JP2010258145A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウエハ面内の膜厚分布およびエッチングプロセス変動に応じた寸法のバラツキを制御できるように露光条件を決定する。
【解決手段】中間膜又はレジストの膜厚が異なる複数のウェーハの複数領域に対して、領域間で露光量が異なるように露光を行った後、現像処理及びエッチング処理により、フォトマスク上の第1マスクパターンに対応する第1モニタパターン及び第2マスクパターンに対応する第2モニタパターンを前記複数領域の各々の被加工膜に形成し、第1モニタパターンの寸法が所定範囲内となる場合の第2モニタパターンの寸法をウェーハ毎に取得し、データベースを作成する。デバイス量産工程においてPPEの経時変化により第2マスクパターンに対応するパターンの寸法が変動した場合、データベースを参照し、中間膜又はレジストの膜厚を寸法変動が低減するような値に変更する。
【選択図】図3
【解決手段】中間膜又はレジストの膜厚が異なる複数のウェーハの複数領域に対して、領域間で露光量が異なるように露光を行った後、現像処理及びエッチング処理により、フォトマスク上の第1マスクパターンに対応する第1モニタパターン及び第2マスクパターンに対応する第2モニタパターンを前記複数領域の各々の被加工膜に形成し、第1モニタパターンの寸法が所定範囲内となる場合の第2モニタパターンの寸法をウェーハ毎に取得し、データベースを作成する。デバイス量産工程においてPPEの経時変化により第2マスクパターンに対応するパターンの寸法が変動した場合、データベースを参照し、中間膜又はレジストの膜厚を寸法変動が低減するような値に変更する。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体デバイスの製造方法に関するものである。
LSIの回路パターンの微細化に伴い、露光用マスクのパターンとウェーハ上で得られるレジストパターンとの間に、パターンの密集度及び周期性に応じた寸法変動や形状変化が生じるという、いわゆる光近接効果(OPE:Optical Proximity Effect)が問題になっている。この光近接効果の対策として、OPEを予め考慮してマスクパターンに補正を加える光近接効果補正(OPC:Optical Proximity Correction)が行われている。
LSIの生産においては、露光装置の性能の経時変化により、OPEが時間とともに変化することがある。そのため、量産開始前の露光装置に対応するOPCを施したマスクを使用していると、時間の経過に伴い、密集パターン及び/又は孤立パターンの寸法差(疎密寸法差)が生じるという問題があった。また、複数の露光装置を用いて同種のLSI製品を量産する際においても、装置間でのOPEが微妙に異なるため、前記のようなパターン寸法疎密差が生じるという問題もあった。
このような問題を解決するため、露光装置の使用に伴うOPE変化、又は装置各々のOPEの違いに対して照明形状等の機械設定を変更し、疎密寸法差を低減する方法が知られている(例えば特許文献1、2、3参照)。これにより、異なるOPCを施したマスクを準備する必要性が低減する。
また、加工パターンのアスペクト比が増大するとエッチング速度が低下するというマイクロローディング効果により、パターン種によってエッチング後のパターン寸法が変動することが知られている。このような効果とOPEとを併せた効果は、プロセス近接効果(PPE:Process Proximity Effect)と呼ばれる。PPEの影響を予め考慮してマスクパターンに補正を加えるプロセス近接効果補正(PPC:Process Proximity Correction)が行われている(特許文献4参照)。
このPPEは複数の要因により変化し得る。上記のようなマスクパターンを補正する方法では、量産工程においてPPEの変化に伴うパターン寸法誤差が発生した場合に、速やかに誤差を低減できないことがある。そのため、量産工程のダウンタイムが長くなり、半導体デバイスの生産性が低下するという問題があった。
本発明は、半導体デバイスの生産性を向上させ、製造コストを削減できる半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
第1のウェーハに第1の被加工膜、第1の中間膜及び第1のフォトレジストを積層し、第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンが形成された第1のフォトマスクに、第1の露光量で光を照射し、投影レンズを介して前記第1のマスクパターン及び前記第2のマスクパターンの像を前記第1のウェーハに投影し、現像処理を行って前記第1のフォトレジストに第1のレジストパターンを形成し、前記第1のレジストパターンに基づいて前記第1の中間膜を加工し、前記第1及び前記第2のマスクパターンの各々に対応する第1及び第2の加工後パターンを前記第1の被加工膜に形成する半導体デバイスの製造方法であって、前記第1の中間膜の特性は、前記第1及び第2の加工後パターンのモニタパターンの寸法又は寸法差との関係に基づいて調整されていることを特徴とするものである。
本発明によれば、半導体デバイスの生産性を向上させ、製造コストを削減できる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
(第1の実施形態)図1に本発明の第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造システムの概略構成を示す。製造システムは成膜装置1、露光装置2、現像装置3、エッチング装置4、計測装置5、制御装置6、及び記憶装置7を備える。
成膜装置1は、スピンコート法等によりウェーハ上に複数の膜を積層する。例えば、図2(a)に示すように、ウェーハ10上に、被加工膜11、反射防止膜12、レジスト膜13、及び表面保護膜14を形成する。表面保護膜14は、後の露光工程において液浸露光が行われる場合に、液浸水がレジスト膜13へ侵入することを防止したり、レジスト膜13から液浸水へ各種成分が浸み出すことを防止したりする。
また、図2(b)に示すように、ウェーハ10上に、被加工膜11、下層膜15、ハードマスク16、レジスト膜13、及び表面保護膜14を形成してもよい。ハードマスク16は光透過性の膜である。また、下層膜15は一般に不透明な膜であり、ハードマスク16と下層膜15が総体として、反射防止膜12と同様に光の反射防止効果を有する。
成膜装置1は、制御装置6からの膜厚指示に基づいて、各膜の膜厚を調整する。膜厚指示は例えばスピンコートの場合、回転量の指示である。
露光装置2は、照明光学系(二次光源)21、マスクステージ22、投影光学系23、及びウェーハステージ24を有する。マスクステージ22は、露光すべき複数のパターンが形成されたパターン面を有するマスク25を載置する。ウェーハステージ24は、成膜装置1により複数の膜が積層されたウェーハ10を載置する。
照明光学系21から発せられた光はマスク25、投影レンズ23を通過して、ウェーハ10(レジスト膜13)の上面近傍に結像され、マスクパターンの像が形成される。
露光装置2は、制御装置6からの露光量指示に基づいて、マスク25の全体の像が投影される一括露光領域毎に露光量を変えながら露光を複数回行う。すなわち、1枚のウェーハ10には、露光量が異なる一括露光領域が複数存在する。
現像装置3は、露光装置2により露光されたウェーハの現像処理を行い、レジスト膜13にレジストパターンを形成する。現像装置3による現像処理の前に、図示しないベーク装置を用いてPEB(Post Exposure Bake)を行ってもよい。
エッチング装置4は、レジストパターンをマスク材として、ドライエッチング又はウェットエッチングを行い、被加工膜11をパターニングする。図2(a)の場合は、レジストパターンをマスクとして、レジストパターンが存在しない領域の反射防止膜12及び被加工膜11がエッチングされる。図2(b)の場合は、第1のエッチングにおいてレジストパターンをマスクとしてハードマスク16がパターニングされ、次に第2のエッチングを行って、レジストが除去されると共にハードマスク16をマスクとして下層膜15がパターニングされ、さらに第3のエッチングを行って、ハードマスク16が除去されると共に下層膜15をマスクとして被加工膜11がパターニングされる。
計測装置5は、被加工膜11に形成されたパターンの寸法を計測する。計測装置5は例えばSEM(Scanning Electron Microscope:走査型電子顕微鏡)である。
制御装置6は、計測装置5による寸法計測結果を取得し、成膜装置1への膜厚指示及び露光装置2への露光量指示と関連付けて記憶装置7に格納する。記憶装置7は例えばハードディスク装置である。
このような製造システムを用いた半導体デバイスの製造方法について、図3に示すフローチャートを用いて説明する。なお、本実施形態に係る半導体デバイスの製造方法は、デバイス生産(量産)工程と、生産工程前に行うデータベース作成工程と、を有する。
(ステップS301)成膜装置1が、複数のウェーハ10に、生産工程で使用する膜構造と同じ膜構造を積層する。この時、制御装置10は、ウェーハ間で、膜構造中の複数の膜のうち少なくとも1つの膜の膜厚が異なるように膜厚指示を行う。
ウェーハ間で膜厚を変える膜は、被加工膜より上層の膜とする。例えば、図2(a)に示すような膜構造の場合、反射防止膜12(中間膜)及び/又はレジスト膜13の膜厚を変える。また、図2(b)に示すような膜構造の場合、下層膜15(中間膜)、ハードマスク16(中間膜)、及びレジスト膜13の少なくともいずれか1つの膜の膜厚を変える。
本実施形態では、図2(b)に示すような膜構造を形成し、下層膜15の膜厚を変えるものとして説明を行う。
下層膜15の膜厚が設計条件に基づく基準膜厚となっているウェーハ、下層膜15の膜厚が前記基準膜厚より小さい膜厚となっているウェーハ、及び下層膜15の膜厚が前記基準膜厚より大きい膜厚となっているウェーハを準備することが好適である。単純な例としては、下層膜15の膜厚が前記基準膜厚のウェーハ、下層膜15の膜厚が前記基準膜厚より2〜3%程度小さくなっているウェーハ、及び下層膜15の膜厚が前記基準膜厚より2〜3%程度大きくなっているウェーハの3枚のウェーハを準備する。
(ステップS302)露光装置2が露光を行い、複数のウェーハ10の各々に対してマスク25上のマスクパターンを投影する。露光装置2は、制御装置6からの露光量指示に基づいて、各ウェーハ10に対して、一括露光領域毎に露光量を変えながら露光を行ってもよい。
(ステップS303)現像装置3が、複数のウェーハ10の各々に対して現像処理を行い、レジスト膜13にマスクパターンに対応するレジストパターンを形成する。レジストパターンは一括露光領域毎に形成される。この現像処理で表面保護膜14は除去される。
(ステップS304)エッチング装置4が、レジストパターンをマスク材としてエッチングを行い、ハードマスク16をパターニングする。さらに、エッチング装置4は、レジスト膜13を除去すると共に、ハードマスク16に形成されたパターンをマスク材として、下層膜15をパターニングする。続いて、ハードマスク16を除去すると共に、下層膜15に形成されたパターンをマスク材として、被加工膜11をパターニングする。被加工膜11にはマスクパターンに対応するパターンが(一括露光領域毎に)形成される。
(ステップS305)計測装置5が、被加工膜11に形成されたパターンの寸法を計測する。例えば、計測装置5は、マスク25上の第1のマスクパターンに対応する被加工膜11のパターンである第1のモニタパターン、及びマスク25上の第2のマスクパターンに対応する被加工膜11のパターンである第2のモニタパターンの寸法を計測する。例えば、第1のマスクパターンは図4に示すセルパターンにおけるスペース部分Spaceのような密パターンであり、第2のマスクパターンは周辺回路パターンにおけるライン部分Isoのような疎パターンである。
(ステップS306)制御装置6が、計測装置5による第1のモニタパターン及び第2のモニタパターンの寸法計測結果を取得する。そして、制御装置6は、ウェーハ毎に、すなわち下層膜15の膜厚毎に、第1のモニタパターンの寸法が所望の範囲内となっている時の第2のモニタパターンの寸法を抽出する。
制御装置6は、各ウェーハの中で第1のモニタパターンの寸法が所望の範囲内となっている領域を選択し、この領域における第2のモニタパターンの寸法を抽出する。寸法が所望の範囲内であるモニタパターンを作成するために、例えばウェーハ内に露光量の異なる複数の領域を設けてもよい。
そして、制御装置6は、下層膜15の膜厚が基準膜厚となっているウェーハから抽出された第2のモニタパターンの寸法を基準寸法とし、基準寸法とその他のウェーハから抽出された第2のモニタパターンの寸法との寸法差を算出する。
算出された寸法差の一例を図5(a)に示す。この例では、下層膜15の膜厚を大きくすると第2のモニタパターンの寸法が小さくなることが分かる。なお、図5(a)の原点における膜厚が前記基準膜厚を示す。
制御装置6は下層膜15の膜厚と第1のモニタパターン及び第2のモニタパターンの寸法との関係を記憶装置7に記憶させ、データベースを作成する。例えば、下層膜15の膜厚と第1及び第2のモニタパターンの寸法又はそれらの寸法差との関係を記述したデータベースを作成する。また、データベースには露光量との関係をさらに記述してもよい。例えば、前述した第1のモニタパターンが許容範囲となるような露光量毎に、図5(a)に示すような下層膜15の膜厚と第2のモニタパターンの寸法との関係をデータベースに記述することも可能である。また、下層膜15の膜厚と第1のモニタパターン及び第2のモニタパターンの寸法差との関係を露光量と共に記述してデータベースを作成することもできる。
このステップS306までがデータベース作成工程であり、ステップS307以降がデバイス生産(量産)工程となる。
(ステップS307)成膜装置1が、制御装置6からの膜厚指示に基づいてウェーハに膜構造を積層する。下層膜15の当初の膜厚は前記基準膜厚となっている。
(ステップS308)露光装置2が、ウェーハの露光を行う。露光装置2に当初設定されている露光量は、ステップS306で下層膜15の膜厚が基準膜厚となっているウェーハから制御装置6が選択した領域に対応する露光量である。すなわち、第1のモニタパターンの寸法が所望の範囲内となるような露光量である。
(ステップS309)現像装置3が現像処理を行い、レジストパターンを形成する。
(ステップS310)エッチング装置4が、レジストパターンをマスク材としてエッチングを行い、ハードマスク16をパターニングする。さらに、エッチング装置4は、レジスト膜13を除去すると共に、ハードマスク16に形成されたパターンをマスク材として、下層膜15をパターニングする。続いて、ハードマスク16を除去すると共に、下層膜15に形成されたパターンをマスク材として、被加工膜11をパターニングする。
(ステップS311)計測装置5が、被加工膜11に形成される前記第1及び第2のマスクパターンに対応するパターンの寸法を定期的に計測する。
(ステップS312)制御装置6が、ステップS311における寸法計測結果から、前記第1及び第2のマスクパターンに対応するパターン寸法又は/及び寸法差が許容範囲内であるか否かを判定する。許容範囲内の場合はステップS315へ進む。許容範囲内でない場合は、ステップS313へ進む。
(ステップS313)制御装置6は、ステップS306で作成したデータベースを参照して、寸法変動を抑制する下層膜15の膜厚を求める。例えば、第2のマスクパターンに対応するパターン寸法が小さくなっていた場合、図5(a)からパターン寸法を大きくするように、すなわち下層膜15の膜厚を小さくすればよいことがわかる。
例えば、第2のマスクパターンに対応するパターン寸法がΔy小さくなっていた場合、パターン寸法をΔy大きくする必要がある。図5(b)から、下層膜15の膜厚をΔx小さくすればよいことが分かる。制御装置6は、下層膜15の膜厚を(基準膜厚−Δx)とするように成膜装置1へ膜厚指示を出す。
(ステップS314)制御装置6は、前記データベースを参照して、ステップS306で下層膜15の膜厚が(基準膜厚−Δx)となっているウェーハに対する適切な露光量を求め、この露光量が設定されるよう露光装置2へ露光量指示を出す。ここで、適切な露光量は、設定変更した下層膜15の膜厚条件において、第1のマスクパターンに対応するパターン寸法が許容範囲となるような露光量をS306で作成したデータベースから読み取ることで得られる。一方、S306で作成したデータベースを参照して下層膜15の膜厚を再設定した後、露光量を複数変化させてリソグラフィ実験を行い、第1のマスクパターンに対応するパターン寸法を計測し、計測寸法が許容範囲となる露光量を求めることもできる。
なお、第1のマスクパターンに対応するパターン寸法が許容範囲内に収まっていない場合、第1及び第2のマスクパターンに対応するパターン寸法差が許容範囲に収まっていない場合も同様、S306のデータベースを参照して、下層膜15の膜厚条件を再設定することが可能である。このときの適切な露光量についても同様、S306のデータベースを参照するか、実験を通じて設定することができる。
(ステップS315)デバイス製造を続ける場合はステップS307へ戻る。
ステップS311及びS312において、PPEの経時変化に伴う寸法誤差の発生を検出できる。また、寸法誤差が発生した場合、予め(ステップS306で)作成したデータベースを参照し、誤差を低減するような膜厚指示を行う。
PPEの経時変化は原因が不明であったり、複数の要因が存在したりして、原因の改善が困難な場合がある。上記のような方法を用いることで、PPEの経時変化の発生原因の解明を行わず、膜構造の膜厚を微調整するだけで、寸法誤差を抑制できる。従って、PPEの経時変化によるデバイス生産(量産)工程のダウンタイムを削減できる。
このように、本実施形態による半導体システムの製造方法により、半導体デバイスの生産性を向上させ、製造コストを削減できる。
上記実施形態では、下層膜15の膜厚を変えていたが、ハードマスク16や、レジスト膜13の膜厚を変えてもよい。ハードマスク16及びレジスト膜13の膜厚と前記第2のモニタパターンの寸法との関係の一例を図6に示す。デバイス生産(量産)工程においてPPEの経時変化に伴う寸法誤差が発生した場合は、このような関係を参照して膜厚を調整することで、寸法誤差を低減できる。
上記実施形態では、マスク25の全体の像が投影される一括露光領域毎に露光量を変えながら露光を複数回行うとしたが、露光量を変えると同時にフォーカスオフセットも一括露光領域毎に変えて露光を行い、フォーカスオフセットに対するいずれかのパターンのレジスト寸法の変化率が微小になるフォーカスオフセット条件をベストフォーカスと定義し、ベストフォーカス条件で露光されたパターンのみを用いて、ステップS306以降を実行してもよい。
上記第1の実施形態では、露光装置のPPEの経時変化に伴う転写パターン間の寸法差の変化を抑制する方法を説明したが、装置間でのPPEの違いにより生じる転写パターン間の寸法差の違いを抑制することも可能である。すなわち、反射防止膜またはハードマスク及び下層膜の膜厚を同一に設定した複数のウェーハに対して複数の露光装置等を並行して利用してパターンを形成した後、各ウェーハのパターンの寸法又は/及びパターン間寸法差を計測する。その計測値が許容範囲内でなければ、予め作成していたS306のデータベースを参照して、利用した装置毎に適切な反射防止膜、ハードマスク又は下層膜等の膜厚を再設定し、製造を開始することができる。
(第2の実施形態)図7に本発明の第2の実施形態に係る半導体デバイスの製造システムの概略構成を示す。本実施形態では、制御装置6が、露光装置2に対して露光条件指示を出す。ここで露光条件には、露光量、フォーカスオフセット、及び投影レンズ収差が含まれる。制御装置6は、データベース作成工程において、露光装置2に対して、一括露光領域毎に露光量、フォーカスオフセット、及び投影レンズ収差が異なるように露光条件指示を出す。そして、制御装置6は、寸法計測結果に膜厚指示及び露光条件指示を関連付けてデータベースを作成する。その他の構成は、図1に示す第1の実施形態と同様となっている。図7において、図1に示す第1の実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
このような製造システムを用いた半導体デバイスの製造方法について、図8に示すフローチャートを用いて説明する。なお、本実施形態に係る半導体デバイスの製造方法は、上記第1の実施形態と同様に、デバイス生産(量産)工程と、生産工程前に行うデータベース作成工程と、を有する。
(ステップS801)成膜装置1が、複数のウェーハ10に、生産工程で使用する膜構造と同じ膜構造を積層する。この時、制御装置10は、ウェーハ間で、膜構造中の複数の膜のうち少なくとも1つの膜の膜厚が異なるように膜厚指示を行う。
ウェーハ間で膜厚を変える膜は、上記第1の実施形態と同様に、被加工膜より上層の膜である。ここでは、図2(b)に示すような膜構造を形成し、下層膜15の膜厚を変えるものとして説明を行う。
また、下層膜15の膜厚が設計条件に基づく基準膜厚となっているウェーハ、下層膜15の膜厚が前記基準膜厚より小さい膜厚となっているウェーハ、及び下層膜15の膜厚が前記基準膜厚より大きい膜厚となっているウェーハを準備することが好適である。単純な例としては、下層膜15の膜厚が前記基準膜厚のウェーハ、下層膜15の膜厚が前記基準膜厚より2〜3%程度小さくなっているウェーハ、及び下層膜15の膜厚が前記基準膜厚より2〜3%程度大きくなっているウェーハの3枚のウェーハを準備する。
(ステップS802)露光装置2が露光を行い、複数のウェーハ10の各々に対してマスク25上のマスクパターンを投影する。露光装置2は、制御装置6からの露光条件指示に基づいて、各ウェーハ10に対して、一括露光領域毎に露光量、フォーカスオフセット、及び投影レンズ収差を変えながら露光を行う。例えば、露光量、フォーカスオフセット、及び投影レンズ収差がそれぞれ5つの値をとる場合、125個の一括露光領域に対して露光条件の異なる露光が行われる。
投影レンズ収差は例えば球面収差である。
(ステップS803)現像装置3が、複数のウェーハ10の各々に対して現像処理を行い、レジスト膜13にマスクパターンに対応するレジストパターンを形成する。レジストパターンは一括露光領域毎に形成される。この現像処理で表面保護膜14は除去される。
(ステップS804)エッチング装置4が、レジストパターンをマスク材としてエッチングを行い、ハードマスク16をパターニングする。さらに、エッチング装置4は、レジスト膜13の除去後、ハードマスク16に形成されたパターンをマスク材として、下層膜15をパターニングする。さらに、エッチング装置4は、ハードマスク16を除去すると共に下層膜15をマスク材として、被加工膜11をパターニングする。被加工膜11にはマスクパターンに対応するパターンが(一括露光領域毎に)形成される。
(ステップS805)計測装置5が、被加工膜11に形成されたパターンの寸法を計測する。例えば、計測装置5は、マスク25上の第1のマスクパターンに対応する被加工膜11のパターンである第1のモニタパターン、及びマスク25上の第2のマスクパターンに対応する被加工膜11のパターンである第2のモニタパターンの寸法を計測する。例えば、第1のマスクパターンは図4に示すセルパターンにおけるスペース部分Spaceのような密パターンであり、第2のマスクパターンは周辺回路パターンにおけるライン部分Isoのような疎パターンである。
(ステップS806)制御装置6が、計測装置5による第1のモニタパターン及び第2のモニタパターンの寸法計測結果を取得する。
(ステップS807)制御装置6が、フォーカスオフセットと寸法計測結果との関係を露光量及び収差毎に求める。例えば図9に示すような関係が取得される。図9では、実線が第1のモニタパターンを示し、破線が第2のモニタパターンを示す。また、n、mは2以上の整数を表す。
図9から、露光量やフォーカスオフセットが変わると寸法が変わり、収差が変わるとベストフォーカスが変わることが分かる。なお、ベストフォーカスとは、フォーカスに多少の変動があっても、モニタパターンの加工後寸法が許容範囲内に収まるようなフォーカスをいい、例えば寸法が最大(極大)となるフォーカスを指す。
制御装置6は、露光量及び収差毎に、第1のモニタパターンのベストフォーカス及びその時の寸法と、第2のモニタパターンのベストフォーカス及びその時の寸法とを算出する。制御装置6はこのような処理をウェーハ毎に行う。
(ステップS808)制御装置6は、ステップS807で算出した第1のモニタパターンの寸法が所望の範囲内となっており、かつ第1のモニタパターンのベストフォーカスと第2のモニタパターンのベストフォーカスとの差分(ベストフォーカス差)が所定値以下となっている露光量及び収差を抽出する。抽出された露光量及び収差と、この収差に対応する第1のモニタパターンのベストフォーカスを与えるフォーカスオフセットとが、最適な露光条件となる。制御装置6は、このような最適な露光条件をウェーハ毎に求める。
(ステップS809)制御装置6は、前記最適な露光条件における第1のモニタパターン及び第2のモニタパターンの寸法をウェーハ毎に抽出する。
そして、制御装置6は、下層膜15の膜厚が基準膜厚となっているウェーハから抽出された第2のモニタパターンの寸法を基準寸法とし、基準寸法とその他のウェーハから抽出された第2のモニタパターンの寸法との寸法差を算出する。算出された寸法差の一例は図5(a)のようになる。
制御装置6は、下層膜15の膜厚と第1のモニタパターン及び第2のモニタパターンの寸法との関係を最適な露光条件と共に記憶装置7に記憶させ、データベースを作成する。
このステップS809までがデータベース作成工程であり、ステップS810以降がデバイス生産(量産)工程となる。
(ステップS810)成膜装置1が、制御装置6の膜厚指示に基づいてウェーハに膜構造を積層する。下層膜15の当初の膜厚は前記基準膜厚となっている。
(ステップS811)露光装置2が、ウェーハの露光を行う。露光装置2に当初設定されている露光条件は、ステップS808で下層膜15の膜厚が基準膜厚となっているウェーハに対して制御装置6が求めた最適な露光条件である。すなわち、第1のモニタパターンの寸法が所望の範囲内であり、第1のモニタパターンと第2のモニタパターンとのベストフォーカス差が所定値以下となるような露光条件である。
(ステップS812)現像装置3が現像処理を行い、レジストパターンを形成する。
(ステップS813)エッチング装置4が、レジストパターンをマスク材としてエッチングを行い、ハードマスク16をパターニングする。さらに、エッチング装置4は、レジスト膜13を除去すると共に、ハードマスク16に形成されたパターンをマスク材として、下層膜15をパターニングする。続いて、ハードマスク16を除去すると共に、下層膜15に形成されたパターンをマスク材としてエッチング処理を行い、被加工膜11にパターンを形成する。
(ステップS814)計測装置5が、被加工膜11に形成される前記第1及び第2のマスクパターンに対応するパターン寸法を定期的に計測する。
(ステップS815)制御装置6が、ステップS814における寸法計測結果から、前記第1及び第2のマスクパターンに対応するパターン寸法又は/及び寸法差が許容範囲内であるか否かを判定する。許容範囲内の場合はステップS819へ進む。許容範囲内でない場合は、ステップS816へ進む。
(ステップS816)制御装置6は、ステップS809で作成したデータベースを参照して、寸法変動を抑制する下層膜15の膜厚を求める。例えば、第2のマスクパターンに対応するパターン寸法が小さくなっていた場合、図5(a)からパターン寸法を大きくするように、すなわち下層膜15の膜厚を小さくすればよいことがわかる。
例えば、図5(b)に示すように、第2のマスクパターンに対応するパターン寸法がΔy小さくなっていた場合、パターン寸法をΔy大きくするように、下層膜15の膜厚をΔx小さくすればよい。制御装置6は、下層膜15の膜厚を(基準膜厚−Δx)とするように成膜装置1へ膜厚指示を出す。
(ステップS817)制御装置6は、データベースから下層膜15の膜厚が(基準膜厚−Δx)であるウェーハに対応する最適な露光条件を求め、露光装置2へ露光条件指示を出す。
(ステップS818)ステップS816及びS817の指示に基づいて被加工膜11に形成されたパターンの寸法が許容範囲内であるか否かを判定する。許容範囲内の場合はステップS819へ進む。許容範囲内でない場合は、ステップS816へ戻り、下層膜15の膜厚及び露光条件の変更を再度行う。
(ステップS819)デバイス製造を続ける場合はステップS810へ戻る。
ステップS814及びS815において、PPEの経時変化に伴う寸法誤差の発生を検出できる。また、寸法誤差が発生した場合、予め(ステップS809で)作成したデータベースを参照し、誤差を低減するような膜厚指示を行う。
また、レジスト膜13下方の膜の膜厚を変えた場合、レジスト膜13の下層における反射光(強度、位相)の角度分布が変化し、ベストフォーカス差の新たな変化を引き起こす。ステップS817で収差等の露光条件を変更することで、このようなベストフォーカス差を抑制することができる。
PPEの経時変化は原因が不明であったり、複数の要因が存在したりして、原因の改善が困難な場合がある。上記のような方法を用いることで、PPEの経時変化の発生原因の解明を行わず、膜構造の膜厚及び露光条件を変更するだけで、寸法誤差及びベストフォーカス差を抑制できる。従って、PPEの経時変化によるデバイス生産(量産)工程のダウンタイムを削減できる。
このように、本実施形態による半導体システムの製造方法により、半導体デバイスの生産性を向上させ、製造コストを削減できる。
上記第2の実施形態では、露光装置のPPEの経時変化に伴う転写パターン間の寸法差の変化を抑制する方法を説明したが、装置間でのPPEの違いにより生じる転写パターン間の寸法差の違いを抑制することも可能である。すなわち、反射防止膜またはハードマスク及び下層膜の膜厚を同一に設定した複数のウェーハに対して複数の露光装置等を並行して利用してパターンを形成した後、各ウェーハのパターンの寸法又は/及びパターン間寸法差を計測する。その計測値が許容範囲内でなければ、予め作成していたS809のデータベースを参照して、利用した装置毎に適切な反射防止膜、ハードマスク又は下層膜等の膜厚を再設定し、再設定した膜厚に好適な露光条件に基づいて製造を開始することができる。
上記第2の実施形態において、調整する投影レンズ収差は、球面収差だけでなく、非点収差や4θ収差としてもよい。
上記実施形態において成膜装置1は複数台あってもよい。
上記実施形態では、膜構造中の複数の膜のうち、少なくともいずれか1つの膜の膜厚を調整していたが、屈折率や消衰係数等の膜厚以外の特性を調整するようにしてもよい。屈折率や消衰係数を調整する場合は、膜構成材料に別の材料を加えたり、膜構成材料そのものを変更したりする。
上記実施形態に係る半導体デバイスの製造方法におけるデータベース作成工程(ステップS301〜S306、ステップS801〜S809)は、ソフトウェアを用いたシミュレーションにより実行してもよい。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
1 成膜装置
2 露光装置
3 現像装置
4 エッチング装置
5 計測装置
6 制御装置
7 記憶装置
2 露光装置
3 現像装置
4 エッチング装置
5 計測装置
6 制御装置
7 記憶装置
Claims (5)
- 第1のウェーハに第1の被加工膜、第1の中間膜及び第1のフォトレジストを積層し、
第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンが形成された第1のフォトマスクに、第1の露光量で光を照射し、
投影レンズを介して前記第1のマスクパターン及び前記第2のマスクパターンの像を前記第1のウェーハに投影し、
現像処理を行って前記第1のフォトレジストに第1のレジストパターンを形成し、
前記第1のレジストパターンに基づいて前記第1の中間膜を加工し、前記第1及び前記第2のマスクパターンの各々に対応する第1及び第2の加工後パターンを前記第1の被加工膜に形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記第1の中間膜の特性は、前記第1及び第2の加工後パターンのモニタパターンの寸法又は寸法差との関係に基づいて調整されていることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記第1の中間膜の特性と、前記第1及び第2の加工後パターンのモニタパターンの寸法との関係は、
前記第1の被加工膜、それぞれ特性が異なる前記第1の中間膜、及び前記第1のフォトレジストが積層された複数の第2のウェーハに対して、前記第1のマスクパターン及び前記第2のマスクパターンに対応するパターンを含む複数のパターンが形成された第2のフォトマスクを介して光を照射する工程と、
現像処理を行って前記第2のウェーハの前記第1のフォトレジストに第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンに基づいて前記第1の中間膜を加工し、前記複数の第2のウェーハの前記第1の被加工膜に、前記複数のパターンに対応する複数のモニタパターンを形成する工程と、
前記第1のマスクパターンに対応する第1のモニタパターン及び前記第2のマスクパターンに対応する第2のモニタパターンの寸法を計測して計測結果を取得する工程と、
を実験又はシミュレーションで実施することにより求められることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記第2のフォトマスクを介して光を照射する工程では、複数の第2のウェーハにおける複数の領域に対して、領域間で露光量、フォーカスオフセット、及び投影レンズ収差が異なる複数の露光条件を用いて光を照射し、
前記計測結果を取得する工程の後に、前記計測結果に基づいて、前記複数の第2のウェーハの各々について、前記第1のモニタパターンの寸法が所定範囲内の値となる露光量、前記第1のモニタパターンと前記第2のモニタパターンとのベストフォーカス差が所定値以下となる投影レンズ収差、及び前記第1のモニタパターンのベストフォーカスを示すフォーカスオフセットを含む露光条件を選択し、当該露光条件における前記第2のモニタパターンの寸法を算出する工程をさらに実験又はシミュレーションで実施することを特徴とする請求項2に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記投影レンズ収差は球面収差、非点収差、及び4θ収差の少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項3に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第1の中間膜の特性は、膜厚、屈折率、及び消衰係数の少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009105060A JP2010258145A (ja) | 2009-04-23 | 2009-04-23 | 半導体デバイスの製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016001645A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、塗布処理装置及び基板処理システム |
JP2016072596A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
-
2009
- 2009-04-23 JP JP2009105060A patent/JP2010258145A/ja active Pending
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