JPH07169670A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH07169670A JPH07169670A JP31317693A JP31317693A JPH07169670A JP H07169670 A JPH07169670 A JP H07169670A JP 31317693 A JP31317693 A JP 31317693A JP 31317693 A JP31317693 A JP 31317693A JP H07169670 A JPH07169670 A JP H07169670A
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- Japan
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- scribe lane
- monitor
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- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイシングしたときのスクライブレーン領域
のパターンの剥離等を防止し、組立工程における信頼性
を向上する。 【構成】 光を遮る遮光パターン８として、モニターパ
ターン７の輪郭を１μｍ広げたパターンを用いている。
このレチクルを用いて、被投影露光領域におけるモニタ
ーパターンと遮光パターンが重なるように被投影領域を
ずらしながら繰り返し縮小投影露光すると、最左端を除
くスクライブレーン領域には必要とするサイズのアルミ
配線層のモニターパターンが得られ、最左端のスクライ
ブレーン領域にはサイズは若干異なるもののモニターパ
ターンとほぼ同等のパターンを得ることができる。
のパターンの剥離等を防止し、組立工程における信頼性
を向上する。 【構成】 光を遮る遮光パターン８として、モニターパ
ターン７の輪郭を１μｍ広げたパターンを用いている。
このレチクルを用いて、被投影露光領域におけるモニタ
ーパターンと遮光パターンが重なるように被投影領域を
ずらしながら繰り返し縮小投影露光すると、最左端を除
くスクライブレーン領域には必要とするサイズのアルミ
配線層のモニターパターンが得られ、最左端のスクライ
ブレーン領域にはサイズは若干異なるもののモニターパ
ターンとほぼ同等のパターンを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、縮小投影露光装置を
用いてレチクルパターンを半導体基板に投影する工程に
よりスクライブレーン内にマスクパターンを形成する半
導体装置の製造方法に関するものである。
用いてレチクルパターンを半導体基板に投影する工程に
よりスクライブレーン内にマスクパターンを形成する半
導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＭＯＳ集積回路に代表される半導
体装置は益々微細化の一途をたどり、２μｍ以下のデザ
インルールに従う半導体装置は、主として縮小投影露光
装置を用いて製造されるようになった。縮小投影露光装
置は、レチクルに描画されたマスクパターンを縮小投影
しながら半導体ウエーハ上を一定のピッチで繰り返し投
影露光するものである。また半導体ウエーハを有効利用
する目的で、アライメントマークのみならずプロセスチ
ェックモニター、アライメントチェックモニター、寸法
測定マーク等をスクライブレーン内に設けることが一般
的に行なわれるようになってきた。
体装置は益々微細化の一途をたどり、２μｍ以下のデザ
インルールに従う半導体装置は、主として縮小投影露光
装置を用いて製造されるようになった。縮小投影露光装
置は、レチクルに描画されたマスクパターンを縮小投影
しながら半導体ウエーハ上を一定のピッチで繰り返し投
影露光するものである。また半導体ウエーハを有効利用
する目的で、アライメントマークのみならずプロセスチ
ェックモニター、アライメントチェックモニター、寸法
測定マーク等をスクライブレーン内に設けることが一般
的に行なわれるようになってきた。
【０００３】図３はスクライブレーン内にマスクパター
ンを形成するための従来のレチクルの構成を示すもので
ある。１はチップパターン領域であり、図３では１枚の
レチクルに２つのチップパターン領域１がスクライブレ
ーン対応領域２をはさんで描かれている。最外側の一方
のスクライブレーン対応領域２内のモニターパターン領
域３の中にモニターパターンが配置されている。そし
て、最外側の他方のスクライブレーン対応領域２内の遮
光パターン領域４には、モニターパターン領域３を覆う
大きさの遮光パターンがモニターパターン領域３に対応
した位置に配置されている。モニターパターンおよび遮
光パターンの詳細を図４に示す。図４（Ａ）のモニター
パターン５に対して、図４（Ｂ）のように遮光パターン
６はモニターパターン領域３全体を遮光するようなパタ
ーンが使用されている。
ンを形成するための従来のレチクルの構成を示すもので
ある。１はチップパターン領域であり、図３では１枚の
レチクルに２つのチップパターン領域１がスクライブレ
ーン対応領域２をはさんで描かれている。最外側の一方
のスクライブレーン対応領域２内のモニターパターン領
域３の中にモニターパターンが配置されている。そし
て、最外側の他方のスクライブレーン対応領域２内の遮
光パターン領域４には、モニターパターン領域３を覆う
大きさの遮光パターンがモニターパターン領域３に対応
した位置に配置されている。モニターパターンおよび遮
光パターンの詳細を図４に示す。図４（Ａ）のモニター
パターン５に対して、図４（Ｂ）のように遮光パターン
６はモニターパターン領域３全体を遮光するようなパタ
ーンが使用されている。
【０００４】以上のように構成された従来のレチクルを
用いて縮小投影露光を行なったときのパターン形成につ
いて説明する。まず、図３のレチクルを用いて１度露光
を行なうと２チップ分のチップパターンとその右側にモ
ニターパターン、左側には遮光パターンがプリントされ
る。つぎに、モニターパターン領域３と遮光パターン領
域４が重なるように被投影領域をずらして繰り返し露光
を行なうと、既にプリントされたモニターパターンに遮
光パターンが重なるが、この領域は二重露光されること
がないのでモニターパターンが消えたり別パターンに変
わることがない。
用いて縮小投影露光を行なったときのパターン形成につ
いて説明する。まず、図３のレチクルを用いて１度露光
を行なうと２チップ分のチップパターンとその右側にモ
ニターパターン、左側には遮光パターンがプリントされ
る。つぎに、モニターパターン領域３と遮光パターン領
域４が重なるように被投影領域をずらして繰り返し露光
を行なうと、既にプリントされたモニターパターンに遮
光パターンが重なるが、この領域は二重露光されること
がないのでモニターパターンが消えたり別パターンに変
わることがない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の方法では、繰り返し縮小投影露光された半導体ウエー
ハにおいて、一方の端の最外側のスクライブレーン領域
には遮光パターンのみがプリントされることとなり、モ
ニターパターンを形成することができない。例えば、上
記従来のレチクルを用いてアルミ配線層を形成した場
合、ウエーハ左端の最外側のスクライブレーン領域にア
ルミが広範囲にわたって残ることとなる。このため、拡
散工程を終えた半導体ウエーハをダイシングによりチッ
プに分割する際、切削面でアルミ層が巻き上がったり、
ダイシング後にチップ端に幅の狭いアルミ層が残りこれ
が剥離することがあり、組立工程においてワイヤに接触
する等著しく信頼性を低下させる原因になるという問題
点を有していた。
の方法では、繰り返し縮小投影露光された半導体ウエー
ハにおいて、一方の端の最外側のスクライブレーン領域
には遮光パターンのみがプリントされることとなり、モ
ニターパターンを形成することができない。例えば、上
記従来のレチクルを用いてアルミ配線層を形成した場
合、ウエーハ左端の最外側のスクライブレーン領域にア
ルミが広範囲にわたって残ることとなる。このため、拡
散工程を終えた半導体ウエーハをダイシングによりチッ
プに分割する際、切削面でアルミ層が巻き上がったり、
ダイシング後にチップ端に幅の狭いアルミ層が残りこれ
が剥離することがあり、組立工程においてワイヤに接触
する等著しく信頼性を低下させる原因になるという問題
点を有していた。
【０００６】また、チップパターンの微細化に伴い樹脂
パッケージ封止時の樹脂内成分の流動からチップ表面を
保護するためポリイミド等の樹脂膜を半導体チップ表面
に形成することが行なわれるようになった。製造工程を
削減してコストダウンを図る目的で例えば特開昭６３−
５１４６０号公報に示されているように、ボンディング
パッド部のチップコート層を開口した後、チップコート
層をエッチングマスクとしてその下のシリコン窒化膜等
のチップ表面保護膜をエッチングすることが行なわれて
いる。この製造プロセスを採用する場合においても、ス
クライブレーン領域にチップコート層を残さないとモニ
ターパターンのアルミ配線層が露出し、ダイシングした
時に切削面でのアルミ層の巻き上がりが発生し、ワイヤ
との接触等の組立工程での信頼性低下を招くという問題
点を有していた。
パッケージ封止時の樹脂内成分の流動からチップ表面を
保護するためポリイミド等の樹脂膜を半導体チップ表面
に形成することが行なわれるようになった。製造工程を
削減してコストダウンを図る目的で例えば特開昭６３−
５１４６０号公報に示されているように、ボンディング
パッド部のチップコート層を開口した後、チップコート
層をエッチングマスクとしてその下のシリコン窒化膜等
のチップ表面保護膜をエッチングすることが行なわれて
いる。この製造プロセスを採用する場合においても、ス
クライブレーン領域にチップコート層を残さないとモニ
ターパターンのアルミ配線層が露出し、ダイシングした
時に切削面でのアルミ層の巻き上がりが発生し、ワイヤ
との接触等の組立工程での信頼性低下を招くという問題
点を有していた。
【０００７】この発明はかかる点に鑑み、ダイシングし
たときのスクライブレーン領域のパターンの剥離等を防
止し、組立工程における信頼性を向上することのできる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
たときのスクライブレーン領域のパターンの剥離等を防
止し、組立工程における信頼性を向上することのできる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の製造方法は、１個以上のチップパターン領域の周囲
にスクライブレーン対応領域を有し、最外側の一方のス
クライブレーン対応領域にモニターパターンを設け、最
外側の他方のスクライブレーン対応領域にモニターパタ
ーンと同一または輪郭を広げた遮光パターンを設けたレ
チクルを準備する工程と、このレチクルを用いて、被投
影露光領域におけるモニターパターンと遮光パターンが
重なるように被投影領域をずらしながら繰り返し投影露
光する露光工程とを含むことを特徴とする。
置の製造方法は、１個以上のチップパターン領域の周囲
にスクライブレーン対応領域を有し、最外側の一方のス
クライブレーン対応領域にモニターパターンを設け、最
外側の他方のスクライブレーン対応領域にモニターパタ
ーンと同一または輪郭を広げた遮光パターンを設けたレ
チクルを準備する工程と、このレチクルを用いて、被投
影露光領域におけるモニターパターンと遮光パターンが
重なるように被投影領域をずらしながら繰り返し投影露
光する露光工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、レチク
ルのモニターパターンがアルミ配線層形成用のパターン
である。請求項３記載の半導体装置の製造方法は、１個
以上のチップパターン領域の周囲にスクライブレーン対
応領域を有し、最外側の一方のスクライブレーン対応領
域にアルミ配線層形成用のモニターパターンを設け、最
外側の他方のスクライブレーン対応領域にモニターパタ
ーンと同一または輪郭を広げた遮光パターンを設けたア
ルミ配線層形成用レチクルを準備する工程と、アルミ配
線層形成用レチクルを用いて、被投影露光領域における
モニターパターンと遮光パターンが重なるように被投影
領域をずらしながら繰り返し投影露光する第１の露光工
程と、１個以上のチップパターン領域の周囲にスクライ
ブレーン対応領域を有し、最外側の一方のスクライブレ
ーン対応領域にダイシング切削面のアルミ配線層が被覆
されるように設計されたチップコート層形成用のモニタ
ーパターンを設け、最外側の他方のスクライブレーン対
応領域にモニターパターンと同一または輪郭を広げた遮
光パターンを設けたチップコート層形成用レチクルを準
備する工程と、チップコート層形成用レチクルを用い
て、被投影露光領域におけるモニターパターンと遮光パ
ターンが重なるように被投影領域をずらしながら繰り返
し投影露光する第２の露光工程とを含むことを特徴とす
る。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、レチク
ルのモニターパターンがアルミ配線層形成用のパターン
である。請求項３記載の半導体装置の製造方法は、１個
以上のチップパターン領域の周囲にスクライブレーン対
応領域を有し、最外側の一方のスクライブレーン対応領
域にアルミ配線層形成用のモニターパターンを設け、最
外側の他方のスクライブレーン対応領域にモニターパタ
ーンと同一または輪郭を広げた遮光パターンを設けたア
ルミ配線層形成用レチクルを準備する工程と、アルミ配
線層形成用レチクルを用いて、被投影露光領域における
モニターパターンと遮光パターンが重なるように被投影
領域をずらしながら繰り返し投影露光する第１の露光工
程と、１個以上のチップパターン領域の周囲にスクライ
ブレーン対応領域を有し、最外側の一方のスクライブレ
ーン対応領域にダイシング切削面のアルミ配線層が被覆
されるように設計されたチップコート層形成用のモニタ
ーパターンを設け、最外側の他方のスクライブレーン対
応領域にモニターパターンと同一または輪郭を広げた遮
光パターンを設けたチップコート層形成用レチクルを準
備する工程と、チップコート層形成用レチクルを用い
て、被投影露光領域におけるモニターパターンと遮光パ
ターンが重なるように被投影領域をずらしながら繰り返
し投影露光する第２の露光工程とを含むことを特徴とす
る。
【００１０】
【作用】この発明によれば、モニターパターンと同一ま
たは輪郭を広げた遮光パターンを設けたレチクルを用い
て繰り返し投影露光することにより、モニターパターン
が消えたり変形したりすることなく形成することができ
るとともに、被投影領域の半導体ウエーハの最外側に形
成されるパターンを、モニターパターンと同一または輪
郭を広げたパターンとすることができる。
たは輪郭を広げた遮光パターンを設けたレチクルを用い
て繰り返し投影露光することにより、モニターパターン
が消えたり変形したりすることなく形成することができ
るとともに、被投影領域の半導体ウエーハの最外側に形
成されるパターンを、モニターパターンと同一または輪
郭を広げたパターンとすることができる。
【００１１】
【実施例】この発明の実施例を図面を参照しながら説明
する。まず、この発明の第１の実施例におけるレチクル
の領域構成は図３と同様であるが、モニターパターン領
域３と遮光パターン領域４のパターンはそれぞれ図１
（Ａ），（Ｂ）に示すものである。
する。まず、この発明の第１の実施例におけるレチクル
の領域構成は図３と同様であるが、モニターパターン領
域３と遮光パターン領域４のパターンはそれぞれ図１
（Ａ），（Ｂ）に示すものである。
【００１２】この第１の実施例におけるレチクルは、ア
ルミ配線層形成用レチクルであり、図１に示すように、
光を遮る遮光パターン８として、モニターパターン７の
輪郭を１μｍ広げた（以下「リサイズ処理」という）パ
ターンを用いている。以上のように構成されるレチクル
を用いて、被投影露光領域におけるモニターパターンと
遮光パターンが重なるように被投影領域をずらしながら
繰り返し縮小投影露光すると、モニターパターンがプリ
ントされた被投影領域に、モニターパターンをリサイズ
処理した遮光パターンが再度露光されるが、遮光パター
ンの遮光領域の方が大きいので最終的にはモニターパタ
ーンがプリントされる。一方、半導体ウエーハの最左端
のスクライブレーン領域には、モニターパターンをリサ
イズ処理したパターンがプリントされる。したがって、
最左端を除くスクライブレーン領域には必要とするサイ
ズのアルミ配線層のモニターパターンが得られ、最左端
のスクライブレーン領域にはサイズは若干異なるものの
モニターパターンとほぼ同等のパターンを得ることがで
きる。
ルミ配線層形成用レチクルであり、図１に示すように、
光を遮る遮光パターン８として、モニターパターン７の
輪郭を１μｍ広げた（以下「リサイズ処理」という）パ
ターンを用いている。以上のように構成されるレチクル
を用いて、被投影露光領域におけるモニターパターンと
遮光パターンが重なるように被投影領域をずらしながら
繰り返し縮小投影露光すると、モニターパターンがプリ
ントされた被投影領域に、モニターパターンをリサイズ
処理した遮光パターンが再度露光されるが、遮光パター
ンの遮光領域の方が大きいので最終的にはモニターパタ
ーンがプリントされる。一方、半導体ウエーハの最左端
のスクライブレーン領域には、モニターパターンをリサ
イズ処理したパターンがプリントされる。したがって、
最左端を除くスクライブレーン領域には必要とするサイ
ズのアルミ配線層のモニターパターンが得られ、最左端
のスクライブレーン領域にはサイズは若干異なるものの
モニターパターンとほぼ同等のパターンを得ることがで
きる。
【００１３】以上のようにこの実施例によれば、アルミ
配線層形成用レチクルにおいて、この発明を適用するこ
とによって、半導体ウエーハの最外端のスクライブレー
ン領域には、モニターパターンとほぼ同等のパターンが
形成されるため、ダイシングによって細長いアルミ配線
層が剥離したり、切削箇所で巻き上がる現象を防止で
き、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
配線層形成用レチクルにおいて、この発明を適用するこ
とによって、半導体ウエーハの最外端のスクライブレー
ン領域には、モニターパターンとほぼ同等のパターンが
形成されるため、ダイシングによって細長いアルミ配線
層が剥離したり、切削箇所で巻き上がる現象を防止で
き、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００１４】なお、第１の実施例において、遮光パター
ン８を、モニターパターン７の輪郭を１μｍ広げたパタ
ーンとしたが、これはモニターパターンのレジスト現像
後の寸法を正確に出すためであり、露光部分の寸法に精
度を必要としない場合はモニターパターン７と同じもの
を遮光パターン８として用いることもできる。この発明
の第２の実施例として、アルミ配線層形成とチップコー
ト層形成にこの発明を適用した場合を説明する。
ン８を、モニターパターン７の輪郭を１μｍ広げたパタ
ーンとしたが、これはモニターパターンのレジスト現像
後の寸法を正確に出すためであり、露光部分の寸法に精
度を必要としない場合はモニターパターン７と同じもの
を遮光パターン８として用いることもできる。この発明
の第２の実施例として、アルミ配線層形成とチップコー
ト層形成にこの発明を適用した場合を説明する。
【００１５】この第２の実施例では、アルミ配線層は第
１の実施例におけるアルミ配線層形成用レチクルを用い
て同様にして形成する。また、チップコート層形成用レ
チクルの領域構成は図３と同様であり、チップコート層
形成用レチクルのモニターパターンは、図２に示すもの
である。図２に示すように、チップコート層形成用レチ
クルは、ダイシング切削面を横断するアルミ配線層にコ
ート層が残るようなモニターパターン９を作成し、これ
を図３のモニターパターン領域３および遮光パターン領
域４の両方に配置して製作した。なお、アルミ配線層に
対応する部分を図３において破線で示す。このチップコ
ート層形成用レチクルを用いて、被投影露光領域におけ
るモニターパターンと遮光パターンが重なるように被投
影領域をずらしながら繰り返し縮小投影露光する。
１の実施例におけるアルミ配線層形成用レチクルを用い
て同様にして形成する。また、チップコート層形成用レ
チクルの領域構成は図３と同様であり、チップコート層
形成用レチクルのモニターパターンは、図２に示すもの
である。図２に示すように、チップコート層形成用レチ
クルは、ダイシング切削面を横断するアルミ配線層にコ
ート層が残るようなモニターパターン９を作成し、これ
を図３のモニターパターン領域３および遮光パターン領
域４の両方に配置して製作した。なお、アルミ配線層に
対応する部分を図３において破線で示す。このチップコ
ート層形成用レチクルを用いて、被投影露光領域におけ
るモニターパターンと遮光パターンが重なるように被投
影領域をずらしながら繰り返し縮小投影露光する。
【００１６】この方法で製造された半導体ウエーハは、
ダイシング切削部分のアルミがチップ表面保護膜および
チップコート膜で被覆されているので、切削部分におい
てアルミが巻き上がったり、巻き上がったアルミ片がの
ちに遊離することがない。すなわちこの実施例によれ
ば、ウエーハ最外側のスクライブレーンにおいても切削
部分のアルミ配線層にチップコート膜およびチップ表面
保護膜が被覆されることとなり、組立工程における問題
点を完全に解決することができる。
ダイシング切削部分のアルミがチップ表面保護膜および
チップコート膜で被覆されているので、切削部分におい
てアルミが巻き上がったり、巻き上がったアルミ片がの
ちに遊離することがない。すなわちこの実施例によれ
ば、ウエーハ最外側のスクライブレーンにおいても切削
部分のアルミ配線層にチップコート膜およびチップ表面
保護膜が被覆されることとなり、組立工程における問題
点を完全に解決することができる。
【００１７】なおこの実施例では、チップコート層形成
レチクルのモニターパターンと遮光パターンを同一のパ
ターン９としたが、これは同一パターンで２回露光され
ることで現像後の寸法が多少変わっても問題とならない
ためであり、もちろんアルミ配線層形成用レチクルのよ
うに、モニターパターンの輪郭を広げたものを遮光パタ
ーンとして用いてもよい。
レチクルのモニターパターンと遮光パターンを同一のパ
ターン９としたが、これは同一パターンで２回露光され
ることで現像後の寸法が多少変わっても問題とならない
ためであり、もちろんアルミ配線層形成用レチクルのよ
うに、モニターパターンの輪郭を広げたものを遮光パタ
ーンとして用いてもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明の半導体装
置の製造方法は、モニターパターンと同一または輪郭を
広げた遮光パターンを設けたレチクルを用いて繰り返し
投影露光することにより、モニターパターンが消えたり
変形したりすることなく形成することができるととも
に、被投影領域の半導体ウエーハの最外側のスクライブ
レーン領域に形成されるパターンを、モニターパターン
と同一または輪郭を広げたパターンとすることができ
る。その結果、ダイシングしたときのスクライブレーン
領域のパターンの剥離等を防止でき、組立工程における
信頼性を向上することができる。
置の製造方法は、モニターパターンと同一または輪郭を
広げた遮光パターンを設けたレチクルを用いて繰り返し
投影露光することにより、モニターパターンが消えたり
変形したりすることなく形成することができるととも
に、被投影領域の半導体ウエーハの最外側のスクライブ
レーン領域に形成されるパターンを、モニターパターン
と同一または輪郭を広げたパターンとすることができ
る。その結果、ダイシングしたときのスクライブレーン
領域のパターンの剥離等を防止でき、組立工程における
信頼性を向上することができる。
【図１】この発明の第１の実施例におけるアルミ配線層
形成用レチクルに用いたモニターパターンと遮光パター
ンを示す図。
形成用レチクルに用いたモニターパターンと遮光パター
ンを示す図。
【図２】この発明の第２の実施例におけるチップコート
層形成用レチクルに用いたモニターパターンを示す図。
層形成用レチクルに用いたモニターパターンを示す図。
【図３】従来の縮小投影露光装置用レチクルの構成図。
【図４】従来のアルミ配線層形成用レチクルに用いるモ
ニターパターンと遮光パターンを示す図。
ニターパターンと遮光パターンを示す図。
１ チップパターン領域 ２ スクライブレーン対応領域 ７ モニターパターン ８ 遮光パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 １個以上のチップパターン領域の周囲に
スクライブレーン対応領域を有し、最外側の一方の前記
スクライブレーン対応領域にモニターパターンを設け、
最外側の他方の前記スクライブレーン対応領域に前記モ
ニターパターンと同一または輪郭を広げた遮光パターン
を設けたレチクルを準備する工程と、 前記レチクルを用いて、被投影露光領域における前記モ
ニターパターンと前記遮光パターンが重なるように前記
被投影領域をずらしながら繰り返し投影露光する露光工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 レチクルのモニターパターンがアルミ配
線層形成用のパターンである請求項１記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 １個以上のチップパターン領域の周囲に
スクライブレーン対応領域を有し、最外側の一方の前記
スクライブレーン対応領域にアルミ配線層形成用のモニ
ターパターンを設け、最外側の他方の前記スクライブレ
ーン対応領域に前記モニターパターンと同一または輪郭
を広げた遮光パターンを設けたアルミ配線層形成用レチ
クルを準備する工程と、 前記アルミ配線層形成用レチクルを用いて、被投影露光
領域における前記モニターパターンと前記遮光パターン
が重なるように前記被投影領域をずらしながら繰り返し
投影露光する第１の露光工程と、 １個以上のチップパターン領域の周囲にスクライブレー
ン対応領域を有し、最外側の一方の前記スクライブレー
ン対応領域にダイシング切削面のアルミ配線層が被覆さ
れるように設計されたチップコート層形成用のモニター
パターンを設け、最外側の他方の前記スクライブレーン
対応領域に前記モニターパターンと同一または輪郭を広
げた遮光パターンを設けたチップコート層形成用レチク
ルを準備する工程と、 前記チップコート層形成用レチクルを用いて、被投影露
光領域における前記モニターパターンと前記遮光パター
ンが重なるように前記被投影領域をずらしながら繰り返
し投影露光する第２の露光工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31317693A JPH07169670A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31317693A JPH07169670A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169670A true JPH07169670A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18038026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31317693A Pending JPH07169670A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169670A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005084379A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Renesas Technology Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2009258420A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
| CN103091971A (zh) * | 2011-10-27 | 2013-05-08 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 掩模板及其制造方法、以及监测掩模板雾状污染的方法 |
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1993
- 1993-12-14 JP JP31317693A patent/JPH07169670A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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