JP2010085461A - 光近接効果補正パターンの検証方法及びその検証装置 - Google Patents

Abstract

【課題】適切に光近接効果補正されたパターンの検証を行う。
【解決手段】光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法であって，コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する工程と，コンピュータが，パターンデータを解析して，近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，検証工程において，抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外する。
【選択図】図１

Description

本発明は，光近接効果補正パターンの検証方法及びその検証装置に関する。

大規模集積回路（ＬＳＩ）のパターンは，近年ますます微細化の方向にある。一般に，ＬＳＩのレイアウト設計は，回路の機能をＲＴＬレベルのＨＤＬで記述し，それを論理合成してネットリストを生成する論理設計工程と，ネットリストからレイアウトライブラリに基づいてパターンレイアウトを行う物理設計工程とにより行われる。その結果，設計パターンデータとしてレイアウトデータが生成される。

このレイアウトデータに対して，デザインルールを満たしているか否かをチェックするレイアウト検証が行われる。このレイアウト検証では，レイアウトパターンのパターン幅（ライン幅）とパターン間隔（スペース）が規定値以上であることなどが検証される。

このように検証されたレイアウトデータによるパターンで露光マスクを生成すると，露光工程における光近接効果により，露光・現像後のパターンは設計パターンとは異なることが知られている。たとえば，露光後に現像されたパターンは，ラインパターンの先端が丸く縮んだり，孤立したラインパターンの中央部が細くなったり，大面積のパターンに隣接するラインパターンが太くなったりする。

そこで，光近接効果によるパターンの変動を見込んで，設計パターンに対して光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）が行われる。光近接効果補正では，パターン先端や角部にセリフパターンを追加したり，ラインパターンの中央部を太くしたり細くしたりする補正が行われる。そして，補正されたＯＰＣパターンについて再度レイアウト検証が行われる。

本明細書では，設計パターンに対するレイアウト検証と区別するために，ＯＰＣパターンの検証をＯＰＣパターン検証と称する。ただし，レイアウト検証もパターン検証も，あるパターン内に不適切なパターン間隔やパターン幅が存在しないことを検証するものであり，その点で同等の検証である。

以下の特許文献１〜４には，それぞれ設計パターンにＯＰＣ処理を行ってＯＰＣパターンを生成し，そのＯＰＣパターンについて種々の検証を行うことが記載されている。
特開２０００−３１４９５４号公報 特開２００４−４９４１号公報 特開２００７−１０２２０７号公報 特開平１０−２３９８２６号公報

ＯＰＣパターン検証では，近接する頂点間の距離が規定値未満か否かをチェックすることで，近接する頂点間のスペースが小さく露光・現像後に頂点どうしが接合される可能性がある箇所や，近接する頂点間のパターン幅が狭く露光・現像後にパターンが切断される可能性がある箇所などを検出する。もし検出される場合は，設計パターンのＯＰＣやレイアウトを再度やり直す必要がある。

しかしながら，光近接効果補正により生成された正しい補正パターンでも，上記のＯＰＣパターン検証工程でエラーパターンとして認識される場合がある。たとえば，パターン先端に追加されたアウターセリフパターンは部分的にパターン幅が狭くなる領域が存在し，また，パターンの角部に追加されたインナーセリフパターンは部分的に間隔が短くなる領域が存在する。そのような領域がＯＰＣパターン検証でエラーパターンとして認識されると，パターン検証をパスすることができず，マスクパターンの生成を完了することができない。

そこで，本発明の目的は，適切にＯＰＣパターン検証を行う方法，そのプログラム及びその装置を提供することにある。

パターン検証方法は，光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法であって，
コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する工程と，
コンピュータが，前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，
前記検証工程において，前記抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外する。

光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターン内の２つの頂点間の距離が検証対象から除外されるので，これらのパターン内の２つの頂点間距離がエラーとして検出されることを回避することができ，適切にＯＰＣパターン検証を行うことができる。

パターン検証プログラムは，上記のＯＰＣパターン検証方法をコンピュータに実行させるプログラムである。

パターン検証装置は，上記のＯＰＣパターン検証方法を実行するコンピュータ装置である。

適切にＯＰＣパターンのレイアウト検証を行う方法，そのプログラム及びその装置を提供することができる。

以下，図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し，本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず，特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。

図１は，ＯＰＣパターン検証方法を説明する図である。図１（Ａ）では，２つのパターンＰ１０，Ｐ１２が四角形のパターンからなり，パターンＰ１０の頂点Ｖ１０とパターンＰ１２の頂点Ｖ１２とが，間隔spaceを隔てて近接している。この間隔spaceが規定値である最小間隔値未満の場合は，露光後にパターンＰ１０とＰ１２とが接合される可能性が高いので，エラー図形として検出される。

また，図１（Ｂ）では，単一のパターンＰ２０において，頂点Ｖ２１とＶ２２とが，幅widthを隔てて近接している。この幅widthが規定値である最小幅値未満の場合は，露光・現像後に頂点Ｖ２１，Ｖ２２の部分が切断される可能性が高いので，エラー図形として検出される。さらに，図１（Ｂ）では，パターンＰ２０において，頂点Ｖ２３とＶ２４とが，間隔spaceを隔てて近接している。この間隔spaceも規定値である最小間隔値未満の場合は，露光・現像後に頂点Ｖ２３，Ｖ２４が接合される可能性が高いので，エラー図形として検出される。

図２，図３，図４は，光近接効果補正を説明する図である。光近接効果によれば，パターン領域に露光エネルギー，たとえば電子ビームや荷電粒子ビームなどが照射されると，ビームの散乱により，孤立パターンの露光量は不足気味になり，高いパターン密度内のパターンの露光量は過剰になる。そのため，孤立パターンでは，ライン状パターンの先端が丸みを帯びて収縮し，ライン状パターンの幅が細くなり，凸部が丸くなる。また，高いパターン密度内のパターンでは，ライン状パターンの幅が太くなり，凹部が丸く太くなる。

図２には，Ｌ字型のパターンＰ３０とライン状のパターンＰ３１とが示されている。実線で示されている設計パターンに対して，光近接効果によるパターン変形が破線で示されている。前述のとおり，光近接効果により，孤立パターンＰ３０やＰ３１では，先端部が丸く収縮し，ライン幅が狭くなり，凸部は丸くなり，凹部は丸く太くなる。そのため，一点鎖線で示したＯＰＣパターンが追加される。パターンＰ３０では，先端部にアウターセリフＳ１０，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３が形成され，凸部にアウターセリフＳ１４が形成され，凹部にインナーセリフＳ１５が形成され，ライン部にはライン幅を太くするパターンＯＰ１６，ＯＰ１７，ＯＰ１８，ＯＰ１９が形成される。同様に，パターンＰ３１では，先端部にアウターセリフＳ２０，Ｓ２１が形成される。上記セリフＳ１０〜Ｓ１５，Ｓ２０，Ｓ２１と，パターンＯＰ１６〜ＯＰ１９は，ＯＰＣにより追加されたパターンである。

図２において，ＯＰＣによりパターンが追加された一点鎖線のＯＰＣパターンでは，セリフＳ１０，Ｓ２０の近接する２頂点間の間隔ＳＰ１が極端に狭くなっている。この間隔ＳＰ１は，図１に示したＯＰＣパターン検証によりエラー図形として検出される。つまり，間隔ＳＰ１は露光・現像によりパターン接合の可能性があるのでＯＰＣパターン検証でエラー図形として検出される必要がある。

図３には，逆Ｔ字型のパターンＰ３２が示されている。パターンＰ３２は孤立パターンであるので，前述のとおり，露光・現像工程を経ると，光近接効果により破線で示されたようにパターンの変形が生じる。そこで，ＯＰＣにより，先端部にはアウターセリフＳ２２〜Ｓ２７が，凹部にはインナーセリフＳ２８，Ｓ２９が追加され，ライン部にはパターンＯＰ３０〜ＯＰ３２が追加される。

図３において，一点鎖線のＯＰＣパターンでは，インナーセリフＳ２８，Ｓ２９の近接頂点間の幅ＷＤ１が極端に狭くなっている。この幅ＷＤ１は，図１に示したＯＰＣパターン検証によりエラー図形として検出される。つまり，幅ＷＤ１は露光・現像によりパターンＰ３２が切断される可能性があるので，ＯＰＣパターン検証でエラー図形として検出される必要がある。

図４には，ライン状パターンＰ３３と，大面積のパターン３４とが示されている。破線は光近接効果によりパターン変形を示す。ＯＰＣにより，ライン状パターンＰ３３のパターン３４から離れている部分は，前述の孤立パターンと同様に先端部にアウターセリフＳ３０〜Ｓ３３が形成され，パターンＯＰ３４，ＯＰ３５が形成される。一方，パターンＰ３３のうちパターン３４に近接する辺は，パターン３４に対する露光エネルギーの散乱により破線のごとく太くなるため，ＯＰＣによりライン幅を狭くするパターンＯＰ３６が形成される。

図２〜４で説明したとおり，設計パターンにはＯＰＣによりアウターセリフ，インナーセリフ，ライン幅を太くするパターン，細くするパターンなどが追加される。そして，ＯＰＣパターンに対してパターン検証がされ，図２の狭い間隔ＳＰ１や図３の細い幅ＷＤ１などがエラー図形として検出される。

しかしながら，ＯＰＣにより追加されたパターンには，近接する２つの頂点間の距離が規定値よりも短くなる場合がある。そのため，ＯＰＣパターン検証ではエラー図形として検出される。本実施の形態では，ＯＰＣパターン検証で，エラー図形とすべきでない近接する２つの頂点を検証対象から除外する。

図５は，不適切にエラー図形として検出されるセリフパターンを示す図である。ＯＰＣにより，パターンＰ４０の凸部にはアウターセリフパターンＳ４０が形成され，凹部にはインナーセリフパターンＳ４２が形成されている。アウターセリフパターンＳ４０は，凸部が丸く収縮するのを回避するための凸パターンであり，５つの頂点による形状を有する。そして，頂点Ｖ４０，Ｖ４１は近接しており，ＯＰＣパターン検証においてその間の距離はパターン幅ＷＤ４０として検出される。このパターン幅ＷＤ４０が規定値より細いとエラー図形として検出される。

一方，インナーセリフパターンＳ４２は，凹部が丸く拡大するのを回避するための凹パターンであり，５つの頂点による形状を有する。そして，頂点Ｖ４２，Ｖ４３は近接しており，ＯＰＣパターン検証においてその間の距離はパターン間隔ＳＰ４２として検出される。このパターン間隔ＳＰ４２が規定値より短いとエラー図形として検出される。

しかしながら，図５に示したパターン幅ＷＤ４０やパターン間隔ＳＰ４２は，ＯＰＣにより形成されたセリフパターンに起因するものであり，これらをエラー図形として検出する必要はない。逆に，これらをエラー図形として検出すると，ＯＰＣパターンはＯＰＣパターン検証をパスすることができず，マスク設計を完了することができなくなる。そこで，本実施の形態では，これらをＯＰＣパターン検証の対象から外すようにする。具体的な方法は後述する。

図６は，不適切にエラー図形として検出されるノッチパターンを示す図である。ＯＰＣにより，パターンＰ５０には，アウターノッチパターンＯＰ５０と，インナーノッチパターンＯＰ５２とが形成されている。アウターノッチパターンＯＰ５０は，図２のパターンＯＰ１９のように，ライン幅が狭くなることを回避するために形成されるパターンであり，且つ，そのパターン長が極端に短くなったものである。一方，インナーノッチパターンＯＰ５２は，図４のパターンＯＰ３６のように，ライン幅が太くなることを回避するために形成されるパターンであり，且つそのパターン長が極端に短くなったものである。

アウターノッチパターンＯＰ５０は，４つの頂点による形状を有し，頂点Ｖ５０，Ｖ５１は近接しており，ＯＰＣパターン検証においてそれらの間の距離はパターン幅ＷＤ５０として検出される。このパターン幅ＷＤ５０が規定値より狭いとエラー図形として検出される。同様に，インナーノッチパターンＯＰ５２は，４つの頂点による形状を有し，頂点Ｖ５２，Ｖ５３は近接しており，ＯＰＣパターン検証においてそれらの間の距離はパターン間隔ＳＰ５２として検出される。このパターン間隔ＳＰ５２が規定値より短いとエラー図形として検出される。

しかし，上記のパターン幅ＷＤ５０やパターン間隔ＳＰ５２は，ＯＰＣにより形成されたセリフパターンに起因するものであり，エラー図形として検出する必要はない。そこで，本実施の形態では，これらをＯＰＣパターン検証の対象から除外する。

図７は，本実施の形態におけるセリフパターンの検出方法を説明する図である。図７の（Ａ）はアウターセリフパターンＳ６０を，（Ｂ）（Ｃ）はインナーセリフパターンＳ６２，Ｓ６４を示している。いずれのセリフパターンも，５つの頂点ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌからなる図形である。

そこで，ＯＰＣパターン検証プログラムは，ＯＰＣパターンについての頂点座標列を有するＯＰＣパターンデータを解析することで，これらのセリフパターンを構成可能な５つの頂点を検出することができる。つまり，ＯＰＣパターン検証プログラムは，頂点座標に基づいて図７に示したセリフパターンを構成可能な辺ａ，ｂ，ｃ，ｄの図形を抽出することで，５つの頂点を抽出する。そして，ＯＰＣパターン検証プログラムは，検出されたセリフパターンを構成可能な５つの頂点について，各頂点間の辺ａ，ｂ，ｃ，ｄの長さの合計ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄが，セリフ判定値以下の場合に，ＯＰＣにより形成されたセリフパターンであると決定する。

通常の設計パターンには，上記のように５つの頂点からなる図形の辺の長さの合計ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄがセリフ判定値以下になることはないので，上記の判定基準でＯＰＣにより形成されたセリフパターンと判定することができる。

このように抽出されたＯＰＣによるセリフ補正部は，ＯＰＣパターン検証の対象から外されて，エラー図形として検出されることはない。

図８は，本実施の形態におけるノッチパターンの検出方法を説明する図である。図８の（Ａ）はアウターノッチパターンＯＰ６６を，（Ｂ）（Ｃ）はインナーノッチパターンＯＰ６８，ＯＰ７０を示している。いずれのノッチパターンも４つの頂点ｍ，ｎ，ｏ，ｐからなる図形である。

セリフパターンの検出と同様に，ＯＰＣパターン検証プログラムは，ＯＰＣパターンについての頂点座標列を有するＯＰＣパターンデータを解析して，これらのノッチパターンを構成可能な４つの頂点を検出する。つまり，ＯＰＣパターン検証プログラムは，頂点座標に基づいて図８のノッチパターンを構成可能な辺ａ，ｂ，ｃの図形を抽出することで，４つの頂点を抽出する。そして，ＯＰＣパターン検証プログラムは，検出されたノッチパターンを構成可能な４つの頂点について，各頂点間の辺ａ，ｂ，ｃの長さの合計ａ＋ｂ＋ｃが，ノッチ判定値以下の場合に，ＯＰＣにより形成されたノッチパターンであると決定する。

通常の設計パターンには，上記のように４つの頂点からなる図形の辺の長さの合計ａ＋ｂ＋ｃがノッチ判定値以下になることはないので，上記の判定基準でＯＰＣにより形成されたノッチパターンと判定することができる。そして，この抽出されたノッチ補正部は，ＯＰＣパターン検証の対象から外されるので，エラー図形として検出されることはない。

図９は，ＯＰＣにより形成されるパターンであって，エラー図形として検出される三角パターンを示す図である。図９には，設計パターンＰ６０，Ｐ６２と，ＯＰＣにより補正されたＯＰＣパターンＰ６０とが示されている。パターンＰ６０は，２カ所で直交するライン状パターンであり，その近傍に大面積のパターンＰ６２が存在している。そのため，ＯＰＣにより，パターンＰ６２と面する辺には凹状のパターンＯＰ６１が形成され，面していない辺には凸状のパターンＯＰ６０が形成される。

その結果，ＯＰＣされたパターンＰ６０（ＯＰＣ）は，設計パターンの直交形状にＯＰＣにより形成されたパターンＯＰ６０，ＯＰ６１が加わって，頂点ｑ，ｒ，ｓ，ｔ，ｕ，ｖからなるジグザグ形状になる。つまり，頂点ｑ，ｒ，ｓによる凸状の三角パターン，頂点ｓ，ｔ，ｕによる凸状の三角パターンが形成される。

このパターンＰ６０（ＯＰＣ）は，ＯＰＣパターン検証プログラムにより，頂点ｑ，ｓ間の幅，頂点ｓ，ｕ間の幅がそれぞれ検出され，これらの幅が既定値より狭いとエラー図形として不適切に検出される。

逆に，頂点ｒ，ｓ，ｔによる凹状の三角パターン，頂点ｔ，ｕ，ｖによる凹状の三角パターンが形成されているとも識別可能である。その場合は，ＯＰＣパターン検証プログラムは，頂点ｒ，ｔ間の間隔，頂点ｔ，ｖ間の間隔がそれぞれ検出され，これらの間隔が既定値より短いとエラー図形として不適切に検出する。

しかし，上記の三角パターンは，通常の設計パターンには存在せず，ＯＰＣにより形成されたパターンであるので，エラー図形として検出される必要はない。そこで，本実施の形態では，これらの三角パターンの２つの頂点間の幅や間隔が，ＯＰＣパターン検証の対象から外されるようにする。

図１０は，本実施の形態における三角パターンの２頂点間の間隔や幅をＯＰＣパターン検証の対象から外す方法を説明する図である。図１０（Ａ）は，凸状の三角パターンの２頂点を示している。ＯＰＣパターン検証プログラムは，頂点座標列を有するＯＰＣパターンデータを解析して，近接する２頂点の組み合わせを抽出し，それらの間の距離（間隔または幅）が既定値未満か否かをチェックする。その場合，ＯＰＣパターン検証プログラムは，近接する２頂点が連続する３頂点内の２頂点の場合は，その近接する２頂点を判定対象から除外する。図１０（Ａ）の例では，近接する２つの頂点Ｖ６０とＶ６１，Ｖ６０とＶ６２の対は，同じパターン内の頂点であって，連続する３頂点内に属する２頂点である。そのような２頂点の組み合わせは，判定対象から除外される。

図１０（Ｂ）は，凹状の三角パターンの２頂点を示している。上記と同様に，近接する２つの頂点Ｖ６４とＶ６５，Ｖ６４とＶ６６の対は，同じパターン内の頂点であって，連続する３頂点内に属する２頂点である。よって，そのような２頂点の組み合わせは，判定対象から除外される。

図１１は，本実施の形態における検証装置の構成図である。検証装置は，汎用コンピュータに検証プログラムをインストールすることにより実現される。図１１の汎用コンピュータは，演算処理ユニット１００と，メモリユニット１０２と，入出力ユニット１０４と，モニタ１０６とを有し，それらがバス１０７を介して接続されている。そして検証装置は，設計パターンデータファイル１１４と，ＯＰＣパターンデータファイル１１６と，エラー図形データファイル１１８とを有する。さらに，検証装置は，設計パターンの検証を行うレイアウト検証プログラム１０８と，設計パターンにＯＰＣを行うＯＰＣプログラム１１０と，ＯＰＣパターンの検証を行うＯＰＣパターン検証プログラム１１２とを有する。レイアウト検証プログラムやＯＰＣパターン検証プログラムでエラー図形として検出されたものがエラー図形データファイル１１８として出力される。上記のうち，ＯＰＣパターン検証プログラムを実行する検証装置が，本実施の形態におけるＯＰＣパターン検証方法を行う。

図１２は，ＬＳＩのマスク生成工程の概略を示すフローチャート図である。このフローチャートでは，ＬＳＩの論理設計工程が終了してネットリストが生成済である。マスク生成工程は，ネットリストに基づいて自動レイアウトツールによりパターンレイアウトが行われ（Ｓ１００），設計パターンデータ（図１１の１１４）が生成される。レイアウト検証プログラム（図１１の１０８）により，この設計パターンがデザインルールに整合しているか否かを検証するレイアウト検証が行われる（Ｓ１０２）。このレイアウト検証でエラーが検出されると（Ｓ１０４のＹＥＳ），再度レイアウト工程Ｓ１００からやり直しが行われる。

設計パターンのレイアウト検証がパスすると（Ｓ１０４のＮＯ），ＯＰＣプログラムにより，光近接効果補正（ＯＰＣ）が行われ，ＯＰＣパターンデータ（図１１の１１６）が生成される（Ｓ１０６）。ＯＰＣパターンは，設計パターンにセリフパターン，拡大パターン，縮小パターンなどが形成された露光マスク用のパターンである。

そして，ＯＰＣパターン検証プログラム（図１１の１１２）により，ＯＰＣパターン内に既定値未満のパターン間隔やパターン幅が存在しないか否かの検証が行われる（Ｓ１０８）。そして，エラー図形が検出されると（Ｓ１１０のＹＥＳ），レイアウト工程Ｓ１００から再度やり直しがされる。つまり，ＯＰＣを行ってもＯＰＣパターン検証でエラーが発生しないような設計パターンの生成が行われる。このＯＰＣパターン検証をパスすると（Ｓ１１０のＮＯ），それがマスクパターンとなり，電子ビーム露光装置などマスク形成装置の入力データとなる。

図１３は，本実施の形態におけるＯＰＣパターン検証方法のフローチャート図である。このＯＰＣパターン検証方法は，ＯＰＣパターン内に，近接する頂点間の距離が既定値未満になっている図形が存在しないことを検証し，ＯＰＣパターン検証プログラムにより行われる。設計パターンに対して行うレイアウト検証とは異なり，ＯＰＣパターン検証では，レイアウト検証をパスした設計パターンには存在しないがＯＰＣにより生成された微少パターンを抽出し，検証対象から除外する。

図１３に沿って説明すると，まず，ＯＰＣパターン検証プログラムは，検証条件が入力される（Ｓ２００）。検証条件には，エラー判定の基準となる既定値や，三角パターンの部分を除外するか否かなどの条件が含まれる。次に，ＯＰＣパターン検証プログラムは，検証対象のＯＰＣパターンデータファイル１１６からＯＰＣパターン検証プログラムで分析可能な入力図形テーブル１２０を生成する（Ｓ２０２）。ＯＰＣパターンデータ１１６は，パターンの頂点座標列であったり，ポリゴンデータの集合であったりするが，入力図形テーブル１２０はパターンの頂点座標列になる。

そして，ＯＰＣパターン検証プログラムは，入力図形テーブル１２０を解析して，図５に示したセリフパターンＳ４０，Ｓ４２からなるセリフ補正部と，図６に示したノッチパターンＯＰ５０，ＯＰ５２からなるノッチ補正部とを検出し，そのパターンの頂点にセリフ補正部またはノッチ補正部であることを示すフラグを立てる（Ｓ２０４）。このフラグは，同じセリフ補正部またはノッチ補正部内の頂点か，異なるセリフ補正部またはノッチ補正部内の頂点かを区別可能なフラグである。

セリフ補正部とノッチ補正部を検出するアルゴリズムは，図７，図８の説明箇所ですでに記載したとおりである。つまり，連続する頂点座標列に基づいて，セリフパターンまたはノッチパターンを構成可能な図形を検出し，その図形の辺の長さの合計値が，セリフ判定値またはノッチ判定部以下の場合に，セリフパターンまたはノッチパターンであることを検出する。

さらに，ＯＰＣパターン検証プログラムは，入力図形テーブルの頂点座標列を分析して，パターンの凹部の頂点座標列からなる頂点テーブル１２２と，パターンの凸部の頂点座標列からなる頂点テーブル１２４とを区別して生成する（Ｓ２０６）。凹部では図３に示したパターン幅ＷＤ１が検証され，凸部では図２で示したパターン間隔ＳＰ１が検証されるので，それらの頂点テーブルは区別して生成することが望ましい。

そして，ＯＰＣパターン検証プログラムは，凹部の頂点テーブル１２２について，凹部の幅検証サブルーチンを実行する（Ｓ２０８）。また，ＯＰＣパターン検証プログラムは，凸部の間隔検証サブルーチンを実行する（Ｓ２１０）。各検証サブルーチンにより，エラー図形テーブル１２６が生成される。エラー図形テーブル１２６は，たとえば，近接する２頂点間の幅が規定値未満である頂点座標のデータを有する。そして，最後に，ＯＰＣパターン検証プログラムは，エラー図形テーブル１２６からエラー図形データ１１８を生成する（Ｓ２１２）。エラー図形データ１１８は，たとえば，エラー図形を表示可能にするデータフォーマットであり，または，再度レイアウト工程をやり直すときに参照されるデータフォーマットである。

図１４は，本実施の形態におけるＯＰＣパターン検証方法内の凹部の幅検証サブルーチンと凸部の間隔検証サブルーチンのフローチャート図である。まず，サブルーチンプログラムは，図１０に示した連続するＮ頂点（Ｎ＝３）以内の近接頂点を検証対象外にする指定があるか否かをチェックする（Ｓ３００）。指定がある場合は（Ｓ３００のＹＥＳ），サブルーチンプログラムは，近接する２つの頂点がＮ頂点（Ｎ＝３）内に含まれる頂点であって，同じ図形（多角形，パターン）に属するか否かをチェックする（Ｓ３０２）。工程Ｓ３０２がＹＥＳの場合は，図１０に示した三角パターンの２つの頂点であるので，それらの２つの頂点は検証対象から外される。

そして，サブルーチンプログラムは，２つの頂点が共に同じセリフ補正部またはノッチ補正部のフラグを有するか否かをチェックする（Ｓ３０４）。同じセリフ補正部またはノッチ補正部のフラグが立っている場合は（Ｓ３０４），その２つの頂点は検証対象から除外される。２つの頂点が異なるセリフ補正部またはノッチ補正部のフラグを有する場合は，検証対象にすべきであり，検証対象からは除外されない。図２のＳＰ１，図３のＷＤ１に示した通りである。

工程Ｓ３０２，Ｓ３０４で除外されなかった２つの頂点について，サブルーチンプログラムは，２つの頂点間の間隔または幅が，規定値以上であるか否か（または規定値未満であるか否か）をチェックし（Ｓ３０６），既定値以上であれば（Ｓ３０６のＹＥＳ）エラーではなく，既定値未満であれば（Ｓ３０６のＮＯ）エラー図形としてエラー図形テーブルにその頂点データを格納する（Ｓ３０８）。上記の工程Ｓ３００〜Ｓ３０８が，全ての頂点について繰り返される。

以上の通り，工程Ｓ３０２では，ＯＰＣにより生成された三角パターンの２頂点が検証対象から除外され，工程Ｓ３０４では，ＯＰＣにより生成されたセリフ補正部とノッチ補正部の２頂点が検証対象から除外される。よって，ＯＰＣに起因して生成されたパターンにより，本来エラーにすべきでない図形がエラーとして検出されることを回避することができる。

以上の実施の形態をまとめると，次の付記のとおりである。

（付記１）
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において，
コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する工程と，
コンピュータが，前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，
前記検証工程において，前記抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。

（付記２）
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において，
コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターンを抽出する工程と，
コンピュータが，前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，
前記検証工程において，前記セリフパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。

（付記３）
付記２において，
前記セリフパターンの抽出工程は，凸状または凹状セリフパターンを構成可能な５つの連続する頂点間の距離の合計がセリフ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたセリフパターンと判定することを特徴とするパターン検証方法。

（付記４）
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において，
コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたノッチパターンを抽出する工程と，
コンピュータが，前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，
前記検証工程において，前記ノッチパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。

（付記５）
付記４において，
前記ノッチパターンの抽出工程は，凸状または凹状ノッチパターンを構成可能な４つの連続する頂点間の距離の合計がノッチ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたノッチパターンと判定することを特徴とするパターン検証方法。

（付記６）
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において，
コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成された凸状または凹状三角パターンを抽出する工程と，
コンピュータが，前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，
前記検証工程において，前記三角パターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。

（付記７）
付記６において，
前記三角パターンの抽出工程は，前記近接する２つの頂点が前記頂点座標列の連続する３頂点内の頂点である場合に，当該近接する２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。

（付記８）
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法をコンピュータに実行させるコンピュータ読み取り可能なパターン検証プログラムにおいて，前記パターン検証プログラムは，
頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する工程と，
前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とをコンピュータに実行させ，
前記検証工程において，前記抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証プログラム。

（付記９）
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証装置において，
頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する抽出手段と，
前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する検証手段とを有し，
前記検証手段は，前記抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。

（付記１０）
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証装置において，
頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターンを抽出する抽出手段と，
前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する検証手段とを有し，
前記検証手段は，前記セリフパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。

（付記１１）
付記１０において，
前記セリフパターンの抽出手段は，凸状または凹状セリフパターンを構成可能な５つの連続する頂点間の距離の合計がセリフ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたセリフパターンと判定することを特徴とするパターン検証装置。

（付記１２）
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証装置において，
頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたノッチパターンを抽出する抽出手段と，
前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する検証手段とを有し，
前記検証手段は，前記ノッチパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。

（付記１３）
付記１２において，
前記ノッチパターンの抽出手段は，凸状または凹状ノッチパターンを構成可能な４つの連続する頂点間の距離の合計がノッチ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたノッチパターンと判定することを特徴とするパターン検証装置。

（付記１４）
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証装置において，
頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成された凸状または凹状三角パターンを抽出する抽出手段と，
前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する検証手段とを有し，
前記検証手段は，前記三角パターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。

（付記１５）
付記１４において，
前記三角パターンの抽出手段は，前記近接する２つの頂点が前記頂点座標列の連続する３頂点内の頂点である場合に，当該近接する２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。

ＯＰＣパターン検証方法を説明する図である。 光近接効果補正を説明する図である。 光近接効果補正を説明する図である。 光近接効果補正を説明する図である。 不適切にエラー図形として検出されるセリフパターンを示す図である。 不適切にエラー図形として検出されるノッチパターンを示す図である。 本実施の形態におけるセリフパターンの検出方法を説明する図である。 本実施の形態におけるノッチパターンの検出方法を説明する図である。 エラー図形として検出される三角パターンを示す図である。 本実施の形態における三角パターンの２頂点間の間隔や幅をＯＰＣパターン検証の対象から外す方法を説明する図である。 本実施の形態における検証装置の構成図である。 ＬＳＩのマスク生成工程の概略を示すフローチャート図である。 本実施の形態におけるＯＰＣパターン検証方法のフローチャート図である。 本実施の形態におけるＯＰＣパターン検証方法内の凹部の幅検証サブルーチンと凸部の間隔検証サブルーチンのフローチャート図である。

符号の説明

Ｐ１０，Ｐ１２：パターン Ｖ１０，Ｖ１２：近接する２頂点
Ｐ２０：パターン Ｖ２１，Ｖ２２：近接する２頂点
Ｖ２３，Ｖ２４：近接する頂点

Claims (9)

1. 光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において，
   コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する工程と，
   コンピュータが，前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，
   前記検証工程において，前記抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
2. 光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において，
   コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターンを抽出する工程と，
   コンピュータが，前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，
   前記検証工程において，前記セリフパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
3. 請求項２において，
   前記セリフパターンの抽出工程は，凸状または凹状セリフパターンを構成可能な５つの連続する頂点間の距離の合計がセリフ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたセリフパターンと判定することを特徴とするパターン検証方法。
4. 光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において，
   コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたノッチパターンを抽出する工程と，
   コンピュータが，前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，
   前記検証工程において，前記ノッチパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
5. 請求項４において，
   前記ノッチパターンの抽出工程は，凸状または凹状ノッチパターンを構成可能な４つの連続する頂点間の距離の合計がノッチ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたノッチパターンと判定することを特徴とするパターン検証方法。
6. 光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において，
   コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成された凸状または凹状三角パターンを抽出する工程と，
   コンピュータが，前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，
   前記検証工程において，前記三角パターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
7. 請求項６において，
   前記三角パターンの抽出工程は，前記近接する２つの頂点が前記頂点座標列の連続する３頂点内の頂点である場合に，当該近接する２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
8. 光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法をコンピュータに実行させるコンピュータ読み取り可能なパターン検証プログラムにおいて，前記パターン検証プログラムは，
   頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する工程と，
   前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とをコンピュータに実行させ，
   前記検証工程において，前記抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証プログラム。
9. 光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証装置において，
   頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する抽出手段と，
   前記パターンデータを解析して，前記近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する検証手段とを有し，
   前記検証手段は，前記抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。