JPH0794376A - 露光パターンデータの補正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】第１の補正処理と第２の補正処理の関係を適正
化することにより、機種依存性の少ない露光パターンデ
ータの補正方法を提供すること。 【構成】露光パターンデータを構成する様々な大きさの
矩形パターン又は非矩形パターンに対し、露光装置の露
光エネルギー及び露光時間並びに露光パターンの大きさ
及び間隔を考慮した第１の補正処理（近接効果補正処
理）を行い、次に、露光対象の試料表面における熱的影
響を考慮した第２の補正処理（つなぎ補正処理）を行う
補正方法において、第１の補正処理を行う前のパターン
データに対して第２の補正処理を行い、且つ、第２の補
正処理を行った後のパターンデータに対して第２の補正
処理を行う前のパターンデータに対する第１の補正処理
の補正量を適用することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム露光装置用
の露光パターンデータの補正方法に関し、特に、大規模
ＬＳＩ（Large Scale Integrated-circuit）のマスク製
作等に用いて好適な露光パターンデータの補正方法に関
する。近年、大規模ＬＳＩのマスク製作には、光露光に
比べて露光精度や露光速度がはるかに高い電子ビーム露
光装置が用いられるようになってきた。

【０００２】電子ビーム露光装置は、レイアウト設計さ
れた露光パターンデータ、すなわち様々な大きさの矩形
パターン又は非矩形パターンの組み合せからなる露光パ
ターンデータを、試料（マスク、レチクル又はウエハ）
の表面に焼き付けて露光するものである。大規模ＬＳＩ
の場合、露光パターンデータは膨大な量になり、試料を
一度に露光できない。このため、試料表面の露光範囲を
幾つかのフィールドに分割すると共に、各フィールドを
さらに幾つかのサブフィールドに分割し、サブフィール
ド単位にショット露光を行っている。

【０００３】ここで、１フィールド内のサブフィールド
の選択は電子ビームの走査によって行われ、フィールド
間の移動は試料を載置したステージの移動によって行わ
れる。例えば、フィールド数がｍ個で、１フィールドに
ｎ個のサブフィールドが含まれている場合には、ステー
ジ移動はｍ回、電子ビームのショット回数はｍ×ｎ回に
なる。

【０００４】上述したように、露光パターンデータは、
いろいろな大きさの矩形パターン（又は非矩形パター
ン；以下「矩形パターン」で代表）を組み合せて構成さ
れるが、露光に用いる際には、様々な露光条件（露光エ
ネルギーや露光時間又は露光表面の熱的影響など）を考
慮した各種の補正、例えば、パターンの寸法補正やパタ
ーン間のつなぎ補正を行っておく必要がある。

【０００５】

【従来の技術】この種の補正方法として、従来から「近
接効果補正処理」及び「つなぎ補正処理（又は熱補正処
理）」が知られている。近接効果補正処理 ある大きさのパターンデータを電子ビームで露光する場
合、試料表面における電子ビームのエネルギー分布の拡
がりによる「近接効果」によって、試料表面上の露光パ
ターンはわずかに拡大して形成される。この拡大相当分
をあらかじめ減少修正しておくのが近接効果補正処理で
あり、高速計算機によってソフト的に処理される。つなぎ補正処理 複数の矩形パターンの組み合せからなるパターンデータ
を電子ビームで露光する場合、露光装置の光学的誤差や
露光面における熱的影響などによって、試料表面上の露
光パターンのつなぎ部分が離れてしまうことがある。つ
なぎ補正処理は、図２７に示すように、パターンデータ
のつなぎ部分をオーバラップさせてパターン離れを防止
するもので、この処理も高速計算機によってソフト的に
処理される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の補正方法にあっては、図２８に示すように、近接
効果補正処理（以下「第１の補正処理」と言う）」を行
った後のパターンデータにつなぎ補正処理（以下「第２
の補正処理」と言う）を行うものであったため、第１の
補正処理の精度（例えば丸め等の演算精度）が第２の補
正処理に影響し、例えば、ＯＳの異なる複数の計算機シ
ステムで上記補正処理を実行した場合に、同一の補正結
果が得られないという問題点があった。

【０００７】今、ＯＳの異なる２台の計算機システム
Ａ、Ｂに同一の露光パターンデータを与え、システムＡ
で第１及び第２の補正処理を実行すると共に、システム
Ｂでも第１及び第２の補正処理を実行した場合を考え
る。第１及び第２の補正処理は何れも幾何学的な図形演
算が主体となり、その演算精度はＯＳに依存する。例え
ば、システムＡ、ＢのＯＳの丸め精度が異なると、その
影響は、両システムの演算結果の差（すなわちパターン
の差）となって現れる。

【０００８】従って、全く同一の露光パターンデータを
与えたにもかかわらず、その補正結果に差異が生じるか
ら、計算機システムへの依存性が高くなり、システム更
新や機種変更を容易に行えないばかりか、データの共有
化も困難になるという不都合がある。 ［目的］そこで、本発明の目的は、第１の補正処理と第
２の補正処理の関係を適正化することにより、機種依存
性の少ない露光パターンデータの補正方法を提供するこ
とにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためその原理図を図１に示すように、露光パター
ンデータを構成する様々な大きさの矩形パターン又は非
矩形パターンに対し、露光装置の露光エネルギー及び露
光時間並びに露光パターンデータの大きさ及び間隔を考
慮した第１の補正処理（近接効果補正処理）を行い、次
に、露光対象の試料表面における熱的影響を考慮した第
２の補正処理（つなぎ補正処理）を行う補正方法におい
て、第１の補正処理を行う前のパターンデータに対して
第２の補正処理を行い、且つ、第２の補正処理を行った
後のパターンデータに対して第２の補正処理を行う前の
パターンデータに対する第１の補正処理の補正量を適用
することを特徴とするものである。

【００１０】

【作用】本発明では、第１及び第２の補正処理が共に補
正前の露光パターンデータを入力として行われ、そし
て、それぞれの補正処理の結果が加味されて補正後の露
光パターンデータが生成される。従って、従来例のよう
に、第１の補正処理の演算精度で第２の補正処理が影響
されないから、例えば、ＯＳの異なる複数の計算機シス
テムで上記補正処理を実行した場合でも、ほとんど差の
ない一定した補正結果が得られる。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図２〜図２６は本発明に係る露光パターンデータ
の補正方法の一実施例を示す図である。まず、本実施例
の概略的な処理フローを説明する。

【００１２】図２において、１は露光パターンデータ等
の設計データを記憶する大容量の記憶媒体であり、例え
ば磁気ディスクや磁気テープである。処理の流れは、ま
ず、露光パターンデータを取り込んで全体を展開し、次
いで、設計データを利用して展開した露光パターンデー
タの分割処理を行った後、分割単位（すなわちサブフィ
ールド単位）毎に登録する。なお、分割処理ではこの他
にも様々な処理を行うが、本発明とは直接に関係しない
ので省略する。

【００１３】次に、近接効果補正（第１の補正処理）や
つなぎ補正処理（第２の補正処理）の実行の有無を判定
する。実行しなくてもよい場合は、登録済の露光パター
ンデータをフィールド単位で順次に電子ビーム露光装置
（以下「露光装置」）に転送し、一方、実行すべき場合
は、補正処理システム２の各ステップを順次に実行す
る。

【００１４】補正処理システム２では、まず、ステップ
２ａで近接効果補正処理やつなぎ補正に適したデータと
なるように露光データを前処理し、次いで、ステップ２
ｂで前処理を終えた露光データに対してパターン分類・
登録処理を実行する。図３はパターン分類・登録処理の
一例を示す概念図であり、格子状の破線はサブフィール
ドの境界線、様々な大きさの矩形パターンは露光パター
ンデータを構成する各々の部分パターンを表わしてい
る。

【００１５】図３において、補正対象サブフィールドが
フィールド境界線（破線）に接していない場合、近接効
果が考えられる周囲ζμｍ以内の隣接サブフィールド内
のパターンデータを「補正対象外パターンデータ」とし
て登録し、元々、補正対象サブフィールド内に存在する
パターンデータを「補正対象パターンデータ」として登
録する。また、補正対象サブフィールドがフィールド境
界線に接している場合、隣接するサブフィールド内のパ
ターンデータを「補正対象外パターンデータとして登録
し、また、元々、補正対象サブフィールド内に存在する
パターンデータを「補正対象パターンデータ」として登
録する。このようなパターン分類・登録処理は、チップ
内のフィールド数、及びサブフィールド数の分だけ繰り
返される。

【００１６】図４は、補正対象サブフィールドがフィー
ルド境界線に接している場合のパターン分類・登録処理
の概念図である。白抜きのパターンデータは「補正対象
パターンデータ」であり、それ以外のパターンデータは
「補正対象外パターンデータ」である。なお、以降の識
別のために、隣接サブフィールドのパターンデータを補
正対象パターンデータに登録する際には、パターン形状
コードに「５１２」を加算し、また、隣接フィールド内
隣接サブフィールドのパターンデータを補正対象サブフ
ィールドに登録する際には、パターン形状コードに「１
０２４」を加算しておく。但し、元になるパターン形状
コードは、そのパターンの形状（図５参照）毎に「０」
から「９」までが割り当てられているものとする。

【００１７】こうすることにより、次表１に示すよう
に、自分のパターンデータと相手のパターンデータとの
接触関係を素早く判断でき、後で述べる接触関係毎の延
長・追加量の選択を容易化できる。 図５の１０種類のパターン形状のうち、接触可能なもの
と不可能なものの組み合せは、図６に示される。○印は
接触可能なもの、×印は不可能なものであり、接触可能
なものは全部で８８種類存在している。例えば、「パタ
ーンデータＡで形状コード０」と「パターンデータＢで
形状コード０」との場合は、パターンデータＡに対して
接触可能なパターンデータＢは、「上側」「下側」「右
側」及び「左側」の４種類の組み合せが存在する。ま
た、「上側」ひとつをとってみても接触の仕方は、図７
に示すように、９種類の組み合せが存在する。なお、図
７において、（ＡＸ，ＡＹ）はパターンデータＡの始点
座標、ＡＷはパターンデータＡのパターン幅、ＡＨはパ
ターンデータＡのパターン長、（ＢＸ，ＢＹ）はパター
ンデータＢの始点座標、ＢＷはパターンデータＢのパタ
ーン幅、ＢＨはパターンデータＢのパターン長である。
図７の９種類の組み合せは、さらに、ＡＨ＜ＢＨ、ＡＨ
＝ＢＨ、又は、ＡＨ＞ＢＨの３種類に分かれ、結局、パ
ターン形状０同士の組み合せは、少なくとも、全部で１
０８種類存在することになる。

【００１８】以上のパターン分類・登録処理を完了する
と、図２の補正処理システム２のステップ２ｃで近接効
果補正処理を行うか否かを判定し、否の場合は、近接補
正効果処理をパスして後述のつなぎ補正処理に進み、行
う場合には、ステップ２ｄに進む。ステップ２ｄにおい
て、この補正処理（第１の補正処理）では、「パターン
の再分割処理」「照射量補正処理」「寸法補正処理」及
び「パターンの延長・追加処理」を順次に実行する。

【００１９】近接効果補正処理における寸法補正量は２
種類あり、その１つは照射量補正処理で発生した寸法補
正量、他の１つは寸法補正処理で発生した寸法補正量で
あるが、これらの寸法補正量は後述のつなぎ補正処理で
のパターン復元のために記憶される。例えば、図８にお
いて、図中のａ１、ｂ１、ｃ１及びｄ１は「寸法補正処
理」で発生した寸法補正量、ａ２、ｂ２、ｃ２及びｄ２
は「寸法補正処理」で発生した寸法補正量であり、近接
効果補正後の寸法補正量（ａ１、ｂ１、……、ａ２、ｂ
２、……）を記憶する場合は、各辺毎の２種類の寸法補
正量の合計値を求めて記憶する。

【００２０】但し、近接効果補正処理における「パター
ン延長・追加処理」を行った後の延長処理で接触位置ま
で戻される場合には、その戻す値も加算した最終的な寸
法補正量を記憶する。例えば、図９に示すような場合に
は、パターンＡの最終的な寸法補正量はａ１、ａ２、ａ
３及びａ４、パターンＢの最終的な寸法補正量はｂ１、
ｂ２、ｂ３及びｂ４となる。

【００２１】図１０及び図１１は近接効果補正処理にお
けるパターン延長・追加処理の概念図である。図１０は
パターンの「延長処理」を示しており、左端の図形
（ａ）は元の設計データを、中央の図形（ｂ）は図形
（ａ）に対して照射量補正や寸法補正を行った後のパタ
ーンを、そして、右側の図形（ｃ）は延長処理後のパタ
ーンを表わしている。この例では、図形（ｂ）のパター
ン離れ修正するために、下側のパターンの上辺を上に延
ばして補正し、双方のパターンを接触させている。

【００２２】一方、図１１はパターンの「追加処理」を
示しており、左端の図形（ａ）は元の設計データを、中
央の図形（ｂ）は図形（ａ）に対して照射量補正や寸法
補正を行った後のパターンを、そして、右側の図形
（ｃ）は追加処理後のパターンを表わしている。この例
では、図形（ｂ）のパターン離れ修正するために、上下
のパターンの間にハッチングで示す追加パターンを発生
し、この追加パターンを介して双方のパターンを接触さ
せている。

【００２３】図１２はパターン延長・追加規則（その
１）であり、先に述べたパターン分類・登録処理（ステ
ップ２ｂ）における３種類の分類パターンデータ毎の規
則である。図中の（ａ）は「サブフィールド内の延長又
は追加量の設定規則」であり、サブフィールド内同士の
パターンデータＡ、Ｂに対しては、サブフィールド内延
長量ｘμｍ（外部からの手動設定又はソフト的な自動設
定可能）を両パターンの接触辺から延長する。また、サ
ブフィールド内同士のパターンデータＣ、Ｄに対して
は、追加量ｘμｍの半分ずつが両パターンＣ、Ｄに重な
るような追加パターンを発生する。

【００２４】図中の（ｂ）は「サブフィールド間の延長
又は追加量の設定規則」であり、延長量及び追加量はψ
μｍである。なお、ψμｍは任意の値でよく、ｘμｍと
同じであってもよいし、異なるものであってもよい。図
中の（ｃ）は「フィールド間の延長又は追加量の設定規
則」であり、延長量及び追加量はωμｍである。なお、
ωμｍは任意の値でよく、ｘμｍと同じであってもよい
し、異なるものであってもよい。

【００２５】図１３はパターン延長・追加規則（その
２）であり、矩形パターン同士の例を表わしている。図
中（ａ）のようにパターン同士が接触している場合で、
且つ、サブフィールド内延長量、サブフィールド間延長
量又はフィールド間延長量の何れかで「延長」すると
き、図中の（ｂ）に示すように、相手パターンを越えて
しまう場合には、図中の（ｃ）に示すように、相手パタ
ーンのパターン幅を上限として延長量を設定する。すな
わち、延長処理によって相手パターンを越えないように
延長量を制限する。

【００２６】また、図中（ｄ）のようにパターン同士が
接触している場合で、且つ、サブフィールド内延長量、
サブフィールド間延長量又はフィールド間延長量の何れ
かで「追加」するとき、図中の（ｅ）に示すように、ど
ちらかのパターンを越えてしまう場合には、図中の
（ｆ）に示すように、小さい方のパターン長（πμｍ）
の２倍のパターン長を持つ追加パターンを発生する。す
なわち、追加パターンのパターン長を小さい方のパター
ン長の２倍に制限する。

【００２７】図１４はパターン延長・追加規則（その
３）であり、矩形パターンと非矩形パターンの接触例を
表わしている。図中（ａ）のように、矩形パターンと非
矩形パターン（この例では４５度の非矩形パターン）同
士が接触している場合で、且つ、サブフィールド内延長
量、サブフィールド間延長量又はフィールド間延長量の
何れかで「延長」するとき、図中の（ｂ）に示すよう
に、相手パターンを越えてしまう場合には、図中の
（ｃ）に示すように、相手パターンのパターン幅を越え
ないように、ｘμｍを上限として延長量を設定する。但
し、４５度以外の非矩形パターンの場合には、ρμｍを
上限として延長量を設定する。

【００２８】また、図中（ｄ）のように、矩形パターン
と非矩形パターン（この例では４５度の非矩形パター
ン）同士が接触している場合で、且つ、サブフィールド
内延長量、サブフィールド間延長量又はフィールド間延
長量の何れかで「追加」するとき、図中の（ｅ）に示す
ように、どちらかのパターンを越えてしまう場合には、
図中の（ｆ）に示すように、ｘμｍの２倍のパターン長
を持つ追加パターンを発生する。但し、４５度以外の非
矩形パターンの場合には、ρμｍの２倍のパターン長を
持つ追加パターンを発生する。

【００２９】図１５はパターン延長・追加規則（その
４）であり、非矩形パターン同士の接触例を表わしてい
る。図中（ａ）のように、非矩形パターン（この例では
４５度の非矩形パターン）同士が接触している場合で、
且つ、サブフィールド内延長量、サブフィールド間延長
量又はフィールド間延長量の何れかで「延長」すると
き、図中の（ｂ）に示すように、相手パターンを越えて
しまう場合には、図中の（ｃ）に示すように、相手パタ
ーンのパターン幅を越えないように、ｘμｍを上限とし
て延長量を設定する。但し、４５度以外の非矩形パター
ンの場合には、ρμｍを上限として延長量を設定する。

【００３０】また、図中（ｄ）のように、非矩形パター
ン（この例では４５度の非矩形パターン）同士が接触し
ている場合で、且つ、サブフィールド内延長量、サブフ
ィールド間延長量又はフィールド間延長量の何れかで
「追加」するとき、図中の（ｅ）に示すように、どちら
かのパターンを越えてしまう場合には、ｘμｍ、λμｍ
又はτμｍのうちの最小のものを選び（図ではλμ
ｍ）、図中の（ｆ）に示すように、λμｍの２倍のパタ
ーン長を持つ追加パターンを発生する。但し、４５度以
外の非矩形パターンの場合にも同様な処理を行い、超過
分の長さを最小化する。

【００３１】図１６はパターン延長・追加規則（その
５）である。図示の（ａ）（ｂ）（ｃ）のように、パタ
ーンの接触に段差が存在する場合には、通常、追加パタ
ーンを発生するのが原則であるが、図中のεμｍとζμ
ｍとが、共に、０．００μｍ＜εμｍ、ζμｍ≦０．１
０μｍの場合には、パターンの追加ではなく、パターン
延長処理で対応する。例えば、図示の（ａ）（ｂ）
（ｃ）の場合には、パターン長の小さい方を延長（図１
２、図１３、図１４及び図１５参照）する。これによ
り、不必要な追加パターンの発生を抑制でき、データ量
の削減（従って記憶容量の節約）や露光時間の短縮化を
図ることができる。

【００３２】以上の近接効果補正処理を完了すると、図
２の補正処理システム２のステップ２ｅに進み、つなぎ
補正処理（第２の補正処理）を実行する。なお、本実施
例では、ノイマン型の高速計算機を用いて各ステップを
順次に実行していく処理方法（逐次処理）と、並列計算
機を用いて各ステップを同時平行的に実行していく処理
方法（並列処理）との併用型を例としているが、これに
限定されるものではない。

【００３３】図１７において、ハッチング部分は、補正
対象フィールド内のフィールド境界上のサブフィールド
である。従来、逐次処理と並列処理では、つなぎ補正処
理を実行するときの対象となるデータが相違していた。
すなわち、ハッチング部分のサブフィールドに対してパ
ターン延長・追加処理する場合、逐次処理では、近接効
果補正処理「後」のデータを参照し、一方、並列処理で
は、近接効果補正処理「前」のデータを参照していた。

【００３４】このため、元になるデータが同一ではない
から、つなぎ補正のパターンデータの並び換えの結果が
逐次処理と並列処理で異るものとなり、結局、つなぎ補
正処理後のパターンデータも逐次処理と並列処理で異な
っていた。かかる不都合の原因は、逐次処理を担当する
計算機と並列処理を担当する計算機の計算精度（例えば
丸め精度）の違いによるもので、具体的にはＯＳの違い
に起因する。

【００３５】従って、上記の不都合は、例えば、全てを
逐次処理で行う場合又は全てを並列処理で行う場合であ
っても、計算機の更新時や機種変更時に同様に発生し、
例えば、計算機システムＡを計算機システムＢに更新し
た場合、両システムのＯＳが異なっていると、各システ
ム毎に異なる露光パターンデータが生成されるという問
題点がある。

【００３６】そこで、本実施例では、かかる不都合及び
問題点を解決するために、近接補正処理を行う前のデー
タを対象としてつなぎ補正処理を行うと共に、このつな
ぎ補正処理を行った後のデータに、つなぎ補正処理を行
う前のデータに対する近接補正処理の補正量を適用して
最終的な補正後の露光パターンデータを生成するように
している。

【００３７】以下、逐次処理と並列処理の併用例につい
て説明すると、図１８は、図１７の要部拡大図であり、
縦に引かれた実線はフィールド境界線、イ、ロ、……、
ヌは近接効果補正後のパターンデータを表わしている。
チのパターンデータは、近接効果補正処理のパターン延
長・追加処理で発生した追加パターンである。なお、追
加パターンは近接効果補正処理前のデータに基づいて作
られる。

【００３８】図１９は、図１７の処理継続図であり、こ
の図は、つなぎ補正処理の前処理としてデータを復元
（元の設計データに戻す；言い替えれば近接補正処理前
のデータに戻す）した図である。復元に使用する情報
は、近接効果補正処理で発生した寸法補正量であり、こ
の復元データを元にしてデータの並べ替えを行う。但
し、パターン「チ」とパターン「ホ」とが完全に重なっ
ているため、データの並べ替えに際してはこの重合部分
を考慮して並べ替えを行う。

【００３９】図２０は近接効果補正処理後のパターンデ
ータの復元処理と並べ替えの規則（その１）を表わす図
であり、この例では、近接効果補正後のパターンＰＡ、
ＰＢと、近接効果補正処理のパターン延長・追加処理で
発生した追加パターンＰＣとがあるものと想定し、近接
効果補正で発生した寸法補正量を利用して元のデータに
復元（実線のパターン）したときに、パターンデータＰ
ＡとＰＣが重なっている。この場合、パターンデータの
並べ替えに際しては、パターンデータＰＡのパターン長
ＰＡＨと、パターンデータＰＣのパターン長ＰＣＨとを
比較してパターン長の小さい方を先に並べ直すという規
則を適用する。従って、この場合には、パターンＰＢ、
ＰＣ、ＰＡの順に並べ直される。

【００４０】図２１は近接効果補正処理後のパターンデ
ータの復元処理と並べ替えの規則（その２）を表わす図
であり、この例では、近接効果補正後のパターンＰＡ、
ＰＣと、近接効果補正処理のパターン延長・追加処理で
発生した追加パターンＰＢとがあるものと想定し、近接
効果補正で発生した寸法補正量を利用して元のデータに
復元（実線のパターン）したときに、パターンデータＰ
ＢとＰＣが重なっている。この場合、パターンデータの
並べ替えに際しては、パターンデータＰＢのパターン幅
ＰＢＷと、パターンデータＰＣのパターン幅ＰＣＷとを
比較してパターン幅の小さい方を先に並べ直すという規
則を適用する。従って、この場合には、パターンＰＣ、
ＰＢ、ＰＡの順に並べ直される。

【００４１】以上の並べ替え規則を図１９に適用する
と、イ〜ヌの各パターンデータは、次表２のように並び
替えられる。 なお、並べ替えの手順（手順１〜４）は以下の通りであ
る。 『手順１』パターンデータの始点座標（Ｘ，Ｙ）のＹ座
標の小さい順（又は大きい順）に並べ直しす。 『手順２』同じＹ座標のパターンデータがある場合に
は、Ｘ座標の小さい順（又は大きい順）に並べ直す。 『手順３』パターンデータの始点座標（Ｘ、Ｙ）とパタ
ーン幅（Ｗ）が同じ場合には、パターン長（Ｈ）の小さ
い順（又は大きい順）に並べ直す。 『手順４』パターンデータの始点座標（Ｘ、Ｙ）とパタ
ーン長（Ｈ）が同じ場合には、パターン幅（Ｗ）の小さ
い順（又は大きい順）に並べ直す。

【００４２】図２２は、以上のようにしてデータの並べ
替えを行った後、近接効果補正処理の補正値（寸法補正
量）を適用して、近接補正後のパターンデータに再復元
した図である。データの並び替え後は、上表２のよう
に、ヌ、リ、ニ、チ、ホ、ト、ヘ、イ、ロ、ハの順に並
んでいる。つなぎ補正処理におけるパターン延長・登録
処理では、ヌ→リ→ニ→チ→ホ→ト→ヘ→イ→ロ→ハの
順番で処理が行われる。

【００４３】図２３において、つなぎ補正処理の対象と
なる補正対象サブフィールドＡには、「ホ」「ヘ」及び
「チ」の各補正対象パターンが存在し、また、隣接サブ
フィールドには、「ヌ」「リ」「ニ」「イ」及び「ロ」
の各補正対象外パターンデータが存在し、さらに、隣接
フィールド内隣接サブフィールドには、「ト」及び
「ハ」の各補正外対象パターンデータが存在している。
パターン延長・追加処理を行う場合には、パターンデー
タの接触情報や位置情報が利用される。

【００４４】つなぎ補正処理における「パターン延長・
追加の基本規則」は、（１）隣接サブフィールドや隣接
フィールド内隣接サブフィールドに含まれるパターンデ
ータに対しては、補正処理を行わない、（２）図１２の
規則を準用する、（３）相手のパターンデータを越える
場合は、相手のパターンデータをできるだけ越えないよ
うにする（図１３、図１４及び図１５の規則を準用）、
（４）一度処理したパターンデータ同士の組み合せは、
二度と行わない、であり、具体的には以下のように示さ
れる。なお、以下の説明は、図２４に示すように、パタ
ーン形状コード０同士が接触している場合であるが、こ
れ以外の形状に対しても、基本的には同様な規則が適用
される。 ※パターンデータＡの右側にパターンデータＢが接触し
ている（又は接触可能な）場合 条件１１：Ｘ２Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｙ１Ａ≧Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＜
Ｙ２Ｂ→パターンＡからパターンＢに延長 条件１２：Ｘ２Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｙ１Ａ≦Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＞
Ｙ２Ｂ→パターンＢからパターンＡに延長 条件１３：Ｘ２Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｙ１Ａ＜Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＝
Ｙ２Ｂ→パターンＢからパターンＡに延長 条件１４：Ｘ２Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｙ１Ａ＞Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＝
Ｙ２Ｂ→パターンＡからパターンＢに延長 条件１５：Ｘ２Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｙ１Ａ＝Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＝
Ｙ２Ｂ ・ＷＡ≦ＷＢ →パターンＡからパ
ターンＢに延長 ・ＷＡ＞ＷＢ →パターンＢからパ
ターンＡに延長 条件１６：Ｘ２Ａ＝Ｘ１Ｂ、条件１１〜条件１５以外 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以下、ＷＡ≦ＷＢ→パ
ターンＡからパターンＢに延長 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以下、ＷＡ＞ＷＢ→パ
ターンＢからパターンＡに延長 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以上→追加パターン発
生 ※パターンデータＡの左側にパターンデータＢが接触し
ている（又は接触可能な）場合 条件２１：Ｘ１Ａ＝Ｘ２Ｂ、Ｙ１Ａ≦Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＞
Ｙ２Ｂ→パターンＢからパターンＡに延長 条件２２：Ｘ１Ａ＝Ｘ２Ｂ、Ｙ１Ａ≧Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＞
Ｙ２Ｂ→パターンＡからパターンＢに延長 条件２３：Ｘ１Ａ＝Ｘ２Ｂ、Ｙ１Ａ＞Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＝
Ｙ２Ｂ→パターンＡからパターンＢに延長 条件２４：Ｘ１Ａ＝Ｘ２Ｂ、Ｙ１Ａ＜Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＝
Ｙ２Ｂ→パターンＢからパターンＡに延長 条件２５：Ｘ１Ａ＝Ｘ２Ｂ、Ｙ１Ａ＝Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ａ＝
Ｙ２Ｂ ・ＷＡ≦ＷＢ →パターンＡからパ
ターンＢに延長 ・ＷＡ＞ＷＢ →パターンＢからパ
ターンＡに延長 条件２６：Ｘ１Ａ＝Ｘ２Ｂ、条件２１〜条件２５以外 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以下、ＷＡ≦ＷＢ→パ
ターンＡからパターンＢに延長 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以下、ＷＡ＞ＷＢ→パ
ターンＢからパターンＡに延長 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以上→追加パターン発
生 ※パターンデータＡの上側にパターンデータＢが接触し
ている（又は接触可能な）場合 条件３１：Ｙ２Ａ＝Ｙ１Ｂ、Ｘ１Ａ＞Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ≦
Ｘ２Ｂ→パターンＡからパターンＢに延長 条件３２：Ｙ２Ａ＝Ｙ１Ｂ、Ｘ１Ａ＜Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ≧
Ｘ２Ｂ→パターンＢからパターンＡに延長 条件３３：Ｙ２Ａ＝Ｙ１Ｂ、Ｘ１Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ＞
Ｘ２Ｂ→パターンＢからパターンＡに延長 条件３４：Ｙ２Ａ＝Ｙ１Ｂ、Ｘ１Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ＜
Ｘ２Ｂ→パターンＡからパターンＢに延長 条件３５：Ｙ２Ａ＝Ｙ１Ｂ、Ｘ１Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ＝
Ｘ２Ｂ ・ＨＡ≦ＨＢ →パターンＡからパ
ターンＢに延長 ・ＨＡ＞ＨＢ →パターンＢからパ
ターンＡに延長 条件３６：Ｙ２Ａ＝Ｙ１Ｂ、条件３１〜条件３５以外 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以下、ＨＡ≦ＨＢ→パ
ターンＡからパターンＢに延長 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以下、ＨＡ＞ＨＢ→パ
ターンＢからパターンＡに延長 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以上→追加パターン発
生 ※パターンデータＡの下側にパターンデータＢが接触し
ている（又は接触可能な）場合 条件４１：Ｙ１Ａ＝Ｙ２Ｂ、Ｘ１Ａ＜Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ≧
Ｘ２Ｂ→パターンＢからパターンＡに延長 条件４２：Ｙ１Ａ＝Ｙ２Ｂ、Ｘ１Ａ＞Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ≦
Ｘ２Ｂ→パターンＡからパターンＢに延長 条件４３：Ｙ１Ａ＝Ｙ２Ｂ、Ｘ１Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ＜
Ｘ２Ｂ→パターンＡからパターンＢに延長 条件４４：Ｙ１Ａ＝Ｙ２Ｂ、Ｘ１Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ＞
Ｘ２Ｂ→パターンＢからパターンＡに延長 条件４５：Ｙ１Ａ＝Ｙ２Ｂ、Ｘ１Ａ＝Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ａ＝
Ｘ２Ｂ ・ＨＡ≦ＨＢ →パターンＡからパ
ターンＢに延長 ・ＨＡ＞ＨＢ →パターンＢからパ
ターンＡに延長 条件４６：Ｙ１Ａ＝Ｙ２Ｂ、条件４１〜条件４５以外 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以下、ＨＡ≦ＨＢ→パ
ターンＡからパターンＢに延長 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以下、ＨＡ＞ＨＢ→パ
ターンＢからパターンＡに延長 ・２つの段差が共に０．１０μｍ以上→追加パターン発
生 但し、斜めパターン（パターン形状コード≧２）の斜辺
が接触する場合であって、且つ、図２５に示すような場
合には、以上の条件にかかわらず、例外的に追加パター
ンを発生する。

【００４５】すなわち、パターンデータＡの右側、左
側、上側又は下側に、斜めのパターンデータＢが段差無
く完全に接触している場合には、「追加パターン」を発
生する。図２６はつなぎ補正処理を行った後の状態図で
ある。すなわち、まず、最初の「ヌ」〜「リ」までは、
何れも補正外対象パターンであるため、つなぎ補正処理
におけるパターン延長・追加処理は行わず、次の「チ」
に着目する。この「チ」は近接効果補正処理で発生した
追加パターンであり、補正対象パターンデータである。
「チ」の下側には補正外対象パターンの「リ」が接触
し、上側には補正対象パターンの「ホ」が接触してい
る。「リ」と「チ」のつなぎ補正処理は行わないが、
「チ」と「ホ」に関してはつなぎ補正処理を行う。この
「チ」と「ホ」は、同一サブフィールド無いのパターン
データであるから、図１２の（ａ）の規則を適用し、ｘ
μｍの延長又は追加を行う。延長か追加かの判断は
「チ」と「ホ」の位置関係に依存し、この場合は、後述
の条件３３に合致して「延長」となる。すなわち「ホ」
を「チ」に対してｘμｍだけ延長する。

【００４６】次いで、「ホ」の処理に移り、この「ホ」
の下側には「チ」が、また、右側には「ヘ」が接触して
いる。「チ」は既に処理済であるので、「ヘ」に対して
つなぎ補正処理を行う。「ホ」と「ヘ」は、共に同一の
サブフィールド内のデータであるため、図１２の（ａ）
の規則を適用し、ｘμｍの延長又は追加を行う。延長か
追加かの判断は「ホ」と「ヘ」の位置関係に依存し、こ
の場合は、後述の条件１２に合致して「延長」となる。
すなわち「ヘ」を「ホ」に対してｘμｍだけ延長する。

【００４７】次いで、「ト」に移るが、この「ト」は、
補正外対象パターンデータ（隣接フィールド無い隣接サ
ブフィールド内パターンデータ）なので、地凪補正処理
を行わず、次の「ヘ」に移る。「ヘ」は補正対象パター
ンデータであり、「ヘ」の左側には「ホ」が、また、右
側には「ト」が接触しているが、「ホ」は既に処理済な
ので、「ト」に関してつなぎ補正処理を行う。すなわ
ち、「ト」と「ヘ」に図１２の（ｃ）の規則を適用し、
ωμｍの延長又は追加を行う。延長か追加かの判断は
「ト」と「ヘ」の位置関係に依存し、この場合は、後述
の条件１１に合致して「延長」となる。すなわち「ヘ」
を「ト」に対してωμｍだけ延長する。

【００４８】最後の「イ」「ロ」及び「ハ」は、何れも
補正外対象パターンデータなので、つなぎ補正処理を行
わない。そして、以上と同様な動作を全てのサブフィー
ルドについて繰り返し行った後、処理を終了する。以上
述べたように、本実施例では、つなぎ補正処理を行う際
の対象データを、近接補正処理前のデータ（実際には近
接効果補正処理の寸法補正量を用いた復元データ）に限
定している。これにより、近接補正処理（第１の補正処
理）とつなぎ補正処理（第２の補正処理）と取り扱いデ
ータを実質的に同一とすることができ、第１の補正処理
の演算精度を第２の補正処理に波及させないようにする
ことができる。したがって、逐次処理と並列処理とを併
用する場合の補正精度の向上を図ることができると共
に、逐次処理（又は並列処理）のみを行う場合であって
も、ＯＳに対する依存性（又は機種依存性）を少なくす
ることができ、計算機システムの更新や機種変更に伴っ
て補正結果が大きく異なるということはない。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、第１の補正処理（近接
効果補正処理）を行う前のパターンデータに対して第２
の補正処理（つなぎ補正処理）を行い、且つ、第２の補
正処理を行った後のパターンデータに対して、第２の補
正処理を行う前のパターンデータに対する第１の補正処
理の補正量を適用するようにしたので、第１の補正処理
の演算精度（例えば丸め精度）が第２の補正処理に影響
することはなく、機種依存性の少ない露光パターンデー
タの補正方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理図である。

【図２】一実施例の概略的な処理フロー図である。

【図３】一実施例のパターン分類・登録処理の一例を示
す概念図である。

【図４】一実施例の補正対象サブフィールドがフィール
ド境界線に接している場合のパターン分類・登録処理の
概念図である。

【図５】一実施例のパターン形状コード毎のパターン形
状図である。

【図６】一実施例のパターン形状の組み合せ図である。

【図７】一実施例のパターンデータの位置関係図であ
る。

【図８】一実施例の近接効果補正処理での寸法補正概念
図（その１）である。

【図９】一実施例の近接効果補正処理での寸法補正概念
図（その２）である。

【図１０】一実施例の近接効果補正処理におけるパター
ン延長の概念図である。

【図１１】一実施例の近接効果補正処理におけるパター
ン追加の概念図である。

【図１２】一実施例のパターン延長・追加規則（その
１）を示す図である。

【図１３】一実施例のパターン延長・追加規則（その
２）を示す図である。

【図１４】一実施例のパターン延長・追加規則（その
３）を示す図である。

【図１５】一実施例のパターン延長・追加規則（その
４）を示す図である。

【図１６】一実施例のパターン延長・追加規則（その
５）を示す図である。

【図１７】一実施例の補正対象フィールド及び補正対象
外フィールドを示す図である。

【図１８】一実施例の図１７の要部拡大図である。

【図１９】一実施例の図１７の処理継続図である。

【図２０】一実施例の近接効果補正処理後のパターンデ
ータの復元処理と並べ替えの規則（その１）を表わす図
である。

【図２１】一実施例の近接効果補正処理後のパターンデ
ータの復元処理と並べ替えの規則（その２）を表わす図
である。

【図２２】一実施例の近接補正後のパターンデータに再
復元した図である。

【図２３】一実施例のつなぎ補正処理のパターン延長・
追加処理の概念図である。

【図２４】一実施例のつなぎ補正処理のパターン延長・
追加処理の規則説明図である。

【図２５】一実施例のつなぎ補正処理のパターン延長・
追加処理の例外規則説明図である。

【図２６】一実施例のつなぎ補正処理のパターン延長・
追加処理の処理結果状態図である。

【図２７】パターン延長・追加処理の概念図である。

【図２８】従来例の原理図である。

【符号の説明】

１０：第１の補正処理 １１：第２の補正処理

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】露光パターンデータを構成する様々な大き
   さの矩形パターン又は非矩形パターンに対し、 露光装置の露光エネルギー及び露光時間並びに露光パタ
   ーンデータの大きさ及び間隔を考慮した第１の補正処理
   （１０）を行い、 次に、露光対象の試料表面における熱的影響を考慮した
   第２の補正処理（１１）を行う補正方法において、 第１の補正処理（１０）を行う前のパターンデータに対
   して第２の補正処理（１１）を行い、 且つ、第２の補正処理（１１）を行った後のパターンデ
   ータに対して第２の補正処理（１１）を行う前のパター
   ンデータに対する第１の補正処理（１０）の補正量を適
   用することを特徴とする露光パターンデータの補正方
   法。