JPH02154413A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体ウェハーの
製造方法に関するものである。

従来の技術 半導体ウェハーをパターン化する場合、ウェハーより大
きいザイズでパターン化するのが通例である。

第２図はこのようにして製作された従来の半導体ウェハ
ーを示すものであり、１はファセット部、２は通常のパ
ターン形成部、５はＰＣＭチップである。

発明が解決しようとする課題 しかし、従来の方法でパターン化すると、ウェハーの周
辺部までパターン化してしまうため、周辺部特有の欠陥
チップまで作り込んでしまう。たとえば、ウェハー周辺
部はいわゆる「面取り」を行っているため、その表面が
斜めに傾斜している。このためこの「面取り」部分にポ
ンディングパッド部がかかると、ボンディングバット自
体がテーパーのついた状態になるため、正常なワイボン
トができない。また周辺部に三角形状に形成されるいわ
ゆるデルタチップは、特にスクライブがフルカットでな
い場合、ブレークされにくいため、デルタチップに隣接
する内側の正常なチップまで不良となることが多い。さ
らに、ウェハーの周辺部はマスク合せ装置（たとえばプ
ロジェクションアライナ−）の爪により保持されるため
、爪の当たる位置（第２図の３の位置）付近のチップに
パターン欠陥が発生しやすい。同様にアルミスパッター
装置の爪の当たる位置（第２図の４の位置）付近のチッ
プは、アルミ膜厚が薄（なるため、アルミの段切れが発
生しやすくなる。こ９他にもウェハー周辺部は結晶欠陥
、絶縁膜欠陥、キズ等が発生しやすい領域である。

このような欠陥チップすべてが組立後の検査にて完全に
セレクトできず、ユーザー工程および市場に出てから不
良となるケースが発生する。

本発明はこのような従来の問題を解決する半導体装置の
製造方法を提供するものである。

課題を解決するための手段 本発明は半導体ウェハーに半導体回路を作り込む工程で
、配線用マスク等を用いてウェハー周辺部にパターン未
形成部を設けるものである。

作用 このようにすれば、ウェハー周辺部のチップには必要な
パターンが形成されないから、その後の検査工程におい
て欠陥チップとして確実に選別することができる。この
ためユーザー工程あるいは市場に出てから不良となるの
を、未然に防止することができる。

実施例 以下、本発明の一実施例を第１図とともに説明する。第
１図において、１はファセット部、２は正常゛なパター
ン形成部、３はマスク合せ装置（たとえばプロジェクシ
ョンアライナ−）の爪の位置、４はアルミスパッター装
置の爪の位置、５はＰＣＭチップであり、これらは第２
図の従来例と同様である。第２図の従来例と異なるのは
、マスク合せ装置やアルミスパッター装置の爪の位置３
．４を含むウェハー周辺部（第１図に斜線で示す領域）
にパターン未形成部６を設けた点である。具体的には、
アルミ配線を行うウェハーにおいては、アルミ配線用マ
スクの中央部分にのみパターンを設け、その周辺をパタ
ーン未形成部分とすることによって、ウェハーの周辺に
パターン未形成部６を設けることができる。

発明の効果 本発明は、ウェハーに半導体回路を作り込む工程で、マ
スクレイアウトによりあらかじめウェハー周辺部にパタ
ーン未形成部を設けるものであるから、その後の検査工
程においてウェハー周辺の欠陥チップを確実に除去する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のニ実施例においる半導体つ工、ツ バ−の平面図、第２は従来例の半導体ウェハーの平面図
である。 １・・・・・・ファセット部、２・・・・・・パターン
形成部、３・・・・・・マスク合せ装置の爪の位置、４
・・・・・・アルミスパッター装置の爪の位置、５・・
・・・・ＰＣＭチップ、６・・・・・・パターン未形成
部。 代理人の氏名　弁樵士　粟野重孝　はが１名（Ｎ ＼ト 手続補正書（方式） ％式％ １事件の表示 昭和６３年特許願第３０８０３０号 発明の名称 半導体装置の製造方法 補正をする者

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウェハーに半導体回路を作り込む工程で、マスク
   を用いて上記半導体ウェハー周辺部にパターン未形成部
   を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。