CN113376954B - Opc检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质 - Google Patents

Opc检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质 Download PDF

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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

本发明提供一种OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质，其中，通过对第二目标图形进行圆化处理后，得到的圆化图形更加接近实际硅片的图形，可以减少由于与实际硅片图形间的差异所引起的误报错；通过第一仿真图形与第二圆化图形之间的逻辑否运算后，进行围住率检测，可进一步的减少围住率检查的误报错，从而得到更为准确的OPC检测的结果图形。

Description

OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质
技术领域
本发明属于集成电路制造领域，涉及一种OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质。
背景技术
随着微电子技术的快速发展，集成电路设计和制造已进入纳米阶段，光掩膜图形的尺寸接近甚至小于形成光刻图形的光线波长，由于光波衍射、干涉而使光刻图形与光掩膜图形之间产生偏差现象，即光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。由此导致实际硅片上得到的光刻图形与光掩膜图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响了生产成品良率和电路性能。
在半导体制造掩模板过程中，为了消除OPE所造成的误差，须对光掩膜图形进行预先的光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)，来弥补光学系统有限分辨率的不足。OPC技术已经广泛应用于深亚微米微影工艺中，目前应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，即通过OPC模型的仿真计算，可以得到微影工艺中潜在的成像误差，从而可对目标图形进行预先修正，以补偿OPE造成的图形失真或变形。
随着技术节点的往前推进，半导体制造的特征尺寸在不断缩小，对微影成像的精度要求也越来越高，这就要求OPC的修正精度必须随之提高，以达到工艺制程的量产需求。因此，对OPC修正后的目标版图的结果验证也成为OPC检测的重要应用，通过对OPC修正后的目标版图进行全局仿真并检查仿真结果是否符合工艺量产标准，以此来判断OPC修正结果是否达标，同时还可以检查是否存在其它版图设计与OPC修正问题。
当半导体制造进入28nm技术节点以下后，对离子注入层的图形精度要求变得越来越高，除了要求仿真结果达到目标尺寸以外，也要求其对有源层(AA)的围住率(Enclosure)也需达到一定的工艺要求。因此，在对注入层的OPC检测中，引入了注入层仿真图形对有源层的围住率的检查。传统的围住率检查是通过量测有源层图形外部到注入层图形内部的边缘线的距离，得到距离小于一定规格的图形点并输出，以找到注入层对有源层的围住率较差的图形。
在做围住率检查时，一般采用对有源层的转角处进行切角的方法来处理，此举是为了减少有源层图形与其实际硅片图形的差异。但是当注入层图形与有源层图形之间存在违反设计规则时，切角的传统检查方法也经常导致检查结果误报错，从而降低了验证结果的准确性。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质，用于解决现有技术中OPC检测误报错较多，导致准确率较低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种OPC检测方法，包括以下步骤：
提供第一目标图形及第二目标图形，所述第一目标图形与所述第二目标图形具有交叠区；
对所述第一目标图形进行OPC处理，获得第一OPC图形；
对所述第二目标图形进行圆化处理，获得第一圆化图形；
选择与所述第一OPC图形相交的所述第一圆化图形，获得第二圆化图形，其中，在所述第一圆化图形中选择与所述第一OPC图形存在交叠部分的所述第一圆化图形作为所述第二圆化图形；
对所述第一OPC图形进行仿真，获得第一仿真图形；
将所述第一仿真图形与所述第二圆化图形进行逻辑否运算，获得第二仿真图形，所述第二仿真图形包括由所述第一仿真图形构成的第一边缘线及由所述第二圆化图形构成的第二边缘线，对所述第二仿真图形进行边缘线间距检测，获得第一报错位置；
将所述第二圆化图形与所述第一仿真图形进行逻辑否运算，获得第二报错位置；
合并所述第一报错位置及所述第二报错位置，获得所述OPC检测的结果图形。
可选地，对所述第二目标图形进行圆化处理获得第一圆化图形的步骤包括：
对所述第二目标图形进行OPC处理，获得第二OPC图形；
对所述第二OPC图形进行仿真，得到圆化半径；
通过所述圆化半径对所述第二目标图形进行圆化处理，获得所述第一圆化图形。
可选地，对所述第二仿真图形进行边缘线间距检测，获得第一报错位置的步骤包括：
设定边缘线间距阈值；
量测所述第二仿真图形中所述第一边缘线及所述第二边缘线的间距，当所述间距小于所述边缘线间距阈值时，记作所述第一报错位置。
可选地，所述边缘线间距阈值的范围为30nm～80nm。
可选地，当所述第一边缘线与所述第二边缘线之间具有交点时，还包括设置免检区的步骤。
可选地，所述免检区为所述第一边缘线上的量测点经所述交点至所述第二边缘线的量测点所构成的线长小于2倍～3倍的所述边缘线间距阈值的区域。
可选地，所述第一目标图形为注入层目标图形，所述第二目标图形为有源层目标图形。
可选地，获得所述第二报错位置的步骤在获得所述第一报错位置的步骤之前。
本发明还提供一种计算机设备，包括处理器以及存储器，所述处理器适于实现各指令，所述存储器适于存储多条指令，其中，所述指令适于由所述处理器加载并执行上述的OPC检测方法。
本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机可执行的指令，其中，当所述计算机可执行的指令被执行时实现如上述的OPC检测方法。
如上所述，本发明的OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质，具有以下有益效果：
通过对第二目标图形进行圆化处理后，得到的圆化图形更加接近实际硅片的图形，可以减少由于与实际硅片图形间的差异所引起的误报错；
通过第一仿真图形与第二圆化图形之间的逻辑否运算后，进行围住率检测，可进一步的减少围住率检查的误报错，从而得到更为准确的OPC检测的结果图形。
附图说明
图1显示为现有技术中注入层图形对有源层图形的围住率检测示意图。
图2显示为本发明实施例中OPC检测方法的工艺流程示意图。
图3显示为本发明实施例中提供的注入层目标图形与有源层目标图形的示意图。
图4显示为本发明实施例中注入层OPC图形及有源层第一圆化图形的示意图。
图5显示为本发明实施例中选择与注入层OPC图形相交的有源层第一圆化图形后获得有源层第二圆化图形的示意图。
图6显示为本发明实施例中对注入层OPC图形进行仿真后获得注入层第一仿真图形的示意图。
图7显示为本发明实施例中将注入层第一仿真图形与有源层第二圆化图形进行逻辑否运算后获得注入层第二仿真图形的示意图。
图8显示为本发明实施例中对注入层第二仿真图形进行边缘线间距检测后获得第一报错位置的示意图。
图9显示为本发明实施例中将有源层第二圆化图形与注入层第一仿真图形进行逻辑否运算后获得第二报错位置的示意图。
图10显示为本发明实施例中合并第一报错位置及第二报错位置，获得OPC检测的结果图形的示意图。
元件标号说明
10 注入层图形
20 有源层图形
100 注入层目标图形
200 有源层目标图形
101 注入层OPC图形
201 有源层第一圆化图形
202 有源层第二圆化图形
103 注入层第一仿真图形
104 注入层第二仿真图形
A 第一边缘线
B 第二边缘线
Q 免检区
E 距离
T1 第一报错位置
T2 第二报错位置
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于……之间”表示包括两端点值。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。
随着半导体技术的发展，刻蚀特征尺寸逐渐减小，对离子注入层的图形精度要求变得越来越高，尤其是对有源层(AA)的围住率(Enclosure)也需达到一定的工艺要求。如图1，示意了注入层图形10与有源层图形20之间的围住率检测图，即通过量测有源层图形20外部到注入层图形10内部的距离E，得到距离E小于边缘线间距阈值的图形位置并输出，以找到注入层图形10对有源层图形20的围住率较差的图形。
以下对比例及实施例中，关于OPC检测仅以注入层图形及有源层图形进行示意，但并非局限于此，此处不作过分限制。
实施例
如图2，本实施例提供一种OPC检测方法，包括以下步骤：
提供第一目标图形及第二目标图形，所述第一目标图形与所述第二目标图形具有交叠区；
对所述第一目标图形进行OPC处理，获得第一OPC图形；
对所述第二目标图形进行圆化处理，获得第一圆化图形；
选择与所述第一OPC图形相交的所述第一圆化图形，获得第二圆化图形；
对所述第一OPC图形进行仿真，获得第一仿真图形；
将所述第一仿真图形与所述第二圆化图形进行逻辑否运算，获得第二仿真图形，所述第二仿真图形包括由所述第一仿真图形构成的第一边缘线及由所述第二圆化图形构成的第二边缘线，对所述第二仿真图形进行边缘线间距检测，获得第一报错位置；
将所述第二圆化图形与所述第一仿真图形进行逻辑否运算，获得第二报错位置；
合并所述第一报错位置及第二报错位置，获得所述OPC检测的结果图形。
本实施例，通过对所述第二目标图形进行圆化处理后，得到的圆化图形更加接近实际硅片的图形，可以减少由于与实际硅片图形间的差异所引起的误报错；通过所述第一仿真图形与所述第二圆化图形之间的逻辑否运算后，进行边缘线间距检测，可进一步的减少边缘线间距检查的误报错，从而得到更为准确的OPC检测的结果图形。
参阅图3～图10，以下结合附图对本实施例进行进一步的介绍。
作为示例，所述第一目标图形为注入层目标图形100，所述第二目标图形为有源层目标图形200，但并非局限于此，关于所述第一目标图形及第二目标图形的种类此处不作过分限制。
首先，参阅图3，提供所述注入层目标图形100与所述有源层目标图形200，其中，所述注入层目标图形100与所述有源层目标图形200具有交叠区。有关所述注入层目标图形100与所述有源层目标图形200的具体形貌、分布及尺寸等此处不作过分限制。
接着，参阅图4，对所述注入层目标图形100进行OPC处理，获得注入层OPC图形101。有关所述OPC的处理方法，此处不作介绍，可参阅现有常规技术手段进行。
接着，参阅图4，对所述有源层目标图形200进行圆化处理，获得有源层第一圆化图形201。
作为示例，对所述有源层目标图形200进行圆化处理获得所述有源层第一圆化图形201的步骤包括：
对所述有源层目标图形200进行OPC处理，获得有源层OPC图形；
对所述有源层OPC图形进行仿真，得到圆化半径；
通过所述圆化半径对所述有源层目标图形200进行圆化处理，获得所述有源层第一圆化图形201。
接着，参阅图5，选择与所述注入层OPC图形101相交的所述有源层第一圆化图形201，获得有源层第二圆化图形202，即在所述有源层第一圆化图形201中与所述注入层OPC图形101存在交叠部分的所述有源层第一圆化图形201。
接着，参阅图6，对所述注入层OPC图形101进行仿真，获得注入层第一仿真图形103，即对所述注入层OPC图形101进行仿真，得到对应的圆化半径，并通过该圆化半径对所述注入层OPC图形101进行圆化处理，获得所述注入层第一仿真图形103。
接着，参阅图7，将所述注入层第一仿真图形103与所述有源层第二圆化图形202进行逻辑否运算，获得注入层第二仿真图形104，所述注入层第二仿真图形104包括由所述注入层第一仿真图形103构成的第一边缘线A及由所述有源层第二圆化图形202构成的第二边缘线B。
接着，参阅图8，对所述注入层第二仿真图形104进行边缘线间距检测，获得第一报错位置T1。
作为示例，对所述注入层第二仿真图形104进行边缘线间距检测，获得所述第一报错位置T1的步骤包括：
设定边缘线间距阈值；
量测所述注入层第二仿真图形104中所述第一边缘线A及所述第二边缘线B的间距，当所述间距小于所述边缘线间距阈值时，记作所述第一报错位置T1。
其中，优选所述边缘线间距阈值的范围为30nm～80nm，如50nm、60nm、70nm等，此处不作过分限制，可根据需要进行选择，以进一步的缩小误差。
进一步的，当所述第一边缘线A及所述第二边缘线B之间具有交点时，还包括设置免检区Q的步骤。
具体的，如图7及图8，由于所述第一边缘线A及所述第二边缘线B之间具有所述交点，从而形成了一个具有尖端的区域，而该区域会造成OPC检测的误报错，因此，本实施例中，在将所述注入层第一仿真图形103与所述有源层第二圆化图形202进行逻辑否运算后，为进一步的提高OPC检测的准确度，将具有所述尖端的区域设定为所述免检区Q，可进一步的提高准确性。
其中，所述免检区Q优选为所述第一边缘线A上的量测点经所述交点至所述第二边缘线B的量测点所构成的线长在小于2倍～3倍的所述边缘线间距阈值的区域，如2.5倍所述边缘线间距阈值，或2.6倍所述边缘线间距阈值等，此处不作过分限制，可根据需要进行设置。参阅图8，本实施例在去除所述免检区Q后，所述第一报错位置T1的数量为1个。
接着，参阅图9，将所述有源层第二圆化图形202与所述注入层第一仿真图形103进行逻辑否运算，获得第二报错位置T2。
具体的，通过将所述有源层第二圆化图形202与所述注入层第一仿真图形103进行逻辑否运算后，可将所述有源层第二圆化图形202中超出所述注入层第一仿真图形103的部分检测出来，以获得所述第二报错位置T2。如图9中，本实施例中获得1个所述第二报错位置T2。
接着，参阅图10，合并所述第一报错位置T1及所述第二报错位置T2，获得所述OPC检测的结果图形。
具体的，在将获得的所述第一报错位置T1及所述第二报错位置T2合并后，可在所述注入层OPC图形101中获得与所述有源层目标图形200的检测结果图形。
作为示例，获得所述第二报错位置T2的步骤也可在获得所述第一报错位置T1的步骤之前执行。
具体的，本实施例中，仅示意了先获得所述第一报错位置T1的情形，但并非局限于此，根据需要获得所述第二报错位置T2的步骤也可在获得所述第一报错位置T1的步骤之前执行，此处不作过分限制。
本实施例中，经过所述OPC检测后，在将获得的所述检测结果图形与对比例中的检测结果图形进行比对后，可知，本实施例中的所述OPC检测方法可获得总的实际报错数为2个，且误报错数目为0，因而提高了OPC检测的准确性。
本实施例还提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括处理器以及存储器，所述处理器适于实现各指令，所述存储器适于存储多条指令，所述指令适于由所述处理器加载并执行上述任一实施方式所述的OPC检测方法的步骤。其中，有关所述OPC检测方法的步骤上文已经详述，此处不再赘述。
本实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机可执行的指令，当所述计算机可执行的指令被执行时实现如上文所述的OPC检测方法的步骤，关于所述OPC检测方法的步骤上文已经详述，此处不再赘述。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外，需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
通过以上实施方式的描述，本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式，但很多情况下，前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案对现有技术做出贡献的部分能以计算机软件产品的形式体现出来，所述计算机软件产品存储在计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
综上，本发明的OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质，通过对第二目标图形进行圆化处理后，得到的圆化图形更加接近实际硅片的图形，可以减少由于与实际硅片图形间的差异所引起的误报错；通过第一仿真图形与第二圆化图形之间的逻辑否运算后，进行围住率检测，可进一步的减少围住率检查的误报错，从而得到更为准确的OPC检测的结果图形。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种OPC检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一目标图形及第二目标图形，所述第一目标图形与所述第二目标图形具有交叠区；
对所述第一目标图形进行OPC处理，获得第一OPC图形；
对所述第二目标图形进行圆化处理，获得第一圆化图形；
选择与所述第一OPC图形相交的所述第一圆化图形，获得第二圆化图形，其中，在所述第一圆化图形中选择与所述第一OPC图形存在交叠部分的所述第一圆化图形作为所述第二圆化图形；
对所述第一OPC图形进行仿真，获得第一仿真图形；
将所述第一仿真图形与所述第二圆化图形进行逻辑否运算，获得第二仿真图形，所述第二仿真图形包括由所述第一仿真图形构成的第一边缘线及由所述第二圆化图形构成的第二边缘线，对所述第二仿真图形进行边缘线间距检测，获得第一报错位置；
将所述第二圆化图形与所述第一仿真图形进行逻辑否运算，获得第二报错位置；
合并所述第一报错位置及所述第二报错位置，获得所述OPC检测的结果图形。
2.根据权利要求1所述的OPC检测方法，其特征在于：对所述第二目标图形进行圆化处理获得第一圆化图形的步骤包括：
对所述第二目标图形进行OPC处理，获得第二OPC图形；
对所述第二OPC图形进行仿真，得到圆化半径；
通过所述圆化半径对所述第二目标图形进行圆化处理，获得所述第一圆化图形。
3.根据权利要求1所述的OPC检测方法，其特征在于：对所述第二仿真图形进行边缘线间距检测，获得第一报错位置的步骤包括：
设定边缘线间距阈值；
量测所述第二仿真图形中所述第一边缘线及所述第二边缘线的间距，当所述间距小于所述边缘线间距阈值时，记作所述第一报错位置。
4.根据权利要求3所述的OPC检测方法，其特征在于：所述边缘线间距阈值的范围为30nm～80nm。
5.根据权利要求3所述的OPC检测方法，其特征在于：当所述第一边缘线与所述第二边缘线之间具有交点时，还包括设置免检区的步骤。
6.根据权利要求5所述的OPC检测方法，其特征在于：所述免检区为所述第一边缘线上的量测点经所述交点至所述第二边缘线的量测点所构成的线长小于2倍～3倍的所述边缘线间距阈值的区域。
7.根据权利要求1所述的OPC检测方法，其特征在于：所述第一目标图形为注入层目标图形，所述第二目标图形为有源层目标图形。
8.根据权利要求1所述的OPC检测方法，其特征在于：获得所述第二报错位置的步骤在获得所述第一报错位置的步骤之前。
9.一种计算机设备，其特征在于：包括处理器以及存储器，所述处理器适于实现各指令，所述存储器适于存储多条指令，其中，所述指令适于由所述处理器加载并执行如权利要求1～8中任一所述的OPC检测方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于：所述计算机可读存储介质上存储有计算机可执行的指令，其中，当所述计算机可执行的指令被执行时实现如权利要求1～8中任一所述的OPC检测方法。
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