JP2009258420A - フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハ上のアライメントマーク領域に対応する領域を重複して露光することなく、有効チップの数を増大することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】デバイス領域１０と、複数のスクライブ領域２０と、複数のスクライブ領域２０のうち最外周に配置された外周スクライブ領域であって、互いに対向する外周スクライブ領域のうちの一方に形成された遮光領域３０と、互いに対向する外周スクライブ領域のうちの他方に形成されたアライメントマーク領域４０と、を含み、スクライブ領域２０の平面形状は、長辺と短辺とを有する矩形であり、遮光領域３０は、遮光領域３０が形成されている外周スクライブ領域の第１短辺から第２短辺まで、連続しており、互いに対向する外周スクライブ領域のうちの一方と、互いに対向する外周スクライブ領域のうちの他方と、を重ね合わせたとき、アライメントマーク領域４０は、遮光領域３０内に配置される。
【選択図】図１

Description

本発明は、フォトマスクおよび半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の製造プロセスにおいて、ウェハ上に多数の半導体チップを形成するには、フォトリソグラフィを利用して、ウェハに対し回路パターンの転写、現像、エッチングが行われる。回路パターンの転写には、ステッパ装置などを使用してフォトマスクに形成されているパターンを、ウェハに縮小投影することが行われる。

このような半導体装置の製造プロセスにおいて、ウェハ上のスクライブ領域には、フォトマスクとウェハとの位置合わせなどを行うためのプロセスパターン（アライメントマーク）が形成される。一般的に、ステッパ装置により、フォトマスクのパターンを１ショットずつウェハ上に縮小露光する場合、スクライブ領域は隣り合うショットの露光時に重複して露光される。

そのため、例えば特許文献１では、ウェハ上に露光されたプロセスパターンが重複して露光されないように、プロセスパターンが形成されるスクライブ領域と対向するスクライブ領域に、プロセスパターンと同じ面積の遮光領域を形成している。
特開２００３−１４０３１７号公報

本発明の目的は、ウェハ上のアライメントマーク領域に対応する領域を重複して露光することなく、いわゆるショットずらしを容易に実施することができ、有効チップの数を増大することができるフォトマスクを提供することにある。また、本発明の目的は、上記フォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明に係るフォトマスクは、
デバイスパターンが形成されたデバイス領域と、
前記デバイス領域の周囲に形成された複数のスクライブ領域と、
複数の前記スクライブ領域のうち最外周に配置された外周スクライブ領域であって、互いに対向する前記外周スクライブ領域のうちの一方に形成された遮光領域と、
互いに対向する前記外周スクライブ領域のうちの他方に形成されたアライメントマーク領域と、を含み、
前記スクライブ領域の平面形状は、長辺と短辺とを有する矩形であり、
前記遮光領域は、該遮光領域が形成されている前記外周スクライブ領域の第１短辺から第２短辺まで、連続しており、
互いに対向する前記外周スクライブ領域のうちの一方と、互いに対向する前記外周スクライブ領域のうちの他方と、を重ね合わせたとき、前記アライメントマーク領域は、前記遮光領域内に配置される。

本発明に係るフォトマスクは、ウェハ上のアライメントマーク領域に対応する領域を重複して露光することなく、いわゆるショットずらしを容易に実施することができ、有効チップの数を増大することができる。

本発明に係るフォトマスクにおいて、
前記アライメントマーク領域の幅は、前記遮光領域の幅以下であることができる。

本発明に係るフォトマスクにおいて、
前記デバイス領域は、前記スクライブ領域を介して、行および列からなるマトリックス状に形成され、
前記遮光領域は、第１外周スクライブ領域と、第２外周スクライブ領域と、に形成され、
前記アライメントマーク領域は、第３外周スクライブ領域と、第４外周スクライブ領域と、に形成され、
前記第１外周スクライブ領域および前記第３外周スクライブ領域の長辺は、前記デバイス領域の行方向と直交し、
前記第２外周スクライブ領域および前記第４外周スクライブ領域の長辺は、前記デバイス領域の列方向と直交していることができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法において、
本発明に係るフォトマスクを用いて、第１ショットを露光する工程と、
前記フォトマスクを用いて、前記第１ショットと重なり部分を有する第２ショットを露光する工程と、を含み、
前記重なり部分は、前記第１ショットの前記アライメントマーク領域が形成されている前記外周スクライブ領域に対応する領域と、前記第２ショットの前記遮光領域が形成されている前記外周スクライブ領域に対応する領域と、からなることができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法において、
本発明に係るフォトマスクを用いて、第１ショットを露光する工程と、
前記フォトマスクを用いて、前記第１ショットと重なり部分を有する第２ショットを露光する工程と、を含み、
前記重なり部分は、前記第１ショットの前記第３外周スクライブ領域に対応する領域の一部と、前記第２ショットの前記第１外周スクライブ領域に対応する領域の一部と、からなり、
前記第２ショットは、前記第１ショットに対して、前記列方向に変位した位置に露光されることができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記第２ショットは、前記列方向に配列された前記スクライブ領域のうち隣り合う２つの中心線間の寸法を単位として、前記変位した位置に露光されることができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法において、
本発明に係るフォトマスクを用いて、第１ショットを露光する工程と、
前記フォトマスクを用いて、前記第１ショットと重なり部分を有する第２ショットを露光する工程と、を含み、
前記重なり部分は、前記第１ショットの前記第４外周スクライブ領域に対応する領域の一部と、前記第２ショットの前記第２外周スクライブ領域に対応する領域の一部と、からなり、
前記第２ショットは、前記第１ショットに対して、前記行方向に変位した位置に露光されることができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記第２ショットは、前記行方向に配列された前記スクライブ領域のうち隣り合う２つの中心線間の寸法を単位として、前記変位した位置に露光されることができる。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。

１．フォトマスク
図１は、本実施形態に係るフォトマスク１００を模式的に示す平面図である。

フォトマスク１００は、デバイス領域１０と、スクライブ領域２０と、遮光領域３０と、アライメントマーク領域４０と、を含む。さらに、フォトマスク１００は、周辺遮光領域５０を含むことができる。

デバイス領域１０は、図１に示すように、例えば、複数形成されている。図示の例では、６つのデバイス領域１０を示しているが、その数は特に限定されない。デバイス領域１０は、例えば、スクライブ領域２０を介して、行および列からなるマトリックス状に形成されている。図示の例では、デバイス領域１０は、３行×２列に配列されている。デバイス領域１０には、例えばＩＣ回路パターンを形成するためのデバイスパターンが形成されている。

スクライブ領域２０は、デバイス領域１０の周囲に形成されている。スクライブ領域２０は、複数形成されている。図示の例では、７つのスクライブ領域２０を示しているが、その数は特に限定されない。図示の例では、デバイス領域１０の行方向（Ｘ方向）に３つのスクライブ領域２０が配列され、デバイス領域１０の列方向（Ｙ方向）に４つのスクライブ領域２０が配列されている。スクライブ領域２０の平面形状は、長辺と短辺とを有する矩形である。半導体装置の製造工程では、例えば、ダイシングによって、ウェハ（図示せず）上のスクライブ領域２０に対応する領域に沿ってウェハを切断し、デバイス領域１０に対応する領域を切り分けることができる。

なお、本発明に係る記載では、「対応する領域」という文言は、フォトマスクのパターンによってウェハ上に露光された領域を意味する。すなわち、例えば「スクライブ領域２０に対応する領域」とは、フォトマスク１００のスクライブ領域２０のパターンによって、ウェハ上に露光された領域のことである。

図示の例では、スクライブ領域２０のうち最外周に配置されたスクライブ領域２０を、外周スクライブ領域（第１外周スクライブ領域２２、第２外周スクライブ領域２４、第３外周スクライブ領域２６、第４外周スクライブ領域２８）としている。第１外周スクライブ領域２２および第３外周スクライブ領域２６の長辺２２ａ，２６ａは、デバイス領域１０の行方向（Ｘ方向）と直交している。すなわち、第１外周スクライブ２２領域と第３外周スクライブ領域２６とは、対向している。また、第２外周スクライブ２４領域および第４外周スクライブ領域２８の長辺２４ａ，２８ａは、デバイス領域１０の列方向（Ｙ方向）と直交している。すなわち、第２外周スクライブ２４領域と第４外周スクライブ領域２８とは、対向している。

遮光領域３０は、図１に示すように、外周スクライブ領域であって、互いに対向する外周スクライブ領域のうちの一方に形成されている。図示の例では、遮光領域３０は、第１外周スクライブ領域２２と第２外周スクライブ領域２４とに形成されている。第１外周スクライブ領域２２に形成されている遮光領域３０は、第１外周スクライブ領域２２の第１短辺２２ｂから第２短辺２２ｃまで、連続している。同様に、第２外周スクライブ領域２４に形成されている遮光領域３０は、第２外周スクライブ領域２４の第１短辺から第２短辺まで、連続している。すなわち、遮光領域３０の長さは、遮光領域３０が形成されている外周スクライブ領域の長さと同じである。遮光領域３０は、後述するように、露光工程において、ウェハ上のアライメントマーク領域４０に対応する領域を、遮光するための領域である。遮光領域３０の平面形状は、長辺と短辺とを有する矩形である。遮光領域３０は、例えば、長辺３０ａが周辺遮光領域５０と離れた位置に設けられている。すなわち、遮光領域３０の長辺３０ａは、周辺遮光領域５０と接していない。遮光領域３０は、例えば、デバイス領域１０と離れた位置に設けられている。すなわち、遮光領域３０は、デバイス領域１０と接していない。

アライメントマーク領域４０は、外周スクライブ領域であって、互いに対向する外周スクライブ領域のうちの他方に形成されている。図示の例では、アライメントマーク領域４０は、第３外周スクライブ領域２６と第４外周スクライブ領域２８とに形成されている。さらに、アライメントマーク領域４０は、外周スクライブ領域ではないスクライブ領域２０に形成されていることができる。すなわち、アライメントマーク領域４０は、第１外周スクライブ領域２２および第２外周スクライブ領域２４以外のスクライブ領域２０に形成されていることができる。第３外周スクライブ領域２６に形成されているアライメントマーク領域４０の幅４０ｗは、第１外周スクライブ領域２２に形成されている遮光領域３０の幅３０ｗ以下である。同様に、第４外周スクライブ領域２８に形成されているアライメントマーク領域４０の幅は、第２外周スクライブ領域２４に形成されている遮光領域３０の幅以下である。アライメントマーク領域４０には、アライメントマークを形成するためのパターンが形成されている。ウェハ上に形成されたアライメントマークによって、例えば、露光工程において、フォトマスク１００とウェハとの位置合わせを行うことができる。

互いに対向する外周スクライブ領域のうちの一方と、互いに対向する外周スクライブ領域のうちの他方と、を重ね合わせたとき、アライメントマーク領域４０は、遮光領域３０内に配置される。すなわち、例えば、第１外周スクライブ領域２２と、第３外周スクライブ領域２６と、を重ね合わせたと仮定すると、第３外周スクライブ領域２６に形成されているアライメントマーク領域４０は、第１外周スクライブ領域２２に形成されている遮光領域３０内に配置される。これにより、ウェハ上のアライメントマーク領域４０に対応する領域は、露光工程において遮光領域３０によって遮光されることができ、所望の形状のアライメントマークを形成することができる。すなわち、一般的に、例えばステッパ装置により、フォトマスクに対しウェハを１ショットずつ順次移動させてフォトマスクのパターンを露光する際、ウェハ上の外周スクライブ領域に対応する領域は、隣り合うショットの露光時に、重複して露光される。フォトマスク１００では、遮光領域３０が形成されているため、ウェハ上に形成されたアライメントマーク領域４０に対応する領域を遮光することができる。すなわち、アライメントマーク領域４０に対応する領域が重複して露光されることを防ぐことができる。また、遮光領域３０は、上述のように、第１外周スクライブ領域２２および第２外周スクライブ領域２４の第１短辺から第２短辺まで、連続している。そのため、フォトマスク１００では、いわゆるショットずらしを行う場合でも、アライメントマーク領域４０に対応する領域が重複して露光されることを防ぐことができる。詳細は、後述する。

周辺遮光領域５０は、複数のスクライブ領域２０の周囲に形成されている。周辺遮光領域５０は、露光時に遮光される領域である。

フォトマスク１００は、例えば、以下の特徴を有する。

フォトマスク１００では、互いに対向する外周スクライブ領域のうちの一方と、互いに対向する外周スクライブ領域のうちの他方と、を重ね合わせたとき、アライメントマーク領域４０は、遮光領域３０内に配置される。そのため、ウェハ上に１ショットずつフォトマスク１００のパターンを露光する際、遮光領域３０によって、ウェハ上に形成されたアライメントマーク領域４０に対応する領域を遮光することができる。すなわち、アライメントマーク領域４０に対応する領域が重複して露光されることを防ぐことができる。

フォトマスク１００では、遮光領域３０は、第１外周スクライブ領域２２および第２外周スクライブ領域２４の第１短辺から第２短辺まで、連続している。そのため、いわゆるショットずらしを行う場合でも、アライメントマーク領域４０に対応する領域が重複して露光されることを防ぐことができる。すなわち、アライメントマーク領域４０に対応する領域が重複して露光されることなく、ショットずらしを容易に実施することができ、有効チップの数を増大することができる。詳細は、後述する。

フォトマスク１００では、アライメントマーク領域４０の幅は、遮光領域３０の幅以下である。そのため、露光工程において、遮光領域３０によって、ウェハ上に形成されたアライメントマーク領域４０に対応する領域を遮光することができ、アライメントマーク領域４０が重複して露光されることを防ぐことができる。

２．半導体装置の製造方法
本発明に係るフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。

図２は、フォトマスク１００を用いた半導体装置の製造方法を概略的に示す平面図である。

図２に示すように、まず、第１ショット２００をウェハ（図示せず）上に露光する。次に、第１ショット２００と重なり部４００を有する第２ショット３００をウェハ上に露光する。露光は、例えばステッパなどの公知の露光装置によって行われる。

重なり部４００は、第１ショット２００のアライメントマーク領域４０が形成されている外周スクライブ領域に対応する領域と、第２ショット３００の遮光領域３０が形成されている外周スクライブ領域に対応する領域と、からなる。図示の例では、重なり部４００は、例えば、第１ショット２００の第３外周スクライブ領域２６に対応する領域２２６と、第２ショット３００の第１外周スクライブ領域２２に対応する領域３２２と、からなる。すなわち、第２ショット３００を露光する際に、第１ショット２００のアライメントマーク領域４０に対応する領域２４０を、遮光領域３０で遮光することができる。

なお、図示はしないが、重なり部４００は、例えば、第１ショット２００の第４外周スクライブ領域２８に対応する領域２２８と、第２ショット３００の第２外周スクライブ領域２４に対応する領域３２４と、からなることもできる。また、図示しないが、第１ショット２００および第２ショット３００の外周スクライブ領域は、他のショットの外周スクライブ領域と重なっていることができる。

フォトマスク１００を用いた半導体装置の製造方法では、例えば、以下の特徴を有する。

フォトマスク１００を用いた半導体装置の製造方法では、上述のとおり、第２ショット３００を露光する際に、第１ショット２００のアライメントマーク領域４０に対応する領域２４０を、遮光領域３０で遮光することができる。すなわち、アライメントマーク領域４０に対応する領域２４０が重複して露光されることを防ぐことができる。

３．変形例１
本発明に係るフォトマスクを用いた変形例１に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、上述した図２に示す半導体装置の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。

図３は、フォトマスク１００を用いた変形例１に係る半導体装置の製造方法を概略的に示す平面図である。

図３に示すように、重なり部４００は、第１ショット２００の第３外周スクライブ領域２６に対応する領域２２６の一部と、第２ショット３００の第１外周スクライブ領域２２に対応する領域３２２の一部と、からなる。第２ショット３００は、第１ショット２００に対してデバイス領域１０の列方向（図示の例では−Ｙ方向）に変位した位置に露光される。すなわち、変形例１に係る半導体装置の製造方法では、いわゆるショットずらしを行うことができる。これにより、ウェハ全体において、露光領域１内に位置する有効なデバイス領域１０に対応する領域の数を増やすことができる。すなわち、例えば、図２に示すように、第１ショット２００に対して第２ショット３００を変位させないで露光した場合には、第２ショット３００のデバイス領域１０に対応する領域３１０ａの一部が露光領域１外に配置される場合がある。これに対し、図３に示すように、第２ショット３００を第１ショット２００に対して−Ｙ方向に変位させた位置に露光することにより、デバイス領域１０に対応する領域３１０ａを露光領域１内に配置させることができる。つまり、有効チップの数を増大することができる。フォトマスク１００では、図１に示すように、第１外周スクライブ領域２２に形成されている遮光領域３０は、第１外周スクライブ領域２２の第１短辺２２ｂから第２短辺２２ｃまで連続している。そのため、第２ショット１２０を−Ｙ方向に変位させた位置に露光しても、第１ショット２００のアライメントマーク領域４０に対応する領域２４０を、重複して露光しないことができる。

第２ショット３００は、図３に示すように、列方向（Ｙ方向）に配列されたスクライブ領域２０のうち隣り合う２つの中心線２０ｃ間の寸法Ｌｙ（図１参照）を単位として、変位した位置に露光されることができる。すなわち、第２ショット３００は、第１ショット２００のスクライブ領域２０に対応する領域２２０と、第２ショット３００のスクライブ領域２０に対応する領域３２０と、が一直線となるように露光されることができる。図示の例では、第１ショット２００のスクライブ領域２０に対応する領域２２０ａ，２２０ｂおよび第４外周スクライブ領域２８に対応する領域２２８が、それぞれ、第２ショット３００の第２外周スクライブ領域２４に対応する領域３２４、スクライブ領域２０に対応する領域３２０ａ，３２０ｂと、一直線となっている。なお、図示はしないが、例えば第２ショット３００を寸法Ｌｙ×２変位させることもできる。この場合には、第１ショット２００のスクライブ領域に対応する領域２２０ｂ、第４外周スクライブ領域２８に対応する領域２２８が、ぞれぞれ、第２ショット３００の第２外周スクライブ領域２４に対応する領域３２４、スクライブ領域２０に対応する領域３２０ａと、一直線となる。

フォトマスク１００を用いた変形例１に係る半導体装置の製造方法では、例えば、以下の特徴を有する。

フォトマスク１００を用いた変形例１に係る半導体装置の製造方法では、上述のとおり、第１ショット２００のアライメントマーク領域４０に対応する領域２４０を、重複して露光することなく、第２ショット３００を第１ショット２００に対して変位した位置に露光することができる。そのため、第１ショット２００のアライメントマーク領域４０に対応する領域２４０を、重複して露光することなく、ショットずらしを容易に実施することができ、有効チップの数を増大することができる。

フォトマスク１００を用いた変形例１に係る半導体装置の製造方法では、第２ショットは、列方向（Ｙ方向）に配列されたスクライブ領域２０のうち隣り合う２つの中心線２０ｃ間の寸法Ｌｙを単位として、変位した位置に露光されることができる。そのため、ダイシングによって、スクライブ領域２０に対応する領域２２０，３２０に沿ってウェハを切断し、デバイス領域１０に対応する領域２１０，３１０を切り分けることができる。

４．変形例２
本発明に係るフォトマスクを用いた変形例２に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、上述した図３に示す変形例１に係る半導体装置の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。

図４は、フォトマスク１００を用いた変形例２に係る半導体装置の製造方法を概略的に示す平面図である。

図４に示すように、変形例２に係る半導体装置の製造方法は、図３に示す変形例１に係る半導体装置の製造方法におけるショットずらしの行方向と列方向とを入れ替えている以外は、変形例１に係る半導体装置の製造方法と基本的に同じである。すなわち、変形例２に係る半導体装置の製造方法では、重なり部４００は、第１ショット２００の第４外周スクライブ領域２８に対応する領域２２８の一部と、第２ショット３００の第２外周スクライブ領域２４に対応する領域３２４の一部と、からなる。第２ショット３００は、第１ショット２００に対してデバイス領域１０の行方向（図示の例ではＸ方向）に変位した位置に露光される。また、第２ショット３００は、行方向（Ｘ方向）に配列されたスクライブ領域２０のうち隣り合う２つの中心線間の寸法Ｌｘを単位として、変位した位置に露光されることができる。

フォトマスク１００を用いた変形例２に係る半導体装置の製造方法では、第１ショット２００のアライメントマーク領域４０に対応する領域２４０を、重複して露光することなく、ショットずらしを容易に実施することができ、有効チップの数を増大することができる。

上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

本実施形態に係るフォトマスクを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る半導体装置の製造工程を模式的に示す平面図。 本実施形態の変形例に係る半導体装置の製造工程を模式的に示す平面図。 本実施形態の変形例に係る半導体装置の製造工程を模式的に示す平面図。

符号の説明

１ 露光領域、１０ デバイス領域、２０ スクライブ領域、
２２ 第１外周スクライブ領域、２４ 第２外周スクライブ領域、
２６ 第３外周スクライブ領域、２８ 第４外周スクライブ領域、３０ 遮光領域、
４０ アライメントマーク領域、５０ 周辺遮光領域、１００ フォトマスク、
２００ 第１ショット、２１０ デバイス領域１０に対応する領域、
２２０ スクライブ領域２０に対応する領域、
２２２ 第１外周スクライブ領域２２に対応する領域、
２２４ 第２外周スクライブ領域２４に対応する領域、
２２６ 第３外周スクライブ領域２６に対応する領域、
２２８ 第４外周スクライブ領域２８に対応する領域、
２３０ 遮光領域３０に対応する領域、
２４０ アライメントマーク領域に対応する領域、３００ 第２ショット、
３１０ デバイス領域１０に対応する領域、
３２０ スクライブ領域２０に対応する領域、
３２２ 第１外周スクライブ領域２２に対応する領域、
３２４ 第２外周スクライブ領域２４に対応する領域、
３２６ 第３外周スクライブ領域２６に対応する領域、
３２８ 第４外周スクライブ領域２８に対応する領域、
３３０ 遮光領域３０に対応する領域、
３４０ アライメントマーク領域に対応する領域、４００ 重なり部分

Claims (8)

1. デバイスパターンが形成されたデバイス領域と、
   前記デバイス領域の周囲に形成された複数のスクライブ領域と、
   複数の前記スクライブ領域のうち最外周に配置された外周スクライブ領域であって、互いに対向する前記外周スクライブ領域のうちの一方に形成された遮光領域と、
   互いに対向する前記外周スクライブ領域のうちの他方に形成されたアライメントマーク領域と、を含み、
   前記スクライブ領域の平面形状は、長辺と短辺とを有する矩形であり、
   前記遮光領域は、該遮光領域が形成されている前記外周スクライブ領域の第１短辺から第２短辺まで、連続しており、
   互いに対向する前記外周スクライブ領域のうちの一方と、互いに対向する前記外周スクライブ領域のうちの他方と、を重ね合わせたとき、前記アライメントマーク領域は、前記遮光領域内に配置される、フォトマスク。
2. 請求項１において、
   前記アライメントマーク領域の幅は、前記遮光領域の幅以下である、フォトマスク。
3. 請求項１または２において、
   前記デバイス領域は、前記スクライブ領域を介して、行および列からなるマトリックス状に形成され、
   前記遮光領域は、第１外周スクライブ領域と、第２外周スクライブ領域と、に形成され、
   前記アライメントマーク領域は、第３外周スクライブ領域と、第４外周スクライブ領域と、に形成され、
   前記第１外周スクライブ領域および前記第３外周スクライブ領域の長辺は、前記デバイス領域の行方向と直交し、
   前記第２外周スクライブ領域および前記第４外周スクライブ領域の長辺は、前記デバイス領域の列方向と直交している、フォトマスク。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載のフォトマスクを用いて、第１ショットを露光する工程と、
   前記フォトマスクを用いて、前記第１ショットと重なり部分を有する第２ショットを露光する工程と、を含み、
   前記重なり部分は、前記第１ショットの前記アライメントマーク領域が形成されている前記外周スクライブ領域に対応する領域と、前記第２ショットの前記遮光領域が形成されている前記外周スクライブ領域に対応する領域と、からなる、半導体装置の製造方法。
5. 請求項３に記載のフォトマスクを用いて、第１ショットを露光する工程と、
   前記フォトマスクを用いて、前記第１ショットと重なり部分を有する第２ショットを露光する工程と、を含み、
   前記重なり部分は、前記第１ショットの前記第３外周スクライブ領域に対応する領域の一部と、前記第２ショットの前記第１外周スクライブ領域に対応する領域の一部と、からなり、
   前記第２ショットは、前記第１ショットに対して、前記列方向に変位した位置に露光される、半導体装置の製造方法。
6. 請求項５において、
   前記第２ショットは、前記列方向に配列された前記スクライブ領域のうち隣り合う２つの中心線間の寸法を単位として、前記変位した位置に露光される、半導体装置。
7. 請求項３に記載のフォトマスクを用いて、第１ショットを露光する工程と、
   前記フォトマスクを用いて、前記第１ショットと重なり部分を有する第２ショットを露光する工程と、を含み、
   前記重なり部分は、前記第１ショットの前記第４外周スクライブ領域に対応する領域の一部と、前記第２ショットの前記第２外周スクライブ領域に対応する領域の一部と、からなり、
   前記第２ショットは、前記第１ショットに対して、前記行方向に変位した位置に露光される、半導体装置の製造方法。
8. 請求項７において、
   前記第２ショットは、前記行方向に配列された前記スクライブ領域のうち隣り合う２つの中心線間の寸法を単位として、前記変位した位置に露光される、半導体装置。

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