JP2010251500A - 半導体デバイスの製造方法及び露光条件決定プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができる半導体デバイスの製造方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】ウェーハの複数領域の各々に対して、領域間でフォーカスオフセット及び投影レンズ収差が異なるように露光を行った後、現像処理及びエッチング処理により、フォトマスク上の第１マスクパターンに対応する第１モニタパターン及び第２マスクパターンに対応する第２モニタパターンを前記複数領域の各々の被加工膜に形成し、第１モニタパターン及び第２モニタパターンのベストフォーカス差が所定値以下となる投影レンズ収差を選択し、この選択した投影レンズ収差において、フォーカス誤差に対して第１モニタパターン及び第２モニタパターンの寸法変動が小さくなるようなフォーカスオフセットを算出し、選択した投影レンズ収差及び算出したフォーカスオフセットを露光装置に設定して露光を行う。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体デバイスの製造方法及びプログラムに関するものである。

半導体デバイスの製造において、材料の加工後の寸法の制御は重要である。一般に、材料の加工では、まず、リソグラフィ工程において、被加工膜上に塗布されたレジストに、フォトマスク上のパターンが転写される。次に、エッチング工程において、リソグラフィ後の前記レジストをマスク材として、前記被加工膜にパターンが転写される。

半導体デバイスの微細化に伴い、レジスト寸法及び完成寸法（エッチング加工後の被加工膜のパターンの寸法）に要求される寸法バラツキが小さくなっている。そのため、半導体デバイスの品種、ロット（露光装置及びエッチング装置の組み合わせ）、及びエリアの組み合わせ毎に、エリアへの露光条件及び各種測定値（被エッチング膜厚測定値、レジスト膜厚測定値、レジスト寸法測定値、レジスト寸法と完成寸法との差分）を管理し、新たなウェーハの対象エリアへの露光条件を、当該ウェーハの対象エリアにおける測定値（被エッチング膜厚測定値、レジスト膜厚測定値）と、過去の露光条件及び測定値とから決定し、寸法のバラツキを制御する露光条件決定方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。

ところで近年、光露光のリソグラフィ工程では、密集パターンと孤立パターンのベストフォーカス位置が光学的には一致するように設計されているにもかかわらず、実際に露光を行いパターニング後のフォトレジスト寸法を調べてみると密集パターンと孤立パターンのベストフォーカス位置が一致しない、いわゆる疎密ベストフォーカス差（以下では適宜、より広い意味で「パターン間ベストフォーカス差」として言及される）が問題となっている。パターンによってベストフォーカス位置が異なると、同一マスク上に異なるパターンが存在した場合に、レジストパターンの寸法精度が低下し、半導体デバイス生産の歩留まりが低下するためである。

上記のような従来の露光条件決定方法では、パターン間ベストフォーカス差を考慮することはできず、露光量裕度の減少に伴う半導体デバイス生産の歩留まり低下を防止できないという問題があった。

特開２００４−２８１５５７号公報

本発明は、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができる半導体デバイスの製造方法及びプログラムを提供することを目的とする。

本発明の一態様による半導体デバイスの製造方法は、第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンが形成された第１のフォトマスクに、露光実行条件に基づいて光を照射し、投影レンズを介して前記第１のマスクパターン及び前記第２のマスクパターンの像を第１の下層膜材料及び第１のフォトレジストが順に積層された第１のウェーハに投影し、現像処理を行って前記第１のフォトレジストに第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをマスク材として前記第１の下層膜材料をエッチングして、前記第１及び前記第２のマスクパターンの各々に対応する第１及び第２の加工後パターンを形成する半導体デバイスの製造方法であって、前記露光実行条件は、前記投影レンズの収差設定値と、フォーカスオフセット設定値とを含み、前記投影レンズの収差設定値と、前記第１及び第２の加工後パターンのモニタパターンの寸法から求められた前記第１及び第２のマスクパターンのベストフォーカス差と、の関係に基づいて調整されていることを特徴とするものである。

本発明の一態様による露光条件決定プログラムは、下層膜材料及びフォトレジストが順に積層されたウェーハの複数の領域の各々に対して、領域間でフォーカスオフセット及び投影レンズ収差が異なるように、第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンに対応するパターンを含む複数のパターンが形成されたフォトマスクに光が照射され、現像処理により前記フォトレジストにレジストパターンが形成され、前記レジストパターンをマスク材としたエッチングにより前記複数の領域の各々の前記下層膜材料に形成された前記複数のパターンに対応する複数のモニタパターンの寸法の計測結果を取得するステップと、前記計測結果に基づいて、前記投影レンズの複数の収差値の各々について、前記モニタパターン間のベストフォーカス差を算出するステップと、前記複数の収差値から、前記第１のマスクパターンに対応する第１のモニタパターンと前記第２のマスクパターンに対応する第２のモニタパターンとの間のベストフォーカス差が所定の範囲内となる収差値を選択するステップと、前記投影レンズ収差が前記選択した値の場合に、前記第１のモニタパターンの寸法変動量及び前記第２のモニタパターンの寸法変動量が共に所定値以下となるフォーカスオフセットの変動範囲を算出するステップと、前記選択した前記投影レンズ収差及び前記変動範囲に含まれるフォーカスオフセットを露光装置に設定する露光条件として決定するステップと、をコンピュータに実行させるものである。

本発明によれば、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができる。

本発明の実施形態に係る露光装置の概略構成図である。 同実施形態に係る半導体デバイスの製造方法を説明するフローチャートである。 モニタパターンの一例を示す図である。 モニタパターンの寸法とフォーカスオフセットとの関係の一例を示すグラフである。 演算部及び制御部のソフトウェア構成の一例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

図１に本発明の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す。露光装置は照明光学系（二次光源）１１、マスクステージ１２、投影光学系（レンズ）１３、及びウェーハステージ１４を備える。

マスクステージ１２は、露光すべき複数のパターンが形成されたパターン面を有するマスク１５を載置する。ウェーハステージ１４は、ウェーハ１６を載置する。ウェーハ１６には被加工膜１７ａ及び感光性膜（レジスト膜）１７ｂを含む複数の膜が積層されている。

照明光学系１１から発せられた光は、マスク１５、レンズ１３を通過して、ウェーハ１６の上面近傍に結像されて、マスクパターンの像を形成する。露光された感光性膜１７ｂを現像処理することでレジストパターンが形成される。レジストパターンをマスク材としてエッチングを行うことで、被加工膜１７ａをパターニングできる。

また、露光装置は演算部１８及び制御部１９を備える。演算部１８は、マスク１５に形成されたマスクパターンの像をウェーハ１６上の被加工膜１７ａにパターニングするためのウェーハステージ１４のベストフォーカス位置を算出する。ベストフォーカスとは、フォーカスに多少の変動があっても、被加工膜１７ａの完成寸法（被加工膜１７ａに形成されるパターンの寸法）が許容範囲内に収まるようなフォーカスをいい、例えばラインパターンのライン幅が最大となるフォーカスである。

制御部１９はマスクステージ１２、ウェーハステージ１４の移動や、レンズ１３の収差の調整等を行う。

このような露光装置を用いた露光方法について、図２に示すフローチャートを用いて説明する。

（ステップＳ２０１）露光を行い、マスク１５を通過した光が感光性膜１７ｂに結像される。この時、マスク全体の像が投影される一括露光領域毎にフォーカスオフセット及び投影レンズの球面収差の少なくともいずれか一方を変えながら露光を複数回行う。すなわち、感光性膜１７ｂには、フォーカスオフセット及び／又は投影レンズ収差量が異なる一括露光領域が複数存在することになる。

ウェーハステージ１４を上下方向に移動させ、ウェーハ１６の位置を変えることで、フォーカスオフセットを変えることが出来る。

（ステップＳ２０２）ベーク（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）及び現像を行い、感光性膜１７ｂにレジストパターンを形成する。

（ステップＳ２０３）図示していないエッチング装置を用いて、レジストパターンをマスク材としてエッチングを行い、被加工膜１７ａにレジストパターンを転写する。

なお、以下では、マスク１５上の第１のパターンに対応する被加工膜１７ａのパターンを第１のモニタパターン、マスク１５上の第２のパターンに対応する被加工膜１７ａのパターンを第２のモニタパターンとする。ここで、例えば第１のパターンとは図３に示すセルパターンにおけるスペース部分Ｓｐａｃｅのような密パターンであり、第２のパターンとは周辺回路パターンにおけるライン部分Ｉｓｏのような疎パターンである。

ライン部分Ｉｓｏは疎パターンの中で最も焦点深度が小さいものであり、スペース部分Ｓｐａｃｅは密パターンの中で最も焦点深度が小さいものである。このマスクに形成されたパターンの転写に必要な焦点深度を確保するためには、ライン部分Ｉｓｏとスペース部分Ｓｐａｃｅのベストフォーカス位置を合わせる必要がある。

第１のモニタパターン及び第２のモニタパターンは、複数の一括露光領域の各々に形成される。

（ステップＳ２０４）ウェーハ１６上の複数の第１のモニタパターン及び第２のモニタパターンの寸法を、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）等を用いて計測する。計測結果は演算部１８に送られる。

（ステップＳ２０５）第１のモニタパターンの寸法及び第２のモニタパターンの寸法と、フォーカスオフセットとの関係を、球面収差毎に取得する。例えば、図４に示すような関係が取得される。図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ球面収差が異なり、図４（ａ）より図４（ｂ）の方が収差が大きく（プラス側にずれており）、図４（ｂ）より図４（ｃ）の方が収差が大きいとする。

図４（ａ）では、フォーカスオフセットＦ１が第１のモニタパターンのベストフォーカス、フォーカスオフセットＦ２が第２のモニタパターンのベストフォーカスを示す。フォーカスオフセットＦ１とフォーカスオフセットＦ２の差、すなわちベストフォーカス差が大きく、どのようなフォーカスオフセットを与えても、第１のモニタパターン及び第２のモニタパターンの少なくともいずれか一方は、フォーカス変動に対する寸法変動が大きくなる。

例えば、フォーカスオフセットＦ１を与え、フォーカス変動範囲がΔＦの場合、第１のモニタパターンの寸法変動はΔＤ１であるのに対し、第２のモニタパターンの寸法変動はΔＤ２となる。従って、図４（ａ）における球面収差においてフォーカスオフセットＦ１を与えて露光及びエッチングによりパターニングすると、第２のモニタパターンの寸法が許容範囲外になるおそれがある。

図４に示す例では、球面収差をプラス側にずらすことで、第１のモニタパターンのベストフォーカス位置は高くなり、第２のモニタパターンのベストフォーカス位置は低くなることが分かる。そして、図４（ｃ）では、第１のモニタパターンのベストフォーカスＦ３、第２のモニタパターンのベストフォーカスＦ４がほぼ同じ、すなわちベストフォーカス差が極めて小さくなる。

従って、図４（ｃ）における球面収差においてフォーカスオフセットＦ３を与えて露光及びエッチングによりパターニングすると、フォーカス変動範囲がΔＦの場合、第１のモニタパターンの寸法変動はΔＤ３、第２のモニタパターンの寸法変動はΔＤ４となる。すなわち、第１のモニタパターン、第２のモニタパターン共に寸法変動が小さく、寸法制御性を向上させることができる。

（ステップＳ２０６）演算部１８が、ステップＳ２０５で取得した球面収差毎の第１のモニタパターンの寸法及び第２のモニタパターンの寸法と、フォーカスオフセットとの関係から、ベストフォーカス差が所定値以下となる球面収差を選択する。また、演算部１８が、前記選択した球面収差において最適なフォーカスオフセットを求める。

ここで、最適なフォーカスオフセットとは、その値を中心としてフォーカスが所定量変動しても、第１のモニタパターン及び第２のモニタパターンの寸法変動が規定値以下となるような値をいう。例えば、図４に示す例では、演算部１８は、図４（ｃ）における球面収差を選択し、最適なフォーカスオフセットとしてフォーカスオフセットＦ３を算出する。

ここでは、フォーカスに対する寸法変化量が大きい（フォーカスに対する余裕度が小さい）第１のモニタパターンのベストフォーカスＦ３を最適なフォーカスオフセットとした。言い換えれば、第１のモニタパターンの寸法変化量が最小となるようにフォーカス変動範囲を定め、その変動範囲の中心値を最適なフォーカスオフセットとした。これは、フォーカス誤差に対して寸法変化の感度（微分係数）が０となるフォーカスオフセットである。

また、第１のモニタパターンの寸法変化量及び前記第２のモニタパターンの寸法変化量が共に所定値以下となるようにフォーカスの変動範囲を定め、その変動範囲の中心値を最適なフォーカスオフセットとしてもよい。

フォーカスの変動範囲の中心値を最適なフォーカスオフセットとすることで、実際の露光時にフォーカスが多少変動しても、第１及び第２のモニタパターンの寸法の変化量を小さくすることができる。

（ステップＳ２０７）制御部１９が、ステップＳ２０６で求められた球面収差及びフォーカスオフセットを露光実行条件として露光装置に設定する。その後、このような露光実行条件が設定された露光装置で露光を行い、現像処理及びエッチング処理を施すことで、被加工膜１７ａにパターンを形成し、半導体デバイスを製造する。

このように、本実施形態では、エッチング後の被加工膜の寸法を用いて、パターン間のベストフォーカス差を低減させるレンズ収差量と、各パターンの寸法変動が所定値以下となるようなフォーカスオフセットと、を算出し、算出したレンズ収差及びフォーカスオフセットを露光装置に与えてパターン加工を行う。従って、フォーカス誤差に対する完成寸法の敏感度が小さくなり、デバイス特性が安定し、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができる。

また、レジストパターンの寸法でなく、エッチング後の被加工膜の寸法から、最適なレンズ収差の調整量及びフォーカスオフセットを算出しているため、レジストパターン寸法に対応するベストフォーカスと、加工後の被加工膜の寸法に対するベストフォーカスとに差がある場合でも、半導体デバイス生産の歩留まりを向上させることができる。

上記実施形態では、ステップＳ２０１とステップＳ２０７とで異なるマスクを使用してもよい。例えば、ステップＳ２０１で使用するマスクには、マスク１５上の第１のパターン及び第２のパターンと疎密や寸法の関係性が一致しているパターンを含む複数のパターンが形成されていてもよい。このようなマスクを用いて球面収差及び／又はフォーカスオフセットを一括露光毎に変えて複数領域に露光を行い、現像処理及びエッチング処理を施して複数領域に複数のモニタパターンを形成する。そして、複数のモニタパターンの各々についてエッチング処理後の寸法を測定し、複数のモニタパターンの各々について他のモニタパターンとのベストフォーカス差と球面収差との関係を取得しておく。

ステップＳ２０６では、ベストフォーカス差と球面収差との関係を参照し、ステップＳ２０７の露光（例えば量産工程での露光）で使用されるマスク１５上の第１のパターンに対応する第１のモニタパターンと第２のパターンに対応する第２のモニタパターンとの間のベストフォーカス差が所定範囲内となる球面収差を選択する。また、球面収差がこの選択した値の時に、第１のモニタパターンの寸法変動量及び前記第２のモニタパターンの寸法変動量が共に所定値以下となるフォーカスオフセットの変動範囲を算出し、その変動範囲内の値（例えば中心値）を、ステップＳ２０７で露光装置に設定する最適なフォーカスオフセットとして抽出する。

また、上記実施形態ではマスク上の２つのパターンに着目し、対応するモニタパターン間のベストフォーカス差を所定値以下にする球面収差を算出していたが、マスク上の３つ以上のパターンに着目するようにしてもよい。例えば、マスク上の３つのパターンに対応するモニタパターンを第１〜第３のモニタパターンとする場合、第１のモニタパターンと第２のモニタパターンとのベストフォーカス差、第１のモニタパターンと第３のモニタパターンとのベストフォーカス差、及び第２のモニタパターンと第３のモニタパターンとのベストフォーカス差をすべて所定値以下とする球面収差を求める。

上述した実施形態で説明した演算部１８及び制御部１９の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、演算部１８及び制御部１９の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。例えば、ＲＯＭに記憶されているプログラムがＲＡＭにロードされ、ＣＰＵがこのロードされたプログラムを実行する。

図５に、演算部１８及び制御部１９をソフトウェアで構成した場合のブロック図を示す。演算部１８及び制御部１９は、寸法計測値取得部５１、露光条件取得部５２、ベストフォーカス差算出部５３、レンズ収差選択部５４、フォーカス算出部５５、及び露光条件設定部５６を備える。

寸法計測値取得部５１は、複数の一括露光領域の各々に形成された第１のモニタパターン及び第２のモニタパターンの寸法計測値をＳＥＭ等から取得する。露光条件取得部５２は、複数の一括露光領域の各々についての露光条件（露光時に設定されていた球面収差及びフォーカスオフセット）を露光装置等から取得する。

ベストフォーカス差算出部５３は、寸法計測値及び露光条件に基づいて、球面収差毎に、第１のモニタパターンのベストフォーカスと第２のモニタパターンのベストフォーカスとの差分（ベストフォーカス差）を算出する。

レンズ収差選択部５４は、算出されたベストフォーカス差が所定値以下となる球面収差を選択する。

フォーカス算出部５５は、選択された球面収差において、第１のモニタパターンの寸法変動量及び前記第２のモニタパターンの寸法変動量が共に所定値以下となるフォーカスオフセットの変動範囲を求め、この変動範囲の中心値を設定すべきフォーカスオフセットとして算出する。第１のモニタパターン及び第２のモニタパターンのうち、フォーカス変動に対する寸法変動量が大きい方のモニタパターンのベストフォーカスを設定すべきフォーカスオフセットとして算出してもよい。

露光条件設定部５６は、レンズ収差選択部５４により選択された球面収差及びフォーカス算出部５５により算出されたフォーカスオフセットを出力し、露光装置に設定する。

また、演算部１８及び制御部１９の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。

上記実施形態では第１のモニタパターンを密パターン、第２のモニタパターンを疎パターンとしていたが、疎密パターンに限らず、パターン形状の異なる複数のパターンの間のベストフォーカス差を低減することに適用できる。

上記実施形態では、最適なレンズ収差及びフォーカスオフセットを求めるにあたり、ステップＳ２０１において、１枚のウェーハの複数の一括露光領域に対して、一括露光領域毎にフォーカスオフセット及び投影レンズの球面収差をそれぞれ変えながら露光を行っていたが、一括露光領域毎でなく、ウェーハ毎にフォーカスオフセット及び投影レンズの球面収差を変えて露光を行ってもよい。

上記実施形態に係る露光方法における最適な球面収差及びフォーカスオフセットの算出までの工程（ステップＳ２０１〜Ｓ２０６）は、ソフトウェアを用いたシミュレーションにより実行してもよい。

上記実施形態では、ステップＳ２０１においてレンズの球面収差を変えていたが、非点収差、４θ収差などの他の収差を変えるようにしてもよい。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１１ 照明光学系
１２ マスクステージ
１３ 投影光学系
１４ ウェーハステージ
１５ マスク
１６ ウェーハ
１７ａ 被加工膜
１７ｂ 感光性膜
１８ 演算部
１９ 制御部

Claims (5)

1. 第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンが形成された第１のフォトマスクに、露光実行条件に基づいて光を照射し、
   投影レンズを介して前記第１のマスクパターン及び前記第２のマスクパターンの像を第１の下層膜材料及び第１のフォトレジストが順に積層された第１のウェーハに投影し、
   現像処理を行って前記第１のフォトレジストに第１のレジストパターンを形成し、
   前記第１のレジストパターンをマスク材として前記第１の下層膜材料をエッチングして、前記第１及び前記第２のマスクパターンの各々に対応する第１及び第２の加工後パターンを形成する半導体デバイスの製造方法であって、
   前記露光実行条件は、
   前記投影レンズの収差設定値と、フォーカスオフセット設定値とを含み、
   前記投影レンズの収差設定値と、前記第１及び第２の加工後パターンのモニタパターンの寸法から求められた前記第１及び第２のマスクパターンのベストフォーカス差と、の関係に基づいて調整されていることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
2. 前記収差設定値とベストフォーカス差との関係は、
   第２の下層膜材料及び第２のフォトレジストが順に積層された第２のウェーハの複数の領域の各々に対して、領域間でフォーカスオフセット及び投影レンズ収差が異なる複数の露光条件を用いて、前記第１のマスクパターン及び前記第２のマスクパターンに対応するパターンを含む複数のパターンが形成された第２のフォトマスクに光を照射する工程と、
   現像処理を行って前記第２のフォトレジストに第２のレジストパターンを形成する工程と、
   前記第２のレジストパターンをマスク材としたエッチングにより前記第２の下層膜材料をパターニングして、前記複数の領域の各々に、前記複数のパターンに対応する複数のモニタパターンを形成する工程と、
   前記複数のモニタパターンの寸法を計測して計測結果を取得する工程と、
   前記計測結果に基づいて、前記投影レンズの複数の収差値の各々について、前記モニタパターン間のベストフォーカス差を算出する工程と、
   を実験又はシミュレーションで実施することにより求められることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
3. 前記収差設定値は、
   前記複数の収差値から選択された、前記第１のマスクパターンに対応する第１のモニタパターンと前記第２のマスクパターンに対応する第２のモニタパターンとの間のベストフォーカス差が所定の範囲内となる収差値であり、
   前記フォーカスオフセット設定値は、
   前記投影レンズ収差が前記選択された収差値の場合に、前記第１のモニタパターンの寸法変動量及び前記第２のモニタパターンの寸法変動量が共に所定値以下となるフォーカスオフセットの変動範囲に含まれる値であることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法。
4. 前記投影レンズ収差は球面収差、非点収差、及び４θ収差の少なくともいずれか１つであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体デバイスの製造方法。
5. 下層膜材料及びフォトレジストが順に積層されたウェーハの複数の領域の各々に対して、領域間でフォーカスオフセット及び投影レンズ収差が異なるように、第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンに対応するパターンを含む複数のパターンが形成されたフォトマスクに光が照射され、現像処理により前記フォトレジストにレジストパターンが形成され、前記レジストパターンをマスク材としたエッチングにより前記複数の領域の各々の前記下層膜材料に形成された前記複数のパターンに対応する複数のモニタパターンの寸法の計測結果を取得するステップと、
   前記計測結果に基づいて、前記投影レンズの複数の収差値の各々について、前記モニタパターン間のベストフォーカス差を算出するステップと、
   前記複数の収差値から、前記第１のマスクパターンに対応する第１のモニタパターンと前記第２のマスクパターンに対応する第２のモニタパターンとの間のベストフォーカス差が所定の範囲内となる収差値を選択するステップと、
   前記投影レンズ収差が前記選択した値の場合に、前記第１のモニタパターンの寸法変動量及び前記第２のモニタパターンの寸法変動量が共に所定値以下となるフォーカスオフセットの変動範囲を算出するステップと、
   前記選択した前記投影レンズ収差及び前記変動範囲に含まれるフォーカスオフセットを露光装置に設定する露光条件として決定するステップと、
   をコンピュータに実行させる露光条件決定プログラム。

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