CN112946994B - 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 - Google Patents

Abstract

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供图形单元，包括沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的多个栅极图形，第一方向和第二方向相垂直，图形单元还包括与栅极图形相交的有源区图形，有源区图形露出栅极图形在第一方向的线端；对有源区图形沿第一方向进行延展处理形成延展后有源区图形，延展后有源区图形露出栅极图形在第一方向的线端，栅极图形中与延展后有源区图形交叠边作为第一类型边，未与延展后有源区图形交叠的且沿第一方向延伸的边作为第二类型边；将第一类型边分割为多个第一类型片段，将第二类型边分割为多个第二类型片段；对第一类型片段和第二类型片段进行光学邻近修正。本发明提高光学邻近修正的精度。

Description

光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片上，形成符合设计要求的半导体产品。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终导致在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(Optical ProximityCorrection，OPC)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻图形相对应光掩模图形会发生光学邻近效应，但由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

现有的光学邻近修正方法中，提供目标图形后，整个光学邻近修正的过程包括多个循环，每次循环均对目标图形进行修正获得调整后的初始图形，并计算边缘位置误差(Edge Placement Error，EPE)，通过判断边缘位置误差是否达到标准以判断修正是否完成，最终得到符合标准的修正后图形。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，提高光学邻近修正的精度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学临近修正方法，包括：提供图形单元，所述图形单元包括多个栅极图形，所述多个栅极图形沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第一方向和第二方向相垂直，所述图形单元还包括与所述多个栅极图形相交的有源区图形，所述有源区图形露出所述栅极图形在所述第一方向的线端；使所述有源区图形沿所述第一方向延展，形成延展后有源区图形，对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理，形成延展后有源区图形，所述延展后有源区图形露出所述栅极图形在所述第一方向的线端，其中，所述栅极图形中与所述延展后有源区图形交叠的边作为第一类型边，所述栅极图形中未与所述延展后有源区图形交叠的且沿所述第一方向延伸的边作为第二类型边；将所述第一类型边分割为多个第一类型片段，将所述第二类型边分割为多个第二类型片段；对所述第一类型片段和第二类型片段进行光学邻近修正，获得修正后栅极图形。

可选的，在所述图形单元中，所述多个栅极图形包括第一栅极图形和多个第二栅极图形，所述第一栅极图形沿所述第二方向位于所述第二栅极图形整体的两侧，在所述第二方向上，所述有源区图形与所述第一栅极图形部分交叠；对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理的过程中，在所述第二方向上，所述延展后有源区图形与所述第一栅极图形部分交叠。

可选的，在所述图形单元中，所述多个栅极图形包括第一栅极图形和多个第二栅极图形，所述第一栅极图形沿所述第二方向位于所述第二栅极图形整体的两侧，在所述第二方向上，所述有源区图形与所述第一栅极图形部分交叠；对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理的过程中，还对所述有源区图形沿所述第二方向进行延展处理，所述延展后有源区图形在所述第二方向上横跨所述第一栅极图形和第二栅极图形。

可选的，获得所述修正后栅极图形的步骤包括：对所述栅极图形进行OPC运算，获得与所述第一类型片段相对应的第一类型初始修正片段、以及与所述第二类型片段相对应的第二类型初始修正片段；获取所述第一类型初始修正片段的第一边缘放置误差、以及所述第二类型初始修正片段的第二边缘放置误差；若所述第一边缘放置误差大于第一阈值，或所述第二边缘放置误差大于第二阈值，则将所述第一类型初始修正片段和第二类型初始修正片段构成的图形作为栅极图形，并重复对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理至获取第一边缘放置误差和第二边缘放置误差的过程，直至第一边缘放置误差小于所述第一阈值，且第二边缘放置误差小于所述第二阈值。

可选的，获取所述第一类型初始修正片段的第一边缘放置误差、以及所述第一类型初始修正片段的第二边缘放置误差的步骤包括：对所述第一类型初始修正片段和第二类型初始修正片段构成的图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，所述模拟曝光图形包括与所述第一类型初始修正片段相对应的第一曝光片段、以及与所述第二类型初始修正片段相对应的第二曝光片段；根据所述第一曝光片段相对于所述第一类型片段的位置偏移程度得到第一边缘放置误差；根据所述第二曝光片段相对于所述第二类型片段的位置偏移程度得到第二边缘放置误差。

可选的，对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理的过程中，所述有源区图形单边延展的尺寸至少为5纳米。

可选的，所述有源区图形单边延展的尺寸为5纳米至15纳米。

可选的，在所述第二方向上，对于位于所述第一栅极图形与第二栅极图形相背的一侧的所述延展后有源区，所述延展后有源区在所述第二方向上的尺寸至少为所述任一栅极图形宽度的一半。

可选的，将所述第一类型边分割为多个第一类型片段的步骤中，切割步长为20纳米至1微米。

可选的，将所述第一类型边分割为多个第一类型片段时的切割步长小于将所述第二类型边分割为多个第二类型片段时的切割步长；或者，将所述第一类型边分割为多个第一类型片段时的切割步长等于将所述第二类型边分割为多个第二类型片段时的切割步长。

可选的，所述第一阈值小于所述第二阈值。

可选的，所述第一阈值为0.6纳米至3纳米；所述第二阈值为1.2纳米至5纳米。

相应的，本发明实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括采用前述光学邻近修正方法得到的修正后栅极图形制作掩膜版。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例对有源区图形沿栅极图形的延伸方向进行延展处理，形成延展后有源区图形，所述栅极图形中与所述延展后有源区图形交叠的边作为第一类型边，接着将第一类型边分割为多个第一类型片段，随后对所述第一类型片段进行光学邻近修正，获得修正后栅极图形；其中，被有源区图形覆盖的栅极图形用于作为有效栅极图形，通过将有源区图形沿第一方向进行延展处理，使延展后有源区图形在沿第一方向上覆盖更多的栅极图形的边，因此，将第一类型边分割为多个第一类型片段，这为有效栅极图形的光学邻近修正提供更大的缓冲(buffer)区域，从而提高对有效栅极图形的光学邻近修正的精度。

附图说明

图1是一种光学临近修正方法的示意图；

图2本发明一实施例中光学临近修正方法的流程图；

图3是图2所示实施例中步骤S1对应的示意图；

图4是图2所示实施例中步骤S2对应的示意图；

图5是图2所示实施例中步骤S3对应的示意图；

图6是图2所示实施例中步骤S4对应的示意图；

图7是本发明另一实施例中光学临近修正方法对应的示意图。

具体实施方式

现有的光学邻近修正方法中，光学邻近修正的精度较低。

现结合一种光学临近修正方法，分析光学邻近修正的精度较低的原因。

图1是一种光学临近修正方法的示意图。

参考图1，提供图形单元(未标示)，所述图形单元包括多个栅极图形10，所述多个栅极图形10沿第一方向(未标示)延伸且沿第二方向平行排列(未标示)，第一方向和第二方向相垂直，所述图形单元还包括与所述多个栅极图形10相交的有源区图形20，所述有源区图形20露出栅极图形10在第一方向的线端。

所述图形单元为预先设定的需要在掩膜版中生成的图形，从而将所述图形单元中的栅极图形10转移至生产所用的晶圆上。因此，所述栅极图形10与形成于晶圆上的栅极结构相对应，有源区图形20与晶圆上用于形成晶体管的区域相对应。

所述栅极图形10中沿第一方向延伸的边作为修正边(未标示)，且在第一方向上，有源区图形20与栅极图形10部分交叠。其中，与所述有源区图形20交叠的栅极图形10用于作为有效栅极图形(未标示)。

继续参考图1，将栅极图形10的各边分割为多个片段(未标示)。

作为一种示例，将栅极图形10中沿第一方向延伸的边分割为第一片段S11、第二片段S12、第三片段S13、第四片段S14、第五片段S15和第六片段S16。

后续步骤还包括对所述多个片段进行光学邻近修正，获得修正后栅极图形。而且，由于有源区图形20对应于晶圆上用于形成晶体管的区域，因此，对有效栅极图形的边所对应片段的修正精度有更高要求。

但是，在进行光学邻近修正时，需保证每一个片段对应的边缘放置误差均在预设阈值内，位于所述有源区图形20中的片段的修正效果又会受到其他区域的片段的限制，从而导致光学邻近修正的精度无法提高。

为了解决所述技术问题，本发明实施例提供一种光学临近修正方法，包括：提供图形单元，所述图形单元包括多个栅极图形，所述多个栅极图形沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第一方向和第二方向相垂直，所述图形单元还包括与所述多个栅极图形相交的有源区图形，所述有源区图形露出所述栅极图形在所述第一方向的线端；使所述有源区图形沿所述第一方向延展，形成延展后有源区图形，对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理，形成延展后有源区图形，所述延展后有源区图形露出所述栅极图形在所述第一方向的线端，其中，所述栅极图形中与所述延展后有源区图形交叠的边作为第一类型边，所述栅极图形中未与所述延展后有源区图形交叠的且沿所述第一方向延伸的边作为第二类型边；将所述第一类型边分割为多个第一类型片段，将所述第二类型边分割为多个第二类型片段；对所述第一类型片段和第二类型片段进行光学邻近修正，获得修正后栅极图形。

本发明实施例对有源区图形沿栅极图形的延伸方向进行延展处理，形成延展后有源区图形，所述栅极图形中与所述延展后有源区图形交叠的边作为第一类型边，接着将第一类型边分割为多个第一类型片段，随后对所述第一类型片段进行光学邻近修正，获得修正后栅极图形；其中，被有源区图形覆盖的栅极图形用于作为有效栅极图形，通过将有源区图形沿第一方向进行延展处理，使延展后有源区图形在沿第一方向上覆盖更多的栅极图形的边，因此，将第一类型边分割为多个第一类型片段，这为有效栅极图形的光学邻近修正提供更大的缓冲区域，从而提高对有效栅极图形的光学邻近修正的精度。

参考图2，示出了本发明一实施例中光学临近修正方法的流程图。本实施例所述的光学临近修正方法包括以下基本步骤：

步骤S1：提供图形单元，所述图形单元包括多个栅极图形，所述多个栅极图形沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第一方向和第二方向相垂直，所述图形单元还包括与所述多个栅极图形相交的有源区图形，所述有源区图形露出所述栅极图形在所述第一方向的线端；

步骤S2：对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理，形成延展后有源区图形，所述延展后有源区图形露出所述栅极图形在所述第一方向的线端，其中，所述栅极图形中与所述延展后有源区图形交叠的边作为第一类型边，所述栅极图形中未与所述延展后有源区图形交叠的且沿所述第一方向延伸的边作为第二类型边；

步骤S3：将所述第一类型边分割为多个第一类型片段，将所述第二类型边分割为多个第二类型片段；

步骤S4：对所述第一类型片段和第二类型片段进行光学邻近修正，获得修正后栅极图形。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

结合参考图3，执行步骤S1，提供图形单元50，所述图形单元50包括多个栅极图形100，所述多个栅极图形100沿第一方向(如图3中Y方向所示)延伸且沿第二方向(如图3中X方向所示)平行排列，所述第一方向和第二方向相垂直，所述图形单元50还包括与所述多个栅极图形100相交的有源(active)区图形200，所述有源区图形200露出所述栅极图形100在第一方向的线端(line-end)。

所述图形单元50集成于原始版图中，原始版图为预先设定的需要在掩膜版中生成的图形，从而将所述图形单元50中的栅极图形100转移至生产所用的晶圆上。其中，原始版图可以根据不同的半导体工艺需求进行确定。

所述原始版图存储于原始版图文件中。其中，原始版图文件是指利用EDA工具设计形成的包含设计图形的版图文件。通常地，原始版图文件是通过了DRC(design rulecheck)验证的版图文件。

本实施例中，所述原始版图的文件格式为GDS格式。在其他实施例中，所述原始版图的文件格式还可以为OASIS等其他格式。

所述栅极图形100与形成于晶圆上的栅极结构相对应，所述有源区图形200与晶圆上的有源区(active area)相对应。因此，本实施例中，与所述有源区图形200交叠的栅极图形100用于作为有效栅极图形(未标示)。

本实施例中，所述栅极图形100呈长条状，所述多个栅极图形100沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列。

具体地，在所述图形单元50中，所述多个栅极图形100包括第一栅极图形110和多个第二栅极图形120，所述第一栅极图形110沿所述第二方向位于所述第二栅极图形120整体的两侧。

也就是说，所述多个第二栅极图形120构成第二栅极图形组(未标示)，所述第一栅极图形110沿所述第二方向位于所述第二栅极图形组的两侧。

作为一种示例，在所述图形单元50中，所述第一栅极图形110的数量为两个，所述第二栅极图形组沿所述第二方向的每侧均设置一个第一栅极图形110。

在其他实施例中，所述第二栅极图形组沿所述第二方向的每侧均设置多个第一栅极图形。

本实施例中，所述第一栅极图形110对应于形成于晶圆上的伪栅结构(dummygate)，所述第二栅极图形120对应于形成于晶圆上的器件栅结构。其中，器件栅结构用于控制晶体管的沟道的开启和关断。

以鳍式场效应晶体管为例，鳍式场效应晶体管通常还包括鳍部，相应的，栅极结构横跨鳍部且覆盖鳍部的部分侧壁和部分顶部，在鳍部的延伸方向上，鳍部的端部被栅极结构所覆盖。因此，本实施例中，在所述第二方向上，所述有源区图形200与所述第一栅极图形110部分交叠。

本实施例中，所述有源区图形200露出所述栅极图形100在所述第一方向上的线端，也就是说，在第一方向上，有源区图形200与栅极图形100部分交叠。

参考图4，执行步骤S2，对所述有源区图形200(如图3所示)沿所述第一方向(如图3中Y方向所示)进行延展处理，形成延展后有源区图形210，所述延展后有源区图形210露出所述栅极图形100在所述第一方向的线端，其中，所述栅极图形100中与所述延展后有源区图形210交叠的边作为第一类型边130，所述栅极图形100中未与所述延展后有源区图形210交叠的且沿所述第一方向延伸的边作为第二类型边140。

其中，图4中采用虚线表示有源区图形200的边界。

本实施例中，所述第一类型边130和第二类型边140均平行于第一方向，且所述第一类型边130是所述栅极图形100中与延展后有源区图形210具有交叠的边，因此，与第二类型边140相比，在后续进行光学邻近修正时，对第一类型边130的修正精度的要求则更高。

后续将所述第一类型边130分割为多个第一类型片段，并对所述第一类型片段进行光学邻近修正，因此，通过将所述有源区图形200沿第一方向进行延展处理，使所述延展后有源区图形210在沿第一方向上覆盖更多的栅极图形100的边，因此，后续对所述第一类型片段进行光学邻近修正时，能够为有效栅极图形的光学邻近修正提供更大的缓冲区域，从而提高对有效栅极图形的光学邻近修正的精度。

需要说明的是，所述有源区图形200单边延展的尺寸L不宜过小。如果有源区图形200单边延展的尺寸L过小，则为有效栅极图形的光学邻近修正提供更大的缓冲区域的效果不明显，相应难以提高光学邻近修正的精度。为此，本实施例中，所述有源区图形200单边延展的尺寸L至少为5纳米。

还需要说明的是，当所述有源区图形200单边延展的尺寸L过大时，无法再通过增大所述有源区图形200单边延展的尺寸L的方式，继续提高光学邻近修正的精度。因此，本实施例中，所述有源区图形200单边延展的尺寸L为5纳米至15纳米。例如为10纳米。

其中，根据所述有源区图形200沿第一方向的初始尺寸、以及与有源区图形200交叠的栅极图形100的长度，可适应性调整所述有源区图形200单边延展的尺寸L。

本实施例中，仅对所述有源区图形200沿所述第一方向进行延展处理，因此，在所述延展处理后，在所述第二方向上，所述延展后有源区图形210与所述第一栅极图形110部分交叠。

参考图5，执行步骤S3，将所述第一类型边130分割为多个第一类型片段(未标示)，将所述第二类型边140分割为多个第二类型片段(未标示)。

通过对栅极图形100的各边进行切割，从而为后续进行光学邻近修正做准备。

作为一种示例，所述第一类型片段包括第一片段S131、第二片段S132、第三片段S133、第四片段S134；所述第二类型片段包括第五片段S135和第六片段S136、第七片段S141、第八片段S142、第九片段S143、第十片段S144、第十一片段S145和第十二片段S146。

其中，所述第一类型片段中各点(未标示)为第一类型分点，所述第一类型分点根据光学投影关系在掩膜版中对应至第一类型光罩点，第二类型片段中各点(未标示)为第二类型分点，第二类型分点根据光学投影关系在掩膜版中对应至第二类型光罩点。

需要说明的是，将所述第一类型边130分割为多个第一类型片段的步骤中，切割步长不宜过小，也不宜过大。受到掩膜版写入能力的限制，切割步长不宜过小过小，但是，如果切割步长过大，则相应会降低对第一类型边130的光学邻近修正的精度，从而导致对有效栅极图形的光学邻近修正的精度下降。为此，本实施例中，将所述第一类型边130分割为多个第一类型片段的步骤中，切割步长为20纳米至1微米。

将所述第二类型边140分割为多个第二类型片段的步骤中，切割步长可根据工艺需求来设定。

由于对第一类型边130的修正精度的要求更高，因此，作为一种示例，将所述第一类型边分割为多个第一类型片段时的切割步长小于将所述第二类型边分割为多个第二类型片段时的切割步长。在其他实施例中，将所述第一类型边分割为多个第一类型片段时的切割步长等于将所述第二类型边分割为多个第二类型片段时的切割步长。

需要说明的是，本实施例仅示意出对所述第一类型边130和第二类型边140进行分割的情况，在实际光学临近修正方法的过程中，根据实际需求，还会对所述栅极图形100的线端所在的边进行分割。

参考图6，执行步骤S4，对所述第一类型片段(未标示)和第二类型片段(未标示)进行光学邻近修正，获得修正后栅极图形55。

在完成光学邻近修正后，将修正后栅极图形55写入掩膜版中。

本实施例中，获得修正后栅极图形55的步骤包括：对所述栅极图形50(如图5所示)进行OPC运算，获得与所述第一类型片段相对应的第一类型初始修正片段(未标示)、以及与所述第二类型片段相对应的第二类型初始修正片段(未标示)。

作为一种示例，所述第一类型初始修正片段包括与第一片段S131(如图5所示)相对应的第一初始修正片段Q331、与第二片段S132(如图5所示)相对应的第二初始修正片段Q332、与第三片段S133(如图5所示)相对应的第三初始修正片段Q333、与第四片段S134(如图5所示)相对应的第四初始修正片段Q334；所述第二类型初始修正片段包括与第五片段S135(如图5所示)相对应的第五初始修正片段Q335、与第六片段S136(如图5所示)相对应的第六初始修正片段Q336、与第七片段S141(如图5所示)相对应的第七初始修正片段Q341、与第八片段S142(如图5所示)相对应的第八初始修正片段Q342、与第九片段S143(如图5所示)相对应的第九初始修正片段Q343、与第十片段S144(如图5所示)相对应的第十初始修正片段Q344、与第十一片段S145(如图5所示)相对应的第十一初始修正片段Q345、以及与第十二片段S146(如图5所示)相对应的第十二初始修正片段Q346。

具体地，获取光学近似修正模型，并采用所述光学近似修正模型进行OPC运算。其中，光学近似修正模型的获取方法包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到实际曝光图形；对实际曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据；对测试图形进行模拟曝光，获得测试模拟曝光图形；对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据；将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到光学近似修正模型。

作为一个示例，采用基于模型的光学邻近修正模型。基于模型的光学邻近修正是利用光刻仿真模型模拟得到光刻胶内的空间光强(aerial)分布或感光区域的二维轮廓，反推出可补偿邻近效应偏差的掩膜结构，基于模型的光学邻近修正的精度较高。

本实施例中，获得修正后栅极图形55的步骤还包括：获取所述第一类型初始修正片段的第一边缘放置误差、以及所述第二类型初始修正片段的第二边缘放置误差。

具体地，获取所述第一初始修正片段的第一边缘放置误差、以及所述第一初始修正片段的第二边缘放置误差的步骤包括：对所述第一初始修正片段和第二初始修正片段构成的图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，所述模拟曝光图形包括与所述第一初始修正片段相对应的第一曝光片段、以及与所述第二初始修正片段相对应的第二曝光片段；根据所述第一曝光片段相对于所述第一类型片段的位置偏移程度得到第一边缘放置误差；根据所述第二曝光片段相对于所述第二类型片段的位置偏移程度得到第二边缘放置误差。

本实施例中，若所述第一边缘放置误差大于第一阈值，或所述第二边缘放置误差大于第二阈值，则将所述第一初始修正片段和第二初始修正片段构成的图形作为栅极图形，并重复对所述有源区图形200(如图3所示)沿所述第一方向(如图3中Y方向所示)进行延展处理至获取第一边缘放置误差和第二边缘放置误差的过程，直至第一边缘放置误差小于所述第一阈值，且第二边缘放置误差小于所述第二阈值。

若第一边缘放置误差小于所述第一阈值，且第二边缘放置误差小于所述第二阈值，则结束光学邻近修正过程。

本实施例中，所述栅极图形100中与所述延展后有源区图形210交叠的边作为第一类型边130，所述栅极图形100中未与所述延展后有源区图形210交叠的且沿所述第一方向延伸的边作为第二类型边140，因此，与第二类型边140相比，对第一类型边130的修正精度的要求则更高，相应的，第一阈值小于所述第二阈值。通过使第一阈值小于所述第二阈值，在保证对第一类型边130的修正精度的同时，有利于减少OPC运算的时间，提高了运算效率。

作为一个示例，所述第一阈值为0.6纳米至3纳米；所述第二阈值为1.2纳米至5纳米。

图7是本发明另一实施例中光学临近修正方法对应的示意图，其中，图7中的虚线框表示有源区图形的边界。

本实施例与前述实施例的相同之处不再赘述。本实施例与前述实施例的不同之处在于：对有源区图形沿第一方向(如图7中Y方向所示)进行延展处理的过程中，还对有源区图形沿第二方向(如图7中X方向所示)进行延展处理，以形成延展后有源区图形210b，所述延展后有源区图形210b在第二方向上横跨第一栅极图形110b和第二栅极图形120b。

也就是说，在第二方向上，所述延展后有源区图形210b超出图形单元50b所在的区域。

本实施例中，在所述图形单元50b中，所述多个栅极图形100b包括第一栅极图形110b和多个第二栅极图形120b，所述第一栅极图形110b沿所述第二方向位于所述第二栅极图形120b整体的两侧，在所述第二方向上，所述有源区图形与所述第一栅极图形110b部分交叠。

因此，通过对所述有源区图形沿所述第二方向进行延展处理的方式，使延展后有源区图形210b在第二方向上超出图形单元50b所在的区域，以便于使第一栅极图形110b的两边能够根据实际需求，采用对称的切割方式进行切割，从而提高对第一栅极图形110b的修正精度，进而提高对栅极图形100b整体的光学邻近修正的精度。

本实施例中，形成延展后有源区图形210b后，所述栅极图形100b中与所述延展后有源区图形210b交叠的边作为第一类型边(未标示)，所述栅极图形100b中未与所述延展后有源区图形210b交叠的且沿所述第一方向延伸的边作为第二类型边(未标示)。相应的，形成延展后有源区图形210b后，还包括：将第一类型边分割为多个第一类型片段，将第二类型边分割为多个第二类型片段。

其中，将所述第一类型边分割为多个第一类型片段时的切割步长小于将所述第二类型边分割为多个第二类型片段时的切割步长，或者，将所述第一类型边分割为多个第一类型片段时的切割步长等于将所述第二类型边分割为多个第二类型片段时的切割步长。

需要说明的是，为了提高对第一栅极图形110b的修正精度，对于位于所述第一栅极图形110b与第二栅极图形120b相背的一侧的所述延展后有源区210b，所述延展后有源区210b在所述第二方向上的尺寸W至少为所述任一栅极图形100b宽度的一半。也就是说，在第二方向上，所述延展后有源区图形210b超出第一栅极图形110b的尺寸W至少为任一所述栅极图形100b宽度(未标示)的一半。

还需要说明的是，本实施例中，在所述图形单元50b中，所述多个第二栅极图形120b构成第二栅极图形组(未标示)，所述第一栅极图形110b的数量为两个，所述第二栅极图形组沿所述第二方向的每侧均设置一个第一栅极图形110b。

在其他实施例中，所述第二栅极图形组沿所述第二方向的每侧均设置多个第一栅极图形，在这种情况下，对于位于最外侧的所述第一栅极图形与第二栅极图形相背的一侧的所述延展后有源区，所述延展后有源区在所述第二方向上的尺寸至少为任一所述栅极图形宽度的一半。

对本实施例所述光学临近修正方法的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，在此不再赘述。

相应的，本实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据采用前述光学邻近修正方法得到的修正后栅极图形制作掩膜版。

由于光学临近修正的精度较高，从而提高了掩膜版的质量。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (13)

1.一种光学临近修正方法，其特征在于，包括：

提供图形单元，所述图形单元包括多个栅极图形，所述多个栅极图形沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第一方向和第二方向相垂直，所述图形单元还包括与所述多个栅极图形相交的有源区图形，所述有源区图形露出所述栅极图形在所述第一方向的线端；

对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理，形成延展后有源区图形，所述延展后有源区图形露出所述栅极图形在所述第一方向的线端，其中，所述栅极图形中与所述延展后有源区图形交叠的边作为第一类型边，所述栅极图形中未与所述延展后有源区图形交叠的且沿所述第一方向延伸的边作为第二类型边，所述第一类型边和第二类型边均平行于第一方向；

将所述第一类型边分割为多个第一类型片段，将所述第二类型边分割为多个第二类型片段；

对所述第一类型片段和第二类型片段进行光学临近 修正，获得修正后栅极图形。

2.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，在所述图形单元中，所述多个栅极图形包括第一栅极图形和多个第二栅极图形，所述第一栅极图形沿所述第二方向位于所述第二栅极图形整体的两侧，在所述第二方向上，所述有源区图形与所述第一栅极图形部分交叠；

对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理的过程中，在所述第二方向上，所述延展后有源区图形与所述第一栅极图形部分交叠。

3.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，在所述图形单元中，所述多个栅极图形包括第一栅极图形和多个第二栅极图形，所述第一栅极图形沿所述第二方向位于所述第二栅极图形整体的两侧，在所述第二方向上，所述有源区图形与所述第一栅极图形部分交叠；

对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理的过程中，还对所述有源区图形沿所述第二方向进行延展处理，所述延展后有源区图形在所述第二方向上横跨所述第一栅极图形和第二栅极图形。

4.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，获得所述修正后栅极图形的步骤包括：对所述栅极图形进行OPC运算，获得与所述第一类型片段相对应的第一类型初始修正片段、以及与所述第二类型片段相对应的第二类型初始修正片段；

获取所述第一类型初始修正片段的第一边缘放置误差、以及所述第二类型初始修正片段的第二边缘放置误差；

若所述第一边缘放置误差大于第一阈值，或所述第二边缘放置误差大于第二阈值，则将所述第一类型初始修正片段和第二类型初始修正片段构成的图形作为栅极图形，并重复对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理至获取第一边缘放置误差和第二边缘放置误差的过程，直至第一边缘放置误差小于所述第一阈值，且第二边缘放置误差小于所述第二阈值。

5.如权利要求4所述的光学临近修正方法，其特征在于，获取所述第一类型初始修正片段的第一边缘放置误差、以及所述第一类型初始修正片段的第二边缘放置误差的步骤包括：

对所述第一类型初始修正片段和第二类型初始修正片段构成的图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，所述模拟曝光图形包括与所述第一类型初始修正片段相对应的第一曝光片段、以及与所述第二类型初始修正片段相对应的第二曝光片段；

根据所述第一曝光片段相对于所述第一类型片段的位置偏移程度得到第一边缘放置误差；

根据所述第二曝光片段相对于所述第二类型片段的位置偏移程度得到第二

边缘放置误差。

6.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，对所述有源区图形沿所述第一方向进行延展处理的过程中，所述有源区图形单边延展的尺寸至少为5纳米。

7.如权利要求6所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述有源区图形单边延展的尺寸为5纳米至15纳米。

8.如权利要求3所述的光学临近修正方法，其特征在于，对于位于所述第一栅极图形与第二栅极图形相背的一侧的所述延展后有源区，所述延展后有源区在所述第二方向上的尺寸至少为所述任一栅极图形宽度的一半。

9.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，将所述第一类型边分割为多个第一类型片段的步骤中，切割步长为20纳米至1微米。

10.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，将所述第一类型边分割为多个第一类型片段时的切割步长小于将所述第二类型边分割为多个第二类型片段时的切割步长；

或者，

将所述第一类型边分割为多个第一类型片段时的切割步长等于将所述第二

类型边分割为多个第二类型片段时的切割步长。

11.如权利要求4所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述第一阈值小于所述第二阈值。

12.如权利要求11所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述第一阈值为0.6纳米至3纳米；所述第二阈值为1.2纳米至5纳米。

13.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：根据采用权利要求1至12任意一项光学临近修正方法得到的修正后栅极图形制作掩膜版。

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