JP2004145152A - マスク欠陥検査方法、マスク製作方法及び半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法の提供。
【解決手段】露光転写パタンに基づき補正した（Ｓ１０）補正後マスク設計データＤ２から、参照データを作成し、補正後マスク設計データＤ２に基づくマスクの形状を実測してセンサデータを作成するマスク欠陥検査方法。露光転写パタンに基づき補正した（Ｓ１０）マスク設計データから、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第１非検査領域データを抽出し（Ｓ１１）、抽出した第１非検査領域データを、補正後マスク設計データＤ２に含めて保存し、第１非検査領域データが示す非検査領域を除外して、参照データ及びセンサーデータを比較し、マスク上の欠陥を検出する。
【選択図】 図２
【解決手段】露光転写パタンに基づき補正した（Ｓ１０）補正後マスク設計データＤ２から、参照データを作成し、補正後マスク設計データＤ２に基づくマスクの形状を実測してセンサデータを作成するマスク欠陥検査方法。露光転写パタンに基づき補正した（Ｓ１０）マスク設計データから、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第１非検査領域データを抽出し（Ｓ１１）、抽出した第１非検査領域データを、補正後マスク設計データＤ２に含めて保存し、第１非検査領域データが示す非検査領域を除外して、参照データ及びセンサーデータを比較し、マスク上の欠陥を検出する。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光の際の光近接効果に対して補正した露光用マスクの設計データを作成する為のマスク欠陥検査方法、このマスク欠陥検査方法により検査されたマスクを製作するマスク製作方法、及びこのマスク製作方法により製作されたマスクを使用する半導体集積回路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては、設計データから作られたレイアウトパタンを、フォトマスクに形成し、形成したフォトマスクを使用した投影露光により、レイアウトパタンをウエハに形成するフォトリソグラフィ工程を、複数回経る。この場合、典型的なフォトマスクは、石英基板上に設けられた遮光部の有無により、パタンが形成される。
【０００３】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、フォトマスクに形成されるパタンも微細化し、投影露光されるパタンも微細化されている。パタンが微細化すると、光の回折現象による干渉効果が顕著に現れることになり、本来の設計データと大きく異なるパタンがウエハに転写されてしまい、最終的に形成される集積回路の歩留まり低下、及び集積回路の動作の不具合等の原因となる。
光の干渉効果の影響の例を図９（ａ）（ｂ）に示す。図９（ａ）は、マスク設計データにおけるパタンの角部であり、このパタンを投影露光して生じたパタンが、図９（ｂ）に示されており、パタンの角部が欠けて丸くなっている。
【０００４】
このような、光の干渉効果による投影露光後のパタンの変形を低減させる為に、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれる技術が開発されている。これは、光の回折効果の影響を光学的なシミュレーション、又は実際に投影露光されたテストパタン等から評価し、その評価結果に基づき、フォトマスクパタンを設計データに対して補正することで、投影露光により形成されるパタンを、より設計データに忠実に再現する方法である。
【０００５】
ＯＰＣの典型的な例を図９（ｃ）（ｄ）に示す。図９（ｃ）では、図９（ａ）に示すマスク設計データに対して、端部を変形させており、その露光パタンを図９（ｄ）に示す。図９（ｄ）では、図９（ｂ）に比べて、角部の後退量が減少しており、より設計データに忠実に再現していることが判る。
ところが、このような設計データの補正は、マスク製作時にマスクパタンが設計データに基づき正常に形成されているか否かを検証するマスク検査工程において、擬似的なエラーを発生させる為、検査時間を増大させ、コスト上昇を招くという問題を生じさせる。
【０００６】
図１０（ａ）は、ＯＰＣが実施されていない設計データの例を示す説明図である。図１０（ａ）が示すデータは、図１１のフロー図が示すマスク欠陥検査方法に従い、マスクが製作され検査が実施される。
このマスク欠陥検査方法では、先ず、一方の工程として、マスク設計データＤ２０に基づき製作されたマスク（Ｓ３３）の形状を、光学的センサにより読み取り、実際のマスク形状を記録したセンサデータＤ２２を作成する（Ｓ３４）。また、他方の工程として、マスク設計データＤ２０に基づき、角部の丸まり等を考慮して、参照データＤ２１を作成する（Ｓ３０）。その後、センサデータＤ２２と参照データＤ２１とを比較対照させ（Ｓ３１）、差異が生じた箇所を、欠陥として検出する（Ｓ３２）。
【０００７】
ところで、図１１が示す従来のマスク検査方法は、図１０（ｂ）に示すようなＯＰＣを実施された設計パタンの場合には、擬似的なエラーを発生させ、検査時間を増大させ、コスト上昇を招く可能性がある。これは、主に、マスク形状を読み取る検査装置の光学的センサの感度に限界があり、一定の値以下のパタン幅又はパタン間隔については、正常に読み取ることが出来ず、参照データとの間に差異が生じて、擬似的にエラーと判定してしまう為である。
【０００８】
例えば、検査装置がエラー無く読み取り可能な間隔が６００ｎｍであり、４倍縮小投影用のマスクを作成する場合について考える。この場合、設計データ上では、６００／４＝１５０ｎｍ以上が、検査装置がエラー無く読み取り可能な範囲になる。図１２（ａ）に示すように、設計データ時には、１６０ｎｍの間隔であったパタンが、図１２（ｂ）に示すように、ＯＰＣ後のデータでは、１４５ｎｍになった場合、検査装置は擬似的にエラーと判定することになり、エラー箇所の確認の為、検査工程が止まり、検査工程の遅延を招く。
【０００９】
この為、検査工程での擬似的なエラーを防ぐ為の方法が提案されている。その一つは、ＯＰＣの処理に制限を設ける方法である。これは、光学的な補正を実施する際に、設計データを補正する量を、検査装置でエラーを生じない範囲に制限する方法である。
例えば、図１２（ｃ）（ｄ）に示すように、検査装置がエラー無く読み取り可能な間隔の、設計データに換算した値が１５０ｎｍである場合には、間隔が１５０ｎｍ以下にならないように、データを補正する。
しかし、この方法では、検査工程でエラーは生じないが、補正量は最適な値より小さく制限され、フォトリソグラフィ工程でのパタン形成で、意図したパタンからのずれが大きくなってしまう。
【００１０】
他の方法として、特許文献１には、参照データの作成工程にエラー領域の判定工程を追加するマスク欠陥検査方法が記載されている。図１３は、このマスク欠陥検査方法を示すフロー図である。
このマスク欠陥検査方法では、補正前マスク設計データＤ２３から、実測値に基づき、予め決められた方法により補正（光近接効果補正）を実施し、補正後マスク設計データＤ２４を作成する（Ｓ３５）。
次に、一方の工程として、補正後マスク設計データＤ２４に基づき製作されたマスク（Ｓ３９）の形状を、光学的センサにより読み取り、実際のマスク形状を記録したセンサデータＤ２６を作成する（Ｓ４０）。また、他方の工程として、補正後マスク設計データＤ２４に基づき、角部の丸まり等を考慮して、参照データＤ２５を作成する（Ｓ３６）。
【００１１】
この参照データＤ２５を作成する工程（Ｓ３６）において、図１４のフロー図が示すような判定工程を追加する。この工程では、補正後マスク設計データＤ２４を読み込み、マスク検査のエラー判定条件以下のパタンであるか否かを判定する（Ｓ４１）。ここで、エラー条件以下の場合は、この領域を除外し（Ｓ４３）、それ以外のデータを参照データＤ２５として作成する（Ｓ４２）。
次に、センサデータＤ２６と参照データＤ２５とを比較対照させ（Ｓ３７）、差異が生じた箇所を、欠陥として検出する（Ｓ３８）。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００１−２７２７７０号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このマスク欠陥検査方法には、いくつかの問題がある。一つは、参照データＤ２５の形成工程（Ｓ３６）と、マスク製作工程（Ｓ３９）とが平行して進められる為に、参照データ形成時（Ｓ３６）に抽出された非検査領域データが不適切であり、その原因が補正前マスク設計データＤ２３又はＯＰＣ処理（Ｓ３５）にあると分かった場合でも、マスクの製作が進められており、余計なコスト上昇の要因となる。
【００１４】
また、他の問題として、予めＯＰＣ補正（Ｓ３５）後にエラー領域になると分かっているような特定の設計パタンに対しても、常に補正後マスク設計データＤ２４に対して検査をする必要があり、コスト上昇の要因となる。
更に、他の問題として、参照データＤ２５を作成する装置は、通常、マスク検査装置と一体化されている場合は、これらの検査装置のプログラムを変更して作り直す必要があり、コスト上昇を招く。尚、マスク検査装置は、図１３が示すＳ４０，Ｄ２６，Ｓ３６，Ｄ２５を装置内に含み、装置メーカで一体化され完成品となっているので、プログラムの変更には手間が掛かる。
【００１５】
本発明は、上述したような事情に鑑みてなされたものであり、第１〜４発明では、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を提供することを目的とする。
第５発明では、第１乃至４発明に係るマスク欠陥検査方法により検査されたマスクを製作するマスク製作方法を提供することを目的とする。
第６発明では、第５発明に係るマスク製作方法により製作されたマスクを使用する半導体集積回路の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマスク欠陥検査方法は、デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、該マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成する第１工程と、該補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する第２工程と、前記補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成する第３工程と、前記参照データ及びセンサデータを比較し、前記マスク上の欠陥を検出する第４工程とを備えるマスク欠陥検査方法において、前記第１工程は、前記マスク設計データから、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第１非検査領域データを抽出する工程と、抽出された第１非検査領域データと前記非検査領域に対応する補正前の前記マスク設計データとを比較し、所定基準に基づき前記第１非検査領域データを取捨選択する工程と、選択された第１非検査領域データを、前記補正後マスク設計データに含めて保存する工程とを含み、前記第４工程は、前記第１非検査領域データが示す前記マスク上の非検査領域を除外して、前記参照データ及びセンサーデータを比較することを特徴とする。
【００１７】
このマスク欠陥検査方法では、第１工程で、デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成し、第２工程で、補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する。第３工程で、補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成し、第４工程で、参照データ及びセンサデータを比較し、マスク上の欠陥を検出する。
【００１８】
第１工程は、マスク設計データから、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第１非検査領域データを抽出し、抽出された第１非検査領域データと非検査領域に対応する補正前のマスク設計データとを比較し、所定基準に基づき第１非検査領域データを取捨選択する。また、選択された第１非検査領域データを、補正後マスク設計データに含めて保存する。第４工程は、第１非検査領域データが示すマスク上の非検査領域を除外して、参照データ及びセンサーデータを比較する。
【００１９】
これにより、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
尚、従来のマスク欠陥検査方法では、上述したように、図１３が示すＳ４０，Ｄ２６，Ｓ３６，Ｄ２５をマスク検査装置内に含み、装置メーカで一体化され完成品となっているので、プログラムの変更には手間が掛かるが、本発明に係るマスク欠陥検査方法では、例えば図１３のＳ３５，Ｄ２４の段階で実施し、技術者がＣＡＤを操作して実施するので、プログラムの編集は容易である。
【００２０】
本発明に係るマスク欠陥検査方法は、前記マスク設計データは、前記所定の幅以下のパタン及び前記所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第２非検査領域データを、予め含んでおり、前記第１工程は、前記第１非検査領域データ及び第２非検査領域データの論理和を取り、最終的な非検査領域データを作成する工程を更に含むことを特徴とする。
【００２１】
このマスク欠陥検査方法では、マスク設計データは、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第２非検査領域データを、予め含んでいる。第１工程は、更に、第１非検査領域データ及び第２非検査領域データの論理和を取り、最終的な非検査領域データを作成する。
これにより、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
【００２２】
本発明に係るマスク欠陥検査方法は、デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成する第１工程と、該補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する第２工程と、前記補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成する第３工程と、前記参照データ及びセンサデータを比較し、前記マスク上の欠陥を検出する第４工程とを備えるマスク欠陥検査方法において、前記マスク設計データは、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す非検査領域データを含んでおり、前記第４工程は、該非検査領域データが示す前記マスク上の非検査領域を除外して、前記参照データ及びセンサデータを比較することを特徴とする。
【００２３】
このマスク欠陥検査方法では、第１工程で、デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成し、第２工程で、補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する。第３工程で、補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成し、第４工程で、参照データ及びセンサデータを比較し、マスク上の欠陥を検出する。
【００２４】
マスク設計データは、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す非検査領域データを含んでおり、第４工程は、非検査領域データが示すマスク上の非検査領域を除外して、参照データ及びセンサデータを比較する。
これにより、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
【００２５】
本発明に係るマスク欠陥検査方法は、前記所定の幅及び所定値は、前記第４工程における検出可能な下限値であることを特徴とする。
【００２６】
このマスク欠陥検査方法では、所定の幅及び所定値は、第４工程における検出可能な下限値であるので、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
【００２７】
本発明に係るマスク製作方法は、本発明に係るマスク欠陥検査方法により検査されたマスクを製作することを特徴とする。
【００２８】
このマスク製作方法では、本発明に係るマスク欠陥検査方法により検査されたマスクを製作するので、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク製作方法を実現することが出来る。
【００２９】
本発明に係る半導体集積回路の製造方法は、本発明に係るマスク製作方法により製作されたマスクを使用して、半導体集積回路を製造することを特徴とする。
【００３０】
この半導体集積回路の製造方法では、本発明に係るマスク製作方法により製作されたマスクを使用して、半導体集積回路を製造するので、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来る半導体集積回路の製造方法を実現することが出来る。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係るマスク欠陥検査方法、マスク製作方法及び半導体集積回路の製造方法を、それを示す図面に基づき説明する。
本発明に係るマスク欠陥検査方法では、光近接効果補正を実施した補正後のマスク設計データ上で、マスク検査時に擬似欠陥となる領域を示すパタンを、異なる指標で区別して、同じ補正後マスク設計データとして保持する。
【００３２】
実施の形態１．
図１は、このマスク欠陥検査方法では、先ず、補正前マスク設計データＤ１は、光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される（Ｓ１）（第１工程）。その結果、補正後のマスク設計パタンと、マスク設計パタンと異なる指標で区別された非検査領域を特定するパタンとからなる補正後マスク設計データＤ２が作成される（Ｓ１）。
【００３３】
次に、一方の工程として、補正後マスク設計データＤ２に基づき製作されたマスク（Ｓ５）の形状を、光学的センサにより読み取り、実際のマスク形状を記録したセンサデータＤ４を作成する（Ｓ６）（第３工程）。また、他方の工程として、補正後マスク設計データＤ２に基づき、角部の丸まり等を考慮して、参照データＤ３を作成する（Ｓ２）（第２工程）。
次に、マスク設計パタンと異なる指標で区別された非検査領域（Ｓ１）を除外して、センサデータＤ４と参照データＤ３とを比較対照させ（Ｓ３）（第４工程）、差異が生じた箇所を、欠陥として検出する（Ｓ４）（第４工程）。
【００３４】
図２は、光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（Ｓ１）を詳しく示すフロー図である。
光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（Ｓ１）では、先ず、補正前マスク設計データＤ１に対して、光近接効果補正を実施する（Ｓ１０）。次いで、光近接効果補正後のパタンに対して、パタンの幅がマスク検査装置でエラー無く検出可能な幅の最小値Ｗｍｉｎ以下のパタン、及びパタンとパタンとの間隔がマスク検査装置でエラー無く検出可能な最小間隔Ｓｍｉｎ以下のパタンを含む領域を抽出する（Ｓ１１）。
【００３５】
次に、抽出されたパタン（Ｓ１１）と、補正前マスク設計データＤ１のそのパタンに該当する領域のパタンとを参照比較する（Ｓ１２）。次いで、その参照比較の結果、所定の基準により、マスク設計データに問題があるか否かを判定し（Ｓ１３）、問題がある場合は、補正前マスク設計データＤ１のその部分を修正し、再処理を実施する（Ｓ１０，１１）。最終的に抽出箇所に問題なしと判定すれば（Ｓ１３）、抽出された擬似的なエラーを含む非検査領域を、別の指標で区別されるデータとして含む補正後マスク設定データＤ２を作成し保存する。
【００３６】
以下に、プロセス検討等の理由により、様々な寸法で描かれた設計パタンを含む補正前マスク設計データＤ１に基づき、光近接効果補正、マスク作成及びマスク欠陥検査を実施する場合を説明する。尚、マスク検査装置から規定される、エラーになる最小値の、補正前マスク設計データＤ１、又は補正後マスク設計データＤ２上に換算した値は、線幅１５０ｎｍ、パタン間隔１５０ｎｍである。
補正前マスク設計データＤ１に基づき光近接効果補正を実施し（Ｓ１０）、所定寸法以下のパタンを抽出する（Ｓ１１）。このパタンの一例を図５（ａ）に示す。図５（ａ）では、ライン端部とそれに対向するパタンとの距離が１４５ｎｍになっており、この部分が抽出される（Ｓ１１）。
【００３７】
次に、抽出したパタンに該当する補正前マスク設計データＤ１の領域を参照したものを、図５（ｂ）に示す。図５（ｂ）に示す設計パタンでは、ライン端部とそれに対向するパタンとの距離は１６５ｎｍで、周期的に並んだラインの線幅は１５０ｎｍでそれぞれ設計されており、正常な設計である。その為、抽出された領域（Ｓ１１）を、非検査領域として異なる指標で区別して、補正後マスク設計データＤ２に含めて保存する。
【００３８】
次に、抽出された別のパタン（Ｓ１１）を図６（ａ）に示す。図６（ａ）に示すパタンに該当する補正前マスク設計データＤ１の領域を参照したものを、図６（ｂ）に示す。図６（ｂ）では、周期的に並んだパタンの１つのみが、１００ｎｍで描かれている。この為、図６（ａ）に示す補正後のデータにおいて、その部分のみライン端部とそれに対向するパタンの間隔が狭くなったことが分かる。この場合は、補正前マスク設計データＤ１の該当部分を１５０ｎｍに修正し、再度、光近効果補正から実施する。
【００３９】
以上のような操作を実施し、最終的に出力されたデータに基づき、図１に示すフロー図に従い、マスク作成から検査までの工程を実施する。検査時に擬似的なエラーが発生する領域は、非検査領域として抽出されており、この部分は検査対象から除外される為、検査時の疑似的なエラーは防ぐことが出来、検査時間が短縮される。
上述したようなマスク欠陥検査方法により欠陥検査されたマスクを製作し、この製作したマスクを使用して、半導体集積回路を製造する。
【００４０】
実施の形態２．
図３は、本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態２を示すフロー図である。このフロー図は、図１が示すフロー図において、光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（Ｓ１）の他の実施の形態を詳しく示しており、その他の部分は、図１が示すフロー図と同様であるので、説明を省略する。
【００４１】
このマスク欠陥検査方法では、補正前マスク設計データＤ１において、特定の領域内に、予め非検査領域データ（第２非検査領域データ）を作成しておく。これは、マスク設計データで使われる最小寸法以下のパタンを含む領域（パタンの幅がマスク検査装置でエラー無く検出可能な幅の最小値Ｗｍｉｎ以下のパタン、及びパタンとパタンとの間隔がマスク検査装置でエラー無く検出可能な最小間隔Ｓｍｉｎ以下のパタンを含む領域）が、マスク設計時に特定されている等の場合に可能である。
【００４２】
光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（図１Ｓ１）では、先ず、補正前マスク設計データＤ１に対して、光近接効果補正を実施する（図３Ｓ１５）。次いで、光近接効果補正後のパタンに対して、パタンの幅がマスク検査装置でエラー無く検出可能な幅の最小値Ｗｍｉｎ以下のパタン、及びパタンとパタンとの間隔がマスク検査装置でエラー無く検出可能な最小間隔Ｓｍｉｎ以下のパタンを含む領域を抽出する（Ｓ１６）。このとき、予め作成され補正前マスク設計データＤ１に含まれる非検査領域データが示す領域は、抽出する対象から除外しておく。
【００４３】
次に、抽出されたパタン（Ｓ１６）と、補正前マスク設計データＤ１のそのパタンに該当する領域のパタンとを参照比較する（Ｓ１７）。次いで、その参照比較の結果、所定の基準により、マスク設計データに問題があるか否かを判定し（Ｓ１８）、問題がある場合は、補正前マスク設計データＤ１のその部分を修正し、再処理を実施する（Ｓ１５，１６）。最終的に抽出箇所に問題なしと判定すれば（Ｓ１８）、抽出された擬似的なエラーを含む非検査領域データ（第１非検査領域データ）と、予め作成され補正前マスク設計データＤ１に含まれる非検査領域データとの論理和を取り（Ｓ１９）、その演算結果である非検査領域データを、別の指標で区別されるデータとして含む補正後マスク設定データＤ２を作成し保存する。
【００４４】
以下に、メモリデバイス等のように特定の領域に、規則的にパタンが配列された領域と、不規則なパタン配置がされた領域とが区別されるような設計パタンを含む設計データに、光近接効果補正、マスク作成、マスク欠陥検査を実施する場合を説明する。尚、マスク検査装置から規定される、エラーになる最小値の、補正前マスク設計データＤ１、又は補正後マスク設計データＤ２上に換算した値は、線幅１５０ｎｍ、パタン間隔１５０ｎｍである。
図７は、マスク設計データに光近接効果補正を実施した（Ｓ１５）後の設計パタンであり、Ａ，Ｂで示される領域が検査可能値以下の１４５ｎｍになっている。図７に示す設計パタンの、光近接効果補正（Ｓ１５）前のデータによるパタンが、図８に示してある。
【００４５】
図８では、領域１がメモリセルであり、周期的なパタンが配列されており、それ以外の領域２は、ランダムにパタンが配置されている。このような場合、領域１のメモリセル部分に関し、それ以前に他の同様のデータに光近接効果補正を実施した結果から、エラーの発生する箇所が、特定されているときには、図３が示すフロー図に従い処理することが可能である。
先ず、Ａ部分を含む領域データを、異なる指標で区別される非検査領域データとして、補正前マスク設計データＤ１の領域１のデータに作成しておく。
この際、領域１のような周期的なパタンは、通常、配列を用いた繰り返し構造として設計されており、配列の基本パタンの一つ（又はいくつか）に、非検査領域データを描くことで、容易に配置することが可能である。
【００４６】
このようにして作成された補正前マスク設計データＤ１に対して、光近接効果補正を実施し（Ｓ１５）、エラー箇所を抽出する（Ｓ１６）。但し、この場合は、領域１に対する光近接効果補正及び抽出は不要であり、領域２のみに実施する。これにより、周期パタンを多く含むメモリセル等では、数倍程度、処理時間の短縮が可能である。
【００４７】
このように領域２で抽出された非検査領域データ（Ｓ１６，１７，１８）と、領域１の非検査領域データとの論理和を取って作成した非検査領域データ（Ｓ１９）を、異なる指標で区別されるデータとして、光近接効果補正（Ｓ１５）後のマスク設計データに加えて、補正後マスク設計データＤ２を作成する。
以上のような操作を実施し、最終的に出力された補正後マスク設計データＤ２に基づき、図１のフロー図に従って、マスク製作からマスク欠陥検査までの工程を実施する。検査時に擬似的なエラーが発生する領域は、非検査領域データとして抽出されており、この部分は欠陥検査の対象から除外される為、マスク欠陥検査時の擬似的なエラー発生を防ぎ、検査時間が短縮される。
上述したようなマスク欠陥検査方法により欠陥検査されたマスクを製作し、この製作したマスクを使用して、半導体集積回路を製造する。
【００４８】
実施の形態３．
図４は、本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態３を示すフロー図である。このフロー図は、図１が示すフロー図において、光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（Ｓ１）の他の実施の形態を詳しく示しており、ここでは、非検査領域指定データの抽出及び判定は実施されない。その他の部分は、図１が示すフロー図と同様であるので、説明を省略する。
【００４９】
光近接効果補正が実施される工程（図１Ｓ１）では、先ず、予め作成された非検査領域データを含む補正前マスク設計データＤ１に対して、非検査領域データを除外して光近接効果補正を実施し（図４Ｓ２１）、補正後マスク設定データＤ２を作成し保存する。
このマスク欠陥検査方法は、補正前マスク設計データＤ１に対して光近接効果補正を実施した（Ｓ２１）後のデータにおいて、マスク検査装置が擬似的なエラーを発生するであろうパタンが特定されている場合に有効であり、光近接効果補正（Ｓ２１）後の抽出処理（例えば、図２Ｓ１１，１２，１３）を省略出来、処理時間の短縮が可能である。
【００５０】
上述した実施の形態２では、周期的なパタン領域１及びそれ以外の領域２において、光近接効果補正後のマスク検査時に、擬似的なエラーとして検出される値以下のパタンが発生していた。しかし、メモリデバイス等では、フォトリソグラフィプロセス上の制限から、周期的なメモリセルのパタン部分のみに、パタン間隔の小さい設計を実施している。その他の非周期的なランダムなパタンでは、十分に大きなパタン間隔のみ設計上で許されており、擬似的なエラー発生が、特定の領域にしか存在しないことが明らかな設計データも存在する。
【００５１】
このような場合、図４のフロー図に従って、予め補正前マスク設計データＤ１に非検査領域を描いておくことで、光近接効果補正後のエラー箇所抽出工程を、省くことが出来、処理時間を短縮することが可能である。
この場合も、最終的に出力された補正後マスク設計データＤ２に基づき、図１が示すフロー図に従って、マスク作成からマスク欠陥検査までの工程を実施する。検査時に擬似的なエラーが発生する領域は、非検査領域データとして特定されており、この部分は欠陥検査の対象から除外される為、マスク欠陥検査時の擬似的なエラー発生を防ぎ、検査時間が短縮される。
上述したようなマスク欠陥検査方法により欠陥検査されたマスクを製作し、この製作したマスクを使用して、半導体集積回路を製造する。
【００５２】
【発明の効果】
本発明に係るマスク欠陥検査方法によれば、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
【００５３】
本発明に係るマスク製作方法によれば、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク製作方法を実現することが出来る。
【００５４】
本発明に係る半導体集積回路の製造方法によれば、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来る半導体集積回路の製造方法を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態を示すフロー図である。
【図２】光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程を詳しく示すフロー図である。
【図３】本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態を示すフロー図である。
【図４】本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態を示すフロー図である。
【図５】本発明に係るマスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図６】本発明に係るマスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図７】本発明に係るマスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図８】本発明に係るマスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図９】フォトマスクに形成されるパタンにおける光の干渉効果の影響の例を示す説明図である。
【図１０】マスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図１１】従来のマスク欠陥検査方法の例を示すフロー図である。
【図１２】マスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図１３】従来のマスク欠陥検査方法の例を示すフロー図である。
【図１４】従来のマスク欠陥検査方法の例を示すフロー図である。
【符号の説明】
Ｄ１ 補正前マスク設計データ
Ｄ２ 補正後マスク設計データ
Ｄ３ 参照データ
Ｄ４ センサデータ
Ｓｍｉｎ マスク検査装置でエラー無く検出可能な最小間隔
Ｗｍｉｎ マスク検査装置でエラー無く検出可能な幅の最小値
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光の際の光近接効果に対して補正した露光用マスクの設計データを作成する為のマスク欠陥検査方法、このマスク欠陥検査方法により検査されたマスクを製作するマスク製作方法、及びこのマスク製作方法により製作されたマスクを使用する半導体集積回路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては、設計データから作られたレイアウトパタンを、フォトマスクに形成し、形成したフォトマスクを使用した投影露光により、レイアウトパタンをウエハに形成するフォトリソグラフィ工程を、複数回経る。この場合、典型的なフォトマスクは、石英基板上に設けられた遮光部の有無により、パタンが形成される。
【０００３】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、フォトマスクに形成されるパタンも微細化し、投影露光されるパタンも微細化されている。パタンが微細化すると、光の回折現象による干渉効果が顕著に現れることになり、本来の設計データと大きく異なるパタンがウエハに転写されてしまい、最終的に形成される集積回路の歩留まり低下、及び集積回路の動作の不具合等の原因となる。
光の干渉効果の影響の例を図９（ａ）（ｂ）に示す。図９（ａ）は、マスク設計データにおけるパタンの角部であり、このパタンを投影露光して生じたパタンが、図９（ｂ）に示されており、パタンの角部が欠けて丸くなっている。
【０００４】
このような、光の干渉効果による投影露光後のパタンの変形を低減させる為に、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれる技術が開発されている。これは、光の回折効果の影響を光学的なシミュレーション、又は実際に投影露光されたテストパタン等から評価し、その評価結果に基づき、フォトマスクパタンを設計データに対して補正することで、投影露光により形成されるパタンを、より設計データに忠実に再現する方法である。
【０００５】
ＯＰＣの典型的な例を図９（ｃ）（ｄ）に示す。図９（ｃ）では、図９（ａ）に示すマスク設計データに対して、端部を変形させており、その露光パタンを図９（ｄ）に示す。図９（ｄ）では、図９（ｂ）に比べて、角部の後退量が減少しており、より設計データに忠実に再現していることが判る。
ところが、このような設計データの補正は、マスク製作時にマスクパタンが設計データに基づき正常に形成されているか否かを検証するマスク検査工程において、擬似的なエラーを発生させる為、検査時間を増大させ、コスト上昇を招くという問題を生じさせる。
【０００６】
図１０（ａ）は、ＯＰＣが実施されていない設計データの例を示す説明図である。図１０（ａ）が示すデータは、図１１のフロー図が示すマスク欠陥検査方法に従い、マスクが製作され検査が実施される。
このマスク欠陥検査方法では、先ず、一方の工程として、マスク設計データＤ２０に基づき製作されたマスク（Ｓ３３）の形状を、光学的センサにより読み取り、実際のマスク形状を記録したセンサデータＤ２２を作成する（Ｓ３４）。また、他方の工程として、マスク設計データＤ２０に基づき、角部の丸まり等を考慮して、参照データＤ２１を作成する（Ｓ３０）。その後、センサデータＤ２２と参照データＤ２１とを比較対照させ（Ｓ３１）、差異が生じた箇所を、欠陥として検出する（Ｓ３２）。
【０００７】
ところで、図１１が示す従来のマスク検査方法は、図１０（ｂ）に示すようなＯＰＣを実施された設計パタンの場合には、擬似的なエラーを発生させ、検査時間を増大させ、コスト上昇を招く可能性がある。これは、主に、マスク形状を読み取る検査装置の光学的センサの感度に限界があり、一定の値以下のパタン幅又はパタン間隔については、正常に読み取ることが出来ず、参照データとの間に差異が生じて、擬似的にエラーと判定してしまう為である。
【０００８】
例えば、検査装置がエラー無く読み取り可能な間隔が６００ｎｍであり、４倍縮小投影用のマスクを作成する場合について考える。この場合、設計データ上では、６００／４＝１５０ｎｍ以上が、検査装置がエラー無く読み取り可能な範囲になる。図１２（ａ）に示すように、設計データ時には、１６０ｎｍの間隔であったパタンが、図１２（ｂ）に示すように、ＯＰＣ後のデータでは、１４５ｎｍになった場合、検査装置は擬似的にエラーと判定することになり、エラー箇所の確認の為、検査工程が止まり、検査工程の遅延を招く。
【０００９】
この為、検査工程での擬似的なエラーを防ぐ為の方法が提案されている。その一つは、ＯＰＣの処理に制限を設ける方法である。これは、光学的な補正を実施する際に、設計データを補正する量を、検査装置でエラーを生じない範囲に制限する方法である。
例えば、図１２（ｃ）（ｄ）に示すように、検査装置がエラー無く読み取り可能な間隔の、設計データに換算した値が１５０ｎｍである場合には、間隔が１５０ｎｍ以下にならないように、データを補正する。
しかし、この方法では、検査工程でエラーは生じないが、補正量は最適な値より小さく制限され、フォトリソグラフィ工程でのパタン形成で、意図したパタンからのずれが大きくなってしまう。
【００１０】
他の方法として、特許文献１には、参照データの作成工程にエラー領域の判定工程を追加するマスク欠陥検査方法が記載されている。図１３は、このマスク欠陥検査方法を示すフロー図である。
このマスク欠陥検査方法では、補正前マスク設計データＤ２３から、実測値に基づき、予め決められた方法により補正（光近接効果補正）を実施し、補正後マスク設計データＤ２４を作成する（Ｓ３５）。
次に、一方の工程として、補正後マスク設計データＤ２４に基づき製作されたマスク（Ｓ３９）の形状を、光学的センサにより読み取り、実際のマスク形状を記録したセンサデータＤ２６を作成する（Ｓ４０）。また、他方の工程として、補正後マスク設計データＤ２４に基づき、角部の丸まり等を考慮して、参照データＤ２５を作成する（Ｓ３６）。
【００１１】
この参照データＤ２５を作成する工程（Ｓ３６）において、図１４のフロー図が示すような判定工程を追加する。この工程では、補正後マスク設計データＤ２４を読み込み、マスク検査のエラー判定条件以下のパタンであるか否かを判定する（Ｓ４１）。ここで、エラー条件以下の場合は、この領域を除外し（Ｓ４３）、それ以外のデータを参照データＤ２５として作成する（Ｓ４２）。
次に、センサデータＤ２６と参照データＤ２５とを比較対照させ（Ｓ３７）、差異が生じた箇所を、欠陥として検出する（Ｓ３８）。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００１−２７２７７０号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このマスク欠陥検査方法には、いくつかの問題がある。一つは、参照データＤ２５の形成工程（Ｓ３６）と、マスク製作工程（Ｓ３９）とが平行して進められる為に、参照データ形成時（Ｓ３６）に抽出された非検査領域データが不適切であり、その原因が補正前マスク設計データＤ２３又はＯＰＣ処理（Ｓ３５）にあると分かった場合でも、マスクの製作が進められており、余計なコスト上昇の要因となる。
【００１４】
また、他の問題として、予めＯＰＣ補正（Ｓ３５）後にエラー領域になると分かっているような特定の設計パタンに対しても、常に補正後マスク設計データＤ２４に対して検査をする必要があり、コスト上昇の要因となる。
更に、他の問題として、参照データＤ２５を作成する装置は、通常、マスク検査装置と一体化されている場合は、これらの検査装置のプログラムを変更して作り直す必要があり、コスト上昇を招く。尚、マスク検査装置は、図１３が示すＳ４０，Ｄ２６，Ｓ３６，Ｄ２５を装置内に含み、装置メーカで一体化され完成品となっているので、プログラムの変更には手間が掛かる。
【００１５】
本発明は、上述したような事情に鑑みてなされたものであり、第１〜４発明では、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を提供することを目的とする。
第５発明では、第１乃至４発明に係るマスク欠陥検査方法により検査されたマスクを製作するマスク製作方法を提供することを目的とする。
第６発明では、第５発明に係るマスク製作方法により製作されたマスクを使用する半導体集積回路の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマスク欠陥検査方法は、デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、該マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成する第１工程と、該補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する第２工程と、前記補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成する第３工程と、前記参照データ及びセンサデータを比較し、前記マスク上の欠陥を検出する第４工程とを備えるマスク欠陥検査方法において、前記第１工程は、前記マスク設計データから、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第１非検査領域データを抽出する工程と、抽出された第１非検査領域データと前記非検査領域に対応する補正前の前記マスク設計データとを比較し、所定基準に基づき前記第１非検査領域データを取捨選択する工程と、選択された第１非検査領域データを、前記補正後マスク設計データに含めて保存する工程とを含み、前記第４工程は、前記第１非検査領域データが示す前記マスク上の非検査領域を除外して、前記参照データ及びセンサーデータを比較することを特徴とする。
【００１７】
このマスク欠陥検査方法では、第１工程で、デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成し、第２工程で、補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する。第３工程で、補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成し、第４工程で、参照データ及びセンサデータを比較し、マスク上の欠陥を検出する。
【００１８】
第１工程は、マスク設計データから、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第１非検査領域データを抽出し、抽出された第１非検査領域データと非検査領域に対応する補正前のマスク設計データとを比較し、所定基準に基づき第１非検査領域データを取捨選択する。また、選択された第１非検査領域データを、補正後マスク設計データに含めて保存する。第４工程は、第１非検査領域データが示すマスク上の非検査領域を除外して、参照データ及びセンサーデータを比較する。
【００１９】
これにより、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
尚、従来のマスク欠陥検査方法では、上述したように、図１３が示すＳ４０，Ｄ２６，Ｓ３６，Ｄ２５をマスク検査装置内に含み、装置メーカで一体化され完成品となっているので、プログラムの変更には手間が掛かるが、本発明に係るマスク欠陥検査方法では、例えば図１３のＳ３５，Ｄ２４の段階で実施し、技術者がＣＡＤを操作して実施するので、プログラムの編集は容易である。
【００２０】
本発明に係るマスク欠陥検査方法は、前記マスク設計データは、前記所定の幅以下のパタン及び前記所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第２非検査領域データを、予め含んでおり、前記第１工程は、前記第１非検査領域データ及び第２非検査領域データの論理和を取り、最終的な非検査領域データを作成する工程を更に含むことを特徴とする。
【００２１】
このマスク欠陥検査方法では、マスク設計データは、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第２非検査領域データを、予め含んでいる。第１工程は、更に、第１非検査領域データ及び第２非検査領域データの論理和を取り、最終的な非検査領域データを作成する。
これにより、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
【００２２】
本発明に係るマスク欠陥検査方法は、デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成する第１工程と、該補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する第２工程と、前記補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成する第３工程と、前記参照データ及びセンサデータを比較し、前記マスク上の欠陥を検出する第４工程とを備えるマスク欠陥検査方法において、前記マスク設計データは、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す非検査領域データを含んでおり、前記第４工程は、該非検査領域データが示す前記マスク上の非検査領域を除外して、前記参照データ及びセンサデータを比較することを特徴とする。
【００２３】
このマスク欠陥検査方法では、第１工程で、デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成し、第２工程で、補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する。第３工程で、補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成し、第４工程で、参照データ及びセンサデータを比較し、マスク上の欠陥を検出する。
【００２４】
マスク設計データは、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す非検査領域データを含んでおり、第４工程は、非検査領域データが示すマスク上の非検査領域を除外して、参照データ及びセンサデータを比較する。
これにより、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
【００２５】
本発明に係るマスク欠陥検査方法は、前記所定の幅及び所定値は、前記第４工程における検出可能な下限値であることを特徴とする。
【００２６】
このマスク欠陥検査方法では、所定の幅及び所定値は、第４工程における検出可能な下限値であるので、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
【００２７】
本発明に係るマスク製作方法は、本発明に係るマスク欠陥検査方法により検査されたマスクを製作することを特徴とする。
【００２８】
このマスク製作方法では、本発明に係るマスク欠陥検査方法により検査されたマスクを製作するので、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク製作方法を実現することが出来る。
【００２９】
本発明に係る半導体集積回路の製造方法は、本発明に係るマスク製作方法により製作されたマスクを使用して、半導体集積回路を製造することを特徴とする。
【００３０】
この半導体集積回路の製造方法では、本発明に係るマスク製作方法により製作されたマスクを使用して、半導体集積回路を製造するので、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来る半導体集積回路の製造方法を実現することが出来る。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係るマスク欠陥検査方法、マスク製作方法及び半導体集積回路の製造方法を、それを示す図面に基づき説明する。
本発明に係るマスク欠陥検査方法では、光近接効果補正を実施した補正後のマスク設計データ上で、マスク検査時に擬似欠陥となる領域を示すパタンを、異なる指標で区別して、同じ補正後マスク設計データとして保持する。
【００３２】
実施の形態１．
図１は、このマスク欠陥検査方法では、先ず、補正前マスク設計データＤ１は、光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される（Ｓ１）（第１工程）。その結果、補正後のマスク設計パタンと、マスク設計パタンと異なる指標で区別された非検査領域を特定するパタンとからなる補正後マスク設計データＤ２が作成される（Ｓ１）。
【００３３】
次に、一方の工程として、補正後マスク設計データＤ２に基づき製作されたマスク（Ｓ５）の形状を、光学的センサにより読み取り、実際のマスク形状を記録したセンサデータＤ４を作成する（Ｓ６）（第３工程）。また、他方の工程として、補正後マスク設計データＤ２に基づき、角部の丸まり等を考慮して、参照データＤ３を作成する（Ｓ２）（第２工程）。
次に、マスク設計パタンと異なる指標で区別された非検査領域（Ｓ１）を除外して、センサデータＤ４と参照データＤ３とを比較対照させ（Ｓ３）（第４工程）、差異が生じた箇所を、欠陥として検出する（Ｓ４）（第４工程）。
【００３４】
図２は、光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（Ｓ１）を詳しく示すフロー図である。
光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（Ｓ１）では、先ず、補正前マスク設計データＤ１に対して、光近接効果補正を実施する（Ｓ１０）。次いで、光近接効果補正後のパタンに対して、パタンの幅がマスク検査装置でエラー無く検出可能な幅の最小値Ｗｍｉｎ以下のパタン、及びパタンとパタンとの間隔がマスク検査装置でエラー無く検出可能な最小間隔Ｓｍｉｎ以下のパタンを含む領域を抽出する（Ｓ１１）。
【００３５】
次に、抽出されたパタン（Ｓ１１）と、補正前マスク設計データＤ１のそのパタンに該当する領域のパタンとを参照比較する（Ｓ１２）。次いで、その参照比較の結果、所定の基準により、マスク設計データに問題があるか否かを判定し（Ｓ１３）、問題がある場合は、補正前マスク設計データＤ１のその部分を修正し、再処理を実施する（Ｓ１０，１１）。最終的に抽出箇所に問題なしと判定すれば（Ｓ１３）、抽出された擬似的なエラーを含む非検査領域を、別の指標で区別されるデータとして含む補正後マスク設定データＤ２を作成し保存する。
【００３６】
以下に、プロセス検討等の理由により、様々な寸法で描かれた設計パタンを含む補正前マスク設計データＤ１に基づき、光近接効果補正、マスク作成及びマスク欠陥検査を実施する場合を説明する。尚、マスク検査装置から規定される、エラーになる最小値の、補正前マスク設計データＤ１、又は補正後マスク設計データＤ２上に換算した値は、線幅１５０ｎｍ、パタン間隔１５０ｎｍである。
補正前マスク設計データＤ１に基づき光近接効果補正を実施し（Ｓ１０）、所定寸法以下のパタンを抽出する（Ｓ１１）。このパタンの一例を図５（ａ）に示す。図５（ａ）では、ライン端部とそれに対向するパタンとの距離が１４５ｎｍになっており、この部分が抽出される（Ｓ１１）。
【００３７】
次に、抽出したパタンに該当する補正前マスク設計データＤ１の領域を参照したものを、図５（ｂ）に示す。図５（ｂ）に示す設計パタンでは、ライン端部とそれに対向するパタンとの距離は１６５ｎｍで、周期的に並んだラインの線幅は１５０ｎｍでそれぞれ設計されており、正常な設計である。その為、抽出された領域（Ｓ１１）を、非検査領域として異なる指標で区別して、補正後マスク設計データＤ２に含めて保存する。
【００３８】
次に、抽出された別のパタン（Ｓ１１）を図６（ａ）に示す。図６（ａ）に示すパタンに該当する補正前マスク設計データＤ１の領域を参照したものを、図６（ｂ）に示す。図６（ｂ）では、周期的に並んだパタンの１つのみが、１００ｎｍで描かれている。この為、図６（ａ）に示す補正後のデータにおいて、その部分のみライン端部とそれに対向するパタンの間隔が狭くなったことが分かる。この場合は、補正前マスク設計データＤ１の該当部分を１５０ｎｍに修正し、再度、光近効果補正から実施する。
【００３９】
以上のような操作を実施し、最終的に出力されたデータに基づき、図１に示すフロー図に従い、マスク作成から検査までの工程を実施する。検査時に擬似的なエラーが発生する領域は、非検査領域として抽出されており、この部分は検査対象から除外される為、検査時の疑似的なエラーは防ぐことが出来、検査時間が短縮される。
上述したようなマスク欠陥検査方法により欠陥検査されたマスクを製作し、この製作したマスクを使用して、半導体集積回路を製造する。
【００４０】
実施の形態２．
図３は、本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態２を示すフロー図である。このフロー図は、図１が示すフロー図において、光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（Ｓ１）の他の実施の形態を詳しく示しており、その他の部分は、図１が示すフロー図と同様であるので、説明を省略する。
【００４１】
このマスク欠陥検査方法では、補正前マスク設計データＤ１において、特定の領域内に、予め非検査領域データ（第２非検査領域データ）を作成しておく。これは、マスク設計データで使われる最小寸法以下のパタンを含む領域（パタンの幅がマスク検査装置でエラー無く検出可能な幅の最小値Ｗｍｉｎ以下のパタン、及びパタンとパタンとの間隔がマスク検査装置でエラー無く検出可能な最小間隔Ｓｍｉｎ以下のパタンを含む領域）が、マスク設計時に特定されている等の場合に可能である。
【００４２】
光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（図１Ｓ１）では、先ず、補正前マスク設計データＤ１に対して、光近接効果補正を実施する（図３Ｓ１５）。次いで、光近接効果補正後のパタンに対して、パタンの幅がマスク検査装置でエラー無く検出可能な幅の最小値Ｗｍｉｎ以下のパタン、及びパタンとパタンとの間隔がマスク検査装置でエラー無く検出可能な最小間隔Ｓｍｉｎ以下のパタンを含む領域を抽出する（Ｓ１６）。このとき、予め作成され補正前マスク設計データＤ１に含まれる非検査領域データが示す領域は、抽出する対象から除外しておく。
【００４３】
次に、抽出されたパタン（Ｓ１６）と、補正前マスク設計データＤ１のそのパタンに該当する領域のパタンとを参照比較する（Ｓ１７）。次いで、その参照比較の結果、所定の基準により、マスク設計データに問題があるか否かを判定し（Ｓ１８）、問題がある場合は、補正前マスク設計データＤ１のその部分を修正し、再処理を実施する（Ｓ１５，１６）。最終的に抽出箇所に問題なしと判定すれば（Ｓ１８）、抽出された擬似的なエラーを含む非検査領域データ（第１非検査領域データ）と、予め作成され補正前マスク設計データＤ１に含まれる非検査領域データとの論理和を取り（Ｓ１９）、その演算結果である非検査領域データを、別の指標で区別されるデータとして含む補正後マスク設定データＤ２を作成し保存する。
【００４４】
以下に、メモリデバイス等のように特定の領域に、規則的にパタンが配列された領域と、不規則なパタン配置がされた領域とが区別されるような設計パタンを含む設計データに、光近接効果補正、マスク作成、マスク欠陥検査を実施する場合を説明する。尚、マスク検査装置から規定される、エラーになる最小値の、補正前マスク設計データＤ１、又は補正後マスク設計データＤ２上に換算した値は、線幅１５０ｎｍ、パタン間隔１５０ｎｍである。
図７は、マスク設計データに光近接効果補正を実施した（Ｓ１５）後の設計パタンであり、Ａ，Ｂで示される領域が検査可能値以下の１４５ｎｍになっている。図７に示す設計パタンの、光近接効果補正（Ｓ１５）前のデータによるパタンが、図８に示してある。
【００４５】
図８では、領域１がメモリセルであり、周期的なパタンが配列されており、それ以外の領域２は、ランダムにパタンが配置されている。このような場合、領域１のメモリセル部分に関し、それ以前に他の同様のデータに光近接効果補正を実施した結果から、エラーの発生する箇所が、特定されているときには、図３が示すフロー図に従い処理することが可能である。
先ず、Ａ部分を含む領域データを、異なる指標で区別される非検査領域データとして、補正前マスク設計データＤ１の領域１のデータに作成しておく。
この際、領域１のような周期的なパタンは、通常、配列を用いた繰り返し構造として設計されており、配列の基本パタンの一つ（又はいくつか）に、非検査領域データを描くことで、容易に配置することが可能である。
【００４６】
このようにして作成された補正前マスク設計データＤ１に対して、光近接効果補正を実施し（Ｓ１５）、エラー箇所を抽出する（Ｓ１６）。但し、この場合は、領域１に対する光近接効果補正及び抽出は不要であり、領域２のみに実施する。これにより、周期パタンを多く含むメモリセル等では、数倍程度、処理時間の短縮が可能である。
【００４７】
このように領域２で抽出された非検査領域データ（Ｓ１６，１７，１８）と、領域１の非検査領域データとの論理和を取って作成した非検査領域データ（Ｓ１９）を、異なる指標で区別されるデータとして、光近接効果補正（Ｓ１５）後のマスク設計データに加えて、補正後マスク設計データＤ２を作成する。
以上のような操作を実施し、最終的に出力された補正後マスク設計データＤ２に基づき、図１のフロー図に従って、マスク製作からマスク欠陥検査までの工程を実施する。検査時に擬似的なエラーが発生する領域は、非検査領域データとして抽出されており、この部分は欠陥検査の対象から除外される為、マスク欠陥検査時の擬似的なエラー発生を防ぎ、検査時間が短縮される。
上述したようなマスク欠陥検査方法により欠陥検査されたマスクを製作し、この製作したマスクを使用して、半導体集積回路を製造する。
【００４８】
実施の形態３．
図４は、本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態３を示すフロー図である。このフロー図は、図１が示すフロー図において、光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程（Ｓ１）の他の実施の形態を詳しく示しており、ここでは、非検査領域指定データの抽出及び判定は実施されない。その他の部分は、図１が示すフロー図と同様であるので、説明を省略する。
【００４９】
光近接効果補正が実施される工程（図１Ｓ１）では、先ず、予め作成された非検査領域データを含む補正前マスク設計データＤ１に対して、非検査領域データを除外して光近接効果補正を実施し（図４Ｓ２１）、補正後マスク設定データＤ２を作成し保存する。
このマスク欠陥検査方法は、補正前マスク設計データＤ１に対して光近接効果補正を実施した（Ｓ２１）後のデータにおいて、マスク検査装置が擬似的なエラーを発生するであろうパタンが特定されている場合に有効であり、光近接効果補正（Ｓ２１）後の抽出処理（例えば、図２Ｓ１１，１２，１３）を省略出来、処理時間の短縮が可能である。
【００５０】
上述した実施の形態２では、周期的なパタン領域１及びそれ以外の領域２において、光近接効果補正後のマスク検査時に、擬似的なエラーとして検出される値以下のパタンが発生していた。しかし、メモリデバイス等では、フォトリソグラフィプロセス上の制限から、周期的なメモリセルのパタン部分のみに、パタン間隔の小さい設計を実施している。その他の非周期的なランダムなパタンでは、十分に大きなパタン間隔のみ設計上で許されており、擬似的なエラー発生が、特定の領域にしか存在しないことが明らかな設計データも存在する。
【００５１】
このような場合、図４のフロー図に従って、予め補正前マスク設計データＤ１に非検査領域を描いておくことで、光近接効果補正後のエラー箇所抽出工程を、省くことが出来、処理時間を短縮することが可能である。
この場合も、最終的に出力された補正後マスク設計データＤ２に基づき、図１が示すフロー図に従って、マスク作成からマスク欠陥検査までの工程を実施する。検査時に擬似的なエラーが発生する領域は、非検査領域データとして特定されており、この部分は欠陥検査の対象から除外される為、マスク欠陥検査時の擬似的なエラー発生を防ぎ、検査時間が短縮される。
上述したようなマスク欠陥検査方法により欠陥検査されたマスクを製作し、この製作したマスクを使用して、半導体集積回路を製造する。
【００５２】
【発明の効果】
本発明に係るマスク欠陥検査方法によれば、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法を実現することが出来る。
【００５３】
本発明に係るマスク製作方法によれば、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク製作方法を実現することが出来る。
【００５４】
本発明に係る半導体集積回路の製造方法によれば、設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来る半導体集積回路の製造方法を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態を示すフロー図である。
【図２】光近接効果補正と非検査領域指定データの抽出及び判定とが実施される工程を詳しく示すフロー図である。
【図３】本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態を示すフロー図である。
【図４】本発明に係るマスク欠陥検査方法の実施の形態を示すフロー図である。
【図５】本発明に係るマスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図６】本発明に係るマスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図７】本発明に係るマスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図８】本発明に係るマスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図９】フォトマスクに形成されるパタンにおける光の干渉効果の影響の例を示す説明図である。
【図１０】マスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図１１】従来のマスク欠陥検査方法の例を示すフロー図である。
【図１２】マスク欠陥検査方法における光近接効果補正の例を示す説明図である。
【図１３】従来のマスク欠陥検査方法の例を示すフロー図である。
【図１４】従来のマスク欠陥検査方法の例を示すフロー図である。
【符号の説明】
Ｄ１ 補正前マスク設計データ
Ｄ２ 補正後マスク設計データ
Ｄ３ 参照データ
Ｄ４ センサデータ
Ｓｍｉｎ マスク検査装置でエラー無く検出可能な最小間隔
Ｗｍｉｎ マスク検査装置でエラー無く検出可能な幅の最小値
Claims (6)
- デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、該マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成する第１工程と、該補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する第２工程と、前記補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成する第３工程と、前記参照データ及びセンサデータを比較し、前記マスク上の欠陥を検出する第４工程とを備えるマスク欠陥検査方法において、
前記第１工程は、前記マスク設計データから、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第１非検査領域データを抽出する工程と、抽出された第１非検査領域データと前記非検査領域に対応する補正前の前記マスク設計データとを比較し、所定基準に基づき前記第１非検査領域データを取捨選択する工程と、選択された第１非検査領域データを、前記補正後マスク設計データに含めて保存する工程とを含み、前記第４工程は、前記第１非検査領域データが示す前記マスク上の非検査領域を除外して、前記参照データ及びセンサーデータを比較することを特徴とするマスク欠陥検査方法。 - 前記マスク設計データは、前記所定の幅以下のパタン及び前記所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す第２非検査領域データを、予め含んでおり、前記第１工程は、前記第１非検査領域データ及び第２非検査領域データの論理和を取り、最終的な非検査領域データを作成する工程を更に含む請求項１記載のマスク欠陥検査方法。
- デバイス設計に基づき得られたマスク設計データを、該マスク設計データによる露光転写パタンが補正前のマスク設計データに近づくように補正して、補正後マスク設計データを作成する第１工程と、該補正後マスク設計データからマスク欠陥を検査する為の参照データを作成する第２工程と、前記補正後マスク設計データに基づき形成されたマスクの形状をセンサにより実測し、センサデータを作成する第３工程と、前記参照データ及びセンサデータを比較し、前記マスク上の欠陥を検出する第４工程とを備えるマスク欠陥検査方法において、
前記マスク設計データは、所定の幅以下のパタン及び所定値以下のパタン間隔を含む非検査領域を示す非検査領域データを含んでおり、前記第４工程は、該非検査領域データが示す前記マスク上の非検査領域を除外して、前記参照データ及びセンサデータを比較することを特徴とするマスク欠陥検査方法。 - 前記所定の幅及び所定値は、前記第４工程における検出可能な下限値である請求項１乃至３の何れかに記載のマスク欠陥検査方法。
- 請求項１乃至４の何れかに記載されたマスク欠陥検査方法により検査されたマスクを製作することを特徴とするマスク製作方法。
- 請求項５に記載されたマスク製作方法により製作されたマスクを使用して、半導体集積回路を製造することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| KR100576831B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 데이터 변환 장비의 데이터 검증 방법 |
| JP2006215077A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Horon:Kk | パターン特定方法およびパターン特定装置 |
| JP2006337668A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法およびレイアウトパターンの作成プログラム |
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| JP2011237465A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-24 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
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- 2003-10-22 US US10/689,666 patent/US7037627B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576831B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 데이터 변환 장비의 데이터 검증 방법 |
| JP2006215077A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Horon:Kk | パターン特定方法およびパターン特定装置 |
| JP2006337668A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法およびレイアウトパターンの作成プログラム |
| JP2010085461A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 光近接効果補正パターンの検証方法及びその検証装置 |
| JP2011237465A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-24 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法 |
| US8761518B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection apparatus |
| JP2013040965A (ja) * | 2012-11-26 | 2013-02-28 | Toshiba Corp | パターン検査装置、パターン検査方法、およびパターンを有する構造体 |
| WO2017203554A1 (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査用情報生成装置、検査用情報生成方法、及び欠陥検査装置 |
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