JP2005037513A - マスク欠陥検査装置及びマスク欠陥検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光学近接効果補正(OPC)後のEBデータ2からOPC前のEBデータ1をSUB演算して、OPCパターン部分に対応するEBデータ(SUB後)3を得る。EBデータ(OPC後)2とEBデータ(SUB後)3のフォーマット変換を行った後、光学近接効果補正マスクに対応する参照画像2’と、OPCパターンに対応する参照画像3’を得る。光学近接効果マスクをスキャンして得た検出画像と、参照画像3’とを比較検査することにより、OPCパターンの欠陥検査を行う際に、他の部分の比較検査する場合よりも検査感度を下げる。
【選択図】 図2
Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、光学近接効果補正マスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置及びマスク欠陥検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図7は、半導体装置の製造に用いられるフォトマスクの一例を示す断面図である。図8は、フォトマスクの回路パターンの一部に、欠陥が存在する場合を示す図である。
図7に示すフォトマスク101は、透明基板102上の、例えば、10mm×20mmのチップ領域に、Cr膜等の遮光膜103からなる回路パターンが形成されている。回路パターンは、所定の間隔104を空けて形成され、パターン幅は、例えば、0.5μm〜2μmである。
また、図8に示すように、フォトマスクの回路パターンの一部に、突起105、ピンホール106、ドット107、欠け108、断線109等の欠陥、傷又は異物(以下「欠陥」と総称する。)が存在する場合がある。このような欠陥が存在するフォトマスク101を用いてパターン転写を行うと、所望の回路パターン以外に、欠陥もパターンとして基板上に形成されてしまう。よって、パターン転写の前に、フォトマスク101の欠陥がないか検査されている。
【0003】
マスク欠陥検査方法には、設計データ比較法(Die to Database法)と隣接パターン比較法(Die to Die法)とが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
設計データ比較法は、検査装置によりマスク回路パターンをスキャンし、そのスキャンにより得られた検出画像と、そのスキャン箇所に対応するマスク設計データ(参照画像)とを比較する方法である。
隣接パターン比較法は、隣接する2個のチップの同一パターンを比較し、不一致部分を発見したときに欠陥が存在すると判定する方法である。この方法は、隣接する2個のチップ内の同一箇所に形成されたパターンには、同一欠陥が存在する確率は極めて小さいという仮定を前提としている。
【0004】
ところで、近年の露光波長の短波長化により、マスクのパターン形状をウェハ上に忠実に転写することが困難となっている。そこで、マスクパターンに図形を付加したり、粗密に応じてサイズを補正したりする光学近接効果補正(OPC:optical proximity effect correction)(以下「OPC」という。)が行われている。
【0005】
【特許文献1】
特開平10−54806号公報(第2頁)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、光学近接効果補正により付加された、例えば、セリフ(Serif)のような補助パターン(以下「OPCパターン」という。)は、回路パターンの半分以下の大きさであり、スキャンに用いられる光源に対して屈折されやすく、スキャンにより得られた検出画像での写りが良くない。また、OPCパターンが付加されるとパターン形状が非常に複雑になってしまう。
このため、図10に示すように、光学近接効果補正マスクの欠陥を検査する際、実際の欠陥(以下「実欠陥」という。)とOPCパターンとの区別が難しくなり、実欠陥ではないOPCパターンが欠陥として検出される、いわゆる擬似欠陥が生じやすいという問題があった。図9に示すOPC前のマスクの欠陥を検査する場合には、正常パターンと実欠陥を容易に区別できるため、上記のような問題は起こらなかった。
また、従来の設計データ比較法を用いたマスク欠陥検査技術では、最終的な光学近接効果補正マスクの設計データのみを参照画像用に用いていた。このため、光学近接効果補正マスク上の微細な実欠陥を検出するために検査感度を高めると、OPCパターンにおける小さな変動が擬似欠陥として検出されてしまうという問題があった。従って、従来は、光学近接効果補正マスクの欠陥を検査する際、擬似欠陥の発生により微細な実欠陥を検出することが難しかった。
【0007】
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたもので、擬似欠陥の発生を最大限抑えながら、光学近接効果補正マスク上の微細な実欠陥を検出することを目的とする。
【0008】
【課題を解決する為の手段】
本発明に係るマスク欠陥検査装置は、光学近接効果補正マスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記光学近接効果補正マスクの設計データから、前記光学近接効果補正マスクの第1参照画像と、光学近接効果補正パターンの第2参照画像とを形成する参照画像形成部と、
前記光学近接効果補正マスクをスキャンして検出画像を形成する検出画像形成部と、
前記第1及び第2参照画像と前記検出画像とを比較して、前記光学近接効果補正マスクの欠陥の有無を検出する比較検査部と、を備え、
前記比較検査部は、前記光学近接効果補正パターンの欠陥の有無を検出する際、前記第2参照画像と前記検出画像とを比較する手段を有することを特徴とするものである。
【0009】
本発明に係るマスク欠陥検査装置において、前記参照画像形成部は、前記光学近接効果補正マスクの設計データから、光学近接効果補正前のマスクの設計データを減算処理して、前記光学近接効果補正パターンのデータを得る演算部を備えることが好適である。
【0010】
本発明に係るマスク欠陥検査装置において、前記比較検査部は、前記第2参照画像と前記検出画像とを比較する際、前記第1参照画像と前記検出画像とを比較する場合に比べて検査感度を下げる手段を有することが好適である。
【0011】
本発明に係るマスク欠陥検査方法は、光学近接効果補正マスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査方法であって、
前記光学近接効果補正マスクの設計データから、光学近接効果補正後のマスクの第1参照画像と、光学近接効果補正パターンの第2参照画像とを形成する参照画像形成工程と、
前記光学近接効果補正マスクをスキャンして検出画像を形成する工程と、
前記第1及び第2参照画像と前記検出画像とを比較して、前記光学近接効果補正マスクの欠陥の有無を検出する比較検査工程と、を含み、
前記比較検査工程では、前記光学近接効果補正パターンの欠陥の有無を検出する際、前記第2参照画像と前記検出画像とを比較することを特徴とするものである。
【0012】
本発明に係るマスク欠陥検査方法において、前記参照画像形成工程では、前記光学近接効果補正マスクの設計データから、光学近接効果前のマスクの設計データを減算処理して、前記光学近接効果補正パターンのデータを得る演算工程を含むことが好適である。
【0013】
本発明に係るマスク欠陥検査方法において、前記比較検査工程では、前記第2参照画像と前記検出画像とを比較する際、前記第1参照画像と前記検出画像とを比較する場合に比べて検査感度を下げることが好適である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一または相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。
図1は、本発明の実施の形態によるマスク欠陥検査装置を説明するための図である。
図1に示すように、上位コンピュータ31に格納されたEB露光用CADデータ(以下「EBデータ」という。)から得られた参照画像と、検査ステーション10で光学近接効果補正マスク(以下「マスク」と略する。)をスキャンして得られた検出画像とをサブシステム20において比較することにより、マスクの欠陥検査が行われる。マスク上の欠陥位置を示す欠陥位置情報や欠陥画像等の欠陥情報は、サブシステム20からコレクションシステム60に送信され、コレクションシステム60に格納される。このコレクションシステム60に格納された欠陥情報は、レビュー時に参照される。
【0015】
上位コンピュータ31は、OPC(光学近接効果補正)後のEBデータ(以下「EBデータ(OPC後)」という。)(図4参照)と、OPC前のEBデータ(以下「EBデータ(OPC前)」という。)(図3参照)とを格納する。上位コンピュータ31は、EBデータ(OPC後)を変換部32に送信するとともに、2つのEBデータ(OPC後、OPC前)を演算部33に送信する。マスク設計データとしてのEBデータは、MEBES(manufacturing electron beam exposure system)等のEB露光装置用のフォーマットで作成されている。
【0016】
演算部33は、EBデータ(OPC後)から、EBデータ(OPC前)の減算処理(SUB:Subtract)を行うことにより、OPCパターンに対応するEBデータを得る。演算部33は、論理演算SUBにより得られたEBデータ(以下「EBデータ(SUB後)」という。)(図5参照)を変換部32に送信する。
【0017】
変換部32は、上位コンピュータ31から受信したEBデータ(OPC後)と演算部33から受信したEBデータ(SUB後)のフォーマットを、EB露光装置用のフォーマットからマスク欠陥検査装置用のフォーマットに変換して、データステーション40に送信する。このフォーマット変換には、例えば、SYNOPSYS社製のマスクデータ処理ソフトウェアCATS(登録商標)を用いることができる。
【0018】
データステーション40としてのDWS(data work station)は、変換部32によりフォーマット変換されたEBデータを、SBC(single board computer)によりストリームごとの中間データ41,42,…に展開し、展開した中間データ41,42,…をホストシステム50に送信する。
【0019】
ホストシステム50としてのHWS(host work station)は、データステーション40で展開された中間データ(ストリームデータ)41,42,…を、例えば32chにch分配し、サブシステム20に送信する。
【0020】
サブシステム20は、ch分配された中間データをフレーム単位に切り出すフレーム切出し部21としてのSWS(sub work station)と、フレーム毎に多値化展開処理する多値化展開処理部22としてのBMP GEN(bit map generator)と、拡大・縮小処理、コーナ丸め処理、ぼかし処理等を行った後、参照画像を合成する合成部23と、合成された参照画像とフレームバッファ15から受信した検出画像とを比較し、マスクの欠陥を検出する比較検査部24とを備えている。
比較検査部24は、検査制御部11で設定された下記検査条件(欠陥検査アルゴリズム)に基づいて、検出画像と参照画像とを比較して、マスクの欠陥を検査する。
【0021】
サブシステム20、ホストシステム50及びコレクションシステム60は、IMAP(integrated memory array processor)を構成する要素である。
【0022】
検査ステーション10の検査制御部11としてのIWS(inspection work station)は、マスク欠陥検査装置の全体制御を行う。検査制御部11は、入力された検査パラメータやRIG(rendering image generator)パラメータに基づき、サブシステム20の比較検査部24による検査条件の設定を行う。本実施の形態において、検査制御部11は、EBデータ(SUB後)に対応する第2参照画像と検査画像を比較検査する場合には検査感度を下げ(デセンスして)、それ以外の部分を比較検査する場合には検査感度を上げるような検査条件を設定する。すなわち、検査制御部11は、OPCパターン部分の検査を、他の部分と比べて低い検査感度で行うような検査条件を設定する。
【0023】
検査ステーション10において、スキャン光学系12によりマスク(レチクル)上のパターンをスキャンし、マスクを透過した光信号を受光系13により電気信号(アナログ信号)に変換する。その後、アナログ/デジタル変換(以下「A/D変換」という。)部14によりゲイン補正とA/D変換を行い、フレームバッファ15によりフレーム化される。フレーム化された検出画像は、メモリに格納された後、比較検査部24に送信される。
【0024】
次に、上記マスク欠陥検査装置の動作、すなわちマスク欠陥検査方法について説明する。
図2は、本発明の実施の形態によるマスク欠陥検査方法を説明するための図である。図3は、EBデータ(OPC前)の一例を示す図である。図4は、EBデータ(OPC後)の一例を示す図である。図5は、図4に示したデータから図3に示したデータを論理演算SUBすることにより得られたEBデータ(SUB後)を示す図である。図6は、比較検査における検査感度を示す図である。
【0025】
先ず、参照画像(後述)と比較される検出画像を形成する。検出画像の形成は、検査ステーション10で行われる。詳細には、チャンバ内のXYθステージ上に検査対象のマスクを配置し、スキャン光学系12によりマスク上のパターンをスキャンし、マスクを透過した光信号を受光系13により光電変換し、光電変換されたアナログ信号をA/D変換部14によりA/D変換し、A/D変換後のデジタル信号をフレームバッファ15によりフレーム化する。このようにしてマスクの検出画像4が得られる。
【0026】
次に、参照画像を形成する。演算部33において、図4に示すEBデータ(OPC後)2から、図3に示すEBデータ(OPC前)1を減算処理(SUB)することにより、OPCパターンに対応するEBデータ(SUB後)3(図5参照)を得る。得られたEBデータ(SUB後)3と、上位コンピュータ31に格納されているEBデータ(OPC後)2とを、変換部32により欠陥検査装置用のフォーマットに変換し、フォーマット変換されたデータをデータステーション40によりストリーム展開する。その後、ホストシステム50によりch分配し、サブシステム20によりフレーム切出し、多値化展開、合成処理等を行う。このようにして、EBデータ(OPC後)2に対応する第1参照データ2’と、EBデータ(SUB後)3に対応する第2参照データ3’が得られる。
【0027】
そして、サブシステム20の比較検査部24において、検査制御部11で設定された欠陥検査アルゴリズムに基づいて、検出画像4と参照画像2’,3’との比較検査を行う。より詳細には、EBデータ(SUB後)に対応する第2参照画像3’と検出画像4を比較検査する場合には検査感度を下げて(デセンスして)、それ以外の部分を比較検査する場合には検査感度を上げて欠陥検査を行う。言い換えれば、図2及び図6に示すように、第1参照画像2’と第2参照画像3’の共通領域(AND領域)をデセンスした実質的な参照画像4’と検出画像4とを比較検査する
【0028】
以上説明したように、本実施の形態では、EBデータ(OPC後)2からEBデータ(OPC前)1をSUB演算して、OPCパターン部分に対応するEBデータ(SUB後)3を得た。そして、EBデータ(OPC後)2とEBデータ(SUB後)3を基に2つの参照画像2’,3’を形成し、OPCパターン部分似対応する参照画像3’と検出画像4との比較検査を行う際に、それ以外の部分の比較検査を行う場合よりも検出感度を下げた。これにより、OPCパターンに、例えば、ラインエッジラフネス(LER:line edge roughness)のような微小な変動があった場合でも、擬似欠陥として検出されることを防ぐことができる。すなわち、光学近接効果補正マスクの欠陥検査において、擬似欠陥の発生を最小限に抑えることができる。また、OPCパターン部分以外の部分は、検査感度を上げて行うことにより、微細な実欠陥を発見することができる。
従って、擬似欠陥の発生を最大限抑えながら、光学近接効果補正マスク上の微細な実欠陥を検出することができる。
また、本実施の形態では、OPCパターンの欠陥検査を別個に行うことができるため、OPCパターンの形状やサイズ等に応じて検査感度を変更でき、OPCパターンの欠陥検査精度を向上させることができる。
【0029】
なお、本実施の形態では、SUB演算を行った後にフォーマット変換しているが、EBデータ(OPC前、OPC後)をフォーマット変換した後にSUB演算を行って、EBデータ(SUB後)を得るようにしてもよい。
【0030】
【発明の効果】
本発明によれば、擬似欠陥の発生を最大限抑えながら、光学近接効果補正マスク上の微細な実欠陥を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態によるマスク欠陥検査装置を説明するための図である。
【図2】本発明の実施の形態によるマスク欠陥検査方法を説明するための図である。
【図3】EBデータ(OPC前)の一例を示す図である。
【図4】EBデータ(OPC後)の一例を示す図である。
【図5】図4に示したデータから図3に示したデータを論理演算SUBすることにより得られたEBデータ(SUB後)を示す図である。
【図6】比較検査における検査感度を示す図である。
【図7】半導体装置の製造に用いられるフォトマスクの一例を示す断面図である。
【図8】フォトマスクの回路パターンの一部に、欠陥が存在する場合を示す図である。
【図9】OPC前のパターンと、それに対応する検出画像とを示す図である。
【図10】OPC後のパターンと、それに対応する検出画像とを示す図である。
【符号の説明】
1 EBデータ(OPC前)
2 EBデータ(OPC後)
2’ 第1参照画像
2a 突起欠陥
2b ピンホール欠陥
2c ドット欠陥
2d 欠け欠陥
2e ブリッジ欠陥
2f セリフ
2g ゾーグ
2h アシストバー
3 EBデータ(SUB後)
3’ 第2参照画像
4 検出画像
4’ 参照画像
10 検査ステーション
11 検査制御部
12 スキャン光学系
13 受光系
14 A/D変換部
15 フレームバッファ
20 サブシステム
21 フレーム切出し部
22 多値化展開処理部
23 合成部
24 比較検査部
31 上位コンピュータ
32 変換部
33 演算部
40 データステーション
50 ホストシステム
60 コレクションシステム
Claims (6)
- 光学近接効果補正マスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記光学近接効果補正マスクの設計データから、前記光学近接効果補正マスクの第1参照画像と、光学近接効果補正パターンの第2参照画像とを形成する参照画像形成部と、
前記光学近接効果補正マスクをスキャンして検出画像を形成する検出画像形成部と、
前記第1及び第2参照画像と前記検出画像とを比較して、前記光学近接効果補正マスクの欠陥の有無を検出する比較検査部と、を備え、
前記比較検査部は、前記光学近接効果補正パターンの欠陥の有無を検出する際、前記第2参照画像と前記検出画像とを比較する手段を有することを特徴とするマスク欠陥検査装置。 - 請求項1に記載のマスク欠陥検査装置において、
前記参照画像形成部は、前記光学近接効果補正マスクの設計データから、光学近接効果補正前のマスクの設計データを減算処理して、前記光学近接効果補正パターンのデータを得る演算部を備え、該演算部により得られたデータから前記第2参照画像を形成することを特徴とするマスク欠陥検査装置。 - 請求項1又は2に記載のマスク欠陥検査装置において、
前記比較検査部は、前記第2参照画像と前記検出画像とを比較する際、前記第1参照画像と前記検出画像とを比較する場合に比べて検査感度を下げる手段を有することを特徴とするマスク欠陥検査装置。 - 光学近接効果補正マスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査方法であって、
前記光学近接効果補正マスクの設計データから、光学近接効果補正マスクの第1参照画像と、光学近接効果補正パターンの第2参照画像とを形成する参照画像形成工程と、
前記光学近接効果補正マスクをスキャンして検出画像を形成する工程と、
前記第1及び第2参照画像と前記検出画像とを比較して、前記光学近接効果補正マスクの欠陥の有無を検出する比較検査工程と、を含み、
前記比較検査工程では、前記光学近接効果補正パターンの欠陥の有無を検出する際、前記第2参照画像と前記検出画像とを比較することを特徴とするマスク欠陥検査方法。 - 請求項4に記載のマスク欠陥検査方法において、
前記参照画像形成工程は、前記光学近接効果補正マスクの設計データから、光学近接効果補正前のマスクの設計データを減算処理して、前記光学近接効果補正パターンのデータを得る演算工程を含み、該演算工程で得られたデータから前記第2参照画像を形成することを特徴とするマスク欠陥検査方法。 - 請求項4又は5に記載のマスク欠陥検査方法において、
前記比較検査工程では、前記第2参照画像と前記検出画像とを比較する際、前記第1参照画像と前記検出画像とを比較する場合に比べて検査感度を下げることを特徴とするマスク欠陥検査方法。
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