JP2003195473A - パターン補正方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
パターン補正方法および半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2003195473A JP2003195473A JP2001398438A JP2001398438A JP2003195473A JP 2003195473 A JP2003195473 A JP 2003195473A JP 2001398438 A JP2001398438 A JP 2001398438A JP 2001398438 A JP2001398438 A JP 2001398438A JP 2003195473 A JP2003195473 A JP 2003195473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- correction
- pattern
- sides
- predetermined condition
- satisfy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 設計パターンを、簡単な処理でマスク描画や
検査に適した形状にパターン補正する。 【解決手段】 コンピュータにより実行されるパターン
補正方法は、設計されたパターンを構成する辺のうち、
所定の条件を満たす辺に対し、光近接効果を考慮した補
正値を算出して第１の補正を行う。次に、所定の条件を
満たさない辺に対して、前記第１の補正がされた辺のう
ち、この所定条件を満たさない辺に隣接する辺の補正値
を用いて第２の補正を行い、先に第１の補正がされた辺
の間を線分で接続する。
検査に適した形状にパターン補正する。 【解決手段】 コンピュータにより実行されるパターン
補正方法は、設計されたパターンを構成する辺のうち、
所定の条件を満たす辺に対し、光近接効果を考慮した補
正値を算出して第１の補正を行う。次に、所定の条件を
満たさない辺に対して、前記第１の補正がされた辺のう
ち、この所定条件を満たさない辺に隣接する辺の補正値
を用いて第２の補正を行い、先に第１の補正がされた辺
の間を線分で接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路や
液晶パネルのリソグラフィ工程で必要とされるパターン
補正に関し、特に、設計パターンに対して忠実なパター
ン転写を行うためのマスクパターンの補正技術に関す
る。
液晶パネルのリソグラフィ工程で必要とされるパターン
補正に関し、特に、設計パターンに対して忠実なパター
ン転写を行うためのマスクパターンの補正技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路や液晶パネルの製造工程
で用いられているフォトリソグラフィ技術では、集積度
の向上やデザインルールの厳格化につれて、光近接効果
が大きな問題となっている。
で用いられているフォトリソグラフィ技術では、集積度
の向上やデザインルールの厳格化につれて、光近接効果
が大きな問題となっている。
【０００３】光近接効果とは、設計パターンがウエハ上
に予定された形状、寸法どおりに転写されない現象であ
る。たとえば、ラインパターンの長辺方向に寸法が縮小
する、あるいはＬ字型のラインパターンのコーナー部分
が丸く形成される等は、典型的な光近接効果である。光
近接効果は、本来はパターン転写時の光による効果を意
味していたが、現在では、ウエハプロセス全体を通して
生じる光学的効果をさすことが多い。
に予定された形状、寸法どおりに転写されない現象であ
る。たとえば、ラインパターンの長辺方向に寸法が縮小
する、あるいはＬ字型のラインパターンのコーナー部分
が丸く形成される等は、典型的な光近接効果である。光
近接効果は、本来はパターン転写時の光による効果を意
味していたが、現在では、ウエハプロセス全体を通して
生じる光学的効果をさすことが多い。
【０００４】光近接効果が生じると、設計パターンと実
際に形成されるパターンの間にずれが生じ、所望のデバ
イス性能が達成できなくなる。このため、ウエハ上に設
計どおりの寸法、形状を再現すべく、光近接効果補正
（ＯＰＣ：optical proximityeffect correction）が必
要となる。光近接効果補正は、プロセス変換差を考慮し
て、あらかじめマスク上のパターンの形状等を選択的に
変更することをいう。光近接効果補正については、すで
に種々の手法が提案され、実行されている。
際に形成されるパターンの間にずれが生じ、所望のデバ
イス性能が達成できなくなる。このため、ウエハ上に設
計どおりの寸法、形状を再現すべく、光近接効果補正
（ＯＰＣ：optical proximityeffect correction）が必
要となる。光近接効果補正は、プロセス変換差を考慮し
て、あらかじめマスク上のパターンの形状等を選択的に
変更することをいう。光近接効果補正については、すで
に種々の手法が提案され、実行されている。
【０００５】設計データに光近接効果補正（以下、場合
に応じて「ＯＰＣ」とする）を自動的に施してマスクデ
ータを作成する方法として、シミュレーションベース
と、ルールベース（またはモデルベース）がある。シミ
ュレーションベースのＯＰＣは、補正前のマスクパター
ンレイアウトにおける光学像を計算し、パターンからず
れている箇所を検出し、検出された部分を補正する方法
である。この方法は、計算量が多いが補正の精度が高
く、パターンを構成する線分のうち、重要な意義を持つ
線分あるいは辺の補正値を計算する場合に用いられる。
に応じて「ＯＰＣ」とする）を自動的に施してマスクデ
ータを作成する方法として、シミュレーションベース
と、ルールベース（またはモデルベース）がある。シミ
ュレーションベースのＯＰＣは、補正前のマスクパター
ンレイアウトにおける光学像を計算し、パターンからず
れている箇所を検出し、検出された部分を補正する方法
である。この方法は、計算量が多いが補正の精度が高
く、パターンを構成する線分のうち、重要な意義を持つ
線分あるいは辺の補正値を計算する場合に用いられる。
【０００６】ルールベースのＯＰＣは、マスクバイアス
などの補正を決められたルールにしたがって行う方法で
ある。この方法は処理速度が速く、設計レイアウトに含
まれる図形の各辺ごとに、所定のルールにしたがって補
正値を求めて近接効果補正に適用する。
などの補正を決められたルールにしたがって行う方法で
ある。この方法は処理速度が速く、設計レイアウトに含
まれる図形の各辺ごとに、所定のルールにしたがって補
正値を求めて近接効果補正に適用する。
【０００７】従来の光近接効果補正では、一定条件を満
たさない辺、たとえば所定値に満たない長さの辺（以
下、「微小辺」と称する）をＯＰＣ対象外とし、所定の
長さ以上の辺についてのみ、ＯＰＣの対称とされてい
た。微小辺は、設計データの段階で、もともと微小な辺
が存在する場合はもちろんのこと、ＯＰＣ前に複雑かつ
微細な図形処理を繰り返した結果、発生する場合も多
い。微小辺が存在すると、ＯＰＣ自体や、その後のさら
なる図形処理により、微小突起、微小くぼみ、鋭角突
起、鋭角くぼみなどが発生し、マスク描画や検査時に悪
影響を及ぼす原因となる。
たさない辺、たとえば所定値に満たない長さの辺（以
下、「微小辺」と称する）をＯＰＣ対象外とし、所定の
長さ以上の辺についてのみ、ＯＰＣの対称とされてい
た。微小辺は、設計データの段階で、もともと微小な辺
が存在する場合はもちろんのこと、ＯＰＣ前に複雑かつ
微細な図形処理を繰り返した結果、発生する場合も多
い。微小辺が存在すると、ＯＰＣ自体や、その後のさら
なる図形処理により、微小突起、微小くぼみ、鋭角突
起、鋭角くぼみなどが発生し、マスク描画や検査時に悪
影響を及ぼす原因となる。
【０００８】図１３は、従来の光近接効果補正により生
じる突起、くぼみ等の発生例を示す。図１３（ａ）にお
いて、実線で示すＯＰＣ前の図形１００１のうち、所定
値以上の長さを有する辺１００２、１００３のみがＯＰ
Ｃの対象とされている。ＯＰＣ対象外とされた微小辺１
００４を初期位置にとどめたまま、辺１００２、１００
３について図形を太らせるＯＰＣを施した結果、破線で
示す補正後図形１００５が得られる。ＯＰＣ後の図形１
００５には、微小なくぼみ１００６が発生している。
じる突起、くぼみ等の発生例を示す。図１３（ａ）にお
いて、実線で示すＯＰＣ前の図形１００１のうち、所定
値以上の長さを有する辺１００２、１００３のみがＯＰ
Ｃの対象とされている。ＯＰＣ対象外とされた微小辺１
００４を初期位置にとどめたまま、辺１００２、１００
３について図形を太らせるＯＰＣを施した結果、破線で
示す補正後図形１００５が得られる。ＯＰＣ後の図形１
００５には、微小なくぼみ１００６が発生している。
【０００９】図１３（ｂ）の場合も同様に、実線で示す
ＯＰＣ前の図形１０１０のうち、条件を満たす辺１０１
２、１０１３をＯＰＣ対象辺とし、微小辺１０１４，１
０１５については処理対称外とした結果、点線で示す図
形１２０が得られる。この場合、サークルＡで示すよう
に、鋭角の突起や斜め方向へのスリットが生じる。
ＯＰＣ前の図形１０１０のうち、条件を満たす辺１０１
２、１０１３をＯＰＣ対象辺とし、微小辺１０１４，１
０１５については処理対称外とした結果、点線で示す図
形１２０が得られる。この場合、サークルＡで示すよう
に、鋭角の突起や斜め方向へのスリットが生じる。
【００１０】これらの微小突起（鋭角図形）や微小くぼ
みは、データ量を無駄に増大させ、マスク描画における
描画精度を低下させるうえ、マスク描画時間が必要以上
に長くなる。また、マスク欠陥検査において、擬似欠陥
として検出されやすく、エラー検査に多大な時間と人手
を要する。
みは、データ量を無駄に増大させ、マスク描画における
描画精度を低下させるうえ、マスク描画時間が必要以上
に長くなる。また、マスク欠陥検査において、擬似欠陥
として検出されやすく、エラー検査に多大な時間と人手
を要する。
【００１１】ＯＰＣの結果生じた微細な凹凸を消去する
ために、ＯＰＣ後のレイアウト全体に、わずかな太め／
細めバイアスあるいは細め／太めバイアスを加えて、微
小な突起やくぼみを消去する方法が知られている。しか
し、このようなバイアス処理により、逆に予定外の箇所
でさらなる突起やくぼみが生じる、あるいは、ショート
やスリットなどの不都合な変形が発生するなどの場合が
ある。また、バイアスだけでは消去しきれない形状も多
い。
ために、ＯＰＣ後のレイアウト全体に、わずかな太め／
細めバイアスあるいは細め／太めバイアスを加えて、微
小な突起やくぼみを消去する方法が知られている。しか
し、このようなバイアス処理により、逆に予定外の箇所
でさらなる突起やくぼみが生じる、あるいは、ショート
やスリットなどの不都合な変形が発生するなどの場合が
ある。また、バイアスだけでは消去しきれない形状も多
い。
【００１２】たとえば、図１４（ａ）に示すように、Ｏ
ＰＣ処理により得られたパターン１０３０は、微小くぼ
み１０３１や、微小突起１０３２を有する。これに、ま
ず太めバイアスをかけると、くぼみ１０３１が平坦化さ
れ、図１４（ｂ）に示すパターン１０３５が得られる。
これにさらに細めバイアスをかけると、図１４（ｃ）に
示すように、当初の寸法に近いパターン１０３７が得ら
れる。この状態では、くぼみ１０３１は解消されるもの
の、極端な鋭角のくぼみが発生してしまう。
ＰＣ処理により得られたパターン１０３０は、微小くぼ
み１０３１や、微小突起１０３２を有する。これに、ま
ず太めバイアスをかけると、くぼみ１０３１が平坦化さ
れ、図１４（ｂ）に示すパターン１０３５が得られる。
これにさらに細めバイアスをかけると、図１４（ｃ）に
示すように、当初の寸法に近いパターン１０３７が得ら
れる。この状態では、くぼみ１０３１は解消されるもの
の、極端な鋭角のくぼみが発生してしまう。
【００１３】パターン１０３７にさらに細めバイアスを
かけると、図１４（ｄ）に示すように、突起１０３２が
消去されたパターン１０３９が得られる。ここから、太
めバイアスをかけることによって、図１４（ｅ）に示す
ように、最終的にくぼみ１０３１と突起１０３２が消去
されたパターン１０４１が得られる。
かけると、図１４（ｄ）に示すように、突起１０３２が
消去されたパターン１０３９が得られる。ここから、太
めバイアスをかけることによって、図１４（ｅ）に示す
ように、最終的にくぼみ１０３１と突起１０３２が消去
されたパターン１０４１が得られる。
【００１４】しかし、このように再三にわたるバイアス
処理にもかかわらず、サークルＢで示す鋭角のくぼみは
解消されない。マスクパターン上の鋭角のくぼみは、マ
スク描画精度低下の一因となるうえに、マスク検査時に
擬似エラー検出の原因となり好ましくない。
処理にもかかわらず、サークルＢで示す鋭角のくぼみは
解消されない。マスクパターン上の鋭角のくぼみは、マ
スク描画精度低下の一因となるうえに、マスク検査時に
擬似エラー検出の原因となり好ましくない。
【００１５】一方、ＯＰＣ処理後、初期位置に残された
微小辺の各々や、微細な凹凸について、個別にシミュレ
ーションベースで補正値を算出するのでは、計算量も処
理時間も膨大になり、非現実的である。
微小辺の各々や、微細な凹凸について、個別にシミュレ
ーションベースで補正値を算出するのでは、計算量も処
理時間も膨大になり、非現実的である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明では、
設計パターンに存在する微小な辺について、個別にシミ
ュレーション計算を行うことなく、かつ好ましくない凹
凸を生じさせることなく、簡単な処理で効率的に修正す
ることのできるパターン補正方法を提供する。
設計パターンに存在する微小な辺について、個別にシミ
ュレーション計算を行うことなく、かつ好ましくない凹
凸を生じさせることなく、簡単な処理で効率的に修正す
ることのできるパターン補正方法を提供する。
【００１７】また、ＯＰＣ後の修正過程で生じる微小な
鋭角図形など、擬似欠陥の原因となる形状を残すことな
く、描画に適した形状に変更することのできるパターン
補正方法を提供する。
鋭角図形など、擬似欠陥の原因となる形状を残すことな
く、描画に適した形状に変更することのできるパターン
補正方法を提供する。
【００１８】また、これらのパターン補正方法を使用し
た半導体装置の製造方法を提供する。
た半導体装置の製造方法を提供する。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面で
は、コンピュータにより実行されるパターン補正方法
は、設計されたパターンを構成する辺のうち、所定の条
件を満たす辺に対し、光近接効果を考慮した補正値を算
出して第１の補正を行う。次に、所定の条件を満たさな
い辺に対して、前記第１の補正がされた辺のうち、この
所定条件を満たさない辺に隣接する辺の補正値を用いて
第２の補正を行って、先に第１の補正がされた辺の間を
線分で接続する。
は、コンピュータにより実行されるパターン補正方法
は、設計されたパターンを構成する辺のうち、所定の条
件を満たす辺に対し、光近接効果を考慮した補正値を算
出して第１の補正を行う。次に、所定の条件を満たさな
い辺に対して、前記第１の補正がされた辺のうち、この
所定条件を満たさない辺に隣接する辺の補正値を用いて
第２の補正を行って、先に第１の補正がされた辺の間を
線分で接続する。
【００２０】所定の条件は、たとえば所定の長さ以上で
あること、あるいは、所定の高さに満たない垂直または
斜めの段差を構成しないこと、などである。この場合、
第１の補正（光近接効果補正）の後に、条件を満たさな
い微小辺に対して第２の補正が行われることになる。
あること、あるいは、所定の高さに満たない垂直または
斜めの段差を構成しないこと、などである。この場合、
第１の補正（光近接効果補正）の後に、条件を満たさな
い微小辺に対して第２の補正が行われることになる。
【００２１】このパターン補正方法は、所定条件を満た
さない辺に対して、すでに求められた隣接辺の補正値を
利用して補正するので、新たに補正値を計算する必要が
なく、処理時間を短縮することができる。また、第２の
補正を行うことによって、第１の補正の結果生じた凹凸
が解消される。
さない辺に対して、すでに求められた隣接辺の補正値を
利用して補正するので、新たに補正値を計算する必要が
なく、処理時間を短縮することができる。また、第２の
補正を行うことによって、第１の補正の結果生じた凹凸
が解消される。
【００２２】本発明の第２の側面では、コンピュータに
より実行されるパターン補正方法は、ウエハ上に形成さ
れるパターンを設計し、設計されたパターンを構成する
辺のうち、所定の条件を満たす辺に対して、光近接効果
を考慮した補正を行う。次に、補正後のパターンが、ウ
エハへの転写像に影響しない微小図形を含むか否かを判
断する。そのような微小図形を含む場合に、前記補正後
のパターン全体を太めるバイアスと、細めるバイアスと
を組み合わせたバイアス処理を行う。バイアス処理の後
に、所定の論理演算を行って、バイアス処理により生じ
た鋭角図形を消去する。
より実行されるパターン補正方法は、ウエハ上に形成さ
れるパターンを設計し、設計されたパターンを構成する
辺のうち、所定の条件を満たす辺に対して、光近接効果
を考慮した補正を行う。次に、補正後のパターンが、ウ
エハへの転写像に影響しない微小図形を含むか否かを判
断する。そのような微小図形を含む場合に、前記補正後
のパターン全体を太めるバイアスと、細めるバイアスと
を組み合わせたバイアス処理を行う。バイアス処理の後
に、所定の論理演算を行って、バイアス処理により生じ
た鋭角図形を消去する。
【００２３】この方法によれば、通常のバイアス処理と
合わせて、簡単な論理演算をするだけで、光近接効果補
正後の修正過程で生じる鋭角図形を消去することができ
る。したがって、マスク描画や検査時のエラー検出を防
止することができる。
合わせて、簡単な論理演算をするだけで、光近接効果補
正後の修正過程で生じる鋭角図形を消去することができ
る。したがって、マスク描画や検査時のエラー検出を防
止することができる。
【００２４】本発明の第３の側面では、パターン補正を
用いた半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置の
製造方法は、まず、半導体ウエハ上に形成されるパター
ンを各層ごとに設計した設計データを作成する。次に、
設計されたデータを各層ごとに入力し、設計データに含
まれるパターンごとに、所定の条件を満たす辺に対して
光近接効果を考慮した補正量を算出して第１の補正を行
う。次に、所定の条件を満たさない辺に対して、前記第
１の補正がされた辺のうち、この所定条件を満たさない
辺に隣接する辺の補正量を用いて第２の補正を行い、第
１の補正がされた辺の間を線分で接続するマスクデータ
を生成する。次に、このマスクデータに基づいてマスク
を作成し、このマスクを用いて、半導体ウエハ上にパタ
ーンを転写する。
用いた半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置の
製造方法は、まず、半導体ウエハ上に形成されるパター
ンを各層ごとに設計した設計データを作成する。次に、
設計されたデータを各層ごとに入力し、設計データに含
まれるパターンごとに、所定の条件を満たす辺に対して
光近接効果を考慮した補正量を算出して第１の補正を行
う。次に、所定の条件を満たさない辺に対して、前記第
１の補正がされた辺のうち、この所定条件を満たさない
辺に隣接する辺の補正量を用いて第２の補正を行い、第
１の補正がされた辺の間を線分で接続するマスクデータ
を生成する。次に、このマスクデータに基づいてマスク
を作成し、このマスクを用いて、半導体ウエハ上にパタ
ーンを転写する。
【００２５】本発明の第４の側面では、半導体装置の製
造方法は、半導体ウエハ上に形成されるパターンを各層
ごとに設計した設計データを作成し、設計されたデータ
を各層ごとに入力して、設計データに含まれるパターン
ごとに、所定の条件を満たす辺に対して光近接効果を考
慮した補正を行う。次に、光近接効果を考慮した補正後
のパターンが、ウエハへの転写像に影響しない微小図形
を含むか否かを判断する。そのような微小図形を含む場
合には、前記補正後のパターン全体を太めるバイアス
と、細めるバイアスとを組み合わせたバイアス処理を行
う。バイアス処理の後に、所定の論理演算を行って、前
記バイアス処理により生じた鋭角図形を消去してマスク
データを作成する。このマスクデータに基づいてマスク
を作成し、作成したマスクを用いて、半導体ウエハ上に
パターンを転写する。
造方法は、半導体ウエハ上に形成されるパターンを各層
ごとに設計した設計データを作成し、設計されたデータ
を各層ごとに入力して、設計データに含まれるパターン
ごとに、所定の条件を満たす辺に対して光近接効果を考
慮した補正を行う。次に、光近接効果を考慮した補正後
のパターンが、ウエハへの転写像に影響しない微小図形
を含むか否かを判断する。そのような微小図形を含む場
合には、前記補正後のパターン全体を太めるバイアス
と、細めるバイアスとを組み合わせたバイアス処理を行
う。バイアス処理の後に、所定の論理演算を行って、前
記バイアス処理により生じた鋭角図形を消去してマスク
データを作成する。このマスクデータに基づいてマスク
を作成し、作成したマスクを用いて、半導体ウエハ上に
パターンを転写する。
【００２６】これらの半導体装置の製造方法は、光近接
効果補正とともに、あるいは光近接効果補正に加えて使
用される。いずれの方法も、マスクの設計データに対
し、簡単な処理で製造を容易にするパターン補正を施
し、設計データに忠実なパターンをウエハ上に転写する
ことを可能にする。
効果補正とともに、あるいは光近接効果補正に加えて使
用される。いずれの方法も、マスクの設計データに対
し、簡単な処理で製造を容易にするパターン補正を施
し、設計データに忠実なパターンをウエハ上に転写する
ことを可能にする。
【００２７】
【発明の実施の形態】＜第１実施形態＞図１は、本発明
の第１実施形態に係るパターン補正方法を示す。この実
施形態では、たとえばＣＡＤソフトウェアが動作するコ
ンピュータを用いて処理するパターン補正方法を例にと
って説明する。図１（ａ）に示すように、微小辺１１を
含む設計パターン１０を処理する場合を考える。パター
ン１０は、Ｘ方向およびＹ方向に延びる水平、垂直ライ
ンのみで構成される図形である。
の第１実施形態に係るパターン補正方法を示す。この実
施形態では、たとえばＣＡＤソフトウェアが動作するコ
ンピュータを用いて処理するパターン補正方法を例にと
って説明する。図１（ａ）に示すように、微小辺１１を
含む設計パターン１０を処理する場合を考える。パター
ン１０は、Ｘ方向およびＹ方向に延びる水平、垂直ライ
ンのみで構成される図形である。
【００２８】図１（ｂ）に示すように、まず、微小辺１
１を所定の長さに満たない辺として、ＯＰＣ対象外と
し、条件を満たす辺１２〜１５について、通常のＯＰＣ
処理に基づき、新しい位置計算を行う。計算結果に基づ
いて、パターン１０をＸ方向およびＹ方向に所定量だけ
膨らませ、破線で示すＯＰＣ後のパターン２０を得る。
１を所定の長さに満たない辺として、ＯＰＣ対象外と
し、条件を満たす辺１２〜１５について、通常のＯＰＣ
処理に基づき、新しい位置計算を行う。計算結果に基づ
いて、パターン１０をＸ方向およびＹ方向に所定量だけ
膨らませ、破線で示すＯＰＣ後のパターン２０を得る。
【００２９】図１（ｂ）の例では、辺１２のＯＰＣ補正
値（補正後のＹ座標値）が、辺１３のＯＰＣ補正値(補
正後のＹ座標値)よりも大きく設定されているが、ＯＰ
Ｃ補正値は、着目する辺の特性（必要とされる精度等）
や、周辺パターンとの位置関係に応じてシミュレーショ
ン計算される。たとえば、辺１３の近傍に周辺パターン
が位置するときは、図１（ｂ）のように、辺１３に対す
る補正量を小さくした補正パターン２０が得られるが、
辺１２の近傍に周辺パターンが位置する場合は、辺１２
の補正値が小さくなる場合もある。
値（補正後のＹ座標値）が、辺１３のＯＰＣ補正値(補
正後のＹ座標値)よりも大きく設定されているが、ＯＰ
Ｃ補正値は、着目する辺の特性（必要とされる精度等）
や、周辺パターンとの位置関係に応じてシミュレーショ
ン計算される。たとえば、辺１３の近傍に周辺パターン
が位置するときは、図１（ｂ）のように、辺１３に対す
る補正量を小さくした補正パターン２０が得られるが、
辺１２の近傍に周辺パターンが位置する場合は、辺１２
の補正値が小さくなる場合もある。
【００３０】この段階では、微小辺１１は処理されない
まま初期位置に残るので、ＯＰＣ後のパターン２０は、
微細なくぼみ２１を含んでいる。
まま初期位置に残るので、ＯＰＣ後のパターン２０は、
微細なくぼみ２１を含んでいる。
【００３１】次に、図１（ｃ）に示すように、ＯＰＣ対
象外とされた微小辺１１について、ＯＰＣ処理結果を利
用して簡単な処理を施す。すなわち、微小辺１１を、こ
れと同方向（図１の例ではＸ方向）に延びる隣接辺１
２、１３のいずれか一方のＯＰＣ補正値（ＯＰＣ後のＹ
座標値）に一致させる。図１（ｃ）の例では、ＯＰＣ補
正値（補正後のＹ座標）の小さいほうに合わせ、辺１３
の補正値に一致させている。この結果、微小辺１１は、
ＯＰＣ後の隣接辺２３に揃う新規の線分２５になり、く
ぼみ２１が埋められる。
象外とされた微小辺１１について、ＯＰＣ処理結果を利
用して簡単な処理を施す。すなわち、微小辺１１を、こ
れと同方向（図１の例ではＸ方向）に延びる隣接辺１
２、１３のいずれか一方のＯＰＣ補正値（ＯＰＣ後のＹ
座標値）に一致させる。図１（ｃ）の例では、ＯＰＣ補
正値（補正後のＹ座標）の小さいほうに合わせ、辺１３
の補正値に一致させている。この結果、微小辺１１は、
ＯＰＣ後の隣接辺２３に揃う新規の線分２５になり、く
ぼみ２１が埋められる。
【００３２】新規の線分２５と、ＯＰＣ後の他方の隣接
辺２２との境界は、Ｙ方向への段差、すなわち、新規の
線分２５に対して９０°の段差とする。より具体的に
は、一方の隣接辺２３に一致させた微小線分２５を、こ
の微小線分２５に対して直角方向に延びる線分で、他方
の隣接辺２２とつなぐ。これにより、鋭角部分を含まな
い破線のパターン２５が得られる。
辺２２との境界は、Ｙ方向への段差、すなわち、新規の
線分２５に対して９０°の段差とする。より具体的に
は、一方の隣接辺２３に一致させた微小線分２５を、こ
の微小線分２５に対して直角方向に延びる線分で、他方
の隣接辺２２とつなぐ。これにより、鋭角部分を含まな
い破線のパターン２５が得られる。
【００３３】この方法では、図１（ｂ）のＯＰＣ処理で
得られたレイアウトパターン全体に太め／細めバイアス
等をかける必要がない。また、微小辺１１について個別
にシミュレーション計算する必要もなく、通常のＯＰＣ
で得られた隣接辺の補正値をそのまま利用して、微細な
くぼみ２１を消去できる。結果として、マスクパターン
のデータ量と計算量の双方を最小限に抑え、検査時の擬
似エラー誤検出を防止することができる。
得られたレイアウトパターン全体に太め／細めバイアス
等をかける必要がない。また、微小辺１１について個別
にシミュレーション計算する必要もなく、通常のＯＰＣ
で得られた隣接辺の補正値をそのまま利用して、微細な
くぼみ２１を消去できる。結果として、マスクパターン
のデータ量と計算量の双方を最小限に抑え、検査時の擬
似エラー誤検出を防止することができる。
【００３４】図２は、図１の方法の変形例を示す。図１
（ｂ）までのＯＰＣ処理は、そのまま図２に方法にも用
いられる。図１（ｃ）では、微小辺１１を、同方向に延
びる隣接辺のいずれか一方の補正後の値に一致させた
が、図２（ｃ）の方法では、微小辺１１の中点を境界
に、双方の隣接辺１２、１３のＯＰＣ補正値にそれぞれ
一致させる。この結果、微小辺は新たな線分２７として
設定され、左半分がＯＰＣ後の隣接辺２３に揃い、右半
分がＯＰＣ後の他方の隣接辺２２に揃う。新たな線分２
７は、その中点で、Ｙ方向への段差を有する。これによ
り、鋭角部分を含まない破線のパターン２８が得られ
る。
（ｂ）までのＯＰＣ処理は、そのまま図２に方法にも用
いられる。図１（ｃ）では、微小辺１１を、同方向に延
びる隣接辺のいずれか一方の補正後の値に一致させた
が、図２（ｃ）の方法では、微小辺１１の中点を境界
に、双方の隣接辺１２、１３のＯＰＣ補正値にそれぞれ
一致させる。この結果、微小辺は新たな線分２７として
設定され、左半分がＯＰＣ後の隣接辺２３に揃い、右半
分がＯＰＣ後の他方の隣接辺２２に揃う。新たな線分２
７は、その中点で、Ｙ方向への段差を有する。これによ
り、鋭角部分を含まない破線のパターン２８が得られ
る。
【００３５】ＯＰＣ対象外とされた微小辺の中点を境界
として、ＯＰＣ後の双方の隣接線分に一致させることに
より、露光後に得られるウエハ上のパターンが、より設
計パターンに近いものとなる。
として、ＯＰＣ後の双方の隣接線分に一致させることに
より、露光後に得られるウエハ上のパターンが、より設
計パターンに近いものとなる。
【００３６】図２の方法においても、通常のＯＰＣで得
られる補正値をそのまま利用して、効果的に微小くぼみ
を消去することができ、図１の方法と同様の効果を達成
することができる。
られる補正値をそのまま利用して、効果的に微小くぼみ
を消去することができ、図１の方法と同様の効果を達成
することができる。
【００３７】なお、図１（ｃ）、２（ｃ）に示すＯＰＣ
後の補正処理は、ＯＰＣにそのまま組み込んでもよい
し、ＯＰＣとは別途に行ってもよい。ＯＰＣに組み込む
場合は、ひとつのパターン補正プログラムとして構成す
ることができる。
後の補正処理は、ＯＰＣにそのまま組み込んでもよい
し、ＯＰＣとは別途に行ってもよい。ＯＰＣに組み込む
場合は、ひとつのパターン補正プログラムとして構成す
ることができる。
【００３８】＜第２実施形態＞図３は、本発明の第２実
施形態に係るパターン補正方法を示す。第２実施形態で
は、図３（ａ）に示すように、微細な斜め段差を含む設
計パターン３０を補正する。斜め段差は、直交座標軸方
向の微小辺３１、３２と、斜め方向の微小線３７〜３９
を含む。このようなパターン３０を補正するには、まず
図３（ｂ）に示すように、所定の条件を満たす辺、たと
えば一定の長さ以上の辺３３〜３６をＯＰＣの対象とし
て、それぞれの補正値を求める。辺３３に対する変化量
をｄ1 、辺３４に対する変化量をｄ2 とする。この結
果、斜め段差の一方の隣接辺である辺３３は線分４３と
なり、他方の隣接辺３４は、線分４４となって、破線で
示すパターン４０が得られる。
施形態に係るパターン補正方法を示す。第２実施形態で
は、図３（ａ）に示すように、微細な斜め段差を含む設
計パターン３０を補正する。斜め段差は、直交座標軸方
向の微小辺３１、３２と、斜め方向の微小線３７〜３９
を含む。このようなパターン３０を補正するには、まず
図３（ｂ）に示すように、所定の条件を満たす辺、たと
えば一定の長さ以上の辺３３〜３６をＯＰＣの対象とし
て、それぞれの補正値を求める。辺３３に対する変化量
をｄ1 、辺３４に対する変化量をｄ2 とする。この結
果、斜め段差の一方の隣接辺である辺３３は線分４３と
なり、他方の隣接辺３４は、線分４４となって、破線で
示すパターン４０が得られる。
【００３９】次に図３（ｃ）に示すように、微小辺３
１、３２および微小斜め線３７〜３９で構成される段差
部分について、先のＯＰＣ処理で得られた補正値を利用
して、簡単な処理を行う。すなわち、いずれか一方の隣
接辺の補正値に合わせて、ＯＰＣ対象外とされた斜め段
差を平行移動する。いずれの隣接辺に合わせるかは、補
正した方向、周囲のパターンとの関係などの要因によっ
ても異なる。図３（ｃ）の例では、隣接辺３４の補正値
に一致させ、ｄ2 に相当する分だけ平行移動している。
平行移動の方向は、先に処理した隣接辺３３、３４の補
正方向（拡張方向）と同方向、図３（ｃ）の例ではＹ方
向である。これにより、補正後の微小辺５１、５２およ
び斜め線５７〜５９が得られる。
１、３２および微小斜め線３７〜３９で構成される段差
部分について、先のＯＰＣ処理で得られた補正値を利用
して、簡単な処理を行う。すなわち、いずれか一方の隣
接辺の補正値に合わせて、ＯＰＣ対象外とされた斜め段
差を平行移動する。いずれの隣接辺に合わせるかは、補
正した方向、周囲のパターンとの関係などの要因によっ
ても異なる。図３（ｃ）の例では、隣接辺３４の補正値
に一致させ、ｄ2 に相当する分だけ平行移動している。
平行移動の方向は、先に処理した隣接辺３３、３４の補
正方向（拡張方向）と同方向、図３（ｃ）の例ではＹ方
向である。これにより、補正後の微小辺５１、５２およ
び斜め線５７〜５９が得られる。
【００４０】平行移動を行った後の斜め段差は、ＯＰＣ
後の隣接辺４４から、ＯＰＣ後の他方の隣接に向かって
延びるが、平行移動後の斜め段差と、他方の隣接辺４３
との間には、鋭角のくぼみ４５が生じている。
後の隣接辺４４から、ＯＰＣ後の他方の隣接に向かって
延びるが、平行移動後の斜め段差と、他方の隣接辺４３
との間には、鋭角のくぼみ４５が生じている。
【００４１】そこで、図３（ｄ）に示すように、鋭角く
ぼみ４５を簡単な処理で消去する。すなわち、他方のＯ
ＰＣ後の隣接辺４３をその線分方向に延長し、平行移動
した斜め段差との交点Ｉでパターンを接続する。
ぼみ４５を簡単な処理で消去する。すなわち、他方のＯ
ＰＣ後の隣接辺４３をその線分方向に延長し、平行移動
した斜め段差との交点Ｉでパターンを接続する。
【００４２】図３（ｄ）の例では、辺３３に対する処理
量ｄ1 と、辺３４に対する処理量ｄ2 との差の｜ｄ1−
ｄ2｜が、段差δと等しいので（｜ｄ1 −ｄ2 ｜＝
δ）、ＯＰＣ後の隣接辺３４の延長線は、平行移動後の
微小辺５２に接続される。
量ｄ1 と、辺３４に対する処理量ｄ2 との差の｜ｄ1−
ｄ2｜が、段差δと等しいので（｜ｄ1 −ｄ2 ｜＝
δ）、ＯＰＣ後の隣接辺３４の延長線は、平行移動後の
微小辺５２に接続される。
【００４３】補正値ｄ1 と補正値ｄ2 との差｜ｄ1−ｄ2
｜は、周辺パターンとの位置関係等によって、かならず
しも段差δに一致するとは限らない。しかし、｜ｄ1−
ｄ2｜が段差δよりも大きい場合であっても、小さい場
合であっても、同様の処理で対処することができる。
｜は、周辺パターンとの位置関係等によって、かならず
しも段差δに一致するとは限らない。しかし、｜ｄ1−
ｄ2｜が段差δよりも大きい場合であっても、小さい場
合であっても、同様の処理で対処することができる。
【００４４】図４（ａ）は、補正値ｄ1 、ｄ2 の差が段
差δよりも大きい場合（｜ｄ1−ｄ2｜＞δ）を、図４
（ｂ）は、補正値ｄ1 、ｄ2 の差が段差δよりも小さい
場合（｜ｄ1−ｄ2｜＜δ）を示している。いずれの場合
も、他方のＯＰＣ後の隣接辺を線分方向に延長し、平行
移動した斜め段差との交点Ｉで接続することにより、設
計パターンに近い形状を維持した良好な補正後マスクパ
ターンを得られる。
差δよりも大きい場合（｜ｄ1−ｄ2｜＞δ）を、図４
（ｂ）は、補正値ｄ1 、ｄ2 の差が段差δよりも小さい
場合（｜ｄ1−ｄ2｜＜δ）を示している。いずれの場合
も、他方のＯＰＣ後の隣接辺を線分方向に延長し、平行
移動した斜め段差との交点Ｉで接続することにより、設
計パターンに近い形状を維持した良好な補正後マスクパ
ターンを得られる。
【００４５】図５は、図３、４に示すパターン補正方法
の変形例である。図３、４では、斜め線と微小辺で構成
された斜め段差が、比較的意味を持つ場合のマスクパタ
ーン補正例を示した。しかし、設計によっては、図形の
形状にデバイス的に重要な意味はないけれども、斜め線
で線分を接続する等の場合もある。このような場合は、
設計パターン中に斜め線や微小辺によって生じる段差形
状をそのまま維持する必要性に乏しいので、さらに簡単
な処理でマスクパターンを補正することができる。
の変形例である。図３、４では、斜め線と微小辺で構成
された斜め段差が、比較的意味を持つ場合のマスクパタ
ーン補正例を示した。しかし、設計によっては、図形の
形状にデバイス的に重要な意味はないけれども、斜め線
で線分を接続する等の場合もある。このような場合は、
設計パターン中に斜め線や微小辺によって生じる段差形
状をそのまま維持する必要性に乏しいので、さらに簡単
な処理でマスクパターンを補正することができる。
【００４６】すなわち、図５（ａ）のパターン３０に対
し、図５（ｂ）に示すように、一定条件を満たす辺３
３、３４に対して補正値を求め、破線で示すパターン４
０を得る。辺３３は補正されて線分４３になり、辺３４
は補正されて線分４４になる。ここまでは、図３（ｂ）
の処理と同様である。
し、図５（ｂ）に示すように、一定条件を満たす辺３
３、３４に対して補正値を求め、破線で示すパターン４
０を得る。辺３３は補正されて線分４３になり、辺３４
は補正されて線分４４になる。ここまでは、図３（ｂ）
の処理と同様である。
【００４７】次に、図５（ｃ）に示すように、いずれか
一方のＯＰＣ後の隣接辺を、その線分方向に延長する。
同時に、他方の隣接辺から延びるＯＰＣ対象外の微小辺
を、他方の隣接辺の補正値ぶんだけ平行移動して延長す
る。前記ＯＰＣ後の一方の隣接辺の延長線と、平行移動
したＯＰＣ対象外の線分の延長線との交点で、２つの線
分を接続する。
一方のＯＰＣ後の隣接辺を、その線分方向に延長する。
同時に、他方の隣接辺から延びるＯＰＣ対象外の微小辺
を、他方の隣接辺の補正値ぶんだけ平行移動して延長す
る。前記ＯＰＣ後の一方の隣接辺の延長線と、平行移動
したＯＰＣ対象外の線分の延長線との交点で、２つの線
分を接続する。
【００４８】図５（ｃ）の例では、ＯＰＣ後の隣接辺４
３を、矢印６３で示すように、その線分方向に延長す
る。他方の辺３４に接続されていた微小斜め線３９を、
辺３４の補正量に合わせて平行移動し、ＯＰＣ後の隣接
辺４４に接続する。平行移動後の斜め線を、矢印６９で
示すように、線分方向に延長する。これら２つの延長線
を、交点Ｉで接続する。この結果、微小くぼみや鋭角部
分をまったく含まない補正後パターン６０が、非常に簡
単な処理で得られる。
３を、矢印６３で示すように、その線分方向に延長す
る。他方の辺３４に接続されていた微小斜め線３９を、
辺３４の補正量に合わせて平行移動し、ＯＰＣ後の隣接
辺４４に接続する。平行移動後の斜め線を、矢印６９で
示すように、線分方向に延長する。これら２つの延長線
を、交点Ｉで接続する。この結果、微小くぼみや鋭角部
分をまったく含まない補正後パターン６０が、非常に簡
単な処理で得られる。
【００４９】第２実施形態においても、第１実施形態と
同様に、微小部分に対して個別にシミュレーションして
補正値を求める必要がない。通常のＯＰＣ処理で得られ
た結果を利用して、簡単な処理で短時間に補正パターン
を作成することができる。また、マスク検査などで問題
となる鋭角形状や微小な凹凸を残すこともない。
同様に、微小部分に対して個別にシミュレーションして
補正値を求める必要がない。通常のＯＰＣ処理で得られ
た結果を利用して、簡単な処理で短時間に補正パターン
を作成することができる。また、マスク検査などで問題
となる鋭角形状や微小な凹凸を残すこともない。
【００５０】なお、第１実施形態同様、図３（ｃ）〜３
（ｄ）、図４、図５（ｃ）に示す処理は、ＯＰＣ処理に
組み込んでもよいし、別途行ってもよい。
（ｄ）、図４、図５（ｃ）に示す処理は、ＯＰＣ処理に
組み込んでもよいし、別途行ってもよい。
【００５１】＜第３実施形態＞図６は、微細な斜め段差
を含む設計パターンの別の補正方法を示す。第２実施形
態では、斜め段差を含む場合に、設計データ上の斜め線
を活かしつつ、簡単な方法でマスクパターンを生成し
た。
を含む設計パターンの別の補正方法を示す。第２実施形
態では、斜め段差を含む場合に、設計データ上の斜め線
を活かしつつ、簡単な方法でマスクパターンを生成し
た。
【００５２】第３実施形態では、ウエハ上に転写される
実際のパターンにおいて、設計データ上で斜め線である
ことがほとんど意味をもたない場合のパターン補正方法
を提供する。
実際のパターンにおいて、設計データ上で斜め線である
ことがほとんど意味をもたない場合のパターン補正方法
を提供する。
【００５３】まず、図６（ｂ）に示すように、ＯＰＣ対
象外とされた微小な斜め線３７、３８，３９を、まず直
交座標軸に平行な図形に変換する。これにより、図６
（ｃ）に示すように、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のみの辺
で形成されるパターン４５が得られる。図６（ｂ）、６
（ｃ）に示す軸方向への変換は、ＯＰＣ処理に先立つ前
処理として行ってもよいし、あるいはＯＰＣ処理に組み
込んで行ってもよい。
象外とされた微小な斜め線３７、３８，３９を、まず直
交座標軸に平行な図形に変換する。これにより、図６
（ｃ）に示すように、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のみの辺
で形成されるパターン４５が得られる。図６（ｂ）、６
（ｃ）に示す軸方向への変換は、ＯＰＣ処理に先立つ前
処理として行ってもよいし、あるいはＯＰＣ処理に組み
込んで行ってもよい。
【００５４】次に、図６（ｄ）に示すように、斜め段差
を含まないパターン４５に通常のＯＰＣ処理を施す。こ
の結果、微小な凹凸や鋭角部分を含まないマスクパター
ン４９が得られる。
を含まないパターン４５に通常のＯＰＣ処理を施す。こ
の結果、微小な凹凸や鋭角部分を含まないマスクパター
ン４９が得られる。
【００５５】なお、比較までに、図６（ａ）のパターン
３０に前処理を行わずに、従来のＯＰＣ処理のみを施し
た場合は、図６（ｅ）の図形が得られる。従来のＯＰＣ
処理だけでは、サークルＣで示すように、好ましくない
鋭角の突起やくぼみが生じ、マスク描画の精度を低下さ
せたり、マスク検査で擬似欠陥の原因となり、エラー検
出が起きる。
３０に前処理を行わずに、従来のＯＰＣ処理のみを施し
た場合は、図６（ｅ）の図形が得られる。従来のＯＰＣ
処理だけでは、サークルＣで示すように、好ましくない
鋭角の突起やくぼみが生じ、マスク描画の精度を低下さ
せたり、マスク検査で擬似欠陥の原因となり、エラー検
出が起きる。
【００５６】これに対し、図６（ａ）〜６（ｄ）に示す
方法は、第１および第２実施形態と同様に、簡単な処理
で、マスク描画や検査に適したマスクパターンを生成す
ることができる。
方法は、第１および第２実施形態と同様に、簡単な処理
で、マスク描画や検査に適したマスクパターンを生成す
ることができる。
【００５７】また、第３実施形態では、まず斜め線を直
交座標軸に沿った線分に変換するので、その後のデータ
処理量が低減され、補正時間も短縮される。
交座標軸に沿った線分に変換するので、その後のデータ
処理量が低減され、補正時間も短縮される。
【００５８】＜第４実施形態＞図７および８は、本発明
の第４実施形態に係るパターン補正方法の図である。第
４実施形態では、パターン補正後のルールチェックで、
ルール違反が検出された場合のパターン補正方法を示
す。通常、ＯＰＣ処理はパターンごとに行われ、ひとつ
のパターンが補正されたところで、補正後のパターンが
所定のデザインルールを満たすかどうかをチェックす
る。パターン補正そのものは適正であっても、周囲のパ
ターンとの位置関係等により、補正後のパターンがデザ
インルールに抵触する場合もある。
の第４実施形態に係るパターン補正方法の図である。第
４実施形態では、パターン補正後のルールチェックで、
ルール違反が検出された場合のパターン補正方法を示
す。通常、ＯＰＣ処理はパターンごとに行われ、ひとつ
のパターンが補正されたところで、補正後のパターンが
所定のデザインルールを満たすかどうかをチェックす
る。パターン補正そのものは適正であっても、周囲のパ
ターンとの位置関係等により、補正後のパターンがデザ
インルールに抵触する場合もある。
【００５９】たとえば図７（ａ）に示すように、設計デ
ータ上で、微細な斜め段差を含むパターン７０の近傍
に、周辺パターン７２が存在する場合を考える。着目す
るパターン７０に対し、第２実施形態の図３に示す方法
で補正処理を行い、図７（ｂ）に示すパターン７５が得
られたとする。この場合、マスクパターン７５の形状と
しては、エラー検出を生じさせず、かつ光近接効果を考
慮に入れた良好なパターン形状である。
ータ上で、微細な斜め段差を含むパターン７０の近傍
に、周辺パターン７２が存在する場合を考える。着目す
るパターン７０に対し、第２実施形態の図３に示す方法
で補正処理を行い、図７（ｂ）に示すパターン７５が得
られたとする。この場合、マスクパターン７５の形状と
しては、エラー検出を生じさせず、かつ光近接効果を考
慮に入れた良好なパターン形状である。
【００６０】ここで、補正後パターン７５に対してルー
ルチェックを行い、マスクデザインルールに従ったもの
であるかどうかを確認する。図７（ｂ）の例では、近傍
に位置する周辺パターン７２との関係で、パターン間の
距離が接近しており、実際に露光を行った場合、２つの
パターンがショート（結合）してしまう可能性が高い。
ルチェックを行い、マスクデザインルールに従ったもの
であるかどうかを確認する。図７（ｂ）の例では、近傍
に位置する周辺パターン７２との関係で、パターン間の
距離が接近しており、実際に露光を行った場合、２つの
パターンがショート（結合）してしまう可能性が高い。
【００６１】２つのパターン７２と７５の位置関係は、
周辺パターン７２と補正パターン７５の間の最短距離で
みる。あるいは、ある一定距離以下の範囲内に配置され
ているか否かで判断してもよい。たとえば、補正パター
ン７５の中で最も周辺パターン７２に近い頂点Ｖ1 と、
周辺パターン７２の中の頂点Ｖ2 の間隔ｄ3 が、マスク
デザインルールに定められたしきい値よりも小さい場合
に、デザインルール違反であるとして検出される。
周辺パターン７２と補正パターン７５の間の最短距離で
みる。あるいは、ある一定距離以下の範囲内に配置され
ているか否かで判断してもよい。たとえば、補正パター
ン７５の中で最も周辺パターン７２に近い頂点Ｖ1 と、
周辺パターン７２の中の頂点Ｖ2 の間隔ｄ3 が、マスク
デザインルールに定められたしきい値よりも小さい場合
に、デザインルール違反であるとして検出される。
【００６２】そこで、デザインルール違反が検出された
場合に、図７（ｃ）に示すように、着目するパターン７
０に対して、代替方法で補正処理を行い、デザインルー
ルを満たす形状にする。すなわち、図７（ｂ）で行った
パターン補正に代えて、別の代替方法、たとえば、第２
実施形態の図５に示す方法を用いて、設計パターン７０
を補正する。図５に示す方法、すなわち斜め段差の一方
の側でのＯＰＣ後の隣接辺７３の延長線７３’と、他方
の隣接辺から延びる平行移動後の斜め線７９との交点Ｉ
でパターンを接続する方法を用いることによって、デザ
インルールに従った補正パターン８０が生成される。
場合に、図７（ｃ）に示すように、着目するパターン７
０に対して、代替方法で補正処理を行い、デザインルー
ルを満たす形状にする。すなわち、図７（ｂ）で行った
パターン補正に代えて、別の代替方法、たとえば、第２
実施形態の図５に示す方法を用いて、設計パターン７０
を補正する。図５に示す方法、すなわち斜め段差の一方
の側でのＯＰＣ後の隣接辺７３の延長線７３’と、他方
の隣接辺から延びる平行移動後の斜め線７９との交点Ｉ
でパターンを接続する方法を用いることによって、デザ
インルールに従った補正パターン８０が生成される。
【００６３】なお、図７に示す例では、斜め段差を含む
パターン７０に光近接効果補正を施こしたが、設計パタ
ーンが直交図形のみで構成されている場合は、ルールチ
ェック後の代替補正方法として、第１実施形態の図１ま
たは図２に示す方法を採用してもよい。
パターン７０に光近接効果補正を施こしたが、設計パタ
ーンが直交図形のみで構成されている場合は、ルールチ
ェック後の代替補正方法として、第１実施形態の図１ま
たは図２に示す方法を採用してもよい。
【００６４】図８は、上述したルールチェックを含めた
本実施形態のパターン補正処理フローを示す。まず、ス
テップＳ８０１で、補正対象層のマスク用の設計データ
を入力する。半導体装置や液晶パネルは、トランジスタ
や配線層が何層にもわたって形成される多層構造を有
し、マスクパターンも、各層ごとに設計、作成される。
設計データに対する光近接効果補正も、層単位で行う。
本実施形態のパターン補正処理フローを示す。まず、ス
テップＳ８０１で、補正対象層のマスク用の設計データ
を入力する。半導体装置や液晶パネルは、トランジスタ
や配線層が何層にもわたって形成される多層構造を有
し、マスクパターンも、各層ごとに設計、作成される。
設計データに対する光近接効果補正も、層単位で行う。
【００６５】次に、ステップＳ８０３に示すように、着
目するパターンについて、所定条件を満たしてＯＰＣの
対象とされた辺を補正する。この補正は、通常のＯＰＣ
処理である。
目するパターンについて、所定条件を満たしてＯＰＣの
対象とされた辺を補正する。この補正は、通常のＯＰＣ
処理である。
【００６６】次に、ステップＳ８０５で、所定の条件を
満たさない（たとえば一定の長さに満たない）としてＯ
ＰＣ対象外とされた微小辺や微小な斜め段差に、第１実
施形態および第２実施形態で示したいずれかの方法を用
いて、補正（変形）を施す。具体的には、図１の方法
（微小辺を一方の隣接辺に合わせる）、図２の方法（微
小辺をその中点を境界にして、双方の隣接辺に合わせ
る）、図３の方法（微小な斜め段差をそのまま平行移動
させ、隣接辺の延長線で接続）、図５の方法（一方の隣
接辺につながる斜辺を平行移動させ、他方の隣接辺を延
長して交点で接続）のいずれかの方法を用いる。ここで
用いる方法を方法１とする。
満たさない（たとえば一定の長さに満たない）としてＯ
ＰＣ対象外とされた微小辺や微小な斜め段差に、第１実
施形態および第２実施形態で示したいずれかの方法を用
いて、補正（変形）を施す。具体的には、図１の方法
（微小辺を一方の隣接辺に合わせる）、図２の方法（微
小辺をその中点を境界にして、双方の隣接辺に合わせ
る）、図３の方法（微小な斜め段差をそのまま平行移動
させ、隣接辺の延長線で接続）、図５の方法（一方の隣
接辺につながる斜辺を平行移動させ、他方の隣接辺を延
長して交点で接続）のいずれかの方法を用いる。ここで
用いる方法を方法１とする。
【００６７】次にステップＳ８０７で、各微小辺につい
て、補正（変形）後のパターンがマスクデザインルール
を満たすか否かを判断する。デザインルールを満たす場
合（Ｓ８０７でＹＥＳ）は、ステップＳ８１５へ進み、
ルールチェックの済んでいない微小辺があるかどうかを
確認する。ルールチェックの済んでいない微小辺がある
場合は、ステップＳ８０７へ戻って、次の微小辺につい
てルールチェックを行う。
て、補正（変形）後のパターンがマスクデザインルール
を満たすか否かを判断する。デザインルールを満たす場
合（Ｓ８０７でＹＥＳ）は、ステップＳ８１５へ進み、
ルールチェックの済んでいない微小辺があるかどうかを
確認する。ルールチェックの済んでいない微小辺がある
場合は、ステップＳ８０７へ戻って、次の微小辺につい
てルールチェックを行う。
【００６８】ステップＳ８０７でルールデザインを満た
さない場合（Ｓ８０７でＮＯ）は、ステップＳ８０９に
進んで、上述した図１、２、３、５に示す方法の中か
ら、別の方法を選択して、着目している微小辺に対し
て、補正（変形）を試みる。ここで用いる方法を、方法
２とする。
さない場合（Ｓ８０７でＮＯ）は、ステップＳ８０９に
進んで、上述した図１、２、３、５に示す方法の中か
ら、別の方法を選択して、着目している微小辺に対し
て、補正（変形）を試みる。ここで用いる方法を、方法
２とする。
【００６９】方法２による補正後、Ｓ８１１で、再度ル
ールチェックを行う。方法２を用いたことにより、ルー
ルチェックを満たすようになった場合（Ｓ８１１でＹＥ
Ｓ）は、ステップＳ８１５へ進み、ルールチェックの済
んでいない微小辺があれば、ステップＳ８０７以降の処
理を繰り返す。
ールチェックを行う。方法２を用いたことにより、ルー
ルチェックを満たすようになった場合（Ｓ８１１でＹＥ
Ｓ）は、ステップＳ８１５へ進み、ルールチェックの済
んでいない微小辺があれば、ステップＳ８０７以降の処
理を繰り返す。
【００７０】方法２による補正をしても、なおデザイン
ルールを満たさない場合（Ｓ８１１でＮＯ）は、ステッ
プＳ８１３に進み、上述した方法の中から、さらに別の
方法を選択して、補正（変形）を試みる。ここで用いる
方法を方法３とする。
ルールを満たさない場合（Ｓ８１１でＮＯ）は、ステッ
プＳ８１３に進み、上述した方法の中から、さらに別の
方法を選択して、補正（変形）を試みる。ここで用いる
方法を方法３とする。
【００７１】方法３による補正（変形）後に、ステップ
Ｓ８１５で、すべての微小辺についてルールチェックが
終了したかどうかを判断し、すべての微小辺についての
処理が終了するまで、ステップＳ８０７〜Ｓ８１５を繰
り返す。
Ｓ８１５で、すべての微小辺についてルールチェックが
終了したかどうかを判断し、すべての微小辺についての
処理が終了するまで、ステップＳ８０７〜Ｓ８１５を繰
り返す。
【００７２】この方法では、パターン中に含まれるすべ
ての微小辺に関し、シミュレーションで個別に補正値を
求めることなく、マスクデザインルールを満たすように
補正することが可能になる。また、第１および第２実施
形態で示したいずれかの方法を用いるので，補正により
好ましくない微小な凹凸や鋭角図形を発生させることも
ない。
ての微小辺に関し、シミュレーションで個別に補正値を
求めることなく、マスクデザインルールを満たすように
補正することが可能になる。また、第１および第２実施
形態で示したいずれかの方法を用いるので，補正により
好ましくない微小な凹凸や鋭角図形を発生させることも
ない。
【００７３】なお、図示はしないが、着目するパターン
によっては、必要に応じてステップＳ８０３の前に、第
３実施形態で示した前処理、すなわちウエハ上のパター
ン形状として意味を持たない微小な斜め段差を、直交座
標軸に平行な図形に変換する処理を行ってもよい。この
前処理を挿入あるいは組み込むことにより、その後の処
理がいっそう簡単になる。
によっては、必要に応じてステップＳ８０３の前に、第
３実施形態で示した前処理、すなわちウエハ上のパター
ン形状として意味を持たない微小な斜め段差を、直交座
標軸に平行な図形に変換する処理を行ってもよい。この
前処理を挿入あるいは組み込むことにより、その後の処
理がいっそう簡単になる。
【００７４】図９は、ルールチェック後のパターン補正
方法の変形例を示す。図７および８に示す方法では、代
替方法を用いることによって、設計パターンの形状に留
意しつつ、デザインルール違反を回避した。
方法の変形例を示す。図７および８に示す方法では、代
替方法を用いることによって、設計パターンの形状に留
意しつつ、デザインルール違反を回避した。
【００７５】図９の方法は、デザインルール違反を検出
したときに、デザインルール違反となる領域を切り取
る。この方法は、設計データ上に存在する段差や微小な
斜め線が、ウエハ上に転写されたときにほとんど意味を
持たない場合に有効である。
したときに、デザインルール違反となる領域を切り取
る。この方法は、設計データ上に存在する段差や微小な
斜め線が、ウエハ上に転写されたときにほとんど意味を
持たない場合に有効である。
【００７６】図９（ａ）および９（ｂ）に示すように、
着目するパターン７０を、図３に示す第２実施形態の方
法で補正したところ、近傍に位置する周辺パターン７２
との間の距離ｄ3 が、マスクデザインルールに違反する
と検出されたとする。
着目するパターン７０を、図３に示す第２実施形態の方
法で補正したところ、近傍に位置する周辺パターン７２
との間の距離ｄ3 が、マスクデザインルールに違反する
と検出されたとする。
【００７７】図９（ｃ）において、周辺パターン７２に
近接する突出領域Ｄの全体を、Ｘ方向の線分７７と、Ｙ
方向の線分７８によって切り取る。切り取り線分７７、
７８は、それぞれＯＰＣ処理後の隣接辺７３、７４に接
続され、デザインルールを満たす補正後のパターン８１
を構成する。
近接する突出領域Ｄの全体を、Ｘ方向の線分７７と、Ｙ
方向の線分７８によって切り取る。切り取り線分７７、
７８は、それぞれＯＰＣ処理後の隣接辺７３、７４に接
続され、デザインルールを満たす補正後のパターン８１
を構成する。
【００７８】補正後のパターン８１は、ウエハの転写形
状にほとんど影響を及ぼすことなく、マスク描画および
検査に適した形状となる。
状にほとんど影響を及ぼすことなく、マスク描画および
検査に適した形状となる。
【００７９】図１０は、図９に示すパターン補正方法の
処理フローである。
処理フローである。
【００８０】まず、ステップＳ９０１で、補正対象層の
マスク用設計データを入力する。ステップＳ９０３で、
着目するパターンについて、所定条件を満たしてＯＰＣ
の対象とされた辺を補正する。この補正は、通常のＯＰ
Ｃ処理である。
マスク用設計データを入力する。ステップＳ９０３で、
着目するパターンについて、所定条件を満たしてＯＰＣ
の対象とされた辺を補正する。この補正は、通常のＯＰ
Ｃ処理である。
【００８１】次に、ステップＳ９０５で、一定の長さに
満たない等してＯＰＣ対象外とされた微小辺や微小な斜
め段差に、第１実施形態および第２実施形態で示したい
ずれかの方法を用いて、補正（変形）を施す。
満たない等してＯＰＣ対象外とされた微小辺や微小な斜
め段差に、第１実施形態および第２実施形態で示したい
ずれかの方法を用いて、補正（変形）を施す。
【００８２】次にステップＳ９０７で、各微小辺につい
て、補正（変形）後のパターンがマスクデザインルール
を満たすか否かを判断する。デザインルールを満たす場
合（Ｓ９０７でＹＥＳ）は、ステップＳ９１１へ進み、
ルールチェックの済んでいない微小辺があるかどうかを
確認する。ルールチェックの済んでいない微小辺がある
場合は、ステップＳ９０７へ戻って、次の微小辺につい
てルールチェックを行う。
て、補正（変形）後のパターンがマスクデザインルール
を満たすか否かを判断する。デザインルールを満たす場
合（Ｓ９０７でＹＥＳ）は、ステップＳ９１１へ進み、
ルールチェックの済んでいない微小辺があるかどうかを
確認する。ルールチェックの済んでいない微小辺がある
場合は、ステップＳ９０７へ戻って、次の微小辺につい
てルールチェックを行う。
【００８３】ステップＳ９０７でデザインルールを満た
さない場合（Ｓ９０７でＮＯ）は、ステップＳ９０９に
進んで、ルール違反に該当する領域を切り取る。
さない場合（Ｓ９０７でＮＯ）は、ステップＳ９０９に
進んで、ルール違反に該当する領域を切り取る。
【００８４】最後に、ステップＳ９１１で、ルールチェ
ックがすべての微小辺について行われたかどうかを確認
し、未処理の微小辺があれば、ステップＳ９０７以降の
処理を繰り返す。
ックがすべての微小辺について行われたかどうかを確認
し、未処理の微小辺があれば、ステップＳ９０７以降の
処理を繰り返す。
【００８５】図９、１０に示すルール違反箇所の切り取
り補正を、図７、８に示す代替方法のステップＳ８１３
に代えて行ってもよいし、ステップＳ８１３の後に挿入
して行ってもよい。これにより、マスクパターンから確
実にデザインルール違反の部分を排除することができ
る。
り補正を、図７、８に示す代替方法のステップＳ８１３
に代えて行ってもよいし、ステップＳ８１３の後に挿入
して行ってもよい。これにより、マスクパターンから確
実にデザインルール違反の部分を排除することができ
る。
【００８６】＜第５実施形態＞図１１および１２は、本
発明の第５実施形態に係るパターン補正方法を示す。第
５実施形態では、ＯＰＣ処理後の設計パターンが、ウエ
ハ上への転写像に影響しない微小図形を含む場合に、バ
イアス処理と簡単な論理演算処理により、これらの微小
図形を消去する方法を提供する。
発明の第５実施形態に係るパターン補正方法を示す。第
５実施形態では、ＯＰＣ処理後の設計パターンが、ウエ
ハ上への転写像に影響しない微小図形を含む場合に、バ
イアス処理と簡単な論理演算処理により、これらの微小
図形を消去する方法を提供する。
【００８７】前述したように、ＯＰＣ処理後のパターン
は、微細な凹凸を含んでいる場合が多い。これらの凹凸
はウエハ転写像への影響がほとんどないにもかかわら
ず、マスク描画および検査に悪影響を及ぼす。このた
め、微細な凹凸を消去し、平坦化することが望ましい。
は、微細な凹凸を含んでいる場合が多い。これらの凹凸
はウエハ転写像への影響がほとんどないにもかかわら
ず、マスク描画および検査に悪影響を及ぼす。このた
め、微細な凹凸を消去し、平坦化することが望ましい。
【００８８】しかし、従来の補正方法では、これらの微
細な凹凸を消去する過程で、新たに鋭角の切り欠き（ノ
ッチ）や、鋭角の突起を生じさせてしまう。そこで第５
実施形態では、これらの鋭角図形を残すことなく、少な
い処理量でマスク描画や検査に適した形状にマスクパタ
ーンを補正する。特に図１１では、ＯＰＣ後の修正段階
で生じた鋭角ノッチを効果的に消去する方法を、図１２
では、鋭角突起を除去する方法を示す。
細な凹凸を消去する過程で、新たに鋭角の切り欠き（ノ
ッチ）や、鋭角の突起を生じさせてしまう。そこで第５
実施形態では、これらの鋭角図形を残すことなく、少な
い処理量でマスク描画や検査に適した形状にマスクパタ
ーンを補正する。特に図１１では、ＯＰＣ後の修正段階
で生じた鋭角ノッチを効果的に消去する方法を、図１２
では、鋭角突起を除去する方法を示す。
【００８９】まず、図１１（ａ）に示すように、通常の
ＯＰＣ処理によりパターン８５が得られる。ここで、Ｏ
ＰＣ後のパターン８５が微細な凹凸を含むか否かを検出
する。この検出は、たとえば、着目するパターンの線
幅、線長などに応じて、所定条件以下の凹凸を含むかど
うかによって決定される。図１１の例では、０．１μｍ
以下の微細なくぼみや突起を微細図形とする。
ＯＰＣ処理によりパターン８５が得られる。ここで、Ｏ
ＰＣ後のパターン８５が微細な凹凸を含むか否かを検出
する。この検出は、たとえば、着目するパターンの線
幅、線長などに応じて、所定条件以下の凹凸を含むかど
うかによって決定される。図１１の例では、０．１μｍ
以下の微細なくぼみや突起を微細図形とする。
【００９０】図１１（ａ）の場合、ＯＰＣ後のパターン
８５は微細な凹凸８６、８７を含む。そこで、パターン
８５に対し、図１１（ｂ）および１１（ｃ）に示す太め
バイアスと、細めバイアスを連続してかけ（太め／細め
バイアス）、微細なくぼみ８６を消去する。具体的に
は、まず図１１（ｂ）でパターン８５を０．０５μｍ太
らせ、太らせたパターン８８を、図１１（ｃ）で０．０
５μｍ細らせる。
８５は微細な凹凸８６、８７を含む。そこで、パターン
８５に対し、図１１（ｂ）および１１（ｃ）に示す太め
バイアスと、細めバイアスを連続してかけ（太め／細め
バイアス）、微細なくぼみ８６を消去する。具体的に
は、まず図１１（ｂ）でパターン８５を０．０５μｍ太
らせ、太らせたパターン８８を、図１１（ｃ）で０．０
５μｍ細らせる。
【００９１】この太め／細めバイアス処理により、微細
なくぼみ８６が消去されたパターン８９が得られる。し
かし、バイアス処理の結果、新たに鋭角のノッチＥが発
生する。このようなノッチＥは、マスク描画や検査でエ
ラー検出の原因となり、好ましくない。
なくぼみ８６が消去されたパターン８９が得られる。し
かし、バイアス処理の結果、新たに鋭角のノッチＥが発
生する。このようなノッチＥは、マスク描画や検査でエ
ラー検出の原因となり、好ましくない。
【００９２】そこで、図１１（ｄ）、１１（ｅ）に示す
ように、ノッチＥを埋め戻して、ノッチを消去したパタ
ーン９１を得る。ノッチの消去は、まず“（ａ）ＮＯＴ
（ｃ）”の演算を行って図１１（ｄ）の状態とし、さら
に“（ｃ）ＯＲ（ｄ）”の演算を行うことにより実現さ
れる。この演算により、図１１（ｅ）の形状が得られ
る。
ように、ノッチＥを埋め戻して、ノッチを消去したパタ
ーン９１を得る。ノッチの消去は、まず“（ａ）ＮＯＴ
（ｃ）”の演算を行って図１１（ｄ）の状態とし、さら
に“（ｃ）ＯＲ（ｄ）”の演算を行うことにより実現さ
れる。この演算により、図１１（ｅ）の形状が得られ
る。
【００９３】ここまでの処理で、ＯＰＣ後のパターン８
５に、不必要な鋭角部分を発生させずに、微小なくぼみ
８６を消去することができた。
５に、不必要な鋭角部分を発生させずに、微小なくぼみ
８６を消去することができた。
【００９４】次に、図１１（ｆ）、１１（ｇ）に示すよ
うに、細め／太めバイアスをかけることにより、残って
いる微小突起８７を消去する。すなわち、図１１（ｅ）
で得られたパターン９１を０．０５μｍ細らせて、図１
１（ｆ）の状態とし、これをさらに０．０５μｍ太らせ
ることによって、図１１（ｇ）に示す最終的なパターン
９５を得る。
うに、細め／太めバイアスをかけることにより、残って
いる微小突起８７を消去する。すなわち、図１１（ｅ）
で得られたパターン９１を０．０５μｍ細らせて、図１
１（ｆ）の状態とし、これをさらに０．０５μｍ太らせ
ることによって、図１１（ｇ）に示す最終的なパターン
９５を得る。
【００９５】このように、ＯＰＣ後のパターンに簡単な
修正を適用することにより、微細な凹凸を効果的に消去
することができる。
修正を適用することにより、微細な凹凸を効果的に消去
することができる。
【００９６】図１２は、鋭角の突起を消去する例を示
す。この例では、微小なくぼみ１０１および微小な突起
１０２を有するＯＰＣ後のパターン１００を修正する。
す。この例では、微小なくぼみ１０１および微小な突起
１０２を有するＯＰＣ後のパターン１００を修正する。
【００９７】まず、図１２（ａ）〜１２（ｃ）までは、
図１１（ａ）〜１１（ｃ）と同様に、パターン１００に
０．０５μｍの太め／細めバイアス処理を施す。この処
理によって、微小なくぼみ１０１が消去されたパターン
１０３が得られる。
図１１（ａ）〜１１（ｃ）と同様に、パターン１００に
０．０５μｍの太め／細めバイアス処理を施す。この処
理によって、微小なくぼみ１０１が消去されたパターン
１０３が得られる。
【００９８】次に、図１２（ｄ）、１２（ｅ）に示すよ
うに、パターン１０３に対して、０．０５μｍの細め／
太目バイアスを施す。
うに、パターン１０３に対して、０．０５μｍの細め／
太目バイアスを施す。
【００９９】この細め／太めバイアスにより、微小突起
１０２が消去された図１２（ｅ）のパターン１０７が得
られるが、新たに鋭角の突起Ｆが生じてしまう。修正過
程で発生する鋭角突起Ｆは、従来方法では消去すること
ができず、マスク描画や検査において、擬似欠陥の原因
となる。
１０２が消去された図１２（ｅ）のパターン１０７が得
られるが、新たに鋭角の突起Ｆが生じてしまう。修正過
程で発生する鋭角突起Ｆは、従来方法では消去すること
ができず、マスク描画や検査において、擬似欠陥の原因
となる。
【０１００】そこで、図１２（ｆ）、１２（ｇ）に示す
ように、“（ｃ）ＮＯＴ（ｅ）”の演算を行って、図１
２（ｆ）の状態にし、さらに、“（ｅ）ＮＯＴ（ｆ）”
の演算を行う。
ように、“（ｃ）ＮＯＴ（ｅ）”の演算を行って、図１
２（ｆ）の状態にし、さらに、“（ｅ）ＮＯＴ（ｆ）”
の演算を行う。
【０１０１】これにより、好ましくない鋭角部分を発生
させることなく、ＯＰＣ後のパターン１００から、微小
くぼみ１０１と微小突起１０２を消去した良好なパター
ン形状１０９を得ることができる。
させることなく、ＯＰＣ後のパターン１００から、微小
くぼみ１０１と微小突起１０２を消去した良好なパター
ン形状１０９を得ることができる。
【０１０２】ＯＰＣ後の修正過程で生じる鋭角のノッチ
やくぼみは、上記のバイアス修正や論理演算を適宜用い
ることにより、少ない演算量で簡単に消去することがで
きる。これにより、マスク描画や検査に適したパターン
補正を行うことができる。
やくぼみは、上記のバイアス修正や論理演算を適宜用い
ることにより、少ない演算量で簡単に消去することがで
きる。これにより、マスク描画や検査に適したパターン
補正を行うことができる。
【０１０３】なお、第５実施形態では、ＯＰＣ後のパタ
ーン修正として説明したが、ＯＰＣ処理の中に組み込む
こともできる。
ーン修正として説明したが、ＯＰＣ処理の中に組み込む
こともできる。
【０１０４】第１実施形態から第５実施形態に示すいず
れの方法も、パターン補正プログラムとして、通常のＯ
ＰＣに組み込んで、あるいは通常のＯＰＣとは独立に、
ＣＡＤなどのパターン生成／補正装置に直接インストー
ルすることができる。このプログラムは、磁気ディス
ク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープ（フロッ
ピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯディス
ク、カセットテープなど）にいったん格納してもよい。
れの方法も、パターン補正プログラムとして、通常のＯ
ＰＣに組み込んで、あるいは通常のＯＰＣとは独立に、
ＣＡＤなどのパターン生成／補正装置に直接インストー
ルすることができる。このプログラムは、磁気ディス
ク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープ（フロッ
ピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯディス
ク、カセットテープなど）にいったん格納してもよい。
【０１０５】以上、実施形態に基づいて本発明を説明し
てきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、実施
形態相互の組み合わせも必要に応じて可能である。たと
えば、第３実施形態で示した前処理に、通常のＯＰＣを
つなげ、さらに第４実施形態のデザインルールを満たす
パターン補正を実行するようにプログラムを組みことも
可能である。これに加えて、あるいは通常のＯＰＣ処理
の後に第５実施形態のバイアス処理を行うようにプログ
ラムを組んでもよい。
てきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、実施
形態相互の組み合わせも必要に応じて可能である。たと
えば、第３実施形態で示した前処理に、通常のＯＰＣを
つなげ、さらに第４実施形態のデザインルールを満たす
パターン補正を実行するようにプログラムを組みことも
可能である。これに加えて、あるいは通常のＯＰＣ処理
の後に第５実施形態のバイアス処理を行うようにプログ
ラムを組んでもよい。
【０１０６】このようなパターン補正方法を用いて半導
体装置を製造する場合は、まず、半導体ウエハ上に形成
すべきパターンを、各層ごとに設計する。設計したパタ
ーンに対し、第１実施形態〜第５実施形態に示す光近接
効果補正を施して、マスクデータを作成する。マスクデ
ータに基づいて各層ごとのマスクを製造する。製造した
マスクを用いて、半導体ウエハ上にパターンを転写す
る。
体装置を製造する場合は、まず、半導体ウエハ上に形成
すべきパターンを、各層ごとに設計する。設計したパタ
ーンに対し、第１実施形態〜第５実施形態に示す光近接
効果補正を施して、マスクデータを作成する。マスクデ
ータに基づいて各層ごとのマスクを製造する。製造した
マスクを用いて、半導体ウエハ上にパターンを転写す
る。
【０１０７】このような半導体装置の製造方法を用いる
ことにより、露光により生じるシュリンク等の弊害を防
止することができる。
ことにより、露光により生じるシュリンク等の弊害を防
止することができる。
【０１０８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の補正方法
によれば、ＯＰＣ対象外とされた微小辺や微小凹凸につ
いて、個別にシミュレーションを行うことなく、簡単な
処理で短時間にパターン補正することができる。
によれば、ＯＰＣ対象外とされた微小辺や微小凹凸につ
いて、個別にシミュレーションを行うことなく、簡単な
処理で短時間にパターン補正することができる。
【０１０９】また、パターンの補正の過程で、新たな凹
凸や鋭角部分を生じさせないので、マスク描画やマスク
検査でのエラー検出を防止できる。
凸や鋭角部分を生じさせないので、マスク描画やマスク
検査でのエラー検出を防止できる。
【０１１０】また、マスクデザインルールを満たすよう
にパターン補正するので、マスク製造に適した最終的な
マスクパターンを得ることができる。
にパターン補正するので、マスク製造に適した最終的な
マスクパターンを得ることができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係るパターン補正方法
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るパターン補正の変
形例を示す図である。
形例を示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係るパターン補正方法
を示す図である。
を示す図である。
【図４】図３（ｄ）に示す工程を詳細に説明するための
図である。
図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るパターン補正の変
形例を示す図である。
形例を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るパターン補正方法
を示し、特にＯＰＣの前処理として有効な方法を示す図
である。
を示し、特にＯＰＣの前処理として有効な方法を示す図
である。
【図７】本発明の第４実施形態に係るパターン補正方法
を示し、特に、マスクデザインのルールチェックに対応
できる補正方法を示す図である。
を示し、特に、マスクデザインのルールチェックに対応
できる補正方法を示す図である。
【図８】図７の方法の処理手順を示すフロ−チャートで
ある。
ある。
【図９】本発明の第４実施形態に係るパターン補正の変
形例を示す図である。
形例を示す図である。
【図１０】図９の方法の処理手順を示すフローチャート
である。
である。
【図１１】本発明の第５実施形態に係るパターン補正方
法を示す図である。
法を示す図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に係るパターン補正の
変形例を示す図である。
変形例を示す図である。
【図１３】従来のＯＰＣ（光近接効果補正）により生じ
る微細なくぼみを示す図である。
る微細なくぼみを示す図である。
【図１４】従来のマスクバイアスにより生じる鋭角図形
を示す図である。
を示す図である。
１０、３０、７０ 補正対象パターン
１１、３１、３２ 微小辺（ＯＰＣ対象外の辺）
１２、１３、３３、３４ 隣接辺（ＯＰＣ対象の辺）
２２、２３、４３、４４、７３ ＯＰＣ後の隣接辺
７２ 周辺パターン
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｅ，Ｆ 鋭角部分
Ｄ 切り取り箇所
Ｉ 交点
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田中 聡
神奈川県横浜市磯子区新杉田８番地 株式
会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 渡邉 進
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株
式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン
ター内
(72)発明者 矢野 光浩
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株
式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン
ター内
Ｆターム(参考） 2H095 BB01
5B046 AA08 BA06
Claims (13)
- 【請求項１】 コンピュータにより、設計されたパター
ンを構成する辺のうち、所定の条件を満たす辺に対し、
光近接効果を考慮した補正値を算出して第１の補正を行
い、前記所定の条件を満たさない辺に対し、前記第１の
補正がなされた辺のうち、当該所定条件を満たさない辺
に隣接する辺の補正値を用いて第２の補正を行い、前記
第１の補正がされた辺の間を線分で接続することを特徴
とするパターン補正方法。 - 【請求項２】 前記第２の補正は、前記所定条件を満た
さない辺を、前記第１の補正がされた辺のうち、当該所
定条件を満たさない辺の一方の側で隣接する辺の補正値
に一致させ、前記補正値に一致させた辺の他端と、前記
第１の補正がされた辺のうち、当該所定の条件を満たさ
ない辺の他方の側で隣接する辺との間を、線分で接続す
ることを特徴とする請求項１に記載のパターン補正方
法。 - 【請求項３】 前記第２の補正は、前記所定条件を満た
さない辺を、当該所定条件を満たさない辺の中点を境界
として、半分を一方の側で隣接する第１補正後の辺の補
正値に一致させて第１線分とし、残りの半分を他方の側
で隣接する第１補正後の辺の補正値に一致させて第２線
分とし、前記第１線分と第２線分とを、前記中点を通る
線分で接続することを特徴とする請求項１に記載のパタ
ーン補正方法。 - 【請求項４】 前記第２の補正は、前記所定の条件を満
たさない辺を、前記第１の補正がされた辺のうち、当該
所定条件を満たさない辺の一方の側で隣接する辺の補正
値に合わせて平行移動し、前記前記第１の補正がされた
辺のうち、当該所定条件を満たさない辺の他方の側で隣
接する辺を、その線分方向に延長し、前記平行移動後の
辺と、前記延長後の辺との交点で、これら２つの辺を接
続することを特徴とする請求項１に記載のパターン補正
方法。 - 【請求項５】 前記第２の補正の後に、前記第２の補正
後のパターンがデザインルールを満たすか否かの判断を
行い、前記デザインルールを満たさない場合に、別の接
続方法を用いて、前記所定条件を満たさない辺に対し
て、再度第２の補正を行うことを特徴とする請求項２〜
４のいずれかに記載のパターン補正方法。 - 【請求項６】 前記第２の補正の後に、前記第２の補正
後のパターンがデザインルールを満たすか否かの判断を
行い、前記デザインルールを満たさない場合に、デザイ
ンルールに反する箇所を切り取ることを特徴とする請求
項２〜４のいずれかに記載のパターン補正方法。 - 【請求項７】 前記切り取り処理は、前記デザインルー
ルに満たさない箇所に隣接し、前記第１の補正がされた
隣接辺の延長線で切り取ることを特徴とする請求項６に
記載のパターン補正方法。 - 【請求項８】 前記第１の補正の前に、前記所定の条件
を満たさない辺を、すべて直交座標軸に平行な辺に変換
する処理をさらに含むことを特徴とする請求項１〜７の
いずれかに記載のパターン補正方法。 - 【請求項９】 前記所定の条件は、所定の長さ以上であ
ることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のパ
ターン補正方法。 - 【請求項１０】 前記第１の補正値は、シミュレーショ
ンにより算出されることを特徴とする請求項１〜８のい
ずれかに記載のパターン補正方法。 - 【請求項１１】 コンピュータにより、 ウエハ上に形成されるパターンを設計し、前記設計され
たパターンを構成する辺のうち、所定の条件を満たす辺
に対して、光近接効果を考慮した補正を行い、前記補正
後のパターンが、前記ウエハへの転写像に影響しない微
小図形を含むか否かを判断し、前記微小図形を含む場合
に、前記補正後のパターン全体を太めるバイアスと、細
めるバイアスを組み合わせたバイアス処理を行い、前記
バイアス処理の後に所定の論理演算を行って、前記バイ
アス処理により生じた鋭角図形を消去することを特徴と
するパターン補正方法。 - 【請求項１２】 半導体ウエハ上に形成されるパターン
を各層ごとに設計した設計データを作成し、前記設計さ
れたデータを各層ごとに入力し、前記設計データに含ま
れるパターンごとに、所定の条件を満たす辺に対して光
近接効果を考慮した補正値を算出して第１の補正を行
い、前記所定の条件を満たさない辺に対して、前記第１
の補正がされた辺のうち、当該所定条件を満たさない辺
に隣接する辺の補正値を用いて第２の補正を行って、前
記第１の補正がされた辺の間を線分で接続するマスクデ
ータを生成し、前記マスクデータに基づいてマスクを作
成し、前記マスクを用いて、前記半導体ウエハ上に前記
パターンを転写することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項１３】 半導体ウエハ上に形成されるパターン
を各層ごとに設計した設計データを作成し、前記設計さ
れたデータを各層ごとに入力し、前記設計データに含ま
れるパターンごとに、所定の条件を満たす辺に対して光
近接効果を考慮した補正を行い、前記補正後のパターン
が、前記ウエハへの転写像に影響しない微小図形を含む
か否かを判断し、前記微小図形を含む場合に、前記補正
後のパターン全体を太めるバイアスと、細めるバイアス
を組み合わせたバイアス処理を行い、前記バイアス処理
の後に、所定の論理演算を行って、前記バイアス処理に
より生じた鋭角図形を消去してマスクデータを作成し、
前記マスクデータに基づいてマスクを作成し、前記マス
クを用いて、前記半導体ウエハ上に前記パターンを転写
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398438A JP3708873B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | パターン補正方法および半導体装置の製造方法 |
| US10/331,005 US7065739B2 (en) | 2001-12-27 | 2002-12-27 | Pattern correction method of semiconductor device |
| US11/381,262 US7509623B2 (en) | 2001-12-27 | 2006-05-02 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398438A JP3708873B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | パターン補正方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003195473A true JP2003195473A (ja) | 2003-07-09 |
| JP3708873B2 JP3708873B2 (ja) | 2005-10-19 |
Family
ID=19189348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001398438A Expired - Fee Related JP3708873B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | パターン補正方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7065739B2 (ja) |
| JP (1) | JP3708873B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005316135A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Toshiba Corp | 設計パターン補正方法と設計パターン作成方法及びプロセス近接効果補正方法 |
| JP2006119475A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Toppan Printing Co Ltd | 近接効果補正方法、フォトマスク、デバイス、近接効果補正装置 |
| JP2006267876A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Toppan Printing Co Ltd | パターン補正方法、パターン補正装置、フォトマスク、およびデバイス |
| JP2006523865A (ja) * | 2003-04-14 | 2006-10-19 | フォルティス・システムズ・インコーポレーテッド | 実効的近接効果補正方法論 |
| US7176486B2 (en) | 2003-12-25 | 2007-02-13 | Rohm Co., Ltd. | Structure of test element group wiring and semiconductor substrate |
| JP2009210707A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Nec Electronics Corp | フォトマスク及びその設計方法と設計プログラム |
| JP2010128441A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラム |
| JP2012252237A (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-20 | Dainippon Printing Co Ltd | マスクデータ生成方法及びそれを用いたマスクの製造方法 |
| CN112946994A (zh) * | 2019-12-10 | 2021-06-11 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6964031B2 (en) * | 2001-09-29 | 2005-11-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask pattern generating method and manufacturing method of semiconductor apparatus |
| US7197738B1 (en) * | 2002-08-09 | 2007-03-27 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing |
| JP2004077824A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | パターン形成方法、パターン形成プログラム、及び半導体装置の製造方法 |
| US7366342B2 (en) * | 2003-10-27 | 2008-04-29 | International Business Machines Corporation | Simultaneous computation of multiple points on one or multiple cut lines |
| US7174529B1 (en) * | 2004-02-14 | 2007-02-06 | Cadence Design Systems, Inc. | Acute angle avoidance during routing |
| JP4476684B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-06-09 | 株式会社東芝 | パターン補正方法、パターン補正システム、パターン補正プログラム、マスクの作成方法、および半導体装置の製造方法 |
| US7240305B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-07-03 | Lippincott George P | OPC conflict identification and edge priority system |
| US7281224B2 (en) * | 2004-10-26 | 2007-10-09 | Synopsys, Inc. | Wide geometry recognition by using circle-tangent variable spacing model |
| US7263684B2 (en) * | 2004-12-06 | 2007-08-28 | Texas Instruments Incorporated | Correcting a mask pattern by selectively updating the positions of specific segments |
| US7404167B2 (en) * | 2005-02-23 | 2008-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for improving design window |
| US7571408B1 (en) | 2005-03-09 | 2009-08-04 | Cadence Design Systems, Inc. | Methods and apparatus for diagonal route shielding |
| JP4686257B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-05-25 | 株式会社東芝 | マスク製造システム、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US7694258B1 (en) | 2005-08-01 | 2010-04-06 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for inserting metal fill in an integrated circuit (“IC”) layout |
| US7472366B1 (en) | 2005-08-01 | 2008-12-30 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for performing a path search |
| JP4819540B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-11-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 回路パターンデータ補正方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP4745256B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | パターン作成方法、パターン作成・検証プログラム、および半導体装置の製造方法 |
| CN100445875C (zh) * | 2007-01-26 | 2008-12-24 | 浙江大学 | 一种层次化的光学邻近效应校正方法 |
| JP5252932B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2013-07-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| CN104678694B (zh) * | 2013-11-26 | 2018-10-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 版图修正方法及设备 |
| CN103645611B (zh) * | 2013-11-29 | 2015-11-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种版图设计光刻工艺友善性检测方法 |
| CN110263438B (zh) * | 2019-06-20 | 2023-09-22 | 格兰菲智能科技有限公司 | 集成电路布局锐角修复方法和集成电路布局锐角修复系统 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3934719B2 (ja) * | 1995-12-22 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 光近接効果補正方法 |
| JPH09252468A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Minolta Co Ltd | 画像圧縮装置 |
| JP3414126B2 (ja) * | 1996-05-23 | 2003-06-09 | 日産自動車株式会社 | ボア内壁面欠陥検査装置 |
| US5740068A (en) | 1996-05-30 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Fidelity enhancement of lithographic and reactive-ion-etched images by optical proximity correction |
| JP3406506B2 (ja) * | 1997-03-24 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | フォトマスクのパターン補正方法およびフォトマスクのパターン補正装置 |
| JP3761681B2 (ja) * | 1997-08-19 | 2006-03-29 | 沖電気工業株式会社 | フォトマスク欠損欠陥修正方法 |
| US6370679B1 (en) * | 1997-09-17 | 2002-04-09 | Numerical Technologies, Inc. | Data hierarchy layout correction and verification method and apparatus |
| JP3278057B2 (ja) | 1998-12-14 | 2002-04-30 | 日本電気株式会社 | 半導体製造プロセスの光近接効果補正方法およびマスクデータ形成方法 |
| JP3535399B2 (ja) | 1998-12-22 | 2004-06-07 | 株式会社東芝 | マスク描画データ作成方法 |
| US6238824B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Method for designing and making photolithographic reticle, reticle, and photolithographic process |
| US6539521B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-03-25 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects |
| US6574784B1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-06-03 | George P. Lippincott | Short edge management in rule based OPC |
| US6601231B2 (en) * | 2001-07-10 | 2003-07-29 | Lacour Patrick Joseph | Space classification for resolution enhancement techniques |
| JP3615182B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2005-01-26 | 株式会社東芝 | 光近接効果補正方法及び光近接効果補正システム |
| JP4190796B2 (ja) * | 2002-04-24 | 2008-12-03 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 露光原版の作成方法 |
| JP2003322945A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | レイアウトパターンデータの補正装置 |
| JP2004294551A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法、光近接効果補正装置、及びプログラム |
| JP4476684B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-06-09 | 株式会社東芝 | パターン補正方法、パターン補正システム、パターン補正プログラム、マスクの作成方法、および半導体装置の製造方法 |
| US7263684B2 (en) * | 2004-12-06 | 2007-08-28 | Texas Instruments Incorporated | Correcting a mask pattern by selectively updating the positions of specific segments |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001398438A patent/JP3708873B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-27 US US10/331,005 patent/US7065739B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-02 US US11/381,262 patent/US7509623B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006523865A (ja) * | 2003-04-14 | 2006-10-19 | フォルティス・システムズ・インコーポレーテッド | 実効的近接効果補正方法論 |
| US7176486B2 (en) | 2003-12-25 | 2007-02-13 | Rohm Co., Ltd. | Structure of test element group wiring and semiconductor substrate |
| JP2005316135A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Toshiba Corp | 設計パターン補正方法と設計パターン作成方法及びプロセス近接効果補正方法 |
| JP2006119475A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Toppan Printing Co Ltd | 近接効果補正方法、フォトマスク、デバイス、近接効果補正装置 |
| JP4677760B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2011-04-27 | 凸版印刷株式会社 | 近接効果補正方法、フォトマスク、近接効果補正装置 |
| JP2006267876A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Toppan Printing Co Ltd | パターン補正方法、パターン補正装置、フォトマスク、およびデバイス |
| JP2009210707A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Nec Electronics Corp | フォトマスク及びその設計方法と設計プログラム |
| JP2010128441A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラム |
| JP2012252237A (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-20 | Dainippon Printing Co Ltd | マスクデータ生成方法及びそれを用いたマスクの製造方法 |
| CN112946994A (zh) * | 2019-12-10 | 2021-06-11 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 |
| CN112946994B (zh) * | 2019-12-10 | 2022-12-16 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060190921A1 (en) | 2006-08-24 |
| US20030126582A1 (en) | 2003-07-03 |
| US7509623B2 (en) | 2009-03-24 |
| US7065739B2 (en) | 2006-06-20 |
| JP3708873B2 (ja) | 2005-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003195473A (ja) | パターン補正方法および半導体装置の製造方法 | |
| US7367009B2 (en) | Convergence technique for model-based optical and process correction | |
| US6516459B1 (en) | Integrated circuit design correction using fragment correspondence | |
| JP4104574B2 (ja) | エッジ・フラグメントのタグ付けを使用してエッジ配置歪みを補正するサブミクロンｉｃ設計のための改善された方法および装置 | |
| US7631287B2 (en) | Calculating method, verification method, verification program and verification system for edge deviation quantity, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2003525470A (ja) | 混合モード光近接効果補正のための方法及び装置 | |
| JP3396629B2 (ja) | マスクパターン補正方法 | |
| US20180284597A1 (en) | Etch kernel definition for etch modeling | |
| JP2002083757A (ja) | レイアウトパターンデータ補正装置、補正方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体 | |
| JP2000098584A (ja) | マスクパタ―ン補正方法及びマスクパタ―ン補正プログラムを記録した記録媒体 | |
| JP3535399B2 (ja) | マスク描画データ作成方法 | |
| JP2002072441A (ja) | レイアウトパターンデータ補正装置及び方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレイアウトパターンデータ補正プログラムを記録した媒体 | |
| US7260814B2 (en) | OPC edge correction based on a smoothed mask design | |
| JP2004279950A (ja) | フォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法 | |
| US6807519B2 (en) | Methods of forming radiation-patterning tools; carrier waves and computer readable media | |
| US7222327B2 (en) | Photo mask, method of manufacturing photo mask, and method of generating mask data | |
| KR20050062567A (ko) | 마스크 패턴 보정방법 | |
| JP2005316135A (ja) | 設計パターン補正方法と設計パターン作成方法及びプロセス近接効果補正方法 | |
| US6560767B2 (en) | Process for making photomask pattern data and photomask | |
| JP2003149784A (ja) | パターンデータ検証装置、パターンデータ検証方法、プログラム及び記録媒体 | |
| JP2002062633A (ja) | マスクパターン補正方法及び補正装置 | |
| JP2004301892A (ja) | パターン作成方法及び装置 | |
| JP3603027B6 (ja) | エッジ・フラグメントのタグ付けを使用してエッジ配置歪みを補正するサブミクロンｉｃ設計のための改善された方法および装置 | |
| JP2004152880A (ja) | 台形分割方法およびその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041001 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041019 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050726 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050804 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090812 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090812 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100812 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100812 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110812 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110812 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120812 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120812 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130812 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |