CN111338180B - 过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质，检查方法将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，第一检查对象中的校正图形呈M×N分布；根据第一检查对象所在的区域和校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，待检查区域与校正图形的区域邻接或相离；对第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断是否有存在面积大于预设阈值的过曝图形。本发明提供的过曝图形漏报错的检查方法将桥接检查变成区域范围的面积检查，可以有效的检出过曝图形现象；能及时反馈OPC修正后的检查结果，使其在OPC处理过程中能够进一步的优化程序，使工艺窗口能够最大化。

Description

过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质

技术领域

本发明涉及微电子版图数据光学修正领域，更具体地说，本发明涉及一种过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质。

背景技术

随着微电子技术的快速发展，集成电路设计和制造已进入纳米阶段，光掩膜图形的尺寸接近甚至小于形成光刻图形的光线波长，由于光波衍射、干涉而使光刻图形与光掩膜图形之间产生偏差现象，即光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。由此导致实际硅片上得到的光刻图形与光掩膜图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响了生产成品良率和电路性能。为了消除这种误差，须对光掩膜图形进行预先的光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)，来弥补光学系统有限分辨率的不足。

进一步地，随着集成电路工艺节点不断的缩小，光掩膜图形的设计版图也愈发繁复，同时光掩膜上相邻图形区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大，OPC修正后得到的目标版图也变得更加复杂。因此，对OPC修正后的目标版图的检查变得越来越不可或缺，随着其检查验证难度也越来越大。在28nm及以下的集成电路工艺制造中，针对如图1所示的设计图形300呈M×N分布的设计版图，OPC修正后得到校正图形400，所述设计版图对应的目标版图如附图2所示，所述目标版图中可能会出现不预期的过曝图形500a、500b、500c等过曝图形。现有技术中，以目标图形110b、110e、110f为例，桥接检查位置111、112、113和114通常位于所述目标图形110a、110e、110f边界线的中心位置，桥接检查位置111和112之间的连线、桥接检查位置113和114之间的连线为桥接检查的穿透方向。此时，由于过曝图形500a位于桥接检查位置113和114的连线上，桥接检查能够检查出过曝图形500a，但是如果过曝图形500b、500c刚好位于桥接检查位置111和112桥接检查连线的两侧，则桥接检查将无法检查出过曝图形500b、500c，导致漏报错过曝图形500b、500c的风险，如果过曝图形的尺寸超过版图设计容错阈值，就会导致光掩膜图形缺陷进一步地导致光刻时影响产品良率。因此，对于OPC修正后的过曝图形漏报错的检查，日渐成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明所要解决的现有技术中桥接检查存在的漏报错过曝图形的问题，其中一个目的是提供一种过曝图形漏报错的检查方法，另外一个目的是提供一种计算机设备和存储介质。

为实现上述第一个目的，本发明提供了一种过曝图形漏报错的检查方法，通过以下技术方案予以实现，一种过曝图形漏报错的检查方法，包括以下步骤，

S100：将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布，其中，M和N至少有一个的值≥2；

S200:根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，其中，所述第二检查对象的区域为所述第一检查对象的子区域，且所述待检查区域与所述校正图形的区域邻接或相离；

S300：对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，若是，则存在漏报错的过曝图形。

可选地，步骤S200中根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，包括以下方法，

S210：将所述校正图形的外接区域作为目标图形，根据M×N个所述目标图形所在的区域，在所述目标版图上生成所述第一检查对象的区域，其中，所述第一检查对象的区域包括，M×N个所述目标图形的外接图形围合成的区域；

S220：根据M×N个所述目标图形所在的区域，将所述第一检查对象的区域作为全集，计算得到M×N个所述目标图形所在区域的补集，将所述补集作为所述第二检查对象的区域；

S230：按照相近相邻的原则，在至少两个相邻的所述目标图形的边界线上选取若干个边界点，将若干个所述边界点依次相连得到一个围合区域，根据所述围合区域得到至少一个所述待检查区域；其中，所述围合区域位于所述第二检查对象的区域内，所述待检查区域与所述围合区域重合或位于所述围合区域内；

S240：选取不同的所述目标图形，重复步骤S230，得到若干个所述待检查区域。

可选地，步骤S230中所述目标图形包括四边形，所述边界点为所述目标图形的顶点，所述待检查区域为四边形区域。

可选地，步骤S230中所述按照相近相邻的原则，在至少两个相邻的所述目标图形的边界线上选取若干个边界点，将若干个所述边界点依次相连得到一个围合区域，根据所述围合区域得到至少一个所述待检查区域，包括以下方法，

选取两个相邻的所述目标图形，在彼此靠近的一侧，从每一个所述目标图形上分别选取两个顶点作为所述边界点，将四个所述边界点依次相连得到一个围合区域，将所述围合区域作为一个所述待检查区域。

可选地，在步骤S100之前，还包括对设计版图中的设计图形进行OPC修正，得到所述OPC修正后的目标版图。

可选地，步骤S100中所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布，M、N的取值包括，M≥3，N≥3。

可选地，所述对设计版图中的设计图形进行OPC修正，得到所述OPC修正后的目标版图，其中，所述设计图形的宽度、所述设计图形的间距以及设计尺寸间距的关系包括，P×95％≤(H+S)≤P×105％，其中，H为所述设计图形的宽度，S为所述设计图形的间距，P为所述设计尺寸间距。

可选地，步骤S300中所述对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，其中，所述预设阈值与所述设计尺寸间距的关系包括，

其中，T为所述预设阈值，P为所述设计尺寸间距。

为了实现本发明的第二个目的，本发明还提供了一种计算机设备，包括处理器以及存储设备，所述处理器适于实现各指令，所述存储设备适于存储多条指令，所述指令适于由所述处理器加载并执行如上述任一项所述的过曝图形漏报错的检查方法。

为了实现本发明的第三个目的，本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机可执行的指令，其特征在于，当所述计算机可执行的指令被执行时实现如上述任一项所述的过曝图形漏报错的检查方法。

与现有技术相比，本发明提供的一种过曝图形漏报错的检查方法，具有以下有益效果：

本发明提供的一种过曝图形漏报错的检查方法，将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布；根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，其中，所述第二检查对象的区域为所述第一检查对象的子区域，且所述待检查区域与所述校正图形的区域邻接或相离。基于OPC修正后的目标版图，通过采用区域覆盖对校正图形所在的区域作为目标图形，并对所述目标图形取反，再将所述目标图形各个相邻顶点所围成的区域作为新的待检查区域，对所述待检查区域面积检查；所述方法易于实施和实现；

进一步地，根据对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，若是，则存在漏报错的过曝图形。使该处的桥接检查变成区域范围的面积检查，可以有效的检出漏报错的过曝图形现象，以便及时消除过曝图形，以达到提高OPC修正精度的目的。进一步地，及时反馈OPC修正后的检查结果，使其在OPC处理过程中能够进一步的优化程序，使工艺窗口能够最大化。

由于本发明提供的一种计算机设备和存储介质，与所述过曝图形漏报错的检查方法基于同一发明构思，因此具有与所述过曝图形漏报错的检查方法相同的有益效果，在此，不再赘述。

附图说明

图1为本发明实施例的其中一种设计图形呈M×N分布的版图设计示意图；

图2为图1中的版图设计进行OPC修正后得到的目标版图；

图3为本发明实施例的其中一种过曝图形漏报错的检查方法流程示意图；

图4为图3中步骤S200的其中一种方法流程示意图；

图5为图4中步骤S210基于图2构建得到的第一检查对象的示意图；

图6为图4中步骤S220基于图5构建得到的第二检查对象的示意图；

图7为图4中步骤S230、步骤S240基于图6构建得到的待检查区域示意图；

图8为图3中步骤S300在图7的其中一个待检查区域的检查出的漏报错过曝图形示意图；

其中，附图标记说明如下：

100-第一检查对象，110a、110b、110c、110d、110e、110f、110g-目标图形，111、112、113、114-桥接检查位置，110a1、110a2、110b1、110b2、110c1、110d1、110d2、110f1、110g1、110h1-顶点；

200-第二检查对象，210a、210b、210c|、210d-第一围合区域，220a、220b、220c-待检查区域；

300-设计图形，400-校正图形；

500a、500b、500c-过曝图形。

具体实施方式

为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图对本发明提出的一种过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。应当了解，说明书附图并不一定按比例地显示本发明的具体结构，并且在说明书附图中用于说明本发明某些原理的图示性特征也会采取略微简化的画法。本文所公开的本发明的具体设计特征包括例如具体尺寸、方向、位置和外形将部分地由具体所要应用和使用的环境来确定。以及，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。

特别地，在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。

为了便于理解，先对本发明其中一个实施例提供的一种过曝图形漏报错的检查方法的步骤先做整体的描述，之后，再对每一个步骤详细展开说明。

如附图3所示，为本示例性实施例提供的一种过曝图形漏报错的检查方法的流程示意图，从附图中可以看出，包括以下步骤，

S100：将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布，其中，M和N至少有一个的值≥2。

S200:根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，其中，所述第二检查对象的区域为所述第一检查对象的子区域，且所述待检查区域与所述校正图形的区域邻接或相离。

S300：对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，若是，则存在漏报错的过曝图形。

作为优选，在步骤S100之前，还包括对设计版图进行OPC修正，得到所述OPC修正后的目标版图。在其中一种实施方式中，如附图1所示，为其中一种设计图形呈M×N分布的版图设计示意图。在该实施方式中，M＝3，N＝3。为了便于说明，下文均以该原始设计版图为例进行说明，很显然地，M＝3，N＝3仅为描述和图示的方便，M和N的值以及设计图形300的形状并不是本发明的限制，也不对本发明构成任何限制。如附图2所示，为附图1经过OPC修正后的目标版图，校正图形400的分布与设计图形300的分布相同，均为M×N阵列分布。进一步地，其中，在其中一种实施方式中，如附图1所示，设计图形300为图示的方形，所述设计图形的宽度H、所述设计图形的间距S以及设计尺寸间距P的关系包括，P×95％≤(H+S)≤P×105％，其中，H为所述设计图形的宽度，S为所述设计图形的间距，P为所述设计尺寸间距，即版图设计的Pitch值。换句话说，指板面两“单元”其中心间之距离。Pitch在设计版图里较多出现在表达PA距离，对于相同器件，等于中心距，或者是器件宽度加间距。显然地，所述设计图形300、校正图形400仅为描述的方便，用以指代版图设计中的器件(部件、单元)，所述设计图形300的形状仅为描述的方便，并不构成对本发明的任何限制，特别地，所述设计图形300也可以为其他形状，所述设计图形的宽度仅为尺寸描述的方便，并不构成对本发明的限制，比如，若设计图形300的形状为圆形，则“所述设计图形的宽度”应理解为“所述设计图形的直径”。

具体地，如附图4所示，步骤S200中根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，包括以下方法：

S210：将所述校正图形的外接区域作为目标图形，根据M×N个所述目标图形所在的区域，在所述目标版图上生成所述第一检查对象的区域，其中，所述第一检查对象的区域包括，M×N个所述目标图形的外接图形围合成的区域。具体地，如附图5所示，为步骤S210基于图2构建得到的第一检查对象的区域示意图，其中，目标图形110a、110b、110c、110d、110e、110f、110g示例性的给出了对应的校正图形400的外接区域对应的目标图形。如附图5所示，M×N个所述目标图形的外接图形围合成的区域作为第一检查对象100。所述第一检查对象的区域包括图示中所述M×N个所述目标图形所在的区域以及所述M×N个所述目标图形之间的间隙区域。在其中一种示例性实施方式中，获得外接图形的计算方法通过M×N个所述目标图形的最大最小坐标值确定为一规则四边形区域。显然地，这并非本发明的限制，在其他的实施方式中，外接图形也可以使用其他方法确定，比如通过位于边界的所述目标图形的顶点110d2、110f1、110g1、110h1坐标确定。显而易见地，本发明对外接图形的形状也不作任何限制。

S220：根据M×N个所述目标图形所在的区域，将所述第一检查对象的区域作为全集，计算得到M×N个所述目标图形所在区域的补集，将所述补集作为所述第二检查对象的区域。

具体地，如附图6所示，为步骤S220基于图5构建得到的第二检查对象的示意图。从附图中可以看出，所述第二检查对象200为所述第一检查对象100的子集，同时是所述M×N个所述目标图形所在区域的补集。亦即在所述第一检查对象100中，对所述M×N个所述目标图形所在的区域取反。较佳地，在其中一种实施方式中，可以通过相邻所述目标图形的边界线、顶点的连线等方法获得所述第二检查对象200。本发明对已知全集区域和某一子集区域，求子集区域的具体方法不做限制。即：对获得第一检查对象的方法不做限制。

S230：按照相近相邻的原则，在至少两个相邻的所述目标图形的边界线上选取若干个边界点，将若干个所述边界点依次相连得到一个围合区域，根据所述围合区域得到至少一个所述待检查区域；其中，所述围合区域位于所述第二检查对象的区域内，所述待检查区域与所述围合区域重合或位于所述围合区域内。

较佳地，在步骤S100中将所述校正图形的外接区域作为目标图形，构建地所述目标图形为四边形，所述边界点为所述目标图形的顶点，所述待检查区域为四边形区域。以选取两个相邻的所述目标图形，在彼此靠近的一侧，从每一个所述目标图形上分别选取两个顶点作为所述边界点，将四个所述边界点依次相连得到一个围合区域，将所述围合区域作为一个所述待检查区域。

S240：选取不同的所述目标图形，重复步骤S230，得到若干个所述待检查区域。

具体地，结合附图6和附图5予以说明，在其中一种实施方式中，以挑选出的相邻的所述目标图形110a、110b、110c和110d为例进行说明。在所述目标图形110a和所述目标图形110b彼此靠近的一侧，从所述目标图形110a上选取两个顶点110a1、110a2，从所述目标图形110b上选取两个顶点110b1和110b2，以所述四个顶点110a1、110a2、110b1和110b2为边界点，将所述四个顶点110a1、110a2、110b1和110b2依次相连得到一个围合区域，在其中一个实施方式中，将所述围合区域作为一个待检查区域220a，同样的方法，根据所述目标图形110b和110e可以得到待检查区域220b；根据所述目标图形110b和110c可以得到待检查图形220c，以此类推得到图7中以填充标识的待检查区域，不再赘述。如附图7，图7为图4中步骤S230、步骤S240基于图6构建得到的待检查区域示意图。

显然地，在其他的实施方式中，以相邻的所述目标图形110a、110b、110c和110d为例，说明通过将由相邻的多个所述目标图形的顶点围合成的区域从所述第二对象200的检查区域中剔除获得所述待检查区域。具体地，分别选取目标图形110a、110b、110c和110d，并从每一个所述目标图形110a、110b、110c和110d分别选取一个顶点110a1、110b1、110c1和110d1,将所述四个顶点110a1、110b1、110c1和110d1依次相连得到第一围合区域210a，将所述第一围合区域210a从所述第二检查对象200的区域中剔除。依次类推，获得第一围合区域210b、210c和210d，并将它们从所述第二检查对象200的区域中剔除，即可得到所述待检查区域220a、220b、220c等图7中以填充标识的待检查区域。特别地，依照该方法获取待检查区域的过程中，不会修改OPC修正后的目标版图中的校正图形，获得所述待检查区域不会覆盖经过OPC修正后的校正图形。

显然地，上述示例性给出的得到所述待检查区域的方法仅是较佳实施方式的描述，在其他的实施方式中，根据实际工况需要，所述第一围合区域210a、210b、210c和210d理论上也可以作为所述待检查区域。在此不再赘述。

进一步地，在一种示例性实施方式中，步骤S300中所述对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，其中，所述预设阈值与所述设计尺寸间距的关系包括，

其中，T为所述预设阈值，P为设计尺寸间距。如附图8所示，图8为图3中步骤S300在图7的其中一个待检查区域220b的检查出的漏报错过曝图形示意图。特别地，所述预设阈值和所述设计尺寸间距的关系仅用于示例性的说明，本领域的技术人员可根据实际公开需要设定所述预设阈值的具体取值，本发明对此不作任何限制。

由此可见，本发明实施例提供的一种过曝图形漏报错的检查方法，在快速有效的检查OPC后版图设计的前提下，对上述如图1所示的设计图形呈M×N的设计版图采用重新构建目标图形的方式来做OPC修正后验证检查，使该桥接检查变成区域范围的面积检查，其方法易于实现和实施。进一步地，通过本发明实施例提供的一种过曝图形漏报错的检查方法，通过重新构建目标图形的方式，最终能够有效地将漏检的过曝图形检出，从而检查出存在的过曝图形现象。更进一步地，能够及时反馈OPC修正后的检查结果，使其在OPC处理过程中能够进一步的优化程序，使工艺窗口能够最大化。

本发明实施例还示例性提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括处理器以及存储设备，所述处理器适于实现各指令，所述存储设备适于存储多条指令，所述指令适于由所述处理器加载并执行上述任一实施方式所述的过曝图形漏报错的检查方法的步骤。具体的步骤上文已经详述，此处不再赘述。

本发明实施例还进一步提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机可执行的指令，当所述计算机可执行的指令被执行时实现如上文所述的过曝图形漏报错的检查方法的步骤，具体的步骤上文已经详述，此处不再赘述。

以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

通过以上实施方式的描述，本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式，但很多情况下，前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案对现有技术做出贡献的部分能以计算机软件产品的形式体现出来，所述计算机软件产品存储在计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

综上，上述实施例对一种过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质的不同构型进行了详细说明，当然，上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明包括但不局限于上述实施中所列举的构型，本领域技术人员可以根据上述实施例的内容举一反三，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (9)

1.一种过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，包括以下步骤，

S100：将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布，其中，M和N至少有一个的值≥2；

S200:根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，其中，所述第二检查对象的区域为所述第一检查对象的子区域，且所述待检查区域与所述校正图形的区域邻接或相离；

S300：对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，若是，则存在漏报错的过曝图形；

其中，通过如下步骤得到所述第二检查对象的若干个待检查区域：

S210：将所述校正图形的外接区域作为目标图形，根据M×N个所述目标图形所在的区域，在所述目标版图上生成所述第一检查对象的区域，其中，所述第一检查对象的区域包括，M×N个所述目标图形的外接图形围合成的区域；

S220：根据M×N个所述目标图形所在的区域，将所述第一检查对象的区域作为全集，计算得到M×N个所述目标图形所在区域的补集，将所述补集作为所述第二检查对象的区域；

S230：按照相近相邻的原则，在至少两个相邻的所述目标图形的边界线上选取若干个边界点，将若干个所述边界点依次相连得到一个围合区域，根据所述围合区域得到至少一个所述待检查区域；其中，所述围合区域位于所述第二检查对象的区域内，所述待检查区域与所述围合区域重合或位于所述围合区域内；

S240：选取不同的所述目标图形，重复步骤S230，得到若干个所述待检查区域。

2.根据权利要求1所述的过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，步骤S230中所述目标图形包括四边形，所述边界点为所述目标图形的顶点，所述待检查区域为四边形区域。

3.根据权利要求2所述的过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，步骤S230中所述按照相近相邻的原则，在至少两个相邻的所述目标图形的边界线上选取若干个边界点，将若干个所述边界点依次相连得到一个围合区域，根据所述围合区域得到至少一个所述待检查区域，包括以下方法，

选取两个相邻的所述目标图形，在彼此靠近的一侧，从每一个所述目标图形上分别选取两个顶点作为所述边界点，将四个所述边界点依次相连得到一个围合区域，将所述围合区域作为一个所述待检查区域。

4.根据权利要求1所述的曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，在步骤S100之前，还包括对设计版图中的设计图形进行OPC修正，得到所述OPC修正后的目标版图。

5.根据权利要求4所述的过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，步骤S100中所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布，M、N的取值包括，M≥3，N≥3。

6.根据权利要求4所述的过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，所述对设计版图中的设计图形进行OPC修正，得到所述OPC修正后的目标版图，其中，所述设计图形的宽度、所述设计图形的间距以及设计尺寸间距的关系包括，P×95％≤(H+S)≤P×105％，其中，H为所述设计图形的宽度，S为所述设计图形的间距，P为所述设计尺寸间距。

7.根据权利要求6所述的过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，步骤S300中所述对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，其中，所述预设阈值与所述设计尺寸间距的关系包括，

其中，T为所述预设阈值，P为所述设计尺寸间距。

8.一种计算机设备，其特征在于，包括处理器以及存储设备，所述处理器适于实现各指令，所述存储设备适于存储多条指令，所述指令适于由所述处理器加载并执行如权利要求1至7中任一项所述的过曝图形漏报错的检查方法。

9.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机可执行的指令，其特征在于，当所述计算机可执行的指令被执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的过曝图形漏报错的检查方法。

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