CN108681205A - 栅极区域的opc验证方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种栅极区域的OPC验证方法，所述方法包括：定义栅极区域的特征图形；计算所述特征图形的免检区域；以及依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。本发明所提供的方法在多晶硅层的栅极区域专门设置针对栅极区域的免检区域，具体为通过设置栅极区域特征图形的免检区域来设置栅极区域的免检区域，该方法可以大量的减少由圆角现象导致的栅极区域的误报错数目，提高栅极区域的OPC验证效率。

Description

栅极区域的OPC验证方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种栅极区域的OPC验证方法。
背景技术
在半导体制造掩膜板出版过程中，OPC(OpticalProximityCorrection,光学邻近效应修正)技术已经得到广泛的应用。目前应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，通过OPC模型的模拟计算得到微影工艺潜在的成像误差，从而对目标图形进行预先修正以补偿光学临近效应造成的图形失真或变形。
随着技术节点的往前推进，半导体制造的特征尺寸不断缩小，对微影成像的精度要求也越来越高，这就要求OPC的修正精度必须达到工艺的需求。在基于模型的OPC方法中，OPC验证已经成为标准的一个步骤，其基本原理是通过对掩膜板图形(也即OPC修正后的图形)进行全局模拟并检查模拟结果是否符合标准，以此判断OPC修正是否合理。
多晶硅层作为影响产品性能最为关键的层次，对最终硅片上尺寸的精度要求也相对较高，尤其对于栅极区域，线宽的控制也更为严格，为了确保OPC的精度达到要求，除了常规的OPC验证，比如图形桥接和图形变窄等，通常还需对栅极进行额外的OPC验证，确保在栅极区域的模拟尺寸与目标尺寸一致，对栅极区域的OPC验证一般采用检查偏差的方法，即比较模拟尺寸和目标尺寸的偏差。
在比较模拟尺寸和目标尺寸的偏差的检查方法中，会在栅极区域设置一个偏差的规范,超过规范的位置会预警报错出来。
由于圆角现象的存在，在OPC验证设置时，会针对圆角现象设置免检区域，但对多晶硅层中的栅极区域进行检查时，因没有设置专门针对栅极区域的免检区域，对栅极区域进行OPC验证时会产生很多误报错，降低了OPC验证的效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种栅极区域的OPC验证方法，以解决目前在对栅极区域进行检查时，因没有专门针对栅极区域的免检区域，会有很多圆角现象导致的误报错，对OPC验证的效率有较大影响的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种栅极区域的OPC验证方法，包括以下步骤：
定义栅极区域的特征图形；
计算所述特征图形的免检区域；以及
依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。
可选的，所述定义栅极区域的特征图形包括定义所述特征图形的形状和尺寸。
可选的，所述特征图形的形状为T型或L型。
可选的，所述尺寸包括第一尺寸和第二尺寸。
可选的，所述栅极区域中栅极层的最小线宽为DR0，所述第一尺寸为固定值。
可选的，所述第一尺寸为DR0/2。
可选的，所述第二尺寸的变化范围为DR0至N倍的DR0，其中，N为正整数。
可选的，所述定义栅极区域的特征图形的步骤后还包括：根据定义的所述特征图形选出OPC版图栅极区域中的特征图形。
可选的，所述计算所述特征图形的免检区域包括：以所述第一尺寸为步长，在不同所述第二尺寸时，计算选出的特征图形与定义的特征图形开始有差异的位置到有源区层的距离b，得到2N个不同的b值，根据所述2N个不同的b值的平均值，形成所述栅极区域的免检区域。
可选的，所述获取的特征图形含有圆角端，以所述圆角端和所述有源区层交界线为所述免检区域的一边，向所述栅极区域内延伸所述平均值长度，形成所述免检区域。
可选的，所述平均值的范围为1/3DR0～2/3DR0。
综上所述，在本发明提供的栅极区域的OPC验证方法中，包括：定义栅极区域的特征图形；计算所述特征图形的免检区域；以及依据所述免检区域进行栅极区域OPC验证。因为多晶硅层作为影响产品性能最为关键的层次，对最终硅片上尺寸的精度要求也相对较高，尤其对于栅极区域，线宽的控制也更为严格；在传统OPC验证设置时，会针对圆角现象设置免检区域，但该免检区域应用到多晶硅层的栅极区域时会有很多误报错，而本发明所提供的方法，在多晶硅层的栅极区域专门设置针对栅极区域的免检区域；具体为，通过设置栅极区域中特征图形的免检区域来设置栅极区域的免检区域，该方法可以大量的减少对栅极区域进行OPC验证时产生的误报错数目，提高栅极区域的OPC验证效率。
附图说明
图1为传统的OPC验证时设置免检区域的示意图；
图2为本发明实施例提供的提供的栅极区域的OPC验证方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的提供的特征图形的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的栅极区域免检区域计算的示意图；
图5为本发明实施例提供的设置栅极区域免检区域的示意图；
其中，11-有源区层，12-多晶硅层，13-免检区域，21-有源区层，22-多晶硅层，23-免检区域。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
如背景技术中所述的，采用光学临近修正(opticalproximity correction，OPC)方法对掩模板上的图案进行修正时，由于图案中圆角现象的存在，现有的OPC验证检查会针对该现象设置免检区域来减少误报错。如图1所示，OPC模型中，在位于有源区层11之上的多晶硅层12设置有免检区域13。但对多晶硅层中的栅极区域进行检查时，因没有设置专门针对栅极区域的免检区域，而将现有的针对圆角现象设置的免检区域应用到栅极区域时会产生很多误报错，降低了OPC验证的效率。
因此，在对微电子版图数据进行光学临近修正时，为了解决上述问题，本发明提供了一种栅极区域的OPC验证方法。
参阅图2，其为本发明实施例提供的栅极区域的OPC验证方法的流程示意图，如图2所示，所述栅极区域的OPC验证方法包括以下步骤:
步骤S1：定义栅极区域的特征图形；
步骤S2：计算所述特征图形的免检区域；以及
步骤S3：依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证
具体的，参阅图3，在所述步骤S1中，多晶硅层22位于有源区层21之上，所述栅极区域位于所述多晶硅层中。进一步的，定义多晶硅层中栅极区域的特征图形包括定义所述特征图形的形状及尺寸。更进一步的，所述特征图形位于所述栅极区域中，所述特征图形为包括圆角的T型或L型图形；更进一步的，所述特征图形的尺寸包括第一尺寸S1和第二尺寸S2。
进一步的，由于圆角现象影响的区域有限，所以该特征图形的第一尺寸S1和第二尺寸S2均需满足一定条件。具体的，所述特征图形的第一尺寸S1为一固定值；当所述栅极区域中栅极层的最小线宽为DR0时，则所述特征图形的第一尺寸S1为DR0/2；更进一步的，所述特征图像的第二尺寸S2具有一定的范围。具体的，所述特征图像的第二尺寸S2的变化范围为DR0至N倍的DR0，其中，N为正整数。优选的，所述第二尺寸S2变化范围为DR0至10倍的DR0。
更进一步的，在所述步骤S1之后还包括：根据步骤S1中定义的特征图形，在OPC模型的版图的栅极区域中选出所述特征图形。
如图4所示，在一个实施例中，所述特征图形为T型的多晶硅图形，第一尺寸S1为一固定值，为DR0/2,第二尺寸S2的尺寸范围介于DR0和N倍的DR0之间，第三尺寸S3为DR0，其它未指明尺寸均需满足大于等于DR0。其中，DR0为该多晶硅层中栅极层的最小线宽。
在获取了版图中栅极区域的特征图形之后，进行步骤S2，开始计算所述特征图形的免检区域。进一步的，所述步骤S2具体包括：以DR0/2为步长,在不同的第二尺寸S2下，计算获取的特征图形与定义的特征图形epe为0时位置到有源区层的距离b；其中，epe具体指的是在版图上所获取的特征图形与定义的特征图形重叠的部分。由于在版图上获取的特征图形与定义的特征图形的形状以及尺寸会存在一些差异，epe为0位置即在版图上所获取的特征图形与定义的特征图形开始有差异的位置。
更进一步的，第二尺寸S2的尺寸起始值为DR0，因第二尺寸S2的尺寸范围介于DR0和N倍的DR0之间，则从第二尺寸S2从DR0开始，以DR0/2为步长增加，可以得到2N个不同的第二尺寸S2。计算不同的第二尺寸S2下对应的epe为0位置到有源区层的距离b，可以得到2N个不同的b值,即b1,b2,…,b2N。
更进一步的，参阅图4，在一个实施例中，在3个不同的第二尺寸S2下对应得到3个不同的b值。其中，DR1与b1对应，DR2与b2对应，DR3与b3对应；以此类推，在2N个不同的第二尺寸S2下可以对应得到2N个不同的b值。计算得到的2N个不同的b值的平均值，记为bave。优选的，所述平均值的范围为为1/3DR0～2/3DR0；具体的，所述平均值bave可以是30nm、50nm或60nm。以所述特征图形的圆角端和有源区层的交界线为免检区域的一边，向所述栅极区域内沿伸平均值bave的长度，形成如图5所示的栅极区域内的免检区域23。
优选的，所述第二尺寸S2的尺寸范围可以为DR0至10倍的DR0。则以DR0/2为步长，可得到20个不同的第二尺寸S2，在不同S2时,计算epe为0位置到有源区层的距离b，可得到20个不同的b值，即b1,b2,…,b20；计算b1,b2,…,b20的平均值。优选的，所述平均值的范围为为1/3DR0～2/3DR0；具体的，平均值bave可以是30nm、50nm或60nm。则以所述特征图形的圆角端和有源区层的交界线为免检区域的一边，向栅极区域内沿伸30nm、50nm或60nm的长度，形成的栅极区域内的免检区域。具体的，使用计算机编程实现上述免检区域的计算。
进一步的，在所述步骤S3中，在栅极区域OPC修正之后对栅极区域进行OPC验证时，在栅极区域中设置步骤S2中所得免检区域，依据所述免检区域进行栅极区域OPC验证；而在非栅极区域的按传统方法进行免检区域的设定并进行OPC验证。
综上所述，在本发明提供的栅极区域的OPC验证方法中，包括：定义栅极区域的特征图形；计算所述特征图形的免检区域；以及依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。多晶硅层作为影响产品性能最为关键的层次，对最终硅片上尺寸的精度要求也相对较高，尤其对于栅极区域，线宽的控制也更为严格。因此，在传统OPC验证设置时，会针对版图上的圆角现象设置免检区域，但该免检区域应用到多晶硅层中栅极区域时会有很多误报错。本发明所提供的方法，在多晶硅层的栅极区域专门设置针对栅极区域的免检区域，具体为通过设置栅极区域特征图形的免检区域来设置栅极区域的免检区域，该方法可以大量的减少由圆角现象导致的栅极区域的误报错数目，提高了对栅极区域的OPC验证效率。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，包括，
定义栅极区域的特征图形；
计算所述特征图形的免检区域；以及
依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。
2.如权利要求1所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述定义栅极区域的特征图形包括定义所述特征图形的形状和尺寸。
3.如权利要求2所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述特征图形的形状为T型或L型。
4.如权利要求2所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述尺寸包括第一尺寸和第二尺寸。
5.如权利要求4所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述栅极区域中栅极层的最小线宽为DR0。
6.如权利要求5所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述第一尺寸为DR0/2。
7.如权利要求4所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述第二尺寸的变化范围为DR0至N倍的DR0，其中，N为正整数。
8.如权利要求5所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述定义栅极区域的特征图形的步骤后还包括：根据定义的所述特征图形选出OPC版图栅极区域中的特征图形。
9.如权利要求8所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述计算所述特征图形的免检区域包括：以所述第一尺寸为步长，在不同所述第二尺寸时，计算选出的特征图形与定义的特征图形开始有差异的位置到有源区层的距离b，得到2N个不同的b值，根据所述2N个不同的b值得到一平均值，形成所述栅极区域的免检区域。
10.如权利要求9所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述获取的特征图形含有圆角端，以所述圆角端和所述有源区层交界线为所述免检区域的一边，向所述栅极区域内延伸所述平均值长度，形成所述免检区域。
11.如权利要求9所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述平均值的范围为1/3DR0～2/3DR0。
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