JP4876299B2 - フォトマスクパタンデータ作成方法 - Google Patents
フォトマスクパタンデータ作成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4876299B2 JP4876299B2 JP2000142813A JP2000142813A JP4876299B2 JP 4876299 B2 JP4876299 B2 JP 4876299B2 JP 2000142813 A JP2000142813 A JP 2000142813A JP 2000142813 A JP2000142813 A JP 2000142813A JP 4876299 B2 JP4876299 B2 JP 4876299B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- data
- photomask
- correction
- original
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の微細化、高密度化に伴なう、フォトマスク製造用の設計データの補正処理に関し、詳しくは、フォトマスクのパタンを作成するための露光描画装置に用いられる元図形データを、ウエハ上に目的とするパタン形状を得るために、補正する、元図形データの補正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高機能化と軽薄短小の傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳｌには、ますます高集積化、高機能化が求められるようになってきた。
即ち、できるだけチップサイズを小さくして、高機能を実現することがＡＳＩＣ等のＬＳＩには求められている。
上記ＡＳＩＣ等のＬＳＩは、機能、論理設計、回路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパタン作製用の図形データ（パタンデータとも言う）を作製し、これを用いてフォトマスクを作製した後、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光等により転写して、半導体素子作製のプロセスを行うという数々の工程を経て作製されるものである。
フォトマスクは、一般には、上記図形データ（パタンデータ）を用い、電子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光装置を用いて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て、作製される。
即ち、ガラス基板の一面に遮光性の金属薄膜を設けたフォトマスク用基板の金属薄膜上に塗布、乾燥された感光性のレジスト上に、露光装置により電離放射線を所定の領域のみに照射して潜像を形成し、感光性のレジストを現像して、電離放射線の照射領域に対応した、所望の形状のレジストパターン得た後、更に、レジストパターンを耐エッチングレジストとして、金属薄膜をレジストパターン形状に加工して、所望の金属薄膜パターンを有するフォトマスクを得る。
尚、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光して、その絵柄を転写する場合は、フォトマスクをレチクルマスクとも言う。
【０００３】
フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光等により転写する際、光近接効果と呼ばれる露光形状の歪みが発生する。
これは、露光形状のサイズ（ウエハ上の露光サイズ）が、露光光の波長に近づく、あるいは光の波長よりも小さくなったときに、光の回折現象により、フォトマスクのパタンの形状を忠実に露光することができなく、ウエハ上に露光される露光形状に歪みが発生するものである。
フォトマスクのパタン（光を透過させる部分の形状）が図８（ａ）（イ）に示すような形状をしている場合には、ウエハ上に形成されるパタン形状は図８（ａ）（ロ）のようになる。
このため、図８（ａ）（イ）に示すような形状をウエハ上に形成されるパタン形状として得たい場合には、フォトマスクのパタン（光を透過させる部分の形状）を図８（ｂ）（イ）のように補正して、ウエハ上に形成されるパタン形状を図８（ｂ）（ロ）のようにする。
このような光の回折の影響を考慮した補正を、光近接効果補正あるいはＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）と言う。
【０００４】
以下、フォトマスクのパタンを形成するための図形データで、回路設計に即した、マスク作製やウエハ作製の際の歪み（変形）を考慮した補正の入っていないデータを、設計データの元図形データあるいは単に元図形データと呼ぶ。
また、マスク作製やウエハ作製にの際の歪み（変形）を考慮した補正の入っているデータを補正図形データと言う。
そして、一般には、元図形データに対し光近接効果補正を行なう処理をＯＰＣ処理と言い、ＯＰＣ処理により元図形データを補正した補正データをＯＰＣ処理データとも言う。
尚、図形データのことをパタンデータとも言う。
フォトマスクのパタンを形成するための図形データは、種々の図形情報から構成され、Ｘ−Ｙ座標表現されている。
【０００５】
従来の補正図形データ発生の方法の第１の例を、図４、図５を用いて、従来の補正図形データ発生の方法の第２の例を、図６、図７を用いて説明する。
尚、図４は補正図形データ発生の方法の第１の例のフロー図で、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）は元図形データの例であり、図５（ａ）（イ）の場合、図形角に補正が必要であり、図５（ｂ）（イ）の場合、疎に配置された部分に補正が必要となる。
図５（ａ）（ロ）、図５（ｂ）（ロ）は、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）の元図形データに第１の方法で補正図形を生成したパタン、図５（ａ）（ハ）、図５（ｂ）（ハ）は、それぞれ、図５（ａ）（ロ）、図５（ｂ）（ロ）のパタン形状に作製されたフォトマスクによつてウエハ転写されたパタン（以降、ウエハパタンとも言う）である。
そして、図６は補正図形データ発生の方法の第２の例のフロー図で、図７の（ａ）（イ）、図７（ｂ）（イ）は元図形データ、図７の（ａ）（ロ）、図７（ｂ）（ロ）は第２の方法で補正図形を生成したパタン、図７（ａ）（ハ）、図７（ｂ）（ハ）は、それぞれ、図７（ａ）（ロ）、図７（ｂ）（ロ）のパタンによって作成されたフォトマスクによってウエハ転写されたパタンである。
尚、こここでは、以下、説明を分かり易くするため、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）の元図形データは、それぞれ、図７（ａ）（イ）、図７（ｂ）（イ）の元図形データと同じとする。
また、図４中のＳ４１０〜Ｓ４９０、図６中のＳ６１０〜Ｓ６７０は、処理ステップを示す。
【０００６】
第１の方法は、図１のフロー図に示すように、光近接効果により元図形データがウエハ上に形成された場合の変形の情報により、光近接効果補正用の補正図形データを決定する方法である。
そして、元図形データに対し、光近接効果補正処理（ＯＰＣ処理）のみを施した図形データにて、フォトマスク作製を行なう。
この方法は、元図形データとフォトマスク上のパタンの忠実性が保てることを前提としている。
即ち、元図形データとフォトマスク上に形成されたパタンの間にも、製造上少しの違いを生じるが、従来は、形成するパタンはそれほど小さくなく、その違いの品質面への影響は小で無視できるものとしている。
この場合、図５（ａ）（イ）の元図形データの凸角に、あらかじめ得ている光近接効果により元図形データがウエハ上に形成された場合の変形の情報により決定されたサイズのパタン（図形）、この例では正方形の図形を発生する。
一方、図５（ｂ）（イ）の元図形データの疎に配置された部分が幅が細くなる現象を補正する図形を発生させる。
このような補正図形を生成したパタンデータを用いて製造されたフォトマスクによって、ウエハ転写された場合、図５（ａ）（ハ）、図５（ｂ）（ハ）のようなパタン（図形）がウエハ上に形成される。
【０００７】
しかし、最近では、ウエハパタンの微細化、高密度化に伴う、マスクパタンの微細化、高密度化が更に進み、従来前提とされていた元図形データとフォトマスク上のパタンの忠実性が保てなくなり、元図形データとフォトマスク上に形成されたパタンとの違いがウエハ上に形成するウエハパタンに影響してしまうことも考慮する必要性が出てきた。
【０００８】
そこで、第２の方法では、第１の方法における、元図形データに対して光近接効果補正処理（ＯＰＣ処理）のみを施した図形データに対し、更に、フォトマスク製造における歪み（変形）を考慮した補正を加えることにより、元図形データとフォトマスクの忠実性を維持するものである。
第２の方法は、フォトマスクパタンをガラス基板上に製造する場合に、パタンの形状及びその配置により、元図形データと比較して変形する情報により決定された補正パタンを、図５で得られたような補正済パタンに更に補正を加えるものである。
図５（ａ）（ロ）、図５（ｂ）（ロ）の補正済みパタンの補正パタン（補正図形５２１）の角に、フォトマスク製造時の歪み（変形）考慮し、補正パタンを加え、更に、疎に配置された部分が幅が細くなる現象を補正する図形に補正を加えることにより、それぞれ、図７（ａ）（ロ）、図７（ｂ）（ロ）に示す補正図形パタンを得る。
【０００９】
しかしながら、製造されるＬＳＩは高密度化し、設計データに含まれる図形データに量が飛躍的に多くなっている現状で、このような補正パタン生成処理時間は長大化する傾向にある。
したがって、第１の方法で補正パタンが加えられ、更に第２の方法で加えられるならば、その処理は実用的な時間で行えなくなり、結果得られるフォトマスク製造用のパタンのデータサイズも同様に実用的なものではなくなってくる。
つまり、従来の第１の方法では、設計データの元図形パタンと実際に形成されるフォトマスク上のパタンの忠実性が失われる問題があり、第２の方法は、補正パタンを生成する計算機、露光機、などの製造装置に多大なリソースを必要とし、実用的な方法ではない、という問題があった
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、最近では、マスクパタンの微細化、高密度化が更に進み、元図形データとフォトマスク上に形成されたパタンとの違いが、ウエハ上に形成するウエハパタンに影響してしまうことも考慮する必要性が出てきたため、この対応が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、最近の、マスクパタンの微細化、高密度化が進む中、ウエハ上に目的とするパタン形状を得ることができる、フォトマスクを形成するための、元図形データを補正した補正データであるフォトマスクパタンデータの作成方法を提供しようとするものである。
同時に、扱うデータ量が膨大とならず、処理時間が実用的となる処理ができるフォトマスクパタンデータの作成方法を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法は、ウエハ上に目的とするパタン形状を得るために、フォトマスクのパタンを作成するための描画を行う電子ビーム露光描画装置に用いられる設計データの元図形データを補正した、補正パタンデータを、露光描画装置用図形データとして新たに生成する、フォトマスクパタンデータ作成方法であって、（ａ）設計データの元図形データをデジタルデータとして取り込む、第１のステップと、（ｂ）元図形データを用いてフォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を取り出す第２のステップと、（ｃ）フォトマスクを用いてウエハ上にパタンを製造する際に生じる形成パタンの歪み（変形）に関する情報を取り出す第３のステップと、（ｄ）元図形データに対して、第２のステップと第３のステップで得られた情報を合せ、補正する箇所と補正する量を決定する情報を得る第４のステップと、（ｅ）第４のステップで得られた情報を基に、設計データの元図形データに対し、補正用の補正図形を発生させて、補正パタンデータを得る第５のステップとを有し、前記第４のステップの、補正する箇所と補正する量の決定は、疎密パタンに対しては、Ｘ方向及びＹ方向の長さに関する変形に対処するものとし、元図形データのＸ方向及びＹ方向の長さを変更する補正を施し、その補正量は、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとし、周囲にパタンが存在しないコーナーにおいて角が丸くなるところに対しては、一辺の長さＬの正方形からなる補正図形を発生させ、Ｌは、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとすることを特徴とするものである。
そして、上記のフォトマスクパタンデータ作成方法であって、第３のステップは、シミュレーションにより、元図形データと同形のマスクパタンをウエハに投影転写した際の、各部の光の回折により歪む（変形する）量を抽出して、抽出されたデータを形成パタンの歪み（変形）に関する情報とするものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかのフォトマスクパタンデータ作成方法であって、第２のステップは、所定の図形データの図形あるいは図形群をモデルとして、図形あるいは図形群からの歪み（変形）をデータベース化しておいて、これより、各箇所の変形量を推定して、フォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を取り出すものであることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】
本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法は、このような構成にすることにより、最近の、マスクパタンの微細化、高密度化が進む中、ウエハ上に目的とするパタン形状を得ることができる、フォトマスクを形成するためのフォトマスクパタンデータの作成方法の提供を可能としている。
同時に、扱うデータ量が膨大とならず、処理時間が実用的となる処理ができるフォトマスクパタンデータの作成方法の提供を可能としている。
具体的には、ウエハ上に目的とするパタン形状を得るために、フォトマスクのパタンを作成するための描画を行う電子ビーム露光描画装置に用いられる設計データの元図形データを補正した、補正パタンデータを、露光描画装置用図形データとして新たに生成する、フォトマスクパタンデータ作成方法であって、（ａ）設計データの元図形データをデジタルデータとして取り込む、第１のステップと、（ｂ）元図形データを用いてフォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を取り出す第２のステップと、（ｃ）フォトマスクを用いてウエハ上にパタンを製造する際に生じる形成パタンの歪み（変形）に関する情報を取り出す第３のステップと、（ｄ）元図形データに対して、第２のステップと第３のステップで得られた情報を合せ、補正する箇所と補正する量を決定する情報を得る第４のステップと、（ｅ）第４のステップで得られた情報を基に、設計データの元図形データに対し、補正用の補正図形を発生させて、補正パタンデータを得る第５のステップとを有し、前記第４のステップの、補正する箇所と補正する量の決定は、疎密パタンに対しては、Ｘ方向及びＹ方向の長さに関する変形に対処するものとし、元図形データのＸ方向及びＹ方向の長さを変更する補正を施し、その補正量は、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとし、周囲にパタンが存在しないコーナーにおいて角が丸くなるところに対しては、一辺の長さＬの正方形からなる補正図形を発生させ、Ｌは、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとすることにより、これを達成している。
第３のステップは、シミュレーションにより、元図形データと同形のマスクパタンをウエハに投影転写した際の、各部の光の回折により歪む（変形する）量を抽出して、抽出されたデータを形成パタンの歪み（変形）に関する情報とするものであることにより、光の回折により歪む（変形する）量を、比較的簡単に取得することを可能としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法の実施の形態の１例を、図に基づいて説明する。
本例は、ウエハ上に目的とするパタン形状を得るために、フォトマスクのパタンを作成するための描画を行なうラスター型の電子ビーム露光描画装置に用いられる設計データの元図形データを補正した、補正パタンデータを、露光描画装置用図形データとして新たに生成する、フォトマスクパタンデータ作成方法の例である。
図１は、本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法の実施の形態例のフロー図で、図２、図３は、対応する元図形データの図形と、補正図形データの図形と、とウエハパタンとを対比して示した図である。
尚、図１中、Ｓ１００〜Ｓ１７０は処理ステップを示す。
図１〜図３、図５、図７中、１１０は元図形データの図形、１２０は補正図形、１２１、１２２は補正図形内の領域、１３０はウエハパタン、２１０は元図形データの図形、２２０は補正図形、２２１、２２２は補正図形内の領域、２３０はウエハパタン、５１０、５１１は元図形データの図形、５２１は補正図形、５３０、５３１はウエハパタン、７１０、７１１は元図形データの図形、７２０は補正図形、７２１、７２２は補正図形内の領域、７３０、７３１はウエハパタンである。
【００１５】
先ず、回路設計に即して作成された設計データ（Ｓ１００）から、元図形データをデジタルデータとして取り込む第１のステップを行なう。（Ｓ１１０）
作成された設計データは通常、所定のフォーマットで変換されて計算機に取り込まれる。
【００１６】
次いで、元図形データを用いてフォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を抽出する第２のステップを行なう。（Ｓ１２０）
フォトマスク補正情報をＸ−Ｙ直交座標表現で抽出する。
元図形データを用いてフォトマスクを作製し、フォトマスク形状を調査し、元図形データからの歪み（変形）を量的に得ることができる。
尚、所定の元図形データの図形あるいは図形群をモデルとして、図形あるいは図形群からの歪み（変形）をデータベース化しておいて、これより、各箇所の変形量を推定して、これを用いても良い。
元図形データ上で、図３（ａ）に示すような、Ｘ方向よりＹ方向の長さが長いラインパタンが何本か密集した疎密パタンについては、疎密状態によって、元図形データの図形（図３（ａ））とフォトマスク上のパタンの差異の表れ方が異なる。
疎密状態が疎である場合、フォトマスク上にデータを描画した際に、元図形データよりも、描画後のフォトマスク上でのパタンのＸ方向およびＹ方向の長さが短くなり、線幅が細くなったり、線の長さが短くなる。
これとは逆に、互いに向き合っているパタンとパタンとの間隙が著しく狭い疎密状態が密の場合、フォトマスク上にデータを描画した際に、元図形データよりも、描画後のフォトマスク上では、パタン同士が向い合う方向の長さが長くなり、線幅が太くなる。
元図形データ上で、図２（ａ）に示すような、周囲にパタンが存在しないコーナーは、フォトマスク上にデータを描画した際に、コーナーのＸ方向、Ｙ方向の長さがそれぞれ短くなり、角が丸くなる。
【００１７】
一方、フォトマスクを用いてウエハ上にパタンを製造する際に生じる形成パタンの歪み（変形）に関する情報を抽出しておく第3 のステップを行なう。（Ｓ１３０）
第３のステップとしては、例えば、シミュレーションにより、元図形データと同形のマスクパタンをウエハに投影転写した際の、各部の光の回折により歪む（変形する）量を抽出して、抽出されたデータを形成パタンの歪み（変形）に関する情報とするものが挙げられる。
これより、光の回折により歪む（変形する）量をＸ−Ｙ直交座標表現で抽出する。
ウエハ上への投影転写の際の光の回折による歪む（変形する）量を求めることができるシミュレーションテスト装置（シミュレーションプログラム）としては、Ｆｉｎｌｅ社のＰｒｏｌｉｔｈが知られているが、これに限定はされない。
元図形データ上で、図３（ａ）に示すような、Ｘ方向よりＹ方向の長さが長いラインパタンが何本か密集した疎密パタンについては、元図形データの図形（図３（ａ））と同じ形状のマスクパタンとウエハ上のパタンとは、疎密状態によって、差異の表れ方が異なる。
疎密状態が疎である場合、ウエハ上にパタンを露光した際に、元図形データよりも、露光後のウエハ上でのパタンのＸ方向およびＹ方向の長さが短くなり、線幅が細くふなったり、線の長さが短くなる。
これとは逆に、互いに向き合っているパタンとパタンとの間隙が著しく狭い疎密状態が密の場合、ウエハ上にパタンを露光した際に、元図形データよりも、露光後のウエハ上で、パタン同士が向い合う方向の長さが長くなり、線幅が太くなる。
元図形データ上で、図２（ａ）に示すような、周囲にパタンが存在しないコーナーは、ウエハ上にパタンを露光した際、コーナーのＸ方向、Ｙ方向の長さがそれぞれ短くなり、角が丸くなる。
【００１８】
次いで、元図形データに対して、第２のステップと第３のステップで得られた情報を合せ、補正する箇所と補正する量を決定する情報を得る第４のステップを行なう。（Ｓ１４０）
フォトマスク作製の際の変形量と、ウエハの転写の際の変形量とは、通常異なり、両者を合せて考慮し、補正する箇所毎に補正する量を決定する。
元図形データ上で、図３（ａ）に示すような、Ｘ方向よりＹ方向の長さが長いラインパタンが何本か密集した疎密パタンについては、例えば、図３（ｂ）に示すように、元図形データに対して、Ｘ方向に補正量分の幅と、Ｙ方向に補正させる個所の長さを持った、補正図形データを発生させる。
この場合、フォトマスク作製の際、およびウエハパタン形成の際に、Ｘ方向が長くなるところは、元図形データに対して、Ｘ方向に補正量分の幅と、Ｙ方向に補正させる個所の長さを持った補正図形データ分だけ、元図形を補正する。
また、フォトマスク作製の際、およびウエハパタン形成の際に、Ｙ方向の長さが短くなるところは、元図形データに対して、Ｙ方向に補正量分の長さと、Ｘ方向に補正させる個所の幅を持った補正図形データを発生させる。
元図形データの疎密パタン（図３（ａ））に施す補正量は、フォトマスク作製の際の歪み（変形）に対する補正量と、ウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものであり、これらの補正量に対応して、補正図形データを発生させる。
元図形データ上で、図２（ａ）に示すような、周囲にパタンが存在しないコーナーにおいて、描画後および、露光後にコーナーのＸ方向、Ｙ方向の長さがそれぞれ短くなり、角が丸くなるところには、例えば、図２（ｂ）に示すように，Ｘ方向幅Ｌ、Ｙ方向幅Ｌの１辺の長さをＬとする正方形からなる補正図形を、補正図形の中心がコーナーの先端に来るように、かつ正方形のＸ方向の辺とコーナーを形成する２辺のうちＸ方向の辺とが平行になるように発生させる。
Ｌは、フォトマスク作製の際の歪み（変形）に対する補正量と、ウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合せたものである。
図２、図３中、１２１、２２１はウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量、１２２、２２２はフォトマスク作製の際の歪み（変形）に対する補正量に対応する。
【００１９】
次いで、第４のステップで得られた情報を基に、設計データの元図形データに対し、補正用の補正図形を発生させて、補正パタンデータを得る第５のステップを行なう。（Ｓ１５０）
本例では、補正用の図形を発生させるため、その発生させる矩形図形の位置と大きさを決めるデータを、第４のステップで得られた情報から得て、設計データの元図形データに対し、補正用の補正図形を発生させ、元図形データと補正図形とを合成したデータである補正パタンデータを得る。
【００２０】
次いで、第５のステップで得られた補正パタンデータを用いて、フォトマスクを作製し（Ｓ１６０）、作製されたフォトマスクを用いてウエハ上に露光転写する。（Ｓ１７０）
上記のように得られた補正パタンデータにより、従来の図４に示す第１の方法よりも高精度なパタンを得ることのできる従来の図６に示す第２の方法と同等な結果を得、かつ、従来の第２の方法と比べてデータ量も少ない補正パタンデータが生成される。
【００２１】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、最近の、マスクパタンの微細化、高密度化が進む中、ウエハ上に目的とするパタン形状を得ることができる、フォトマスクを形成するための、元図形データを補正した補正データであるフォトマスクパタンデータの作成方法の提供を可能とした。
同時に、扱うデータ量が膨大とならず、処理時間が実用的となる処理ができるフォトマスクパタンデータの作成方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法の実施の形態例のフロー図
【図２】対応する元図形データの図形と、補正図形データの図形と、とウエハパタンとを対比して示した図
【図３】対応する、元図形データの図形と、補正図形データの図形と、とウエハパタンとを対比して示した図
【図４】従来の、第１の方法補正パタンデータ作成方法のフロー図
【図５】対応する、元図形データの図形と、補正図形データの図形と、ウエハパタンとを対比して示した図
【図６】従来の、第２の方法補正パタンデータ作成方法のフロー図
【図７】対応する、元図形データの図形と、補正図形データの図形と、ウエハパタンとを対比して示した図
【図８】ＯＰＣ（光近接効果補正）と、ＯＰＣ部を設けたＥＢ描画装置用の図形データを説明するための図
【符号の説明】
１１０ 元図形データ
１２０ 補正図形
１２１、１２２ 補正図形内の領域
１３０ ウエハパタン
２１０ 元図形データの図形
２２０ 補正図形
２２１、２２２ 補正図形内の領域
２３０ ウエハパタン
５１０、５１１ 元図形データの図形
５２１ 補正図形
５３０、５３１ ウエハパタン
７１０、７１１ 元図形データの図形
７２０ 補正図形
７２１、７２２ 補正図形内の領域
７３０、７３１ ウエハパタン
８１０ 設計図形データ
８１５ 形成パタン
８２０ 補正図形データ
８２５ 形成パタン
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の微細化、高密度化に伴なう、フォトマスク製造用の設計データの補正処理に関し、詳しくは、フォトマスクのパタンを作成するための露光描画装置に用いられる元図形データを、ウエハ上に目的とするパタン形状を得るために、補正する、元図形データの補正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高機能化と軽薄短小の傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳｌには、ますます高集積化、高機能化が求められるようになってきた。
即ち、できるだけチップサイズを小さくして、高機能を実現することがＡＳＩＣ等のＬＳＩには求められている。
上記ＡＳＩＣ等のＬＳＩは、機能、論理設計、回路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパタン作製用の図形データ（パタンデータとも言う）を作製し、これを用いてフォトマスクを作製した後、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光等により転写して、半導体素子作製のプロセスを行うという数々の工程を経て作製されるものである。
フォトマスクは、一般には、上記図形データ（パタンデータ）を用い、電子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光装置を用いて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て、作製される。
即ち、ガラス基板の一面に遮光性の金属薄膜を設けたフォトマスク用基板の金属薄膜上に塗布、乾燥された感光性のレジスト上に、露光装置により電離放射線を所定の領域のみに照射して潜像を形成し、感光性のレジストを現像して、電離放射線の照射領域に対応した、所望の形状のレジストパターン得た後、更に、レジストパターンを耐エッチングレジストとして、金属薄膜をレジストパターン形状に加工して、所望の金属薄膜パターンを有するフォトマスクを得る。
尚、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光して、その絵柄を転写する場合は、フォトマスクをレチクルマスクとも言う。
【０００３】
フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光等により転写する際、光近接効果と呼ばれる露光形状の歪みが発生する。
これは、露光形状のサイズ（ウエハ上の露光サイズ）が、露光光の波長に近づく、あるいは光の波長よりも小さくなったときに、光の回折現象により、フォトマスクのパタンの形状を忠実に露光することができなく、ウエハ上に露光される露光形状に歪みが発生するものである。
フォトマスクのパタン（光を透過させる部分の形状）が図８（ａ）（イ）に示すような形状をしている場合には、ウエハ上に形成されるパタン形状は図８（ａ）（ロ）のようになる。
このため、図８（ａ）（イ）に示すような形状をウエハ上に形成されるパタン形状として得たい場合には、フォトマスクのパタン（光を透過させる部分の形状）を図８（ｂ）（イ）のように補正して、ウエハ上に形成されるパタン形状を図８（ｂ）（ロ）のようにする。
このような光の回折の影響を考慮した補正を、光近接効果補正あるいはＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）と言う。
【０００４】
以下、フォトマスクのパタンを形成するための図形データで、回路設計に即した、マスク作製やウエハ作製の際の歪み（変形）を考慮した補正の入っていないデータを、設計データの元図形データあるいは単に元図形データと呼ぶ。
また、マスク作製やウエハ作製にの際の歪み（変形）を考慮した補正の入っているデータを補正図形データと言う。
そして、一般には、元図形データに対し光近接効果補正を行なう処理をＯＰＣ処理と言い、ＯＰＣ処理により元図形データを補正した補正データをＯＰＣ処理データとも言う。
尚、図形データのことをパタンデータとも言う。
フォトマスクのパタンを形成するための図形データは、種々の図形情報から構成され、Ｘ−Ｙ座標表現されている。
【０００５】
従来の補正図形データ発生の方法の第１の例を、図４、図５を用いて、従来の補正図形データ発生の方法の第２の例を、図６、図７を用いて説明する。
尚、図４は補正図形データ発生の方法の第１の例のフロー図で、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）は元図形データの例であり、図５（ａ）（イ）の場合、図形角に補正が必要であり、図５（ｂ）（イ）の場合、疎に配置された部分に補正が必要となる。
図５（ａ）（ロ）、図５（ｂ）（ロ）は、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）の元図形データに第１の方法で補正図形を生成したパタン、図５（ａ）（ハ）、図５（ｂ）（ハ）は、それぞれ、図５（ａ）（ロ）、図５（ｂ）（ロ）のパタン形状に作製されたフォトマスクによつてウエハ転写されたパタン（以降、ウエハパタンとも言う）である。
そして、図６は補正図形データ発生の方法の第２の例のフロー図で、図７の（ａ）（イ）、図７（ｂ）（イ）は元図形データ、図７の（ａ）（ロ）、図７（ｂ）（ロ）は第２の方法で補正図形を生成したパタン、図７（ａ）（ハ）、図７（ｂ）（ハ）は、それぞれ、図７（ａ）（ロ）、図７（ｂ）（ロ）のパタンによって作成されたフォトマスクによってウエハ転写されたパタンである。
尚、こここでは、以下、説明を分かり易くするため、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）の元図形データは、それぞれ、図７（ａ）（イ）、図７（ｂ）（イ）の元図形データと同じとする。
また、図４中のＳ４１０〜Ｓ４９０、図６中のＳ６１０〜Ｓ６７０は、処理ステップを示す。
【０００６】
第１の方法は、図１のフロー図に示すように、光近接効果により元図形データがウエハ上に形成された場合の変形の情報により、光近接効果補正用の補正図形データを決定する方法である。
そして、元図形データに対し、光近接効果補正処理（ＯＰＣ処理）のみを施した図形データにて、フォトマスク作製を行なう。
この方法は、元図形データとフォトマスク上のパタンの忠実性が保てることを前提としている。
即ち、元図形データとフォトマスク上に形成されたパタンの間にも、製造上少しの違いを生じるが、従来は、形成するパタンはそれほど小さくなく、その違いの品質面への影響は小で無視できるものとしている。
この場合、図５（ａ）（イ）の元図形データの凸角に、あらかじめ得ている光近接効果により元図形データがウエハ上に形成された場合の変形の情報により決定されたサイズのパタン（図形）、この例では正方形の図形を発生する。
一方、図５（ｂ）（イ）の元図形データの疎に配置された部分が幅が細くなる現象を補正する図形を発生させる。
このような補正図形を生成したパタンデータを用いて製造されたフォトマスクによって、ウエハ転写された場合、図５（ａ）（ハ）、図５（ｂ）（ハ）のようなパタン（図形）がウエハ上に形成される。
【０００７】
しかし、最近では、ウエハパタンの微細化、高密度化に伴う、マスクパタンの微細化、高密度化が更に進み、従来前提とされていた元図形データとフォトマスク上のパタンの忠実性が保てなくなり、元図形データとフォトマスク上に形成されたパタンとの違いがウエハ上に形成するウエハパタンに影響してしまうことも考慮する必要性が出てきた。
【０００８】
そこで、第２の方法では、第１の方法における、元図形データに対して光近接効果補正処理（ＯＰＣ処理）のみを施した図形データに対し、更に、フォトマスク製造における歪み（変形）を考慮した補正を加えることにより、元図形データとフォトマスクの忠実性を維持するものである。
第２の方法は、フォトマスクパタンをガラス基板上に製造する場合に、パタンの形状及びその配置により、元図形データと比較して変形する情報により決定された補正パタンを、図５で得られたような補正済パタンに更に補正を加えるものである。
図５（ａ）（ロ）、図５（ｂ）（ロ）の補正済みパタンの補正パタン（補正図形５２１）の角に、フォトマスク製造時の歪み（変形）考慮し、補正パタンを加え、更に、疎に配置された部分が幅が細くなる現象を補正する図形に補正を加えることにより、それぞれ、図７（ａ）（ロ）、図７（ｂ）（ロ）に示す補正図形パタンを得る。
【０００９】
しかしながら、製造されるＬＳＩは高密度化し、設計データに含まれる図形データに量が飛躍的に多くなっている現状で、このような補正パタン生成処理時間は長大化する傾向にある。
したがって、第１の方法で補正パタンが加えられ、更に第２の方法で加えられるならば、その処理は実用的な時間で行えなくなり、結果得られるフォトマスク製造用のパタンのデータサイズも同様に実用的なものではなくなってくる。
つまり、従来の第１の方法では、設計データの元図形パタンと実際に形成されるフォトマスク上のパタンの忠実性が失われる問題があり、第２の方法は、補正パタンを生成する計算機、露光機、などの製造装置に多大なリソースを必要とし、実用的な方法ではない、という問題があった
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、最近では、マスクパタンの微細化、高密度化が更に進み、元図形データとフォトマスク上に形成されたパタンとの違いが、ウエハ上に形成するウエハパタンに影響してしまうことも考慮する必要性が出てきたため、この対応が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、最近の、マスクパタンの微細化、高密度化が進む中、ウエハ上に目的とするパタン形状を得ることができる、フォトマスクを形成するための、元図形データを補正した補正データであるフォトマスクパタンデータの作成方法を提供しようとするものである。
同時に、扱うデータ量が膨大とならず、処理時間が実用的となる処理ができるフォトマスクパタンデータの作成方法を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法は、ウエハ上に目的とするパタン形状を得るために、フォトマスクのパタンを作成するための描画を行う電子ビーム露光描画装置に用いられる設計データの元図形データを補正した、補正パタンデータを、露光描画装置用図形データとして新たに生成する、フォトマスクパタンデータ作成方法であって、（ａ）設計データの元図形データをデジタルデータとして取り込む、第１のステップと、（ｂ）元図形データを用いてフォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を取り出す第２のステップと、（ｃ）フォトマスクを用いてウエハ上にパタンを製造する際に生じる形成パタンの歪み（変形）に関する情報を取り出す第３のステップと、（ｄ）元図形データに対して、第２のステップと第３のステップで得られた情報を合せ、補正する箇所と補正する量を決定する情報を得る第４のステップと、（ｅ）第４のステップで得られた情報を基に、設計データの元図形データに対し、補正用の補正図形を発生させて、補正パタンデータを得る第５のステップとを有し、前記第４のステップの、補正する箇所と補正する量の決定は、疎密パタンに対しては、Ｘ方向及びＹ方向の長さに関する変形に対処するものとし、元図形データのＸ方向及びＹ方向の長さを変更する補正を施し、その補正量は、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとし、周囲にパタンが存在しないコーナーにおいて角が丸くなるところに対しては、一辺の長さＬの正方形からなる補正図形を発生させ、Ｌは、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとすることを特徴とするものである。
そして、上記のフォトマスクパタンデータ作成方法であって、第３のステップは、シミュレーションにより、元図形データと同形のマスクパタンをウエハに投影転写した際の、各部の光の回折により歪む（変形する）量を抽出して、抽出されたデータを形成パタンの歪み（変形）に関する情報とするものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかのフォトマスクパタンデータ作成方法であって、第２のステップは、所定の図形データの図形あるいは図形群をモデルとして、図形あるいは図形群からの歪み（変形）をデータベース化しておいて、これより、各箇所の変形量を推定して、フォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を取り出すものであることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】
本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法は、このような構成にすることにより、最近の、マスクパタンの微細化、高密度化が進む中、ウエハ上に目的とするパタン形状を得ることができる、フォトマスクを形成するためのフォトマスクパタンデータの作成方法の提供を可能としている。
同時に、扱うデータ量が膨大とならず、処理時間が実用的となる処理ができるフォトマスクパタンデータの作成方法の提供を可能としている。
具体的には、ウエハ上に目的とするパタン形状を得るために、フォトマスクのパタンを作成するための描画を行う電子ビーム露光描画装置に用いられる設計データの元図形データを補正した、補正パタンデータを、露光描画装置用図形データとして新たに生成する、フォトマスクパタンデータ作成方法であって、（ａ）設計データの元図形データをデジタルデータとして取り込む、第１のステップと、（ｂ）元図形データを用いてフォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を取り出す第２のステップと、（ｃ）フォトマスクを用いてウエハ上にパタンを製造する際に生じる形成パタンの歪み（変形）に関する情報を取り出す第３のステップと、（ｄ）元図形データに対して、第２のステップと第３のステップで得られた情報を合せ、補正する箇所と補正する量を決定する情報を得る第４のステップと、（ｅ）第４のステップで得られた情報を基に、設計データの元図形データに対し、補正用の補正図形を発生させて、補正パタンデータを得る第５のステップとを有し、前記第４のステップの、補正する箇所と補正する量の決定は、疎密パタンに対しては、Ｘ方向及びＹ方向の長さに関する変形に対処するものとし、元図形データのＸ方向及びＹ方向の長さを変更する補正を施し、その補正量は、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとし、周囲にパタンが存在しないコーナーにおいて角が丸くなるところに対しては、一辺の長さＬの正方形からなる補正図形を発生させ、Ｌは、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとすることにより、これを達成している。
第３のステップは、シミュレーションにより、元図形データと同形のマスクパタンをウエハに投影転写した際の、各部の光の回折により歪む（変形する）量を抽出して、抽出されたデータを形成パタンの歪み（変形）に関する情報とするものであることにより、光の回折により歪む（変形する）量を、比較的簡単に取得することを可能としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法の実施の形態の１例を、図に基づいて説明する。
本例は、ウエハ上に目的とするパタン形状を得るために、フォトマスクのパタンを作成するための描画を行なうラスター型の電子ビーム露光描画装置に用いられる設計データの元図形データを補正した、補正パタンデータを、露光描画装置用図形データとして新たに生成する、フォトマスクパタンデータ作成方法の例である。
図１は、本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法の実施の形態例のフロー図で、図２、図３は、対応する元図形データの図形と、補正図形データの図形と、とウエハパタンとを対比して示した図である。
尚、図１中、Ｓ１００〜Ｓ１７０は処理ステップを示す。
図１〜図３、図５、図７中、１１０は元図形データの図形、１２０は補正図形、１２１、１２２は補正図形内の領域、１３０はウエハパタン、２１０は元図形データの図形、２２０は補正図形、２２１、２２２は補正図形内の領域、２３０はウエハパタン、５１０、５１１は元図形データの図形、５２１は補正図形、５３０、５３１はウエハパタン、７１０、７１１は元図形データの図形、７２０は補正図形、７２１、７２２は補正図形内の領域、７３０、７３１はウエハパタンである。
【００１５】
先ず、回路設計に即して作成された設計データ（Ｓ１００）から、元図形データをデジタルデータとして取り込む第１のステップを行なう。（Ｓ１１０）
作成された設計データは通常、所定のフォーマットで変換されて計算機に取り込まれる。
【００１６】
次いで、元図形データを用いてフォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を抽出する第２のステップを行なう。（Ｓ１２０）
フォトマスク補正情報をＸ−Ｙ直交座標表現で抽出する。
元図形データを用いてフォトマスクを作製し、フォトマスク形状を調査し、元図形データからの歪み（変形）を量的に得ることができる。
尚、所定の元図形データの図形あるいは図形群をモデルとして、図形あるいは図形群からの歪み（変形）をデータベース化しておいて、これより、各箇所の変形量を推定して、これを用いても良い。
元図形データ上で、図３（ａ）に示すような、Ｘ方向よりＹ方向の長さが長いラインパタンが何本か密集した疎密パタンについては、疎密状態によって、元図形データの図形（図３（ａ））とフォトマスク上のパタンの差異の表れ方が異なる。
疎密状態が疎である場合、フォトマスク上にデータを描画した際に、元図形データよりも、描画後のフォトマスク上でのパタンのＸ方向およびＹ方向の長さが短くなり、線幅が細くなったり、線の長さが短くなる。
これとは逆に、互いに向き合っているパタンとパタンとの間隙が著しく狭い疎密状態が密の場合、フォトマスク上にデータを描画した際に、元図形データよりも、描画後のフォトマスク上では、パタン同士が向い合う方向の長さが長くなり、線幅が太くなる。
元図形データ上で、図２（ａ）に示すような、周囲にパタンが存在しないコーナーは、フォトマスク上にデータを描画した際に、コーナーのＸ方向、Ｙ方向の長さがそれぞれ短くなり、角が丸くなる。
【００１７】
一方、フォトマスクを用いてウエハ上にパタンを製造する際に生じる形成パタンの歪み（変形）に関する情報を抽出しておく第3 のステップを行なう。（Ｓ１３０）
第３のステップとしては、例えば、シミュレーションにより、元図形データと同形のマスクパタンをウエハに投影転写した際の、各部の光の回折により歪む（変形する）量を抽出して、抽出されたデータを形成パタンの歪み（変形）に関する情報とするものが挙げられる。
これより、光の回折により歪む（変形する）量をＸ−Ｙ直交座標表現で抽出する。
ウエハ上への投影転写の際の光の回折による歪む（変形する）量を求めることができるシミュレーションテスト装置（シミュレーションプログラム）としては、Ｆｉｎｌｅ社のＰｒｏｌｉｔｈが知られているが、これに限定はされない。
元図形データ上で、図３（ａ）に示すような、Ｘ方向よりＹ方向の長さが長いラインパタンが何本か密集した疎密パタンについては、元図形データの図形（図３（ａ））と同じ形状のマスクパタンとウエハ上のパタンとは、疎密状態によって、差異の表れ方が異なる。
疎密状態が疎である場合、ウエハ上にパタンを露光した際に、元図形データよりも、露光後のウエハ上でのパタンのＸ方向およびＹ方向の長さが短くなり、線幅が細くふなったり、線の長さが短くなる。
これとは逆に、互いに向き合っているパタンとパタンとの間隙が著しく狭い疎密状態が密の場合、ウエハ上にパタンを露光した際に、元図形データよりも、露光後のウエハ上で、パタン同士が向い合う方向の長さが長くなり、線幅が太くなる。
元図形データ上で、図２（ａ）に示すような、周囲にパタンが存在しないコーナーは、ウエハ上にパタンを露光した際、コーナーのＸ方向、Ｙ方向の長さがそれぞれ短くなり、角が丸くなる。
【００１８】
次いで、元図形データに対して、第２のステップと第３のステップで得られた情報を合せ、補正する箇所と補正する量を決定する情報を得る第４のステップを行なう。（Ｓ１４０）
フォトマスク作製の際の変形量と、ウエハの転写の際の変形量とは、通常異なり、両者を合せて考慮し、補正する箇所毎に補正する量を決定する。
元図形データ上で、図３（ａ）に示すような、Ｘ方向よりＹ方向の長さが長いラインパタンが何本か密集した疎密パタンについては、例えば、図３（ｂ）に示すように、元図形データに対して、Ｘ方向に補正量分の幅と、Ｙ方向に補正させる個所の長さを持った、補正図形データを発生させる。
この場合、フォトマスク作製の際、およびウエハパタン形成の際に、Ｘ方向が長くなるところは、元図形データに対して、Ｘ方向に補正量分の幅と、Ｙ方向に補正させる個所の長さを持った補正図形データ分だけ、元図形を補正する。
また、フォトマスク作製の際、およびウエハパタン形成の際に、Ｙ方向の長さが短くなるところは、元図形データに対して、Ｙ方向に補正量分の長さと、Ｘ方向に補正させる個所の幅を持った補正図形データを発生させる。
元図形データの疎密パタン（図３（ａ））に施す補正量は、フォトマスク作製の際の歪み（変形）に対する補正量と、ウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものであり、これらの補正量に対応して、補正図形データを発生させる。
元図形データ上で、図２（ａ）に示すような、周囲にパタンが存在しないコーナーにおいて、描画後および、露光後にコーナーのＸ方向、Ｙ方向の長さがそれぞれ短くなり、角が丸くなるところには、例えば、図２（ｂ）に示すように，Ｘ方向幅Ｌ、Ｙ方向幅Ｌの１辺の長さをＬとする正方形からなる補正図形を、補正図形の中心がコーナーの先端に来るように、かつ正方形のＸ方向の辺とコーナーを形成する２辺のうちＸ方向の辺とが平行になるように発生させる。
Ｌは、フォトマスク作製の際の歪み（変形）に対する補正量と、ウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合せたものである。
図２、図３中、１２１、２２１はウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量、１２２、２２２はフォトマスク作製の際の歪み（変形）に対する補正量に対応する。
【００１９】
次いで、第４のステップで得られた情報を基に、設計データの元図形データに対し、補正用の補正図形を発生させて、補正パタンデータを得る第５のステップを行なう。（Ｓ１５０）
本例では、補正用の図形を発生させるため、その発生させる矩形図形の位置と大きさを決めるデータを、第４のステップで得られた情報から得て、設計データの元図形データに対し、補正用の補正図形を発生させ、元図形データと補正図形とを合成したデータである補正パタンデータを得る。
【００２０】
次いで、第５のステップで得られた補正パタンデータを用いて、フォトマスクを作製し（Ｓ１６０）、作製されたフォトマスクを用いてウエハ上に露光転写する。（Ｓ１７０）
上記のように得られた補正パタンデータにより、従来の図４に示す第１の方法よりも高精度なパタンを得ることのできる従来の図６に示す第２の方法と同等な結果を得、かつ、従来の第２の方法と比べてデータ量も少ない補正パタンデータが生成される。
【００２１】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、最近の、マスクパタンの微細化、高密度化が進む中、ウエハ上に目的とするパタン形状を得ることができる、フォトマスクを形成するための、元図形データを補正した補正データであるフォトマスクパタンデータの作成方法の提供を可能とした。
同時に、扱うデータ量が膨大とならず、処理時間が実用的となる処理ができるフォトマスクパタンデータの作成方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトマスクパタンデータ作成方法の実施の形態例のフロー図
【図２】対応する元図形データの図形と、補正図形データの図形と、とウエハパタンとを対比して示した図
【図３】対応する、元図形データの図形と、補正図形データの図形と、とウエハパタンとを対比して示した図
【図４】従来の、第１の方法補正パタンデータ作成方法のフロー図
【図５】対応する、元図形データの図形と、補正図形データの図形と、ウエハパタンとを対比して示した図
【図６】従来の、第２の方法補正パタンデータ作成方法のフロー図
【図７】対応する、元図形データの図形と、補正図形データの図形と、ウエハパタンとを対比して示した図
【図８】ＯＰＣ（光近接効果補正）と、ＯＰＣ部を設けたＥＢ描画装置用の図形データを説明するための図
【符号の説明】
１１０ 元図形データ
１２０ 補正図形
１２１、１２２ 補正図形内の領域
１３０ ウエハパタン
２１０ 元図形データの図形
２２０ 補正図形
２２１、２２２ 補正図形内の領域
２３０ ウエハパタン
５１０、５１１ 元図形データの図形
５２１ 補正図形
５３０、５３１ ウエハパタン
７１０、７１１ 元図形データの図形
７２０ 補正図形
７２１、７２２ 補正図形内の領域
７３０、７３１ ウエハパタン
８１０ 設計図形データ
８１５ 形成パタン
８２０ 補正図形データ
８２５ 形成パタン
Claims (3)
- ウエハ上に目的とするパタン形状を得るために、フォトマスクのパタンを作成するための描画を行う電子ビーム露光描画装置に用いられる設計データの元図形データを補正した、補正パタンデータを、露光描画装置用図形データとして新たに生成する、フォトマスクパタンデータ作成方法であって、（ａ）設計データの元図形データをデジタルデータとして取り込む、第１のステップと、（ｂ）元図形データを用いてフォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を取り出す第２のステップと、（ｃ）フォトマスクを用いてウエハ上にパタンを製造する際に生じる形成パタンの歪み（変形）に関する情報を取り出す第３のステップと、（ｄ）元図形データに対して、第２のステップと第３のステップで得られた情報を合せ、補正する箇所と補正する量を決定する情報を得る第４のステップと、（ｅ）第４のステップで得られた情報を基に、設計データの元図形データに対し、補正用の補正図形を発生させて、補正パタンデータを得る第５のステップとを有し、前記第４のステップの、補正する箇所と補正する量の決定は、疎密パタンに対しては、Ｘ方向及びＹ方向の長さに関する変形に対処するものとし、元図形データのＸ方向及びＹ方向の長さを変更する補正を施し、その補正量は、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとし、周囲にパタンが存在しないコーナーにおいて角が丸くなるところに対しては、一辺の長さＬの正方形からなる補正図形を発生させ、Ｌは、フォトマスク作製の際の元図形データからの歪み（変形）に対する補正量と、元図形データと同形のマスクパタンを用いたときのウエハパタン形成の際の歪み（変形）に対する補正量とを足し合わせたものとすることを特徴とするフォトマスクパタンデータ作成方法。
- 請求項１に記載のフォトマスクパタンデータ作成方法であって、第３のステップは、シミュレーションにより、元図形データと同形のマスクパタンをウエハに投影転写した際の、各部の光の回折により歪む（変形する）量を抽出して、抽出されたデータを形成パタンの歪み（変形）に関する情報とするものであることを特徴とするフォトマスクパタンデータ作成方法。
- 請求項１ないし２のいずれか１項に記載のフォトマスクパタンデータ作成方法であって、第２のステップは、所定の図形データの図形あるいは図形群をモデルとして、図形あるいは図形群からの歪み（変形）をデータベース化しておいて、これより、各箇所の変形量を推定して、フォトマスクを製造する際に生じる、形成パタンの元図形データからの歪み（変形）に関する情報を取り出すものであることを特徴とするフォトマスクパタンデータ作成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000142813A JP4876299B2 (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | フォトマスクパタンデータ作成方法 |
| US09/854,841 US6560767B2 (en) | 2000-05-16 | 2001-05-14 | Process for making photomask pattern data and photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000142813A JP4876299B2 (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | フォトマスクパタンデータ作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001324794A JP2001324794A (ja) | 2001-11-22 |
| JP4876299B2 true JP4876299B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=18649716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000142813A Expired - Lifetime JP4876299B2 (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | フォトマスクパタンデータ作成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6560767B2 (ja) |
| JP (1) | JP4876299B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4580529B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2010-11-17 | 大日本印刷株式会社 | 半導体回路の設計パタンデータ補正方法と、補正された設計パタンデータを用いたフォトマスク、該フォトマスクの検査方法およびフォトマスク検査用パタンデータ作製方法 |
| JP4748337B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2011-08-17 | 大日本印刷株式会社 | 半導体回路のテスト用設計回路パタン |
| TW466586B (en) * | 2001-01-17 | 2001-12-01 | United Microelectronics Corp | Unlanded process |
| JP2003022952A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | 描画データ作成システム、描画データ作成方法、描画データ作成プログラム、レチクルの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| US20060123381A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Data generating system, patterning data generating apparatus, method of generating patterning data and storage medium carrying patterning data |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4628466A (en) * | 1984-10-29 | 1986-12-09 | Excellon Industries | Method and apparatus for pattern forming |
| JPH0794376A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | 露光パターンデータの補正方法 |
| JP4316026B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2009-08-19 | 株式会社東芝 | マスクパターンの作製方法及びフォトマスク |
-
2000
- 2000-05-16 JP JP2000142813A patent/JP4876299B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-05-14 US US09/854,841 patent/US6560767B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020028523A1 (en) | 2002-03-07 |
| JP2001324794A (ja) | 2001-11-22 |
| US6560767B2 (en) | 2003-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11340584B2 (en) | Synchronized parallel tile computation for large area lithography simulation | |
| KR20110069044A (ko) | 가변 형상 비임 리소그래피를 이용한 레티클의 광 근접 보정, 설계 및 제조 방법 | |
| JP4160203B2 (ja) | マスクパターン補正方法及びマスクパターン補正プログラムを記録した記録媒体 | |
| JP2002296754A (ja) | マスクの製造方法 | |
| CN113495424B (zh) | 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 | |
| US6571383B1 (en) | Semiconductor device fabrication using a photomask designed using modeling and empirical testing | |
| JP4316026B2 (ja) | マスクパターンの作製方法及びフォトマスク | |
| JP4876299B2 (ja) | フォトマスクパタンデータ作成方法 | |
| JP4580529B2 (ja) | 半導体回路の設計パタンデータ補正方法と、補正された設計パタンデータを用いたフォトマスク、該フォトマスクの検査方法およびフォトマスク検査用パタンデータ作製方法 | |
| JP2004219587A (ja) | 光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法と、光近接補正パターンを有するフォトマスク | |
| JPH1126360A (ja) | マスクパターンの作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置 | |
| JP2009271174A (ja) | マスクパターン作成方法及びパターン形成方法 | |
| JP2004040039A (ja) | 露光方法の選択方法 | |
| JP2005003996A (ja) | フォトマスクとフォトマスクの製造方法及びマスクデータ生成方法 | |
| JP4562934B2 (ja) | フォトマスクデータのｏｐｃ補正処理の検証方法 | |
| JPH11133585A (ja) | 露光用マスク及びその製造方法 | |
| JP4153678B2 (ja) | マスクデータ生成方法、露光マスク作成方法およびパターン形成方法 | |
| JP3366686B2 (ja) | 光露光用マスクの検査方法 | |
| JP4417527B2 (ja) | マスクパタンの形成方法、およびフォトマスク | |
| JPH1195405A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP3592098B2 (ja) | マスクパターン作成方法および装置 | |
| JP2003045780A (ja) | マスク描画データの作成方法 | |
| KR20070069994A (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성용 마스크 제작 방법 | |
| JP2002182363A (ja) | マスク及びパターン形成方法 | |
| JP4657646B2 (ja) | マスクパターン配置方法、マスク作製方法、半導体装置の製造方法、プログラム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070314 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100419 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110113 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111101 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111114 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4876299 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |