JP2009251500A - パターンの検証方法、パターンの形成方法、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】パターンの寸法を効率的に測定でき、パターンの寸法保証精度を向上させることが可能なパターンの検証方法、パターンの形成方法、半導体装置の製造方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】パターンデータ領域、又は前記パターンデータに基づいて形成されたパターン形成領域を複数の単位領域に分割し、前記単位領域毎にパターン面積率を算出し、前記単位領域毎に当該単位領域に隣接する領域との前記パターン面積率の差分量を算出する算出工程と、前記パターン形成領域のパターンに対し、前記単位領域毎に前記パターン面積率の差分量に応じた数又は密度で測定点を設定する設定工程と、前記測定点におけるパターンの寸法を測定する測定工程と、前記寸法の測定値が所定の条件を満たすか否かを検証する検証工程とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、パターンの検証方法、パターンの形成方法、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。

近年、半導体デバイスの回路パターンの微細化に伴い、回路パターンを形成するためのマスク材、例えばフォトマスクに対する寸法保証が重要になってきている。

従来、マスク基板に描画パターンを描画してフォトマスクを形成した後、フォトマスク上のパターンの測定点におけるパターンの寸法の平均値やばらつき量が所定の条件に入るか否かでマスクの寸法保証を行っている（例えば、特許文献１参照）。

しかし、従来のマスク寸法保証方法によると、マスクの寸法保証精度を高めるために、パターン全体に渡って測定点を多くすると、測定時間が長くなるという欠点がある。
特開２００３−２４１３６４号公報

本発明の目的は、パターンの寸法を効率的に測定でき、パターンの寸法保証精度を向上させることが可能なパターンの検証方法、パターンの形成方法、半導体装置の製造方法及びプログラムを提供することにある。

本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下のパターンの検証方法、パターンの形成方法、半導体装置の製造方法及びプログラムを提供する。

［１］パターンデータ領域、又は前記パターンデータに基づいて形成されたパターン形成領域を複数の単位領域に分割し、前記単位領域毎にパターン面積率を算出し、前記単位領域毎に当該単位領域に隣接する領域との前記パターン面積率の差分量を算出する算出工程と、前記パターン形成領域のパターンに対し、前記単位領域毎に前記パターン面積率の差分量に応じた数又は密度で測定点を設定する設定工程と、前記測定点におけるパターンの寸法を測定する測定工程と、前記寸法の測定値が所定の条件を満たすか否かを検証する検証工程と、を含むことを特徴とするパターンの測定方法。

［２］パターンデータ領域、又は前記パターンデータに基づいて形成されたパターン形成領域を複数の単位領域に分割し、前記単位領域毎にパターン面積率を算出し、前記単位領域毎に当該単位領域に隣接する領域との前記パターン面積率の差分量を算出する算出工程と、前記パターン形成領域のパターンに対し、前記単位領域毎に前記パターン面積率の差分量に応じた数又は密度で測定点を設定する設定工程と、前記測定点におけるパターンの寸法を測定する測定工程と、前記寸法の測定値が所定の条件を満たすか否かを検証する検証工程と、前記検証工程の結果、前記条件を満たさない場合には、前記パターンデータを変更する又は前記パターンを形成する際のプロセス条件を変更する変更工程と、を含むことを特徴とするパターンの形成方法。

［３］描画パターンデータ領域、又は前記描画パターンデータに基づいてマスクに形成されたパターン形成領域を複数の単位領域に分割し、前記単位領域毎にパターン面積率を算出し、前記単位領域毎に当該単位領域に隣接する領域との前記パターン面積率の差分量を算出する算出工程と、前記パターン形成領域のマスクパターンに対し、前記単位領域毎に前記パターン面積率の差分量に応じた数又は密度で測定点を設定する設定工程と、前記測定点におけるパターンの寸法を測定する測定工程と、前記寸法の測定値が所定の条件を満たすか否かを判定し、前記測定値が前記所定の範囲内であると判定されたマスクを用いて前記マスクパターンを被転写膜に転写することを特徴とする半導体装置の製造方法。

［４］パターンデータ領域、又は前記パターンデータに基づいて形成したパターン形成領域を複数の単位領域に分割し、前記単位領域毎にパターン面積率を算出し、前記単位領域毎に当該単位領域に隣接する領域との前記パターン面積率の差分量を算出する第１のステップと、前記パターン形成領域のパターンに対し、前記単位領域毎に前記パターン面積率の差分量に応じた数又は密度で測定点を設定する設定工程と、前記測定点におけるパターンの寸法を測定する第２のステップと、前記寸法の測定値が所定の条件を満たすか否かを検証する第３のステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラム。

本発明によれば、パターンの寸法を効率的に測定でき、パターンの寸法保証精度を向上させることが可能となる。

［第１の実施の形態］
図１及び図２は、本発明の第１の実施の形態に係るパターンの検証方法及び形成方法が適用されたフォトマスクの保証方法を示し、図１は、測定点数の設定動作を示すフローチャート、図２は、フォトマスクの測定動作を示すフローチャートである。

本明細書において、測定対象となる「パターン」とは、フォトマスクに描画されたマスクパターン、フォトレジストやハードマスク等のマスク材に形成されたマスクパターン、半導体ウェハ等の被転写体に転写された配線等のパターンをいう。

（測定点数の設定動作）
測定点数の設定動作について、図１のフローチャートに従い、図３〜図６を参照して説明する。

図３は、フォトマスクの一例を模式的に示す図である。同図に示すフォトマスク１０は、例えば、４つの矩形状のチップ領域１１を有する。各チップ領域１１は、平行に配置された２つの矩形状のメモリセル領域１２と、２つのメモリセル領域１２の周辺に形成された周辺回路領域１３とから構成されたメモリ製品用のものである。また、このフォトマスク１０は、例えば、横２６ｍｍ、縦３３ｍｍのサイズを有する。パターンを１／４に縮小して露光する縮小投影型の露光装置を用いた場合は、フォトマスク上の２００μｍのパターンサイズがフォトレジスト上では５０μｍとなる。

まず、図３に示すフォトマスク１０を製造するためのマスクパターンデータの全体をメッシュ状に複数のメッシュ領域（単位領域）に分割する（Ｓ１）。

図４は、図３のＡ部に対応する領域に対して分割されたメッシュ領域を示す図である。メッシュ領域に分割した後、マスクパターンデータに基づいてメッシュ領域２０毎にパターン面積率を算出し、対応するメッシュ領域２０に記録する（Ｓ２）。メッシュ領域２０は、例えば、１ｍｍ×１ｍｍのサイズを有する。メッシュ領域のサイズ、分割数は、後述するパターン面積率差分量、計算時間等の関係から最適な値が選ばれるが、メッシュ領域は、少なくとも２つ以上が必要である。

ここで、「パターン面積率」とは、メッシュ領域に対応する領域内の描画パターン領域又は転写パターン領域の面積を１つのメッシュ領域の面積で割った値をいう。図４中、各メッシュ領域２０に表示された数値は、パターン面積率をパーセントで表したものであり、同図の場合は、５０〜１００％のパターン面積率となっている。

次に、各メッシュ領域毎にパターン面積率差分量を算出する（Ｓ３）。以下に、パターン面積率差分量の算出方法を図５、図６を用いて説明する。「パターン面積率差分量」とは、当該メッシュ領域に隣接するメッシュ領域とのパターン面積率の差分量をいう。

図５（ａ）、（ｂ）は、メッシュ領域毎にパターン面積率差分量を求める方法を説明するための図である。パターン面積率を算出した後、図５（ａ）に示すように、各メッシュ領域２０を３×３に区分し、各メッシュ領域２０毎に当該メッシュ領域２０に隣接するメッシュ領域２０とのパターン面積率の差分量を各区分２１に記録する。すなわち、図５（ｂ）に示すように、注目するメッシュ領域（図５（ｂ）の斜線を施した領域）２０ａのパターン面積率をａ、注目するメッシュ領域２０ａの周辺のメッシュ領域２０ｂのパターン面積率をｂ〜ｉとする。自己との差分量（ａ−ａ＝０）をメッシュ領域２０ａの中央の区分２１に記録し、上隣のメッシュ領域２０ｂのパターン面積率ｂとの差分量（ａ−ｂ）を注目するメッシュ領域２０ａの中央上の区分２１に記録し、他のメッシュ領域２０ｂに対しても同様にパターン面積率差分量を求め、注目するメッシュ領域２０ａの対応する区分２１に記録する。なお、図５のメッシュ領域に記載したパターン面積率差分量は、図４のメッシュ領域に記載したパターン面積率と対応しているわけではない。

次に、メッシュ領域２０の各区分２１に記録されたパターン面積率差分量を平均してそのメッシュ領域２０のパターン面積率差分量（平均値）を算出する（Ｓ３）。メッシュ領域毎にパターン面積率差分量（平均値）を算出することで、測定対象のパターン領域について単位面積当たりのパターン面積の変化量分布を求める。

図６は、各メッシュ領域２０にパターン面積率差分量（平均値）を記録した状態を示す。ステップＳ３で求めたパターン面積率差分量（平均値）をメッシュ領域２０に記録する。同図中、斜線を施したメッシュ領域２０は、パターン面積率差分量（平均値）が比較的大きい領域であることを示している。

なお、ステップＳ２における図４のパターン面積率の記録、ステップＳ３における図５のパターン面積率差分量の記録及び図６のパターン面積率差分量（平均値）の記録は、半導体メモリ等のメモリ上で行うことができる。

次に、パターン面積率差分量に応じて、その単位領域に位置するパターンに設定する測定点の数または密度を定める（Ｓ４）。具体的には、パターン面積率差分量が多くなるに従い、測定点数または密度を増加する。例えば、パターン面積率差分量が第１の閾値以下のときは、測定点数を４個とし、パターン面積率差分量が第１の閾値と第２の閾値の間のときは、測定点数を１５個とし、パターン面積率差分量が第２の閾値以上のときは、測定点数を２０個とする。また、パターン面積率差分量が大きいほど、その単位領域に位置するパターンに設定する測定点の間隔を小さくすることもできる。なお、閾値は、２つに限られず、１つでも３つ以上でもよい。また、パターン面積率差分量と測定点数等の関係を示す関数やテーブルを用いて測定点数等を求めてもよい。

（フォトマスクの測定動作）
次に、フォトマスクのパターン形成領域の寸法の測定動作を図２のフローチャートに従い説明する。マスクパターンデータを受け付けた後（Ｓ１０）、マスクパターンデータを電子線描画装置用の描画データに変換する（Ｓ１１）。ここで描画データは、電子線によるショット位置（座標）、ショット回数、電子線露光量等を含んでもよい。

次に、マスク基板上のレジストを描画データに基づいて描画する（Ｓ１２）。

その後、現像、エッチング等の所定のプロセスを経てフォトマスクを形成する（Ｓ１３）。

図１のステップＳ４でメッシュ領域毎に設定された測定点数に基づいて、フォトマスク上に測定点を設定し、マスクパターンの平均寸法値と、寸法ばらつき量を測定する（Ｓ１４）。

測定された平均寸法値が対応する保証範囲内かどうかを判定し（Ｓ１５）、寸法ばらつき量が対応する保証範囲内かどうかを判定する（Ｓ１６）。ステップＳ１５、Ｓ１６においていずれの測定値も保証範囲内であれば、当該フォトマスクは良品として判定される。なお、保証値は、メッシュ領域毎に異なる値が設定されていてもよい。

平均寸法値が対応する保証範囲内でないと判定されたとき（Ｓ１５：Ｎｏ）、又は寸法ばらつき量が対応する保証範囲内でないと判定されたとき（Ｓ１６：Ｎｏ）、バイアスの付加が必要か否かが判断され（Ｓ１７）、バイアスの付加が必要と判断されたときは（Ｓ１７：Ｙｅｓ）、マスクパターンデータに対してバイアスを付加する（Ｓ１８）。

平均寸法値が対応する保証範囲内でないと判定されたとき（Ｓ１５：Ｎｏ）、又は寸法ばらつき量が対応する保証値以下でないと判定されたとき（Ｓ１６：Ｎｏ）であって、バイアスの付加が必要でないと判断された場合、或いは隣接するパターンとの距離が短くバイアスを付加することで、パターンの描画、転写が適切にできなくなる場合には（Ｓ１７：Ｎｏ）、電子線照射量、照射位置等の描画プロセス条件が変更されるように描画データを補正する電子線照射量補正を行う（Ｓ１９）。

上記ステップＳ１８において、マスクパターンデータに対してバイアスを付加した後は、バイアスが付加されたマスクパターンデータを電子線描画装置用の描画データに変換し（Ｓ１１）、前述したように、描画（Ｓ１２）、フォトマスクの形成（Ｓ１３）、平均寸法値及び寸法ばらつき量の測定値が対応する保証範囲内となるまで、上記動作を繰り返す。

また、上記ステップＳ１９において、描画プロセス補正が行われた後は、前述したように、描画（Ｓ１２）、フォトマスクの形成（Ｓ１３）、平均寸法値及び寸法ばらつき量の測定値が対応する保証範囲内となるまで、上記動作を繰り返す。

なお、図２のフローチャートでは、バイアス補正か描画プロセス補正の一方を行うように説明したが、両方を行ってもよい。

（実施の形態の作用・効果）
図７は、連続するメッシュ領域のパターン寸法平均値とその保証範囲の一例を示し、（ａ）は、測定点を従来技術に基づいて設定した場合、（ｂ）は、測定点を本実施形態に基づいて設定した場合におけるパターン寸法平均値を示す。図７において、黒丸は、従来と同様に各メッシュ領域に対して配置された測定点を示し、白丸は、本実施形態に基づいて追加した測定点を示す。また、保証値（上限）３１ａと保証値（下限）３１ｂとの間を保証範囲とする。図７（ａ）は、メッシュ１からメッシュ５で示す連続するメッシュ領域のうち、メッシュ４のマスク寸法平均値が保証値より大きくなっており、不良箇所となっている場合を示している。メッシュ４のパターン面積率差分量が閾値（図示せず）よりも大きくなっていため、メッシュ４については、他のメッシュよりも測定点の数を増やしている。前述したように、マスクパターンデータに対してバイアスを付加する補正を行うか、描画する際のマスク描画条件を補正する、といった補正技術を用いることにより、図７（ｂ）に示すように、メッシュ４のマスク寸法平均値を保証値の範囲内にすることができる。

図７では、マスク寸法平均値について説明したが、マスク寸法のばらつき量（例えば、パターンの設計寸法からの誤差）についても同様に、パターン面積率差分量に応じた測定点数を設定し、マスクパターンデータに対してバイアスを付加する補正を行うか、描画する際のマスク描画条件を補正する、といった補正技術を用いることにより、不良箇所となったメッシュ領域のマスク寸法値を保証値の範囲内にすることができる。

マスクパターンの寸法のばらつきには、ランダムなばらつき成分と、システマティックな成分（系統的誤差）とが存在する。系統的誤差は、パターン面積が変動するメッシュ領域で発生しやすい。これは描画プロセス、現像プロセス、エッチングプロセスは、ローカルなパターン面積差に影響を受けやすいためである。また、パターン面積が変動しない箇所では、比較的マスク寸法の系統的誤差は小さく抑えられる。マスク面内に系統的誤差分布が存在する場合には、パターン寸法の測定点の配置によって寸法平均値、ばらつき量が変動するため、ワースト値をモニターするための測定点の配置が重要となるが、測定点数が少ないと、ワースト値をモニターすることは難しい。そこで、本実施の形態のように、パターン面積率変化量の大きなメッシュ領域では測定点を高い密度で配置することにより、系統的誤差による寸法のばらつき量のワースト値をモニターすることができ、ワースト値を保証判定に反映させることが可能となり、マスクのパターン寸法保証精度を向上させることができる。また、必要なメッシュ領域について測定点数を増やすことにより、全体的に測定点数を増やす場合と比較して測定時間を短くすることができる。

図８（ａ）〜（ｃ）は、ロジック製品について描画面積率差分量の算出方法を説明するための図である。メッシュ領域毎にパターン面積率を算出し、図８（ａ）に示すように、メッシュ領域にパターン面積率を記録する。次に、図８（ｂ）に示すように、メッシュ領域毎に当該メッシュ領域に隣接するメッシュ領域とのパターン面積率差分量を算出し、メッシュ領域内の対応する区分に記録する。次に、メッシュ領域内のパターン面積差分量の平均値を求めてそれを、図８（ｃ）に示すように、メッシュ領域に記録する。図８（ｃ）中、斜線を施したメッシュ領域２０は、パターン面積率差分量（平均値）が比較的大きい領域であることを示している。

［第２の実施の形態］
図９は、本発明の第２の実施の形態に係るパターンの検証方法及び形成方法が適用されたレジストパターンの保証方法を示すフローチャートである。

まず、レジストパターンデータの全体をメッシュ状に複数のメッシュ領域（単位領域）に分割する（Ｓ２０）。

次に、レジストパターンデータに基づいてメッシュ領域毎にパターン面積率を算出する（Ｓ２１）。レジストパターンここで、「パターン面積率」は、レジスト膜の面積を１つのメッシュ領域の面積で割った値をいう。

次に、第１の実施の形態と同様に、各メッシュ領域毎に当該メッシュ領域に隣接するメッシュ領域とのパターン面積率の差分量を各区分に記録する。そして、メッシュ領域の各区分に記録されたパターン面積率差分量を平均してそのメッシュ領域のパターン面積率差分量（平均値）を算出する（Ｓ２２）。

次に、第１の実施の形態と同様に、パターン面積率差分量に応じて測定点数を定める（Ｓ２３）。具体的には、パターン面積率差分量が小さくなるに従い、測定点数を多くする。

本実施の形態によれば、パターン面積率変化量の大きなメッシュ領域では測定点を高い密度で配置することにより、系統的誤差による寸法のばらつきのワースト値をモニターすることができ、ワースト値を保証判定に反映させることが可能となり、レジストパターンの寸法保証精度を向上させることができる。

［第３の実施の形態］
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、第１の実施の形態のフォトマスクの保証方法によって保証されたフォトマスク上のマスクパターンを半導体ウェハ上のフォトレジストに転写し、フォトレジストを現像してフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、半導体ウェハ上にパターンを形成する。これらの動作を繰り返すことにより、半導体装置が製造される。

なお、フォトレジストにフォトレジストパターンを形成したときに、第２の実施の形態のレジストパターンの保証方法によって保証された後、このフォトレジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、半導体ウェハ上にパターンを形成してもよい。

［第４の実施の形態］
本発明の第４の実施の形態に係るプログラムは、図１及び図２、又は図１１に示すフローチャートをコンピュータに実行させるものである。このプログラムは、コンピュータに読み取り可能な記録媒体に記録して提供することができ、インターネット等のネットワークを介してサーバからダウンロードすることにより提供することができる。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々な変形が可能である。また、各実施の形態の構成要素を本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において任意に組み合わせることができる。

例えば、上記実施の形態では、メッシュ領域のサイズを一定にし、描画面積率の変化量分布に応じて測定点数を変えたが、メッシュ領域における測定点数を一定にし、描画面積率の変化量分布に応じてメッシュ領域のサイズを変えてもよい。

また、上記実施の形態では、マスクパターンデータ又はレジストパターンデータをメッシュ領域に区分したが、実際にマスク基板に形成したマスクパターンやレジスト膜、あるいは半導体基板上に形成したパターンを画像データとして取得後、画像データをメッシュ領域に分割してもよい。

また、上記実施の形態では、マスク基板に形成したパターン検証の結果、パターン平均寸法値又はパターン寸法のばらつきが保証範囲内になければ、マスク基板に描画すべきパターンの変更、或いは描画プロセス条件の変更を行っているが、半導体基板上に形成したパターンの検証の結果、パターン平均寸法値又はパターン寸法のばらつきが保証範囲内になければ、半導体基板に転写すべき設計パターン（ターゲットパターン）、或いは半導体基板へのパターン転写プロセス、すなわち露光条件、ベーク条件、現像条件、エッチング条件等を変更することもできる。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係るパターンの検証方法及び形成方法が適用された測定点数の設定動作を示すフローチャートである。 図２は、本発明の第１の実施の形態に係るパターンの検証方法及び形成方法が適用されたフォトマスクの測定動作を示すフローチャートである。 図３は、フォトマスクの一例を模式的に示す図である。 図４は、図３のＡ部に対応する領域に対して分割されたメッシュ領域を示す図である。 図５（ａ）、（ｂ）は、メッシュ領域毎にパターン面積率差分量を求める方法を説明するための図である。 図６は、各メッシュ領域にパターン面積率差分量（平均値）を記録した状態を示す図である。 図７は、連続するメッシュ領域のマスク寸法分布の一例を示し、（ａ）は、従来技術に基づいて測定点を設定した場合、（ｂ）は、本実施の形態に基づいて測定点を設定した場合の測定値を示す図である。 図８（ａ）〜（ｃ）は、ロジック製品についてパターン面積率差分量の算出方法を説明するための図である。 図９は、本発明の第２の実施の形態に係るパターンの検証方法及び形成方法が適用されたレジストパターンの保証方法を示すフローチャートである。

符号の説明

１０ フォトマスク、１１ チップ領域、１２ メモリセル領域、１３ 周辺回路領域、２０，２０ａ，２０ｂ メッシュ領域、２１ 区分

Claims (5)

1. パターンデータ領域、又は前記パターンデータに基づいて形成されたパターン形成領域を複数の単位領域に分割し、前記単位領域毎にパターン面積率を算出し、前記単位領域毎に当該単位領域に隣接する領域との前記パターン面積率の差分量を算出する算出工程と、
   前記パターン形成領域のパターンに対し、前記単位領域毎に前記パターン面積率の差分量に応じた数又は密度で測定点を設定する設定工程と、
   前記測定点におけるパターンの寸法を測定する測定工程と、
   前記寸法の測定値が所定の条件を満たすか否かを検証する検証工程と、
   を含むことを特徴とするパターンの検証方法。
2. 前記複数の単位領域のうち、第１の単位領域は、第２の単位領域よりも前記パターン面積率の差分量が大きく、前記第１の単位領域のパターンに設定する測定点の数又は密度は、前記第２の単位領域のパターンに設定する測定点の数又は密度よりも多い又は大きいことを特徴とする請求項１に記載のパターンの検証方法。
3. パターンデータ領域、又は前記パターンデータに基づいて形成されたパターン形成領域を複数の単位領域に分割し、前記単位領域毎にパターン面積率を算出し、前記単位領域毎に当該単位領域に隣接する領域との前記パターン面積率の差分量を算出する算出工程と、
   前記パターン形成領域のパターンに対し、前記単位領域毎に前記パターン面積率の差分量に応じた数又は密度で測定点を設定する設定工程と、
   前記測定点におけるパターンの寸法を測定する測定工程と、
   前記寸法の測定値が所定の条件を満たすか否かを検証する検証工程と、
   前記検証工程の結果、前記条件を満たさない場合には、前記パターンデータを変更する又は前記パターンを形成する際のプロセス条件を変更する変更工程と、
   を含むことを特徴とするパターンの形成方法。
4. 描画パターンデータ領域、又は前記描画パターンデータに基づいてマスクに形成したパターン形成領域を複数の単位領域に分割し、前記単位領域毎にパターン面積率を算出し、前記単位領域毎に当該単位領域に隣接する領域との前記パターン面積率の差分量を算出する算出工程と、
   前記パターン形成領域のマスクパターンに対し、前記単位領域毎に前記パターン面積率の差分量に応じた数又は密度で測定点を設定する設定工程と、
   前記測定点におけるパターンの寸法を測定する測定工程と、
   前記寸法の測定値が所定の条件を満たすか否かを判定し、
   前記測定値が前記所定の範囲内であると判定されたマスクを用いて前記マスクパターンを被転写膜に転写することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. パターンデータ領域、又は前記パターンデータに基づいて形成したパターン形成領域を複数の単位領域に分割し、前記単位領域毎にパターン面積率を算出し、前記単位領域毎に当該単位領域に隣接する領域との前記パターン面積率の差分量を算出する第１のステップと、
   前記パターン形成領域のパターンに対し、前記単位領域毎に前記パターン面積率の差分量に応じた数又は密度で測定点を設定する設定工程と、
   前記測定点におけるパターンの寸法を測定する第２のステップと、
   前記寸法の測定値が所定の条件を満たすか否かを検証する第３のステップと、
   をコンピュータに実行させるためのプログラム。

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