
減されると共に、配置作業における作業ミス等を未然に
防止することができるので、配置品質を大幅に向上させ
ることができる。

【００４１】また、これらの処理は、半導体装置の設計
作業と並行して実施することができ、あるいは設計作業
に先立ち予め行っておけば同一のプロセステクノロジを
使用する場合に再利用をすることができるので、設計作
業完了後のスクライブ内にパターンデータを配置する作
業を、基本マーク群及び遮光帯パターンデータの全フォ
トマスクへの一括配置のみという必要最小限の作業量で
効率的に行うことができ、作業の短納期化に寄与すると
ころ大である。

【００４２】以下、半導体装置の設計作業においてレイ
アウト作業が完了して、入力されるチップサイズ、面付
け数、製品名等の品種処理情報が決定したら、これらの
情報を入力し（Ｓ１５）スクライブ内パターンデータを
作成した後（Ｓ１６）、マーク群配置基準より配置すべ
きパターンデータ群ライブラリや遮光帯ライブラリの名
称及び領域を読み込んで（Ｓ１７、Ｓ１８）スクライブ
上に基本マーク群や遮光帯パターンデータの重ね合わせ
状態での配置領域を作成する（Ｓ１９）。そして確保さ
れた配置領域にパターンデータ群ライブラリあるいは遮
光帯ライブラリを読み込んで（Ｓ２０）スクライブ内に
パターンデータ群ライブラリの基本マークあるいは遮光
帯ライブラリの遮光帯パターンを配置する（Ｓ２１）。
全ての基本マーク及び遮光帯パターンデータの配置が完
了した時点で配置されたライブラリ相互間の位置関係が
マーク群配置基準を満たしていることの確認を経て（Ｓ
２２：ＹＥＳ）スクライブ内の基本マーク配置作業が終
了する。配置基準を満たしていないと判断される場合に
は（Ｓ２２：ＮＯ）、マーク群配置基準を変更した上で
再度Ｓ１５乃至Ｓ２１の処理を繰り返す。ここでマーク
群配置基準の変更とは、例えば、基本マーク間の所定の
位置関係について仕様に幅がある場合に、基本マーク間
毎の所定の位置関係を調整することにより配置基準を変
更すること等が考えられる。

【００４３】次に、図８乃至図１３に基づき、図６及び
図７に示すフローに従って行われるスクライブ内の基本
マークの配置について具体的に説明する。

【００４４】図８及び図９に示す第１具体例は、各フォ
トマスクに配置される基本マークの中心が同一である場
合のパターンデータ群ライブラリと（図８）、フォトマ
スクへの配置状況を示す（図９）。

【００４５】第１具体例では３枚のフォトマスク１１、
１２、１３を例にとり説明している。各々のフォトマス
ク１１、１２、１３のうち、２枚のフォトマスク１１、
１３については、スクライブ１４、１６上に遮光皮膜を
残す仕様のフォトマスクであり、フォトマスク１２は、
スクライブ１５上に遮光皮膜を残さない仕様のフォトマ
スクである。各フォトマスク１１、１２、１３には、基
本マーク１０７、１０８、１０９が配置されるが、各々
の大きさが異なり専有領域が異なるのでパターンデータ
群ライブラリとして一括登録して一括配置するために
は、基本マークの専有領域外の部分であってパターンデ
ータ群ライブラリの最大領域に属する部分にスクライブ
のデータと同一の補助パターンを必要に応じて追加する
必要がある。補助パターンは、パターンデータ群ライブ
ラリを配置した場合に、基本マークとスクライブデータ
との間にデータの空隙を発生させないために必要なデー
タである。

【００４６】第１具体例では、各基本マーク１０７、１
０８、１０９の中心がフォトマスク１１、１２、１３上
同一の位置に配置されるので、各基本マーク１０７、１
０８、１０９を所定位置に配置した際の各専有領域を包
含する最大領域は、図８より最大専有領域を有する基本
マーク１０９の専有領域に一致する。またスクライブ上
に遮光皮膜を残すフォトマスクは１１と１３であり、そ
の各々に配置される基本マークは１０７と１０９である
ことから、補助パターンを追加する必要のあるマークは
基本マーク１０７となる。補助パターンの追加領域とし
ては基本マーク１０９の専有領域に一致する最大領域１
９から基本マーク１０７の専有領域を除いた部分とな
り、補助パターンを追加した基本マーク１７が作成され
る。また基本マーク１０８についても、パターンデータ
群ライブラリを作成する際の専有領域として最大領域に
一致する領域を追加した領域として基本マーク１８が作
成される。これらの基本マーク１７、１８、１９の中心
を一致して配置してパターンデータ群ライブラリ２０と
して登録する。

【００４７】各フォトマスク１１、１２、１３に配置す
べき基本マーク群をマーク群ライブラリ２０として登録
することができるので、基本マーク１０７、１０８、１
０９毎に各フォトマスク１１、１２、１３に対して１つ
づつ配置する必要なく一括して配置することができ、更
にフォトマスク１１、１２、１３内及びフォトマスク１
１、１２、１３相互間における基本マーク１０７、１０
８、１０９間の位置関係を正確に保った状態で配置する
ことができ、配置品質を向上させ、配置作業及び配置後
の配置パターンデータ検証作業に対する負荷を大幅に軽
減することができると共に、スクライブ内パターンデー
タ配置作業を短期間に効率よく行うことができ、配置作
業の短納期化に寄与するところ大である。

【００４８】図１０及び図１１に示す第２具体例は、各
フォトマスク１１、１２、１３上の異なる配置位置に配
置される複数の基本マーク１０７、１０８、１０９を１
まとまりとしたパターンデータ群ライブラリ２４と（図
１０）、フォトマスク１１、１２、１３上への配置状況
を示す（図１１）。３種類の基本マーク１０７、１０
８、１０９が、フォトマスク１１、１２、１３内スクラ
イブの端辺部とその直角方向に各々配置された状態でパ
ターンデータ群ライブラリを構成したものである。

【００４９】３枚のフォトマスク１１、１２、１３につ
いては第１具体例と同じであり、フォトマスク１１、１
３については、スクライブ１４、１６上に遮光皮膜を残
し、フォトマスク１２については、スクライブ１５上に
遮光皮膜を残さない仕様である。各フォトマスク１１、
１２、１３には、基本マーク１０７、１０８、１０９が
スクライブ１４、１５、１６の端辺部とその直角方向の
３方向に配置され、また各々の基本マーク１０７、１０
８、１０９の大きさが異なるため、専有領域が異なる３
つの領域が形成されることとなる。第２具体例では、各
々の基本マーク中心位置は一致しているので第１具体例
に示したパターンデータ群ライブラリ２０を３箇所に配
置するものとして配置作業を行うことも可能であるが、
３箇所に配置された基本マーク相互の位置関係が所定の
関係にあるので、全体を１つのパターンデータ群ライブ
ラリとして一括登録して一括配置することができる。

【００５０】一括登録の際にも適宜補助パターンを形成
する必要があるが、この場合、各基本マーク１０７、１
０８、１０９を所定位置に配置した際の各専有領域は３
箇所に分散しているため、これらの全ての基本マーク１
０７、１０８、１０９を包含する領域を最大領域として
定義することがパターンデータ群ライブラリのスクライ
ブ内への配置作業を考慮した場合適当である。各基本マ
ーク１０７、１０８、１０９のうち最大の領域を有する
基本マーク１０９を包含するＴ字状領域（補助パターン
２３と基本マーク１０９の和）を最大領域として定義す
る事ができる。

【００５１】従って、基本マーク１０７については、Ｔ
字状領域から基本マーク１０７領域を除いた領域を補助
パターン２１とし、基本マーク１０９については、Ｔ字
状領域から基本マーク１０９領域を除いた領域を補助パ
ターン２３とする。尚、基本マーク１０８については、
第１具体例と同様にフォトマスク上スクライブ遮光皮膜
がないので補助パターンは不要であるがパターンデータ
群ライブラリ２４の専有領域として領域２２を確保す
る。以上の補助パターン２１、２３あるいは専有領域２
２を各基本マーク１０７、１０９あるいは１０８に追加
してパターンデータ群ライブラリ２４として登録され
る。

【００５２】第２具体例では、基本マーク毎の中心位置
が一致するように配置する場合を示したが、相互の中心
位置が異なる場合でも、相互の位置関係が所定の位置関
係にある基本マークを１まとまりとして、これらの全て
の専有領域を包含する領域を最大領域とし各基本マーク
の補助パターンを設定してやれば、個々の配置位置が異
なる基本マーク群についても同様に、複数基本マークを
一括登録したパターンデータ群ライブラリ２４を構成す
ることができる。

【００５３】各フォトマスク１１、１２、１３毎に複数
の配置すべき基本マーク群１０７、１０８、１０９を一
括してマーク群ライブラリ２４として登録することがで
きるので、基本マーク１０７、１０８、１０９毎に各フ
ォトマスク１１、１２、１３に対して１つづつ配置する
必要なく一括して配置することができ、更にフォトマス
ク１１、１２、１３内及びフォトマスク１１、１２、１
３相互間における基本マーク１０７、１０８、１０９間
の位置関係を正確に保った状態で配置することができ、
配置品質を向上させ、配置作業及び配置後の配置パター
ンデータ検証作業に対する負荷を大幅に軽減することが
できると共に、スクライブ内パターンデータ配置作業を
短期間に効率よく行うことができ、配置作業の短納期化
に寄与するところ大である。

【００５４】図１２には、第１及び第２具体例に示した
パターンデータ群ライブラリ２０、２４に対する遮光帯
ライブラリ３３、３５を示している。遮光帯パターンデ
ータはフォトマスクの露光領域端部に配置された基本マ
ークが露光ステップの移動の際に二重露光されることを
防止するために露光ステップ方向の対向辺上の同じ位置
に露光を防止するために配置されるものである。従っ
て、スクライブ上の遮光皮膜がないフォトマスクに配置
される基本マークについて遮光帯パターンデータが作成
される。

【００５５】図１２（Ａ）は、第１具体例のパターンデ
ータ群ライブラリ２０に対するものである。スクライブ
上に遮光皮膜がないフォトマスク１２に配置される基本
マーク１０８について遮光帯パターンデータ３２が形成
され、他の基本マーク１０７、１０９は、スクライブ上
に遮光皮膜があるフォトマスク１１、１３に配置される
ので遮光帯パターンデータは作成されない。従って、基
本マーク１０８を遮光する遮光帯パターンデータ３２を
有する遮光帯ライブラリ３３が登録される。

【００５６】図１２（Ｂ）は、第２具体例のパターンデ
ータ群ライブラリ２４に対するものである。図１２
（Ａ）と同様にスクライブ上の遮光皮膜がないフォトマ
スク１２の複数位置に配置される基本マーク１０８の各
々に遮光帯パターンデータ３２が形成され、他の基本マ
ーク１０７、１０９については遮光帯パターンデータは
作成されないので、基本マーク１０８を遮光する遮光帯
パターンデータ３２を有する遮光帯ライブラリ３５が登
録される。

【００５７】図１３に、遮光帯の効果を示している。図
中、フォトマスク１２の下辺にあるパターンデータ群ラ
イブラリ３６に対して、上辺の対向する位置に遮光帯ラ
イブラリ３７を配置することにより、半導体ウェハ上の
露光位置が順次ステップ状にシフトしてステップ毎の境
界領域としてフォトマスク１２の下辺と上辺とが重なり
二度にわたって露光される場合でも、遮光帯パターンデ
ータ３７が配置してあるため基本マーク３６への二重露
光は防止され確実に基本マーク３６の形成を行うことが
できる。

【００５８】各フォトマスクに配置すべき基本マーク群
がフォトマスクの端部に配置された場合に、二重露光を
防止するための遮光帯パターンデータを一括して遮光帯
ライブラリとして登録することができるので、端部に配
置される基本マーク毎に各フォトマスクに対して１つづ
つ遮光帯パターンデータを配置する必要はなく一括して
配置することができ、更にフォトマスク内及びフォトマ
スク相互間における遮光帯パターンデータ間の位置関係
を正確に保った状態で配置することができ、配置品質を
向上させ、配置作業及び配置後の配置パターンデータ検
証作業に対する負荷を大幅に軽減することができると共
に、スクライブ内パターンデータ配置作業を短期間に効
率よく行うことができ、配置作業の短納期化に寄与する
ところ大である。

【００５９】以上詳細に説明したとおり、本実施形態に
係るスクライブ内パターンデータ作成装置、及びスクラ
イブ内パターンデータ作成方法では、スクライブ内パタ
ーンデータ作成装置１は、ＣＰＵ２を中心に、メモリ
３、磁気ディスク装置４、外部記憶媒体駆動装置７等が
相互に接続され、外部記憶媒体駆動装置７にはＣＤＲＯ
Ｍや磁気媒体等の外部記憶媒体９が設置される構成であ
り、スクライブ内パターンデータ作成フロー（図７）に
示す手順を、メモリ３や磁気ディスク装置４に記録、あ
るいは外部記憶媒体９に記録して、外部記憶媒体駆動装
置７を介してメモリ３、磁気ディスク装置４に転送記憶
し、あるいは直接ＣＰＵ２に転送する。

【００６０】また、プロセステクノロジや製造設備等に
必要なマーク仕様に合わせたアライメントマークや検査
マーク等の基本マークライブラリ、使用フォトマスク枚
数、名称、スクライブ領域幅等のプロセス仕様登録デー
タ、プロセス仕様や製造設備に適合したマーク種類、配
置個数、相互配置位置関係等の基本マーク配置基準等
が、磁気ディスク装置４や外部記憶媒体９に記録されて
おりスクライブ内パターンデータ作成フロー（図７）に
従いＣＰＵ２からの指令によりアクセスされて、基本マ
ーク群の抽出、最大領域の設定、補助パターンの形成、
あるいは遮光帯パターンデータの作成等の処理を行う。
処理結果として得られるパターンデータ群ライブラリ
（図８、図１０）、遮光帯ライブラリ（図１２）は、磁
気ディスク装置４等に登録されてスクライブ内パターン
データが作成される。

【００６１】フォトマスク製造フロー（図６）におい
て、使用すべきプロセステクノロジが決定した時点（Ｓ
１０３）で論理設計（Ｓ１０４）と並行して、基本マー
クの形状や領域等の基本マークライブラリの整備、使用
プロセスや製造設備に適合した基本マークの配置個数、
配置位置等の基本マーク配置基準の整備を行う（Ｓ
１）。この間、半導体装置の設計作業は論理設計（Ｓ１
０４）からレイアウト設計（Ｓ１０５）へと進められチ
ップサイズが確定した時点で、スクライブ内パターンデ
ータの作成を行う（Ｓ２）。

【００６２】従って、基本マークライブラリや配置基準
の決定といったスクライブ内パターンデータライブラリ
の作成（Ｓ１）や基本マーク類の配置を行うスクライブ
内パターンデータの作成（Ｓ２）を、半導体装置の設計
作業と並行して進めることができ、スクライブ内パター
ンデータ配置作業を短期間に効率的に行うことができ、
配置作業の短納期化に寄与するところ大である。

【００６３】スクライブ内パターンデータライブラリの
作成フロー（Ｓ１）（図７中、Ｓ３乃至Ｓ６）では、プ
ロセステクノロジの決定で必要な基本マーク類が確定す
るので基本マークの作成を行い（Ｓ３）マーク形状や専
有領域等を決定し、基本マークライブラリ登録を行うの
で（Ｓ４）、同一プロセステクノロジを使用する場合に
再利用できる。また、フォトマスクの組合せが決定さ
れ、ネガ・ポジ露光の別、合わせ精度、スクライブ領域
幅等が確定するので、プロセステクノロジ固有情報とし
て登録する（Ｓ５）。

【００６４】固有情報ライブラリ（Ｓ５）に基づき、必
要に応じて登録された基本マークライブラリ（Ｓ４）か
ら製造に必要な基本マーク類を選択して、スクライブ内
での配置基準を検討し基本マーク配置基準として登録し
（Ｓ６）、基本マークの名称、パターンデータ正反の
別、配置個数や相互位置関係、更には製造設備毎の基本
マーク仕様等の情報が登録される。

【００６５】引き続くスクライブ内パターンデータの作
成フロー（Ｓ２）（図７中、Ｓ７乃至Ｓ１４）では、整
備された各種ライブラリ登録に基づき（Ｓ４、Ｓ５、Ｓ
６）、基本マーク単独で、あるいは基本マーク間及びフ
ォトマスク間で基本マーク相互に所定位置関係にある場
合には１まとまりとして抽出し（Ｓ７）、基本マークの
専有領域を、また所定位置関係の全マーク専有領域を包
含する領域を最大領域として設定する（Ｓ８）。この場
合の最大領域は、全マーク専有領域を全て包含する構成
としても、相互に重なり合っている基本マーク群を１単
位として複数設定するように構成してもよい。スクライ
ブに遮光皮膜を残すフォトマスクに対して配置される場
合、最大領域内で基本マーク専有領域を除く部分にスク
ライブデータとの間で空隙が生じないように補助パター
ンを形成する（Ｓ９）。また、スクライブに遮光データ
がないフォトマスクに対しては、基本マーク専有領域に
一致する領域を遮光帯パターンデータを作成する（Ｓ１
０）。

【００６６】これらの処理を全フォトマスク（Ｓ１
１）、全基本マークに対して行った後（Ｓ１２）、基本
マーク単位で、あるいは基本マーク群を所定位置関係に
配置した状態で一括してライブラリ登録すると共に、対
応する遮光帯パターンデータも一括してライブラリ登録
する（Ｓ１３）。

【００６７】そして、パターンデータ群ライブラリ、遮
光帯ライブラリに基づくマーク群配置基準を登録する
（Ｓ１４）。ここでの配置基準は基本マーク配置基準と
は異なり、基本マーク配置基準等に基づき配置した１群
の基本マーク群を１まとまりのパターンデータ群ライブ
ラリとして構成した基準であり、実際の配置状態を表す
配置基準として基本マークの配置基準に優先して適用す
べき基準である。

【００６８】以上のスクライブ内パターンデータライブ
ラリの作成フロー（Ｓ１）、及びスクライブ内パターン
データの作成フロー（Ｓ２）の処理により、各基本マー
クをフォトマスク毎に個別に配置することなく相互に所
定位置関係にある基本マーク群を１まとまりとして全フ
ォトマスクに配置するパターンデータ群ライブラリを構
成するので、スクライブ内の基本マーク群の配置作業及
び配置後の検証作業における負荷が大幅に軽減されると
共に、配置作業における作業ミス等を未然に防止するこ
とができるので、配置品質を大幅に向上させることがで
きる。

【００６９】また、半導体装置の設計作業と並行して作
業を実施することができ、あるいは設計作業に先立ち予
め行っておけば同一のプロセスに対して再利用をするこ
とができるので、設計作業完了後のスクライブ内パター
ンデータ配置作業を、基本マーク群及び遮光帯パターン
データの全フォトマスクへの一括配置のみという必要最
小限の作業量で効率的に行うことができ、作業の短納期
化に寄与するところ大である。

【００７０】第１具体例（図８、図９）では、３枚のフ
ォトマスク１１、１２、１３のうち、フォトマスク１
１、１３についてはスクライブ１４、１６上に遮光皮膜
を残し、フォトマスク１２は残さない場合である。各フ
ォトマスク１１、１２、１３に配置される基本マーク１
０７、１０８、１０９は、中心が同一位置に配置される
ものの各々の専有領域が異なるのでパターンデータ群ラ
イブラリとする際、補助パターンを追加する必要があ
る。パターンデータ群ライブラリを配置した場合に基本
マークとスクライブデータとの間にデータの空隙を発生
させないためである。最大領域は、基本マーク１０９の
専有領域に一致するので、補助パターンを追加する必要
のあるマークは基本マーク１０７となる。最大領域１９
から基本マーク１０７の専有領域を除いた部分が補助パ
ターンとして追加され基本マーク１７が作成される。こ
れに最大領域に一致する領域を専有領域として追加した
基本マーク１８を加えてパターンデータ群ライブラリ２
０として登録する。

【００７１】以上により、各フォトマスク１１、１２、
１３に配置すべき基本マーク群をパターンデータ群ライ
ブラリ２０として登録することができるので、一括して
全フォトマスク１１、１２、１３に配置することがで
き、相互の位置関係を正確に保った状態で配置すること
ができ、配置品質を向上させ、配置作業、配置パターン
データ検証作業の負荷を大幅に軽減することができると
共に、配置作業を短期間に効率よく行うことができ、作
業の短納期化に寄与するところ大である。

【００７２】第２具体例（図１０、図１１）では、基本
マーク１０７、１０８、１０９がスクライブ１４、１
５、１６の端辺部及び直角方向の３方向に、各々の専有
領域が異なる３つの領域が形成される。各々の基本マー
ク中心位置は一致しているので第１具体例のパターンデ
ータ群ライブラリ２０を３箇所に配置することも可能で
あるが、３箇所に配置された基本マークが相互に所定位
置関係にあるので全体を１つのパターンデータ群ライブ
ラリとして一括登録することができる。

【００７３】全基本マーク１０７、１０８、１０９を包
含する領域を最大領域として定義することがパターンデ
ータ群ライブラリのスクライブ内への配置作業を考慮し
た場合適当である。最大の領域を有する基本マーク１０
９を包含するＴ字状領域（補助パターン２３と基本マー
ク１０９の和）を最大領域とする。補助パターンは、基
本マーク１０７については、Ｔ字状領域から基本マーク
１０７領域を除いた領域となり、基本マーク１０９は、
Ｔ字状領域から基本マーク１０９領域を除いた領域とな
る。尚、基本マーク１０８については専有領域として領
域２２を確保しておく。補助パターン２１、２３あるい
は専有領域２２を各基本マーク１０７、１０９あるいは
１０８に追加してパターンデータ群ライブラリ２４とし
て登録する。

【００７４】第２具体例では、基本マーク毎の中心位置
が一致して配置される場合を示したが、中心位置が異な
る場合でも相互に所定位置関係にあれば１まとまりとし
て一括登録したパターンデータ群ライブラリ２４を構成
することができる。

【００７５】以上により、各フォトマスク１１、１２、
１３毎に複数の配置すべき基本マーク群１０７、１０
８、１０９を一括してパターンデータ群ライブラリ２４
とすることができるので、一括配置をすることができ、
相互の位置関係を正確に保った状態で配置することがで
き、配置品質を向上させ、配置作業及び配置パターンデ
ータ検証作業に対する負荷を大幅に軽減することができ
ると共に、配置作業を短期間に効率よく行うことがで
き、作業の短納期化に寄与するところ大である。

【００７６】遮光帯ライブラリ３３、３５（図１２）に
ついても、スクライブ上の遮光皮膜がないフォトマスク
に配置される基本マークについて、第１具体例のパター
ンデータ群ライブラリ２０に対しては、基本マーク１０
８について遮光帯パターンデータ３２が形成され、スク
ライブ上に遮光皮膜があるフォトマスク１１、１３に対
しては作成されないので、遮光帯パターンデータ３２を
有する遮光帯ライブラリ３３が登録される（ 図１２
（Ａ））。第２具体例のパターンデータ群ライブラリ２
４に対しても、マーク１０８にのみ遮光帯パターンデー
タ３２が形成されるので、遮光帯パターンデータ３２を
有する遮光帯ライブラリ３５が登録される（図１２
（Ｂ））。

【００７７】基本マーク群がフォトマスクの端部に配置
された場合に、二重露光を防止するための遮光帯パター
ンデータを一括して遮光帯ライブラリとして登録するこ
とができるので、一括して配置することができ、相互の
位置関係を正確に保った状態で配置することができ、配
置品質を向上させ、配置作業及び配置後の配置パターン
データ検証作業に対する負荷を大幅に軽減することがで
きると共に、スクライブ内パターンデータ配置作業を短
期間に効率よく行うことができ、配置作業の短納期化に
寄与するところ大である。

【００７８】尚、本発明は前記実施形態に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の
改良、変形が可能であることは言うまでもない。例え
ば、本実施形態においては、第１具体例において同一位
置に配置される基本マークに対するパターンデータ群ラ
イブラリを、第２具体例においてスクライブ端部及びそ
の直角方向に配置される基本マーク群を一括してパター
ンデータ群ライブラリとする場合を例にとって説明した
が、ライブラリとして登録できる部分はこれに限定され
るものではなく、スクライブのコーナー部分や、スクラ
イブ同士がクロス部分等でもよく、これ以外にも、基本
マーク群の相互の位置関係が所定の位置関係にある組合
せであれば、任意に選択してパターンデータ群ライブラ
リとすることができる。

【００７９】また、遮光帯ライブラリについても、パタ
ーンデータ群ライブラリと同様に相互に所定の位置関係
がある組合せについて適用することができる。

【００８０】更に、本実施形態においては、基本マーク
群とその遮光帯パターンデータを別々にライブラリとし
て登録する場合について説明したが、両者を関連付けて
ライブラリ化することにより、パターンデータ群ライブ
ラリをスクライブの端部に配置する場合に対向する端部
に遮光帯パターンデータが配置されるような位置関係を
有するマーク群と遮光帯パターンデータとの組み合わせ
を有するライブラリを構成することもできる。

【００８１】

【発明の効果】本発明によれば、使用するプロセステク
ノロジや製造設備が確定した段階で、全てのフォトマス
クに対して一括してスクライブ内の基本マーク群の配置
パターンデータをライブラリ化しておくことにより、基
本マーク群を一括して配置することができ、また個々の
基本マークに追加された補助パターンによりパターンデ
ータ群ライブラリの最大領域に合わせてスクライブデー
タを一括削除することができ、フォトマスクにおけるス
クライブ内のパターンデータ配置作業における負荷を軽
減して短期間で配置作業を完了することができると共
に、配置品質を大幅に向上させることができるスクライ
ブ内パターンデータ作成装置、及びスクライブ内パター
ンデータ作成方法を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術におけるフォトマスク製造フローであ
る。

【図２】従来技術におけるスクライブ内パターンデータ
作成フローである。

【図３】従来技術におけるパターンデータ図である。

【図４】従来技術におけるスクライブ内パターンデータ
配置図である。

【図５】本実施形態におけるスクライブ内パターンデー
タ作成装置を示すブロック図である。

【図６】本実施形態におけるフォトマスク製造フローで
ある。

【図７】本実施形態におけるスクライブ内パターンデー
タ作成フローである。

【図８】本実施形態の第１具体例におけるパターンデー
タ群ライブラリを示す模式図である。

【図９】本実施形態の第１具体例におけるスクライブ内
パターンデータ配置図である。

【図１０】本実施形態の第２具体例におけるパターンデ
ータ群ライブラリを示す模式図である。

【図１１】本実施形態の第２具体例におけるスクライブ
内パターンデータ配置図である。

【図１２】本実施形態における遮光帯ライブラリを示す
模式図である。

【図１３】遮光帯の効果を説明する模式図である。

【符号の説明】

１ スクライブ内パターンデータ作
成装置 ２ 中央処理装置（ＣＰＵ） ３ メモリ ４ 磁気ディスク装置 ７ 外部記憶媒体駆動装置 ９ 外部記憶媒体 １７、１８、１９、２１、２２、２３ パターンデータ群ライブラリを構成する基本マーク ２０、２４ パターンデータ群ライブラリ １０７、１０８、１０９ 基本マーク ３２ 遮光帯パターンデータ ３３、３５ 遮光帯ライブラリ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森山 武郎 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BB01 BB06

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置を製造するフォトマスクのス
   クライブ内に配置するパターンデータを作成するスクラ
   イブ内パターンデータ作成装置において、 基本マークが登録されたライブラリからパターンデータ
   群を抽出する抽出手段と、 前記スクライブ内のパターンデータ群を所定相互位置に
   配置した場合に、前記パターンデータ群が占める全ての
   データ領域を包含する１以上の最大パターン領域を設定
   する設定手段と、 前記パターンデータ群を構成する個々のパターンデータ
   について、配置すべきスクライブ内にパターンデータが
   存在する場合、前記パターンデータ群が属する前記最大
   パターン領域内で、且つ前記パターンデータ群の個々の
   パターンデータ領域を除いた部分に補助パターンを追加
   形成する形成手段と、 前記パターンデータ群に前記補助パターンを追加形成し
   た上で、パターンデータ群ライブラリとして登録するパ
   ターンデータ群ライブラリ登録手段とを備えることを特
   徴とするスクライブ内パターンデータ作成装置。
2. 【請求項２】 フォトマスク上の露光領域を１ピッチと
   してウェハ上をステップ状に移動しながら露光動作を繰
   り返すことにより半導体装置を製造するフォトマスクの
   スクライブ内パターンデータ作成装置において、 前記個々のパターンデータを、スクライブ内に配置する
   場合、前記個々のパターンデータのデータ領域に一致す
   る遮光帯パターンデータを作成する作成手段と、 前記個々のパターンデータに対応した前記遮光帯パター
   ンデータを、前記パターンデータ群ライブラリと関連付
   けて全てのフォトマスクに対して、遮光帯ライブラリと
   して登録する遮光帯ライブラリ登録手段とを備えること
   を特徴とする請求項１に記載のスクライブ内パターンデ
   ータ作成装置。
3. 【請求項３】 半導体装置を製造するフォトマスクのス
   クライブ内に配置するパターンデータを作成するスクラ
   イブ内パターンデータ作成方法において、 基本マークが登録されたライブラリからパターンデータ
   群を抽出する抽出工程と、 前記スクライブ内のパターンデータ群を所定相互位置に
   配置した場合に、前記パターンデータ群が占める全ての
   データ領域を包含する１以上の最大パターン領域を設定
   する設定工程と、 前記パターンデータ群を構成する個々のパターンデータ
   について、配置すべきスクライブ内にパターンデータが
   存在する場合、前記パターンデータ群が属する前記最大
   パターン領域内で、且つ前記パターンデータ群の個々の
   パターンデータ領域を除いた部分に補助パターンを追加
   形成する形成工程と、 前記パターンデータ群に前記補助パターンを追加形成し
   た上で、パターンデータ群ライブラリとするパターンデ
   ータ群ライブラリ登録工程とを有することを特徴とする
   スクライブ内パターンデータ作成方法。
4. 【請求項４】 フォトマスク上の露光領域を１ピッチと
   してウェハ上をステップ状に移動しながら露光動作を繰
   り返すことにより半導体装置を製造するフォトマスクの
   スクライブ内パターンデータ作成方法において、 前記個々のパターンデータを、スクライブ内に配置する
   場合、前記個々のパターンデータのデータ領域に一致す
   る遮光帯パターンデータを作成する作成工程と、前記個
   々のパターンデータに対応した前記遮光帯パターンデー
   タを、前記パターンデータ群ライブラリと関連付けて全
   てのフォトマスクに対して、遮光帯ライブラリとする遮
   光帯ライブラリ登録工程とを有することを特徴とする請
   求項３に記載のスクライブ内パターンデータ作成方法。