JP4703693B2 - 露光方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータの作成方法 - Google Patents
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- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
12 マスクステージ
13 投影光学系(レンズ)
14 ウェーハステージ
15 マスク
16 ウェーハ
17 感光性膜
18 演算部
19 制御部
Claims (4)
- 露光装置を用いて第1及び第2のマスクパターンを含むマスクパターンの像をウェーハ上に形成する半導体装置の製造方法であって、
前記第1のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの位置と、前記第2のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの位置との差が所定の範囲内の値となるように投影レンズの収差値を調整した前記露光装置を用いて、前記マスクパターンの像を前記ウェーハに形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 露光実行条件に基づいて、第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンが形成されたマスクに光を照射し、投影レンズを介して前記第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンの像を下層膜材料及びフォトレジストが順に積層されたウェーハに投影する露光方法であって、
前記露光実行条件は、
所定の露光条件で露光を行う場合に、前記フォトレジスト及び前記下層膜材料の膜厚及び光学特性を用いて予測された、前記第1のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの位置と、前記第2のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの位置との差が、所定の範囲内の値となるように前記所定の露光条件が変更された条件であり、
前記所定の露光条件の変更では、前記投影レンズの球面収差、非点収差、4θ収差、又は偏光収差の球面収差成分の値が調整されることを特徴とする露光方法。 - 前記光学特性は、前記光の波長に対する屈折率及び消衰係数であることを特徴とする請求項2に記載の露光方法。
- 露光処理時に二次光源から発した光が照射され、形成された第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンの像が投影レンズを介して、ウェーハ上に順に積層された下層膜材料及びフォトレジストの前記フォトレジストに投影されるマスクの製造に用いられるマスクデータの作成方法であって、
前記フォトレジスト及び前記下層膜材料の膜厚及び光学特性、前記二次光源の形状、及び所定の前記投影レンズの収差を用いて、前記第1のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの第1の位置と、前記第2のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの第2の位置とを予測し、
前記第1の位置と前記第2の位置との差が所定の範囲内の値となるように前記収差を調整し、
前記調整後の収差を用いてOPC処理を実行することを特徴とするマスクデータの作成方法。
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WO2007086511A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Nikon Corporation | 処理条件決定方法及び装置、表示方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、基板処理システム、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
JP5784657B2 (ja) | 2013-02-26 | 2015-09-24 | 株式会社東芝 | フォーカス位置調整装置、レチクル、フォーカス位置調整プログラムおよび半導体装置の製造方法 |
KR102350572B1 (ko) * | 2016-02-22 | 2022-01-11 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 데이터에 대한 기여도들의 분리 |
JP6537992B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム |
DE102017115365B4 (de) * | 2017-07-10 | 2020-10-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren |
CN113917799B (zh) * | 2021-09-28 | 2023-11-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种改善曝光焦距均匀性的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307431A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004047755A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp | 露光条件決定システム |
JP2004103674A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2005158819A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Elpida Memory Inc | 露光方法 |
JP2006073709A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Sony Corp | 多層反射防止膜 |
JP2006344648A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6208748B1 (en) | 2000-01-05 | 2001-03-27 | Intel Corporation | Monitoring focus of a lens imaging system based on astigmatism |
JP2002184675A (ja) | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Nec Corp | 露光装置の投影レンズの球面収差の修正方法 |
US6880135B2 (en) * | 2001-11-07 | 2005-04-12 | Synopsys, Inc. | Method of incorporating lens aberration information into various process flows |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307431A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004047755A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp | 露光条件決定システム |
JP2004103674A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2005158819A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Elpida Memory Inc | 露光方法 |
JP2006073709A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Sony Corp | 多層反射防止膜 |
JP2006344648A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光方法 |
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