JP2008058090A - パターン評価方法およびプログラム - Google Patents
パターン評価方法およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008058090A JP2008058090A JP2006234052A JP2006234052A JP2008058090A JP 2008058090 A JP2008058090 A JP 2008058090A JP 2006234052 A JP2006234052 A JP 2006234052A JP 2006234052 A JP2006234052 A JP 2006234052A JP 2008058090 A JP2008058090 A JP 2008058090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- contour
- procedure
- image
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/10—Segmentation; Edge detection
- G06T7/13—Edge detection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/10—Segmentation; Edge detection
- G06T7/181—Segmentation; Edge detection involving edge growing; involving edge linking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Abstract
【解決手段】同一の評価対象パターンについて得られた異なる検査画像から検出されたパターン輪郭同士で位置合せを実行し、位置合せされたパターン輪郭同士を重ね合わせて単一の合成輪郭を生成し、得られた合成輪郭に対して計測を実行する。
【選択図】図1
Description
1.レジストパターンの電子ビーム照射ダメージを可能な限り押さえてシュリンク効果を低減したい場合。
2.チャージングの低減により、より高画質の画像を得たい場合。
3.画像取得枚数を少なくするため、1枚の画像にできる限り多くの測定点を収めたい場合。
4.高倍率では画像取得領域に入りきらない離れたパターン間の計測をしたい場合。
5.画像取得領域の周辺領域は画像歪みが大きいので、この周辺領域を避けて画像の中央部分のみを計測したい場合。
同一の評価対象パターンについて得られた複数枚の検査画像であって、少なくとも一枚の画像が他の画像と異なる検査画像のデータを取り込む手順と、
前記検査画像のそれぞれについて前記評価対象パターンの輪郭を検出する手順と、
検出された異なる検査画像のパターン輪郭同士で位置合せを実行する手順と、
位置合せされたパターン輪郭同士を重ね合わせて単一の合成輪郭を生成する手順と、
前記合成輪郭について計測を実行する手順と、
前記計測の結果から前記評価対象パターンを評価する手順と、
を備えるパターン評価方法が提供される。
同一の評価対象パターンについて得られた複数枚の検査画像であって、少なくとも一枚の画像が他の画像と異なる検査画像のデータを取り込む手順と、
前記検査画像間で位置合せを実行する手順と、
位置合せされた画像を重ね合わせて単一の合成画像を生成する手順と、
前記合成画像において重ね合わせられた前記評価対象パターンの輪郭を検出する手順と、
検出された輪郭について計測を実行する手順と、
前記計測の結果から前記評価対象パターンを評価する手順と、
を備えるパターン評価方法が提供される。
図1は、本実施形態のパターン評価方法の概略手順を示すフローチャートであり、図2は、検査画像の一例を示す図である。本実施形態では、図2に示す検査画像の中央に位置するパターンP1を計測する場合を取り上げて説明する。
1.検出された輪郭の精度が最終の評価結果に影響するため、サブピクセル精度の輪郭が検出できること。
2.パターンのすべての輪郭を検出する必要があるため、ROIの設定を必要としないこと。
上述したパターン評価方法の一連の手順は、コンピュータに実行させるプログラムに組み込み、フレキシブルディスクやCD−ROM等の記録媒体に収納してコンピュータに読込ませて実行させても良い。これにより、本発明にかかるパターン評価方法を画像処理可能な汎用コンピュータを用いて実現することができる。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の携帯可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でも良い。また、上述したパターン評価方法の一連の手順を組込んだプログラムをインターネット等の通信回線(無線通信を含む)を介して頒布しても良い。さらに、上述したパターン評価方法の一連の手順を組込んだプログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布しても良い。
上述したパターン評価方法を半導体装置の製造工程中で使用すれば、高い精度でパターンを評価することができるので、より高いスループットおよび歩留まりで半導体装置を製造することができる。
Pi:孤立点
Img1:検査画像
Claims (5)
- 同一の評価対象パターンについて得られた複数枚の検査画像であって、少なくとも一枚の画像が他の画像と異なる検査画像のデータを取り込む手順と、
前記検査画像のそれぞれについて前記評価対象パターンの輪郭を検出する手順と、
検出された異なる検査画像のパターン輪郭同士で位置合せを実行する手順と、
位置合せされたパターン輪郭同士を重ね合わせて単一の合成輪郭を生成する手順と、
前記合成輪郭について計測を実行する手順と、
前記計測の結果から前記評価対象パターンを評価する手順と、
を備えるパターン評価方法。 - 前記複数枚の検査画像を第1乃至第N(Nは2以上の自然数)の検査画像とし、前記第1の検査画像のパターン輪郭のデータを第1輪郭データ、前記第Nの検査画像のパターン輪郭データを第Nの輪郭データとすると、前記位置合せを実行する手順は、
前記第1の輪郭データから第1の配列データを生成する手順と、
前記第Nの輪郭データから第Nの配列データを生成する第Nの配列データ生成手順と、
前記第Nの配列データの構成要素の値を、その構成要素から最も近い輪郭点までの距離の値の関数値に変換する処理である配列変換処理を前記第Nの配列データの各構成要素について行うことにより、第(N+1)の配列データを生成する手順と、
前記第1の配列データと前記第(N+1)の配列データとの間で演算処理を実行して第(2N+1)の配列データを生成す手順と、
前記第(2N+1)の配列データの構成要素を用いて前記第1のパターンと前記第Nのパターンとの一致の度合いを与える数値を算出する一致度算出手順と、
全ての検査画像について前記第N配列データ生成手順乃至前記一致度算出手順を実行する手順と
を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン評価方法。 - 同一の評価対象パターンについて得られた複数枚の検査画像であって、少なくとも一枚の画像が他の画像と異なる検査画像のデータを取り込む手順と、
前記検査画像間で位置合せを実行する手順と、
位置合せされた画像を重ね合わせて単一の合成画像を生成する手順と、
前記合成画像において重ね合わせられた前記評価対象パターンの輪郭を検出する手順と、
検出された輪郭について計測を実行する手順と、
前記計測の結果から前記評価対象パターンを評価する手順と、
を備えるパターン評価方法。 - 前記位置合せは、パターンマッチングにより実行され、
設定されたマッチングスコア以下のパターン輪郭または検査画像は、前記合成輪郭または前記合成画像の生成に際して重ね合わせの対象からそれぞれ除外される、ことを特徴とする請求項1または3に記載のパターン評価方法。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載のパターン評価方法をコンピュータに実行させるプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006234052A JP4843415B2 (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | パターン評価方法およびプログラム |
US11/896,043 US8041105B2 (en) | 2006-08-30 | 2007-08-29 | Pattern evaluation method, computer-readable medium, and semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006234052A JP4843415B2 (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | パターン評価方法およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008058090A true JP2008058090A (ja) | 2008-03-13 |
JP4843415B2 JP4843415B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=39151589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006234052A Expired - Fee Related JP4843415B2 (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | パターン評価方法およびプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8041105B2 (ja) |
JP (1) | JP4843415B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017091079A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | ファナック株式会社 | 入力データから検出対象物の像を検出する画像処理装置および方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4230980B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2009-02-25 | 株式会社東芝 | パターンマッチング方法およびプログラム |
US8126257B2 (en) * | 2006-04-12 | 2012-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Alignment of semiconductor wafer patterns by corresponding edge groups |
US9940694B2 (en) * | 2014-05-23 | 2018-04-10 | Synopsys, Inc. | Resolution enhancement techniques based on holographic imaging technology |
KR102582665B1 (ko) | 2016-10-07 | 2023-09-25 | 삼성전자주식회사 | 집적 회로의 패턴들을 평가하는 시스템 및 방법 |
EP3367166A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-29 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring variation, inspection system, computer program, and computer system |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2861014B2 (ja) | 1989-01-18 | 1999-02-24 | 株式会社デンソー | 物体認識装置 |
US5621813A (en) * | 1993-01-14 | 1997-04-15 | Ultratech Stepper, Inc. | Pattern recognition alignment system |
US5613013A (en) * | 1994-05-13 | 1997-03-18 | Reticula Corporation | Glass patterns in image alignment and analysis |
JP2000163560A (ja) | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Sharp Corp | 静止画像処理装置 |
JP4374726B2 (ja) | 2000-05-10 | 2009-12-02 | カシオ計算機株式会社 | 撮影装置、及び記憶媒体 |
JP4301385B2 (ja) | 2000-06-30 | 2009-07-22 | 株式会社ホロン | 画像処理装置および記録媒体 |
JP3754408B2 (ja) | 2001-09-26 | 2006-03-15 | 株式会社東芝 | パターン評価装置、パターン評価方法およびプログラム |
WO2003044821A1 (fr) | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Procede d'imagerie d'echantillon et systeme de faisceau de particules chargees |
US6949462B1 (en) * | 2002-04-04 | 2005-09-27 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with multiple polarization states |
JP3961438B2 (ja) | 2003-03-25 | 2007-08-22 | 株式会社東芝 | パターン計測装置、パターン計測方法および半導体装置の製造方法 |
JP2005069939A (ja) | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Seiko Epson Corp | 光学部材の形状認識方法、その装置及びそのプログラム |
US7588868B2 (en) * | 2004-10-06 | 2009-09-15 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for reducing the impact of across-wafer variations on critical dimension measurements |
JP4776259B2 (ja) | 2005-03-30 | 2011-09-21 | 株式会社東芝 | パターン評価方法、パターン位置合わせ方法およびプログラム |
-
2006
- 2006-08-30 JP JP2006234052A patent/JP4843415B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-08-29 US US11/896,043 patent/US8041105B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017091079A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | ファナック株式会社 | 入力データから検出対象物の像を検出する画像処理装置および方法 |
US11227144B2 (en) | 2015-11-06 | 2022-01-18 | Fanuc Corporation | Image processing device and method for detecting image of object to be detected from input data |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4843415B2 (ja) | 2011-12-21 |
US8041105B2 (en) | 2011-10-18 |
US20080056558A1 (en) | 2008-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4943304B2 (ja) | パターン検査装置および方法 | |
JP4787673B2 (ja) | パターン検査装置および方法 | |
JP2011017705A (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法および記録媒体 | |
JP4950550B2 (ja) | パターン合わせずれ計測方法およびプログラム | |
JP5556274B2 (ja) | パターン評価方法及びパターン評価装置 | |
JP5202110B2 (ja) | パターン形状評価方法,パターン形状評価装置,パターン形状評価データ生成装置およびそれを用いた半導体形状評価システム | |
JP2009222454A (ja) | パターン測定方法及びパターン測定装置 | |
US9589086B2 (en) | Method for measuring and analyzing surface structure of chip or wafer | |
JP2009252959A (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法および半導体装置の製造方法 | |
TW201947680A (zh) | 臨界尺寸量測方法及用於量測臨界尺寸的影像處理裝置 | |
JP4843415B2 (ja) | パターン評価方法およびプログラム | |
TW201731004A (zh) | 減少配準及設計附近所引發之晶粒內檢查之雜訊 | |
US20140205180A1 (en) | Method, apparatus and device for inspecting circuit pattern defect | |
JP2008051617A (ja) | 画像検査装置、その方法、及びその記録媒体 | |
JP5175570B2 (ja) | パターン評価方法、プログラムおよび半導体装置の製造方法 | |
US8977034B2 (en) | Pattern shape evaluation method and pattern shape evaluation apparatus | |
JP2011007728A (ja) | 欠陥検出方法、欠陥検出装置、および欠陥検出プログラム | |
JP5389456B2 (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
JP3699949B2 (ja) | パターン計測方法、このパターン計測方法を用いる半導体装置の製造方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにパターン計測装置 | |
JP5321775B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
JP4597509B2 (ja) | パターン検査装置およびパターン検査方法 | |
WO2015125504A1 (ja) | パターン測定装置、及びコンピュータープログラム | |
JP4100056B2 (ja) | フォトマスク外観検査方法 | |
JP4629086B2 (ja) | 画像欠陥検査方法および画像欠陥検査装置 | |
US20150371377A1 (en) | Method and system for inspection of a patterned structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080819 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090721 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110810 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111007 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |