TWI428687B - 投影曝光設備之光罩及使用該光罩之曝光方法 - Google Patents

Description

投影曝光設備之光罩及使用該光罩之曝光方法

本發明係關於投影曝光設備之光罩及曝光方法。尤其，本發明係關於光罩上之校準標記的配置及使用該配置之曝光方法。

近年來，投影曝光設備係使用於半導體裝置的主流製程。作為曝光用母片之光罩基板係安裝在投影曝光設備上，且形成在光罩基板上之圖案係在縮小及投影之後而轉移至晶圓。通常，用於評估諸如電晶體及二極體之主要元件的特性之晶片、校準標記及程序控制模組(PCM)係配置在光罩基板上。

習知上，晶片及PCM係形成於光罩基板上的不同區，且校準標記係配置於晶片區時，產生晶片尺寸變更大而每一晶圓之晶片的數量減少之問題。當校準標記係配置於PCM區時，產生因為僅一或數個PCM形成在晶圓上而使校準的準確度變低之問題。為了解決這些問題，已被建議校準標記係配置於劃線之方法(例如，見日本專利先行公開申請案第3-18012號)。

然而，於校準標記係配置於劃線之上述方法，最近提出無法避免切割中產生之金屬刮除之問題。為了解決該問題，設置校準標記配置區之方法已被提議(例如，見日本專利先行公開申請案第2005-283609號)。

然而，於日本專利先行公開申請案第2005-283609號所揭示之方法，校準標記係配置於僅在光罩的一邊之線上，且因此，難以達到高準確校準。有以下問題，在包括平移分量、旋轉分量及定標分量之不當校準分量中，除了平移分量外之分量不可能被滿足地校正，導致大校準容許度之必要性，其防礙半導體晶片的小型化且減小每一晶圓之晶片的數量。

有鑑於上述問題，本發明已完成，且本發明的目的在於能夠增加每一晶圓之晶片的數量之光罩及使用該光罩之曝光方法。

為了解決上述問題，本發明提供一種投影曝光設備之光罩，其包括：相同光罩基板；矩形晶片區，每一者由第一方向的邊及垂直於第一方向之第二方向的邊所包圍；矩形第一校準標記配置區，由第一方向的邊與第二方向的邊所包圍；矩形第二校準標記配置區，由第一方向的邊與第二方向的邊所包圍；第一劃線區，其設置在矩形晶片區周圍；及第二劃線區，其分別設置成鄰接矩形第一校準標記配置區的第二方向之該等邊，且鄰接矩形第二校準標記配置區的第二方向之該等邊，其中矩形第一校準標記配置區係於包括複數矩形晶片區之多晶片區的第二方向經由劃線區鄰接一端部；矩形第二校準標記配置區係於其第二方向經由劃線區鄰接另一端部；矩形第一校準標記配置區及矩形第二校準標記配置區各包含至少配置於其中的校準標記；及矩形第一校準標記配置區的第二方向之長度及矩形第二校準標記配置區的第二方向之長度的總和係等於或小於矩形晶片區的第二方向之長度。

本發明進一步提供一種投影曝光設備之光罩，其包括：相同光罩基板；矩形晶片區，每一者由第一方向的邊及垂直於第一方向之第二方向的邊所包圍；矩形第一校準標記配置區，由第一方向的邊與第二方向的邊所包圍；矩形第二校準標記配置區，由第一方向的邊與第二方向的邊所包圍；及劃線區，其設置在矩形晶片區、矩形第一校準標記配置區及矩形第二校準標記配置區周圍，其中矩形第一校準標記配置區係於包括複數矩形晶片區之多晶片區的第二方向經由劃線區鄰接一端部；矩形第二校準標記配置區係於多晶片區的第二方向經由劃線區鄰接另一端部；矩形第一校準標記配置區及矩形第二校準標記配置區各包含至少配置於其中的校準標記；及矩形第一校準標記配置區的第二方向之長度、矩形第二校準標記配置區的第二方向之長度及劃線區的第二方向之長度的總和係等於或小於等矩形晶片區的每一者的第二方向之該等邊的每一者的長度。

再者，當使用上述投影曝光設備之光罩來實施曝光時，依據本發明之曝光方法將晶片區、第一校準標記配置區及第二校準標記配置區同時圖案化在晶圓上。

依據本發明，藉由將具有晶片區的一半的尺寸之校準標記配置區配置在投影曝光設備之光罩中之多晶片區的二邊，高準確校準變可能，其容許半導體晶片的微型化。再者，劃線不具校準標記且無程序控制模組(PCM)配置其中，且因此，劃線區的寬度可變更小。因此，可於小晶片或長晶片的配置而增加每一晶圓之晶片的數量。

以下將說明本發明的較佳實施例。

圖1係用於依據本發明的第一實施例之投影曝光設備之光罩的平面圖。光罩基板100係以諸如合成石英之透明低膨脹材料所形成，以及圖案係藉由使用例如氧化鉻的遮光膜而形成在其一表面上。通常，當使用時，附著有氧化鉻膜之光罩基板100的表面係以保護用薄膜(圖1中省略)所覆蓋。

通常，於投影曝光方法，光罩上之圖案的尺寸不同於轉移至晶圓上之圖案的尺寸。經常使用1/5的縮小倍率。倍率意指，如果光罩上之圖案的尺寸例如為100μm，轉移至晶圓上之圖案的尺寸縮至20μm。於以下說明，所有尺寸係轉移至晶圓上之圖案的尺寸。

長度位於第一方向(Y向)之N個晶片區1係於第二方向(X向)形成在光罩基板100的一表面上以形成多晶片區2。晶片區1係由第一方向(Y向)的二邊及第二方向(X向)的二邊所包圍之矩形，以及劃線區3係配置在其周圍。劃線區3的寬度通常是110μm，較佳是1至40μm。於圖1所示的實施例，劃線區3的寬度係設為20μm，以及劃線區3沒有校準標記且沒有測試元件組圖案(以下稱為TEG圖案)被置在其中。校準標記及TEG圖案係藉由將諸如氧化矽膜或氮化矽膜的相對硬膜或諸如金屬膜之彈性材料而堆疊在矽基板上所形成。當晶片係藉由使用切割鋸沿著形成有校準標記之劃線區切割而相互分開時，諸如形成校準標記之堆疊膜的剝落、晶片破裂的發生及切割刀片的壽命縮短之問題產生。然而，依據本發明，校準標記並未配置於劃線上，且因此這些問題可被解決。

再者，劃線區沒有校準標記配置在其中，且因此劃線區可製作得更窄而不必受校準標記的限制。目前，於大部份情況，當晶圓被分成晶片時(切割時)，切割鋸被使用。考慮到切割邊緣及晶片中的可能破裂，劃線區的寬度需要為至少約50μm。然而，如果使用由隱形切割代表的雷射之方法被使用，劃線的寬度可製作得極小，且甚至小於50μm的寬度變可能。因此，可使劃線的寬度相對於晶片的寬度的比小於習知例子的比，晶片的配置效率被改善，以及每一晶圓中的晶片的數量增加。

晶片區1及相鄰晶片區1係配置有劃線區3於其間，以及該相鄰晶片區1及鄰接該相鄰晶片區1之晶片區1係配置有劃線區3於其間。以此方式，光罩基板100具有最大可能數量的晶片區1配置在其上。於投影曝光方法，一晶圓被曝光數次。隨著光罩基板100之圖案區增加，晶圓曝光之次數變更少，且因此，生產效率因而增加，藉此試圖配置最大可能數量的晶片區1。

第一校準標記配置區8係配置在藉由配置N個晶片區1於第二方向(X向)而形成之多晶片區2的一端部(左端部)，而劃線區3夾於第一校準標記配置區8及多晶片區2之間。第一校準標記配置區8係由第一方向(Y向)的二邊及第二方向(X向)的二邊所包圍之矩形。第一校準標記配置區8的第一方向之邊長係相同如晶片區1的第一方向之邊長，而第二方向之邊長係晶片區1的第二方向之邊長的一半。再者，第二校準標記配置區9係配置在多晶片區2的另一端部(右端部)，而劃線區3夾於其間。第二校準標記配置區9係由第一方向(Y向)的二邊及第二方向(X向)的二邊所包圍之矩形。第二校準標記配置區9的第一方向之邊長係相同如晶片區1的第一方向之邊長，而第二方向之邊長係晶片區1的第二方向之邊長的一半。

頂端劃線區6係配置在多晶片區2、第一校準標記配置區8及第二校準標記配置區9的頂部，而底端劃線區7係配置在多晶片區2、第一校準標記配置區8及第二校準標記配置區9的底部。TEG圖案區11係配置在第二校準標記配置區9的右側。TEG圖案區11係由劃線區3所包圍，且係夾於第一片區13及第二片區14之間。TEG圖案區11於第二方向(X向)的長度最好等於晶片區於第二方向(X向)的長度。雖然未顯示於圖1，包括電晶體、二極體、電阻器或類似者之TEG圖案係配置於TEG圖案區11。應注意到，氧化鉻膜係形成在第一片區13及第二片區14以使曝光用光不會通過其中。

接著，參照圖2說明使用上述光罩基板100使晶圓圖案化之方法。於投影曝光方法，光罩上之圖案被縮小且轉移，且因此，光罩上之100mm×100mm的圖案區在晶圓上縮小成20mm×20mm的圖案區。晶圓因此在完成曝光前曝光數次。於一曝光中圖案化之區稱為拍攝(shot)。至於6吋晶圓，約60次的曝光拍攝被實施。於圖2，拍攝A(16)、拍攝B(17)及拍攝C(18)被解說在晶圓21上。

於拍攝A(16)，多晶片區2、第一校準標記配置區8、第二校準標記配置區9及劃線區3被配置，且相鄰的拍攝A間沒有劃線區3。換言之，一拍攝中之第一校準標記配置區8被形成以致使與相鄰拍攝中之第二校準標記配置區9直接接觸。為達到如上述此種配置，曝光係依據以下步驟而實施。

首先，圖1所示之光罩係設置在投影曝光設備的光罩台上。則，預定步進器程式被讀取，且轉移自裝載器之晶圓係設在晶圓夾具上。步進器程式啟動，且校準(定位)係使用光罩上的校準標記及晶圓上之校準標記而實施。在此，光罩的邊上之校準標記及晶圓的邊上之校準標記係配置在該拍攝的兩邊上，且因此，諸如平移分量、旋轉分量及定標分量之拍攝的不當校準分量可被校正，以及高準確校準變可能。如果僅第一校準標記配置區被設置而第二校準標記配置區未被設置，僅拍攝的平移分量可被校正，且因此，需要高準確校準之情況不可能被適應。

依據揭示於日本專利先行公開申請案第2005-283609號之本發明，唯一垂直線之校準標記係配置於光罩。於此情況，旋轉分量及定標分量不可能校正，且因此，校準的準確度不能被改善，其需要大校準容許度。因此，半導體晶片不能被小型化，以及每一晶圓中之晶片的數量減小。

當完成校準時，僅光罩上將被圖案化之區係由分別位在頂部與底部以及右側及左側之四片所包圍，且係以光罩射而將僅未以該等片覆蓋之部份的圖案而轉移至晶圓上。當完成曝光時，晶圓被移至下一拍攝位置，以及校準及曝光被重複。當完成整個晶圓的曝光時，晶圓被卸載且移至下一步驟。

上述說明已提供採用晶粒接著晶粒(die-by-die)系統之例子，然而亦有在晶圓表面內以複數拍攝實施校準之後才重複晶圓的曝光及移動之另一系統。於圖2所示之配置的例子，首先，使四片片包圍光罩上的區，以使左片係位在第一校準標記配置區8的左側，右片位在第二校準標記配置區9的右側(於第一片區13)，頂片係位在頂端劃線區6的頂部，以及底片係位在底端劃線區7的底部，且以光照射該區。當晶圓移動在並列相鄰的拍攝之間而被曝光時，晶圓被移動以使第一校準標記配置區8的左端及第二校準標記配置區9的右端被致使相互接觸。再者，當晶圓移動在垂直相鄰的拍攝之間而被曝光時，晶圓被移動以使頂端劃線區6及底端劃線區7相互重疊，且因此，具有20μm的寬度之劃線區係形成在垂直相鄰的拍攝之間。

於圖2所述之拍攝B(17)，僅TEG圖案區被圖案化。光罩上之區被包圍以使左片係位於第一片區13，右片係位於第二片區14，頂片係位在頂端劃線區6的頂部，以及底片係位在底端劃線區7的底部，且以光照射該區。以相鄰拍攝共用劃線區。拍攝C(18)稱為不具晶片且無TEG形成其中之虛擬拍攝。應注意到，形成該等拍攝的順序可考慮處理期間及類似者而決定。

如上述，藉由使用圖1所述之光罩基板100而實施曝光，高準確校準變可能，其可微型化半導體晶片。再者，該等劃線不具校準標記且無程序控制模組(PCM)配置其中，且因此，劃線區的寬度可變小。因此，當小晶片或長晶片被配置時，可增加每一晶圓中之晶片的數量。

於上述說明，已說明校準標記配置區於第二方向的長度恰是晶片區於第二方向的長度的一半之實施例，而本發明未受限於此，以及校準標記配置區於第二方向的長度可以是小於晶片區於第二方向的長度的一半。當採用如上述之此種配置時，分割晶片的間距是不一致，而晶圓上的校準標記配置區所佔有之面積變更小，且每一晶圓之晶片的數量因而增加。

圖3係用於依據本發明的第二實施例之投影曝光設備之光罩的平面圖。

圖3所示的光罩不同於圖1所示的光罩，在於，左端劃線區4係配置在第一校準標記配置區8的左側，而右端劃線區5係配置在第二校準標記配置區9的右側，以使第一校準標記配置區8於第二方向的長度、第二校準標記配置區9於第二方向的長度及劃線區於第二方向的長度的總和(劃線的寬度)係相同如晶片區1於第二方向的長度。應注意到，第一校準標記配置區8於第二方向的長度可以是不同於第二校準標記配置區9於第二方向的長度，且較佳是相同的，因為其二者具有相似校準標記10配置其中。更特別地，當晶片區於第二方向的長度例如，是200μm時，如果劃線區於第二方向的長度是20μm，則第一校準標記配置區於第二方向的長度及第二校準標記配置區於第二方向的長度係90μm。

於第二實施例，已說明該二校準標記配置區於第二方向的長度及劃線區於第二方向的長度的總和係相同如晶片區於第二方向的長度之例子，而本發明未受限於此，以及該三長度的總和可以是小於晶片區於第二方向的長度。當採用如上述的此種架構時，分割晶片的間距是不一致，而晶圓上的校準標記配置區所佔有之面積變更小，且每一晶圓之晶片的數量因而增加。

使用圖3所述的光罩基板使晶圓圖案化的方法係相似於使用圖1所述之光罩基板使晶圓圖案化的方法，而於配置相鄰的拍攝A(16)的方法有某一程度的不同。雖然於圖1所述的光罩基板，拍攝中的第一校準標記配置區8係配置成被致使與相鄰拍攝中的第二校準標記配置區9直接接觸，於圖3所述之光罩基板，曝光被完成以使拍攝中的第一校準標記配置區8及相鄰拍攝中的第二校準標記配置區9共用一劃線區，且使得左端劃線區4及右端劃線區5相互重疊。使其可能沿著劃線區分開第一校準標記配置區8及第二校準標記配置區9，其而後方便於分析或類似者。

當使用圖3所述的光罩時，如圖2所述之配置可被實現，而如圖6所示的配置亦可被實現。

於圖6，在晶圓21上已解說拍攝A(16)、拍攝C(18)、拍攝D(19)及拍攝E(20)。於拍攝A(16)，多晶片區2、第一校準標記配置區8、第二校準標記配置區9及劃線區3被配置。於拍攝D(19)，除了多晶片區2、第一校準標記配置區8、第二校準標記配置區9及劃線區3以外，TEG圖案區11亦被配置。圖6的斜陰影部表示包括於拍攝D(19)之TEG圖案區。拍攝E(20)的右側之端係與拍攝E(20)上與下方之拍攝A(16)的右側之端校準。以此方式，即使有TEG圖案區，不具該等拍攝所形成之晶格的位移之簡單配置可被實現。

圖4係用於依據本發明的第三實施例之投影曝光設備之光罩的平面圖。

圖4所示之光罩不同於圖1所示的光罩，其在於，二晶片區係配置於第一方向。第一校準標記配置區8係垂直分為二，第二校準標記配置區9係垂直分為二，且相同地，TEG圖案區11係垂直分為二。劃線區3亦形成在係垂直分為二的區之間。此去除氧化矽膜、氮化矽膜、金屬膜或類似物，其係於相互分開的晶片之部份的該等晶片之阻礙，且因此，平順的晶片分離變可能。更特別地，當相互分離該等晶片時，可防止晶片中的破裂及膜的剝落，可增加每一晶圓中之晶片的數量，且再者，可實施高準確校準。於圖4，已說明該等晶片配置於2×N之例子，而甚至於其邊長在第一方向仍是更小且以M×N的晶格而配置在光罩基板上之小晶片的例子，相似於圖4所示的例子，校準標記配置區及TEG圖案區可依據晶片區的分割而分割。

圖5係校準標記配置區8、9的詳細圖。除了用於檢測X向及Y向的不當校準之校準標記10以外，用於諸如游標的重疊量測之圖案15亦可被包括於校準標記配置區，且如果有足夠空間，另一標記及類似者可被配置於其中。

TEG．．．測試元件組

PCM．．．程序控制模組

1．．．晶片區

2．．．多晶片區

3．．．劃線區

4．．．左端劃線區

5．．．右端劃線區

6．．．頂端劃線區

7．．．底端劃線區

8．．．第一校準標記配置區

9．．．第二校準標記配置區

10．．．校準標記

11．．．TEG圖案區

13．．．第一片區

14．．．第二片區

15．．．圖案

16．．．拍攝A

17．．．拍攝B

18．．．拍攝C

19．．．拍攝D

20．．．拍攝E

21．．．晶圓

100．．．光罩基板

圖1係用於依據本發明的第一實施例之投影曝光設備之光罩的平面圖；

圖2解說使用光罩而形成圖案之晶圓；

圖3係用於依據本發明的第二實施例之投影曝光設備之光罩的平面圖；

圖4係用於依據本發明的第三實施例之投影曝光設備之光罩的平面圖；

圖5係依據本發明之校準標記配置區的詳細圖；

圖6解說使用光罩而形成圖案之晶圓。

1．．．晶片區

2．．．多晶片區

3．．．劃線區

6．．．頂端劃線區

7．．．底端劃線區

8．．．第一校準標記配置區

9．．．第二校準標記配置區

11．．．TEG圖案區

13．．．第一片區

14．．．第二片區

100．．．光罩基板

Claims (16)

1. 一種投影曝光設備之光罩，包含：光罩基板；矩形晶片區，其配置在該光罩基板的表面上，且每一矩形晶片區由第一方向的邊及垂直於該第一方向之第二方向的邊所包圍；矩形第一校準標記配置區，其配置在該表面上且由該第一方向的邊與該第二方向的邊所包圍；矩形第二校準標記配置區，其配置在該表面上且由該第一方向的邊與該第二方向的邊所包圍；第一劃線區，其設置在該等矩形晶片區周圍；及第二劃線區，其分別設置成鄰接該矩形第一校準標記配置區的該第二方向之該等邊，且鄰接該矩形第二校準標記配置區的該第二方向之該等邊，其中該矩形第一校準標記配置區係於包括複數該矩形晶片區之多晶片區的該第二方向經由該第一劃線區鄰接一端部；該矩形第二校準標記配置區係於該多晶片區的該第二方向經由該第一劃線區鄰接另一端部；該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配置區各包含至少配置於其中的校準標記；及該矩形第一校準標記配置區的第二方向之該等邊的每一者的長度及該矩形第二校準標記配置區的第二方向之該等邊的每一者的長度的總和係等於或小於該等矩形晶片區的每一者的第二方向之該等邊的每一者的長度。
2. 如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，其中該多晶片區包含該等晶片區於以晶格配置之複數列與行中。
3. 如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，其中該第一劃線區未包含校準標記及測試元件組圖案配置其中。
4. 如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，其中除了該校準標記以外，該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配置區各包含形成其中的用於重疊量測之圖案。
5. 如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，其中該第二劃線區具有1至40μm的範圍之寬度。
6. 如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，另包含具有該第二方向的長度之測試元件組圖案區在相同光罩基板上，該長度等於該等矩形晶片區的每一者的第二方向之該等邊的每一者的長度。
7. 一種投影曝光設備之光罩，包含：光罩基板；矩形晶片區，其配置在該光罩基板的表面上，且每一者由第一方向的邊及垂直於該第一方向之第二方向的邊所包圍；矩形第一校準標記配置區，其配置在該表面上且由該第一方向的邊與該第二方向的邊所包圍；矩形第二校準標記配置區，其配置在該表面上且由該第一方向的邊與該第二方向的邊所包圍；及劃線區，其設置在該等矩形晶片區、該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配置區的周圍，其中該矩形第一校準標記配置區係於包括複數該矩形晶片區之多晶片區的該第二方向經由該第一劃線區鄰接一端部；該矩形第二校準標記配置區係於該多晶片區的該第二方向經由該第二劃線區鄰接另一端部；該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配置區各包含至少配置於其中的校準標記；及該矩形第一校準標記配置區的第二方向之該等邊的每一者的長度、該矩形第二校準標記配置區的第二方向之該等邊的每一者的長度及該劃線區的第二方向之長度的總和係等於或小於該等矩形晶片區的每一者的第二方向之該等邊的每一者的長度。
8. 如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩，其中該多晶片區包含該等晶片區於以晶格配置之複數列與行中。
9. 如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩，其中該劃線區未包含校準標記及測試元件組圖案配置其中。
10. 如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩，其中除了該校準標記以外，該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配置區各包含形成其中的用於重疊量測之圖案。
11. 如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩，其中該劃線區具有1至40μm的範圍之寬度。
12. 如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩，另包含具有該第二方向的長度之測試元件組圖案區在相同光罩基板上，該長度等於該等矩形晶片區的每一者的第二方向之該等邊的每一者的長度。
13. 一種投影曝光設備之光罩，包含：光罩基板；多晶片區，其藉由將具有第一方向的邊及第二方向的邊之矩形晶片區與分別配置在該矩形晶片區的該四邊周圍之劃線區重複地配置在該光罩基板上而形成；矩形第一校準標記配置區，其係經由該等劃線區的一者配置在該多晶片區的一端部外側，且具有該第一方向的邊及該第二方向的邊；矩形第二校準標記配置區，其係經由該等劃線區的另一者配置在該多晶片區的另一端部外側，且具有該第一方向的邊及該第二方向的邊，其中該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配置區各包含至少配置於其中的校準標記；及該矩形第一校準標記配置區的第二方向之該等邊的每一者的長度及該矩形第二校準標記配置區的第二方向之該等邊的每一者的長度的總和係等於或小於該等矩形晶片區的第二方向之該等邊的每一者的長度。
14. 一種投影曝光設備之光罩，包含：光罩基板；多晶片區，其藉由將具有第一方向的邊及第二方向的邊之矩形晶片區與分別配置在該矩形晶片區的該四邊周圍之第一劃線區重複地配置在該光罩基板上而形成；矩形第一校準標記配置區，其係經由該等第一劃線區的一者配置在該多晶片區的一端部外側，且具有該第一方向的邊及該第二方向的邊；第二劃線區，其配置在該矩形第一校準標記配置區外側；矩形第二校準標記配置區，其係經由該等第一劃線區的另一者配置在該多晶片區的另一端部外側，且具有該第一方向的邊及該第二方向的邊；及第三劃線區，其配置在該矩形第二校準標記配置區外側，其在該第二方向的長度等於該第二劃線區在該第二方向的長度，其中該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配置區各包含至少配置於其中的校準標記；及該矩形第一校準標記配置區的第二方向之該等邊的每一者的長度、該矩形第二校準標記配置區的第二方向之該等邊的每一者的長度及該第二劃線區與該第三劃線區的一者的第二方向之長度的總和係等於或小於該矩形晶片區的第二方向之該等邊的每一者的長度。
15. 一種曝光方法，其使用依據申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，該方法包含：使該矩形晶片區、該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配置區同時在晶圓上圖案化。
16. 一種曝光方法，其使用依據申請專利範圍第2項的投影曝光設備之光罩，該方法包含：使該矩形晶片區、該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配置區同時在晶圓上圖案化。