JP4677760B2

JP4677760B2 - 近接効果補正方法、フォトマスク、近接効果補正装置

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Description

本発明は、フォトマスクの回路パターンのデータに近接効果補正を施す際の、近接効果補正方法と、その近接効果補正方法によって補正されたフォトマスクの回路パターンデータにより描画されたフォトマスクと、近接効果補正装置に関する。

ＬＳＩ（LargeScale Integrated Circuit）やＣＣＤ（Charge Couple Device）や磁気ヘッドなどの回路パターンの製造過程においては、まず回路パターンをフォトマスクブランクスに描画してフォトマスクを製造し、その製造後のフォトマスクと露光装置とを用いてウェハ上に回路パターンを露光して製造する。この時、描画する回路パターンの密度が高い場合には、当該回路パターンのウェハ上での露光時に光の近接効果等が大きく影響し、パターンに細りが生じるなどの現象が発生する。特に、近年は、ＬＳＩのパターンの微細化に伴い光の近接効果等の影響が大きくなっており、このような状況下において、ウェハ上の回路パターンが、設計段階の回路パターンデータに基づいてより忠実に露光されるように、近接効果補正と呼ばれる補正をその設計段階の回路パターンに施している。なお、本発明に関する先行技術文献として特許文献１が公開されている。
特開２００１−２９６６４５号公報

上述したように、フォトマスクの回路パターンを生成する際には、光の近接効果等の影響を軽減するために、回路パターンのデータに近接効果補正を行なっている。ここで、回路パターンのデータを作成する装置においては、従来、「近接効果補正後の回路パターン」と、近接効果補正後の回路パターンに基づいてコンピュータ上でシミュレーションした「作成後フォトマスクブランクス上に描画の回路パターン」とを比較して、回路パターンの各部分の誤差を検出し、この誤差の大きさに応じて、その回路パターンの各部分の差分を検出し、その量を判定することにより、近接効果補正後の回路パターンのデータの精度を判定している。そして、その精度が悪い場合には、その差分量が許容範囲を超えないように近接効果補正をやり直すことにより、近接効果補正による効果の精度を上げている。
また、フォトマスク製作においてはマスクパターンデータとフォトマスク上に形成されたパターンを比較して検査する事をおこなっている。その差分量は一致しないため、一致しない部分が欠陥として多数検出されるが、この差分量が許容範囲の欠陥を擬似欠陥と呼んでいる。

しかしながら、従来の回路パターンの近接効果補正は、通常、近接効果補正を施す元の回路パターンの部分において、突出した形状の回路パターン付加（または削除）を多用するが、フォトマスク製作上ではこれらの突出した形状を忠実にパターン形成する事が困難である。その為に先に挙げた擬似欠陥が多発する事によってフォトマスク製作工程での検査負荷が大きいという問題点が発生している。さらに擬似欠陥が多発することにより許容範囲を超える欠陥の判別が困難であるという問題も併せて発生している。
また、フォトマスク上で忠実に期待したマスクパターンを形成できないという事によりシミュレーションで期待したウェハ上での回路パターンの近接効果補正の補正効果が十分に得られないという問題もある。
そこでこの発明は、フォトマスク上で形成が容易な形状の回路パターン付加（または削除）を用い、各パターンの差分量を小さくすることによって、欠陥となる回路パターンの箇所の数を低減し、これにより従来の欠陥判定検査における作業を軽減することができる近接効果補正方法と、その近接効果補正方法によって補正されたフォトマスクパターンにより描画されたフォトマスクと、近接効果補正装置を提供することを目的としている。

本発明は、上述の課題を解決すべくなされたもので、フォトマスクの回路パターンにおいて挟角で凸状な形状を成す凸状挟角パターンのうち、近接効果補正を行なうと決定した凸状挟角パターンの前記挟角の２辺に対して、当該挟角の２辺と、前記２辺が交わる交点から同一距離の前記２辺上の垂直線引出し点それぞれにおいて同一長で該辺それぞれに垂直な２本の垂直線と、前記２本の垂直線の各端点から前記挟角の２辺に凸方向に平行に延ばした２本の平行線と、で囲まれる近接効果補正パターンを付加して形成し、さらに、前記２本の垂直線と、前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の前記垂直線に長さが等しい距離にある各点と、前記２本の垂直線の各端点とをそれぞれ結ぶ各線と、前記挟角の２辺と、でそれぞれ囲まれる２つの近接効果補正パターンとを付加して形成することを特徴とする回路パターンの近接効果補正方法である。

また本発明は、フォトマスクの回路パターンにおいて挟角で凹状な形状を成す凹状挟角パターンのうち、近接効果補正を行なうと決定した凹状挟角パターンの前記挟角の２辺に対して、当該挟角の２辺と、前記２辺が交わる交点から同一距離の前記２辺上の垂直線引出し点それぞれにおいて同一長で該辺それぞれに垂直な２本の垂直線と、前記２本の垂直線の各端点から前記挟角の２辺に凹方向に平行に延ばした２本の平行線と、で囲まれる近接効果補正パターンを削除して形成し、さらに、前記２本の垂直線と、前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の前記垂直線に長さが等しい距離にある各点と、前記２本の垂直線の各端点とをそれぞれ結ぶ各線と、前記挟角の２辺と、でそれぞれ囲まれる２つの近接効果補正パターンとを削除して形成することを特徴とする回路パターンの近接効果補正方法である。

また本発明は、上述の近接効果補正方法において、前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の各点は、前記２本の垂直線の各端点から同距離の各点であることを特徴とする。

また本発明は、上述の近接効果補正方法によって近接効果補正された回路パターンに基づいて描画され作成されたフォトマスクである。

また本発明は、フォトマスクの回路パターンの近接効果補正装置であって、フォトマスクの回路パターンのデータを記憶する回路パターンデータ記憶手段と、前記フォトマスクの回路パターンデータを前記回路パターンデータ記憶手段より読み込んで、当該読み込んだデータの回路パターンにおいて挟角で凸状な形状を成す凸状挟角パターンのうち、近接効果補正を行なうと決定した凸状挟角パターンの前記挟角の２辺に対して、当該挟角の２辺と、前記２辺が交わる交点から同一距離の前記２辺上の垂直線引出し点それぞれにおいて同一長で該辺それぞれに垂直な２本の垂直線と、前記２本の垂直線の各端点から前記挟角の２辺に凸方向に平行に延ばした２本の平行線と、で囲まれる近接効果補正パターンを付加して形成し、さらに、前記２本の垂直線と、前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の前記垂直線に長さが等しい距離にある各点と、前記２本の垂直線の各端点とをそれぞれ結ぶ各線と、前記挟角の２辺と、でそれぞれ囲まれる２つの近接効果補正パターンとを付加して形成した、近接効果補正回路パターンデータを生成する近接効果補正手段と、を備えることを特徴とする近接効果補正装置である。

また本発明は、フォトマスクの回路パターンの近接効果補正装置であって、フォトマスクの回路パターンのデータを記憶する回路パターンデータ記憶手段と、前記フォトマスクの回路パターンデータを前記回路パターンデータ記憶手段より読み込んで、当該読み込んだデータの回路パターンにおいて挟角で凹状な形状を成す凹状挟角パターンのうち、近接効果補正を行なうと決定した凹状挟角パターンの前記挟角の２辺に対して、当該挟角の２辺と、前記２辺が交わる交点から同一距離の前記２辺上の垂直線引出し点それぞれにおいて同一長で該辺それぞれに垂直な２本の垂直線と、前記２本の垂直線の各端点から前記挟角の２辺に凹方向に平行に延ばした２本の平行線と、で囲まれる近接効果補正パターンを削除して形成し、さらに、前記２本の垂直線と、前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の前記垂直線に長さが等しい距離にある各点と、前記２本の垂直線の各端点とをそれぞれ結ぶ各線と、前記挟角の２辺と、でそれぞれ囲まれる２つの近接効果補正パターンとを削除して形成した、近接効果補正回路パターンデータを生成する近接効果補正手段と、を備えることを特徴とする近接効果補正装置である。

本発明によれば、回路パターンの近接効果補正時に、近接効果補正パターンに加え、さらに近接効果補正パターンが付加される（または削除される）ので、近接効果補正により付加された回路パターンが元のパターンから突出した形状でなく、徐々に補正量を増加させるような回路パターンとなり、「近接効果補正後の回路パターン」と、近接効果補正後の回路パターンに基づいてコンピュータ上でシミュレーションした「作成後フォトマスクブランクス上に描画の回路パターン」の誤差が小さくなる。従って、「近接効果補正後の回路パターン」と、近接効果補正後の回路パターンに基づいてコンピュータ上でシミュレーションした「作成後フォトマスクブランクス上に描画の回路パターン」とを比較した際の欠陥となる確率が少なくなり、その結果、近接効果補正をやり直す回数も減るので、再度近接効果補正を行なう作業者の負担が軽減できることとなる。

また、本発明によれば、上述のように近接効果補正方法によって作成された回路パターンデータによって製造されたフォトマスクと、当該フォトマスクを介して、レジスト層と被加工層を表面に形成した基板上に光を照射するウエハフォト工程を経て製造されたデバイスは、従来に比べてより、近接効果補正をする前の元の回路パターンデータに忠実に製造される。これは、近接効果を施された回路パターンの部分が、元のパターンから突出した形状でなく、徐々に補正量を増加させるような形状としたため、ウエハフォト工程によって形成されるのパターン形状が設計時の回路パターンにより近づくパターンとなるためである。

以下、本発明の一実施形態による近接効果補正装置を図面を参照して説明する。
図１は本実施形態による近接効果補正装置の構成を示すブロック図である。この図において、符号１は近接効果補正装置である。そして近接効果補正装置１において、符号１１はユーザからの指示を受付けたり、モニタにデータを出力する入出力部である。また１２は近接効果補正装置１の各処理部を制御する制御部である。また１３は予め作成されたフォトマスクの回路パターンのデータに、近接効果補正を施す処理を行なう近接効果補正処理部（近接効果補正手段）である。また１４は予め作成されたフォトマスクの回路パターンのデータと、近接効果補正処理部によって補正された回路パターンのデータを記憶する回路パターンデータ記憶部（回路パターンデータ記憶手段）である。

なお、この近接効果補正装置１は、実際は、フォトマスクの回路パターンのデータを作成する装置のコンピュータに備えられているものであるが、実施形態の説明の便宜上、近接効果補正装置１に関する機能構成の各処理部のみを用いて説明する。

そして、近接効果補正装置１は、通常の近接効果補正に加えて、後述する以下の処理により、「近接効果補正後の回路パターン」と、近接効果補正後の回路パターンに基づいてコンピュータ上でシミュレーションした「作成後フォトマスクブランクス上に描画の回路パターン」の誤差が小さくなり、その結果、近接効果補正の精度が良いと判定されることで、当該近接効果を施した部分が欠陥とならないような近接効果補正を、予め作成された回路パターンに施す。

図２は、近接効果補正装置の処理フローである。
図３は凸状Ａｎｇｌｅパターンに近接効果補正を施した際の例を示す図である。
図４は凹状Ａｎｇｌｅパターンに近接効果補正を施した際の例を示す図である。
次に、図２、３、４を用いて近接効果補正装置の処理について説明する。
まず、近接効果補正装置１の入出力部１１に近接効果補正の指示が入力されると、制御部１２は、近接効果補正処理部１３に回路パターンデータの近接効果補正を行なうよう指示する（ステップＳ１）。すると近接効果補正処理部１３は回路パターンデータ記憶部１４に記録されている回路パターンのデータを読み取る（ステップＳ２）。次に、近接効果補正処理部１３は、読み取った回路パターンのデータにおいて、近接効果補正を施すパターンの部分の領域を決定する（ステップＳ３）。なお、この近接効果補正を施すパターンの部分の領域の決定は、例えば、予め制御部１２に指示された、領域を示す複数の座標の情報に基づいて行なわれる。ここで、この近接効果を施す回路パターンは、当該回路パターンにおける凸状Ａｎｇｌｅパターン（回路パターンにおいて、挟角で凸状な形状を成す凸状挟角パターン）であるとする。

図３に示すような凸状Ａｎｇｌｅパターンを例とすると、近接効果補正処理部１３は、次に、凸状Ａｎｇｌｅパターンの挟角を成す２辺ａ１、ｂ１が交わる交点Ａ１の座標を、回路パターンデータから特定する。次に、近接効果補正処理部１３は交点Ａ１から同一距離の前記辺ａ１、ｂ１の垂直線引出し点Ｂ１、Ｂ１´の座標を特定する。この垂直線引出し点Ｂ１、Ｂ１´の交点Ａ１からの距離は予め設定された任意の距離とする。次に、近接効果補正処理部１３は垂直線引出し点Ｂ１，Ｂ１´それぞれから、辺ａ１，ｂ１に垂直な垂直線ｃ１、ｄ１を凸状Ａｎｇｌｅパターンに付加する。また、近接効果補正処理部１３は、垂直線ｃ１、ｄ１の端点Ｃ１、Ｃ１´から、前記交点Ａ１の凸方向であって辺ａ１，ｂ１に平行な平行線ｅ１、ｆ１を凸状Ａｎｇｌｅパターンに付加する。そして、以上の処理によって、垂直線ｃ１、ｄ１と、平行線ｅ１、ｆ１と、辺ａ１、ｂ１によって囲まれる近接効果補正パターンＸ１を凸状Ａｎｇｌｅパターンに付加する（ステップＳ４ａ）。つまり、元々、回路パターンデータ記憶部１４に記録されていた回路パターンの面データ（または座標のデータ）に、垂直線ｃ１、ｄ１と、平行線ｅ１、ｆ１と、辺ａ１、ｂ１によって囲まれる近接効果補正パターンＸ１の面データ（または座標のデータ）を加える。なお、この近接効果補正パターンＸ１の付加は、従来から行なわれている近接効果の補正方法である。そして、さらに、以下の近接効果補正の処理を続ける。

近接効果補正パターンＸ１を付加すると次に近接効果補正処理部１３は、ａ１、ｂ１上であって垂直線引出し点Ｂ１、Ｂ１´より交点Ａ１とは反対方向の各点Ｄ１、Ｄ１´の座標を特定する。このＤ１、Ｄ１´の垂直線引出し点Ｂ１、Ｂ１´からのそれぞれの距離は、本実施形態においては、垂直線ｃ１、ｄ１の長さと同一とする。なお、Ｄ１、Ｄ１´の垂直線引出し点Ｂ１、Ｂ１´からのそれぞれの距離が垂直線ｃ１、ｄ１の長さと同一でなくてもよい。そして、近接効果補正処理部１３は、垂直線ｃ１と、垂直線引出し点Ｂ１とＤ１を結ぶ線と、Ｄ１と端点Ｃ１とを結ぶ線（本実施形態においては直線だが、Ｂ１を頂点とする扇形になるような線でもよい）とで囲まれた近接効果補正パターンＸ１´を凸状Ａｎｇｌｅパターンに付加する（ステップＳ５ａ）。また、近接効果補正処理部１３は、垂直線ｄ１と、垂直線引出し点Ｂ１´とＤ１´とを結ぶ線と、Ｄ１´と端点Ｃ１´とを結ぶ線（本実施形態においては直線だが、Ｂ１´を頂点とする扇形になるような線でもよい）とで囲まれた近接効果補正パターンＸ１´´を凸状Ａｎｇｌｅパターンに付加する（ステップＳ６ａ）。

つまり、近接効果補正処理部１３は、元々、回路パターンデータ記憶部１４に記録されていた回路パターンの面データ（または座標のデータ）に、近接効果補正パターンＸ１の面データ（または座標のデータ）と、さらに、近接効果補正パターンＸ１´の面データ（または座標のデータ）と、近接効果補正パターンＸ１´´の面データ（または座標のデータ）とを付加したデータを作成する。
以上の処理により、回路パターンにおける凸状Ａｎｇｌｅパターンの部分に図３で示すような近接効果補正パターンＸ１、Ｘ１´、Ｘ１´´のパターンを付加する近接効果補正を行なうので、これにより、近接効果補正により付加された回路パターンが元のパターンから突出した形状でなく、徐々に補正量を増加させるような回路パターンとなるので、「近接効果補正後の回路パターン」と、近接効果補正後の回路パターンに基づいてコンピュータ上でシミュレーションした「作成後フォトマスクブランクス上に描画の回路パターン」の誤差が小さくなる。従って、「近接効果補正後の回路パターン」と、近接効果補正後の回路パターンに基づいてコンピュータ上でシミュレーションした「作成後フォトマスクブランクス上に描画の回路パターン」とを比較した際の欠陥となる確率が少なくなり、その結果、近接効果補正をやり直す回数も減るので、再度近接効果補正を行なうといった欠陥判定検査における作業者の負担が軽減できることとなる。

次に、ステップＳ３において決定した、近接効果補正を施すパターンの部分の領域が、当該回路パターンにおける凹状Ａｎｇｌｅパターン（回路パターンにおいて、挟角で凹状な形状を成す凹状挟角パターン）である場合の近接効果補正の処理について説明する。本実施形態における近接効果補正装置１は凹上Ａｎｇｌｅパターンの部分についても近接効果補正を行なう。
まず、図４に示すような凹状Ａｎｇｌｅパターンを例とすると、近接効果補正処理部１３は、次に、凹状Ａｎｇｌｅパターンの挟角を成す２辺ａ２、ｂ２が交わる交点Ａ２の座標を、回路パターンデータから特定する。次に、近接効果補正処理部１３は交点Ａ２から同一距離の前記辺ａ２、ｂ２の垂直線引出し点Ｂ２、Ｂ２´の座標を特定する。この垂直線引出し点Ｂ２、Ｂ２´の交点Ａ２からの距離は予め設定された任意の距離とする。次に、近接効果補正処理部１３は垂直線引出し点Ｂ２，Ｂ２´それぞれから、辺ａ２，ｂ２に垂直な垂直線ｃ２、ｄ２を凹状Ａｎｇｌｅパターンに付加する。また、近接効果補正処理部１３は、垂直線ｃ２、ｄ２の端点Ｃ２、Ｃ２´から、前記交点Ａ２の凹方向であって辺ａ２，ｂ２に平行な平行線ｅ２、ｆ２を凹状Ａｎｇｌｅパターンに付加する。そして、以上の処理によって、垂直線ｃ２、ｄ２と、平行線ｅ２、ｆ２と、辺ａ２、ｂ２によって囲まれる近接効果補正パターンＸ２を凹状Ａｎｇｌｅパターンから削除する（ステップＳ４ｂ）。つまり、元々、回路パターンデータ記憶部１４に記録されていた回路パターンの面データ（または座標のデータ）から、垂直線ｃ２、ｄ２と、平行線ｅ２、ｆ２と、辺ａ２、ｂ２によって囲まれる近接効果補正パターンＸ２の面データ（または座標のデータ）を削除する。なお、この近接効果補正パターンＸ２の削除は、従来から行なわれている近接効果の補正方法である。そして、さらに、以下の近接効果補正の処理を続ける。

近接効果補正パターンＸ２の削除を行なうと次に近接効果補正処理部１３は、ａ２、ｂ２上であって垂直線引出し点Ｂ２、Ｂ２´より交点Ａ２とは反対方向の各点Ｄ２、Ｄ２´の座標を特定する。このＤ２、Ｄ２´の垂直線引出し点Ｂ２、Ｂ２´からのそれぞれの距離は、本実施形態においては、垂直線ｃ２、ｄ２の長さと同一とする。なお、Ｄ２、Ｄ２´の垂直線引出し点Ｂ２、Ｂ２´からのそれぞれの距離が垂直線ｃ２、ｄ２の長さと同一でなくてもよい。そして、近接効果補正処理部１３は、垂直線ｃ２と、垂直線引出し点Ｂ２とＤ２を結ぶ線と、Ｄ２と端点Ｃ２とを結ぶ線（本実施形態においては直線だが、Ｂ２を頂点とする扇形になるような線でもよい）とで囲まれた近接効果補正パターンＸ２´を凹状Ａｎｇｌｅパターンから削除する（ステップＳ５ｂ）。また、近接効果補正処理部１３は、垂直線ｄ２と、垂直線引出し点Ｂ２´とＤ２´とを結ぶ線と、Ｄ２´と端点Ｃ２´とを結ぶ線（本実施形態においては直線だが、Ｂ２´を頂点とする扇形になるような線でもよい）とで囲まれた近接効果補正パターンＸ２´´を凹状Ａｎｇｌｅパターンから削除する（ステップＳ６ｂ）。

つまり、近接効果補正処理部１３は、元々、回路パターンデータ記憶部１４に記録されていた回路パターンの面データ（または座標のデータ）から、近接効果補正パターンＸ２の面データ（または座標のデータ）と、さらに、近接効果補正パターンＸ２´の面データ（または座標のデータ）と、近接効果補正パターンＸ２´´の面データ（または座標のデータ）を削除したデータを作成する。
以上の処理により、回路パターンにおける凹状Ａｎｇｌｅパターンの部分から、図４で示すような近接効果補正パターンＸ２、Ｘ２´、Ｘ２´´のパターンを削除した近接効果補正を行なうので、これにより、近接効果補正により削除された回路パターンが元のパターンから突出した形状でなく、徐々に補正量を増加させるような回路パターンとなるので、「近接効果補正後の回路パターン」と、近接効果補正後の回路パターンに基づいてコンピュータ上でシミュレーションした「作成後フォトマスクブランクス上に描画の回路パターン」の誤差が小さくなる。従って、「近接効果補正後の回路パターン」と、近接効果補正後の回路パターンに基づいてコンピュータ上でシミュレーションした「作成後フォトマスクブランクス上に描画の回路パターン」とを比較した際の欠陥となる確率が少なくなり、その結果、近接効果補正をやり直す回数も減るので、再度近接効果補正を行なうといった欠陥判定検査における作業者の負担が軽減できることとなる。

また上述のように近接効果補正方法によって作成された回路パターンデータによって製造されたフォトマスクを介して、レジスト層と被加工層を表面に形成した基板上に光を照射する過程を経て製造されたデバイスは、従来に比べてより、近接効果補正をする前の元の回路パターンデータに忠実に製造される。これは、近接効果を施された回路パターンの部分が、元のパターンから突出した形状でなく、徐々に補正量を増加させるような回路パターンとなるためである。なお、上記デバイスは、例えば、液晶ディスプレイ、エレクトロクロミック・ディスプレイ、プラズマディスプレイ、などの表示デバイスや、ＣＣＤなどの撮像デバイスや、磁気ヘッド等の磁気デバイスや、ＬＳＩ等の半導体デバイスである。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上述の近接効果補正装置は内部に、コンピュータシステムを有している。そして、上述した処理の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。ここでコンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、半導体メモリ等をいう。また、このコンピュータプログラムを通信回線によってコンピュータに配信し、この配信を受けたコンピュータが当該プログラムを実行するようにしても良い。

また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良い。さらに、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であっても良い。

近接効果補正装置の構成を示すブロック図である。近接効果補正装置の処理フローである。凸状Ａｎｇｌｅパターンに近接効果補正を施した際の例を示す図である。凹状Ａｎｇｌｅパターンに近接効果補正を施した際の例を示す図である。

符号の説明

１・・・近接効果補正装置
１１・・・入出力部
１２・・・制御部
１３・・・近接効果補正処理部
１４・・・回路パターンデータ記憶部

Claims

フォトマスクの回路パターンにおいて挟角で凸状な形状を成す凸状挟角パターンのうち、近接効果補正を行なうと決定した凸状挟角パターンの前記挟角の２辺に対して、
当該挟角の２辺と、
前記２辺が交わる交点から同一距離の前記２辺上の垂直線引出し点それぞれにおいて同一長で該辺それぞれに垂直な２本の垂直線と、
前記２本の垂直線の各端点から前記挟角の２辺に凸方向に平行に延ばした２本の平行線と、
で囲まれる近接効果補正パターンを付加して形成し、
さらに、
前記２本の垂直線と、
前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の前記垂直線に長さが等しい距離にある各点と、前記２本の垂直線の各端点とをそれぞれ結ぶ各線と、
前記挟角の２辺と、
でそれぞれ囲まれる２つの近接効果補正パターンとを付加して形成する
ことを特徴とする回路パターンの近接効果補正方法。
フォトマスクの回路パターンにおいて挟角で凹状な形状を成す凹状挟角パターンのうち、近接効果補正を行なうと決定した凹状挟角パターンの前記挟角の２辺に対して、
当該挟角の２辺と、
前記２辺が交わる交点から同一距離の前記２辺上の垂直線引出し点それぞれにおいて同一長で該辺それぞれに垂直な２本の垂直線と、
前記２本の垂直線の各端点から前記挟角の２辺に凹方向に平行に延ばした２本の平行線と、
で囲まれる近接効果補正パターンを削除して形成し、
さらに、
前記２本の垂直線と、
前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の前記垂直線に長さが等しい距離にある各点と、前記２本の垂直線の各端点とをそれぞれ結ぶ各線と、
前記挟角の２辺と、
でそれぞれ囲まれる２つの近接効果補正パターンとを削除して形成する
ことを特徴とする回路パターンの近接効果補正方法。
前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の各点は、前記２本の垂直線の各端点から同距離の各点である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の近接効果補正方法。
請求項１から請求項３のいずれかの項に記載の近接効果補正方法によって近接効果補正された回路パターンに基づいて描画され作成されたフォトマスク。
フォトマスクの回路パターンの近接効果補正装置であって、
フォトマスクの回路パターンのデータを記憶する回路パターンデータ記憶手段と、
前記フォトマスクの回路パターンデータを前記回路パターンデータ記憶手段より読み込んで、
当該読み込んだデータの回路パターンにおいて挟角で凸状な形状を成す凸状挟角パターンのうち、近接効果補正を行なうと決定した凸状挟角パターンの前記挟角の２辺に対して、
当該挟角の２辺と、
前記２辺が交わる交点から同一距離の前記２辺上の垂直線引出し点それぞれにおいて同一長で該辺それぞれに垂直な２本の垂直線と、
前記２本の垂直線の各端点から前記挟角の２辺に凸方向に平行に延ばした２本の平行線と、
で囲まれる近接効果補正パターンを付加して形成し、
さらに、
前記２本の垂直線と、
前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の前記垂直線に長さが等しい距離にある各点と、前記２本の垂直線の各端点とをそれぞれ結ぶ各線と、
前記挟角の２辺と、
でそれぞれ囲まれる２つの近接効果補正パターンとを付加して形成した、
近接効果補正回路パターンデータを生成する近接効果補正手段と、
を備えることを特徴とする近接効果補正装置。
フォトマスクの回路パターンの近接効果補正装置であって、
フォトマスクの回路パターンのデータを記憶する回路パターンデータ記憶手段と、
前記フォトマスクの回路パターンデータを前記回路パターンデータ記憶手段より読み込んで、
当該読み込んだデータの回路パターンにおいて挟角で凹状な形状を成す凹状挟角パターンのうち、近接効果補正を行なうと決定した凹状挟角パターンの前記挟角の２辺に対して、
当該挟角の２辺と、
前記２辺が交わる交点から同一距離の前記２辺上の垂直線引出し点それぞれにおいて同一長で該辺それぞれに垂直な２本の垂直線と、
前記２本の垂直線の各端点から前記挟角の２辺に凹方向に平行に延ばした２本の平行線と、
で囲まれる近接効果補正パターンを削除して形成し、
さらに、
前記２本の垂直線と、
前記挟角の２辺上の各点であって前記垂直線引出し点より前記交点とは反対方向の前記垂直線に長さが等しい距離にある各点と、前記２本の垂直線の各端点とをそれぞれ結ぶ各線と、
前記挟角の２辺と、
でそれぞれ囲まれる２つの近接効果補正パターンとを削除して形成した、
近接効果補正回路パターンデータを生成する近接効果補正手段と、
を備えることを特徴とする近接効果補正装置。