JP2004047755A - 露光条件決定システム - Google Patents
露光条件決定システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004047755A JP2004047755A JP2002203512A JP2002203512A JP2004047755A JP 2004047755 A JP2004047755 A JP 2004047755A JP 2002203512 A JP2002203512 A JP 2002203512A JP 2002203512 A JP2002203512 A JP 2002203512A JP 2004047755 A JP2004047755 A JP 2004047755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- information
- mask
- exposure condition
- condition determination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】煩雑な露光条件の確認作業を必要とせず、露光機毎の個体差に応じた露光条件を得る。
【解決手段】露光条件決定システム１００が有するデータベース１０には、過去に行った露光工程に関する情報が蓄積されており、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４が含まれている。露光条件決定部１５は、データベース１０から抽出した各種情報並びに新規マスク情報２０に基づき、露光条件決定プログラムにより新規マスクに適した露光条件を決定し、その結果である新規マスクの露光条件２１を出力する。シミュレーション部１６は、データベース１０から抽出した各種情報や新規マスク情報２０に基づいた光学シミュレーションや現像シミュレーションを行う。シミュレーション部１６によるシミュレーション結果は、露光条件決定部１５において新規マスクの露光条件２１の決定の際に用いられる。
【選択図】 図１
【解決手段】露光条件決定システム１００が有するデータベース１０には、過去に行った露光工程に関する情報が蓄積されており、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４が含まれている。露光条件決定部１５は、データベース１０から抽出した各種情報並びに新規マスク情報２０に基づき、露光条件決定プログラムにより新規マスクに適した露光条件を決定し、その結果である新規マスクの露光条件２１を出力する。シミュレーション部１６は、データベース１０から抽出した各種情報や新規マスク情報２０に基づいた光学シミュレーションや現像シミュレーションを行う。シミュレーション部１６によるシミュレーション結果は、露光条件決定部１５において新規マスクの露光条件２１の決定の際に用いられる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトリソグラフィー技術に関するものであり、特に、露光工程における露光条件を決定するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体装置の製造のフォトリソグラフィー技術の露光工程においては、所定のパターンが描かれたマスクが使用される。図８は、新規に作成したマスクおよびリピートマスク（以下「新規マスク」という）が実際にロットの製造に使用されるまでの従来の工程を示すフローチャートである。従来、新規マスクが作成された場合、その都度、当該新規マスクを用いる際の露光条件（最適露光量およびフォーカスオフセット）を決定する目的で、実際に露光機を用いたテスト露光が行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記テスト露光は、実際に露光機を用いて露光を行う人為的な作業であり、手間が掛かる。また各露光機間には収差等の個体差があるため、新規マスクを使用する露光機によって露光条件のチェックポイントが異なり、その作業はさらに煩雑なものとなっていた。そのため、作成したマスクを実際にロットの製造に用いるまでには、多くの労力と時間を要する結果となっていた。
【０００４】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、煩雑な露光条件の確認作業を必要とせず、露光機毎の個体差に応じた露光条件を得ることが可能な露光条件算出システムを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の露光条件決定システムは、過去の露光に関する第１の情報を蓄積したデータベースと、新規に作成されたマスクを用いる露光に関する第２の情報および前記データベースに蓄積された前記第１の情報に基づき、前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定する露光条件決定部とを備えることを特徴とする。
【０００６】
請求項２に記載の露光条件決定システムは、請求項１に記載の露光条件決定システムであって、前記第１の情報は、前記過去の露光に使用されたマスクの特性に関する第１のマスク情報と、前記過去の露光に使用されたレジストプロセスの特性に関する第１のレジストプロセス情報と、前記過去の露光に使用された露光条件に関する露光条件情報と、露光機の特性に関する第１の露光機情報とのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする。
【０００７】
請求項３に記載の露光条件決定システムは、請求項２に記載の露光条件決定システムであって、前記第２の情報は、前記新規に作成されたマスクの特性に関する第２のマスク情報と、前記新規に作成されたマスクを用いる露光で使用する予定の露光機を示す第２の露光機情報と、前記新規に作成されたマスクを用いる露光で使用する予定のレジストプロセスを示す第２のレジストプロセス情報と、前記新規に作成されたマスクを用いる露光で使用する予定の光学条件を示す光学条件情報とのうちの少なくともいずれか１つとを含むことを特徴とする。
【０００８】
請求項４に記載の露光条件決定システムは、請求項３に記載の露光条件決定システムであって、前記露光条件決定部は、前記第１のマスク情報、前記露光条件情報および前記第２のマスク情報とに基づき、前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定することを特徴とする。
【０００９】
請求項５に記載の露光条件決定システムは、請求項３に記載の露光条件決定システムであって、前記第１および第２のマスク情報、前記第１および第２の露光機情報、前記露光情報および前記光学情報に基づく光学シミュレーションを行う光学シミュレーション部をさらに備え、前記露光条件決定部は、前記光学シミュレーションの結果に基づき前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定することを特徴とする。
【００１０】
請求項６に記載の露光条件決定システムは、請求項３に記載の露光条件決定システムであって、前記第１および第２のマスク情報、前記第１および第２の露光機情報、前記第１および第２のレジストプロセス情報、前記露光情報および前記光学情報に基づく現像シミュレーションを行うシミュレーション部をさらに備え、前記露光条件決定部は、前記現像シミュレーションの結果に基づき前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定することを特徴とする。
【００１１】
請求項７に記載の露光条件決定システムは、請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムであって、前記第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、前記露光条件決定部は、前記所定の情報の値として、前記複数の位置におけるデータの平均値を採用することを特徴とする。
【００１２】
請求項８に記載の露光条件決定システムは、請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムであって、前記第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、前記露光条件決定部は、前記所定の情報の値として、前記複数の位置におけるデータのうち前記ショット内で露光量およびフォーカスに対してのマージンが他の点よりも小さい位置におけるデータの値を採用することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
＜実施の形態１＞
露光条件は、マスク短寸法、露光機の光学条件、露光機のレンズ特性（収差）、レジストプロセス、下地の反射率や段差等によって決定される。
【００１４】
図１は、実施の形態１に係る露光条件決定システムの構成を示す概略図である。露光条件決定システム１００は、データベース１０、露光条件決定部１５、シミュレーション部１６を備える。データベース１０には、過去に行った露光工程に関する情報が蓄積されており、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４が含まれている。各情報の詳細については後述する。
【００１５】
露光条件決定システム１００は、新たに作成された新規マスクに関する情報（新規マスク情報２０）が入力されることにより、当該新規マスクに適した露光条件（新規マスクの露光条件２１）を算出して出力する。
【００１６】
新規マスク情報２０は、新規マスクの露光条件を決定するために新たに入力される情報であり、当該新規マスクのマスク短寸法（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）、位相差、透過率、マスク形状等、新規マスクの特性に関する情報の他、新規マスクでの露光に使用する予定の露光機や使用する予定のレジストプロセスおよびそのターゲットＣＤ（露光後のレジストの仕上がり寸法の目標値）、使用する予定の光学条件を示す情報等が含まれる。光学条件とは、レンズのＮＡ（開口数）およびアパーチャ（σ：照明系のＮＡとレンズＮＡとの比）の情報である。
【００１７】
露光条件決定部１５は、データベース１０から抽出した各種情報並びに新規マスク情報２０に基づき、露光条件決定プログラムにより新規マスクに適した露光条件を決定し、その結果である新規マスクの露光条件２１を出力する。また、シミュレーション部１６は、露光条件決定部１５の指示に基づき、データベース１０から抽出した各種情報や新規マスク情報２０に基づいた光学シミュレーションや現像シミュレーションを行う。シミュレーション部１６によるシミュレーション結果は、露光条件決定部１５において新規マスクの露光条件２１の決定の際に用いられる。
【００１８】
なお、説明の便宜上、図１ではシミュレーション部１６と露光条件決定部１５とは別々に図示したが、例えば、露光条件決定部１５の露光条件決定プログラムを、光学シミュレーションや現像シミュレーションのプログラムを含むようにプログラミングし、露光条件決定部１５自体がそれらのシミュレーションを行うよう構成してもよい。
【００１９】
以下、データベース１０が有する各情報について説明する。マスク情報１１は、過去に作成されたマスクの特性に関する情報であり、マスク短寸法のターゲット値および実際のマスク短寸法、位相差、透過率（ハーフトーンマスク或いはバイナリマスク）、マスク形状、マスクのタイプ（ノーマルマスク或いはレベンソンマスク）等の情報が含まれている。
【００２０】
露光機情報１２は、各露光機毎の波長、レンズの収差等の情報である。即ち、露光機情報１２には、各露光機毎の固有差に関する情報が含まれている。レンズの収差の情報（収差情報）とは、露光機毎に固有のレンズ特性であり、レンズの不均一等により発生するレンズ内の光の強度差およびフォーカス差の分布を表すものである。
【００２１】
レジストプロセス情報１３は、過去の露光で使用されたレジストプロセスの特性に関する情報であり、レジストの種類、膜厚、溶解パラメータ、屈折率、透過率、Ｅｔｈ（開口露光量）等の情報である。
【００２２】
過去の露光条件情報１４には、過去の露光で実際に使用された露光条件（即ち、過去の露光における最適の露光条件）に関する情報である。過去の露光条件情報１４に含まれる情報として具体的には、例えば、過去の露光でのマスク、レジストプロセス、露光機の組合せ並びにそのときの最適の露光条件、およびその露光結果（例えば、露光後のレジストの仕上がり寸法）、さらに、露光条件決定の際のテスト露光から得られたＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線並びにＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線（露光量の変化、フォーカスの変化、レジストの仕上がり寸法の変化との関係を示す曲線）、同じくテスト露光から得られたマスクの寸法が変動したときのレジストの仕上がり寸法の変動割合であるＭＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｆａｃｔｏｒ； ＭＥＦ＝ΔＲｅｓｉｓｔＣＤ／ΔＭａｓｋＣＤ）等がある。ここで、露光条件には光学条件も含まれる。
【００２３】
ここで、データベース１０のマスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の各々は、１回の露光で照射される領域（ショット）内の複数の位置におけるデータで構成されていることが望ましい。一般に、露光機のレンズ収差やテレセントリック度の影響により、光強度やフォーカスはショット内の位置によって異なる。そのため、露光条件の決定はショット内の１点のみのデータを使用するのみでは適切に行うことができない。そこで、ショット内のでの光強度やフォーカスの分布を露光条件に反映できるよう、ショット内の複数の点におけるデータを用いることが望ましい。例えば、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３の各々は、図２に示すようなショット５０内の＃０１〜＃０５の５点についてのデータにより構成するとよい。なお、ショット内の５点についてのデータとすることは一例に過ぎず、より適正な露光条件の決定を行えるように、さらに多く点についてのデータにより構成されるものであってもよい。
【００２４】
なお、ショット内の複数の点におけるデータにより構成された情報を、露光条件の決定に使用する場合、その値としては複数の点のデータの平均値を採用するとよい。それにより、ショット内での特定個所における露光特性に偏ることなく露光条件を決定できる。
【００２５】
あるいは、ショット内で露光量およびフォーカスに対してのマージンが他の点よりも小さい点が予め分かっている場合は、その点のデータを採用してもよい。そのことにより、ショット内全体としての共通マージンを大きくとることができる。例えば、ライン幅が他の部分よりも狭いラインパターンの部分などはレジストサイズが細くなるために、当該マージンは小さくなる。また、収差のショット内分布とマスク短寸法のマスク内分布に基づいた光学シミュレーションを行うことにより、ショット内でのマージンが最も小さくなる点を割り出すこともできる。
【００２６】
さらに、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の各々は、マスクパターンにおける図３（ａ）のような密集パターンと、図３（ｂ）のような孤立パターンとの両方をモニタして得られたデータから構成されることが望ましい。その理由として、第１に、マスクの描画時の特性により密集パターンと孤立パターンとでは、ターゲット値からの寸法ずれの度合いや、マスク面内における寸法精度の分布が異なる場合があるためである。第２に、露光機の収差の影響も密集パターンと孤立パターンとで異なる場合があるためである。また、モニタするパターンについては、そのマスクで使用される最小パターンサイズのものが好ましい。
【００２７】
以下、本実施の形態に係る露光条件決定システムの動作について説明する。ここでは、新規マスクが使用される環境は、過去に行われた露光の環境と同じであるものと仮定する。即ち、露光機およびレジストプロセスは、過去に行われた露光と同じものが用いられる。また、新規マスクと過去に使用されたマスクとは透過率、位相差、パターンピッチ等のマスク条件は同じものとする。図４は、その場合の露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。なお、以下の説明において、過去に使用されたマスクをマスクＡ、新規マスクをマスクＢと称する。
【００２８】
まず、使用者は、露光条件決定部１５に新規マスク情報２０として、マスクＢのマスク短寸法データを入力する（ＳＴ１１）。露光条件決定部１５は、データベース１０のマスク情報１１から、マスクＢとマスク短寸法のターゲット値が同じであるマスクＡのマスク短寸法データおよび当該マスクＡが使用された際の露光条件（露光条件Ａ）を抽出する（ＳＴ１２）。さらに、過去の露光条件情報１４からマスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線、ＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線並びにＭＥＦを抽出する。このとき、マスクＢとターゲット値が同じマスクが過去に複数個ある場合（即ちマスクＡに相当するものが過去に複数個あった場合）、それらの情報の値の平均値をとったものを採用する。
【００２９】
露光条件決定部は１５は、マスクＡのマスク短寸法のターゲット値からのずれ量（ΔＣＤＡ）およびマスクＢのマスク短寸法のターゲット値からのずれ量（ΔＣＤＢ）を算出し、マスクＡとマスクＢとのマスク短寸法の差ΔＣＤＢ−Ａ＝ΔＣＤＢ−ΔＣＤＡを算出する（ＳＴ１３）。そして、ΔＣＤＢ−Ａおよび露光条件Ａ、マスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線並びにＭＥＦに基づき、マスクＢの露光条件（露光条件Ｂ）を決定する（ＳＴ１４）。
【００３０】
以下、ステップＳＴ１４における露光条件Ｂの決定の手法を説明する。ＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線は露光条件の１つであるフォーカスオフセットの設定値によって異なるので、まず、露光条件決定１５部はＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線に基づき最適なフォーカスオフセットを決定する。図５（ａ）は、過去の露光条件情報１４から抽出したマスクＡのＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線の一例である。この図から分かるように、ＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線は露光量によって異なる。
【００３１】
通常、フォーカスのずれに対するＣＤ変動が少ない程フォーカスずれに対するマージンが大きくなり安定した露光結果を得ることができるので、露光条件決定部１５は、ＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線の傾きが最も小さくなるフォーカス値をフォーカスオフセットとして決定する。例えば図５（ａ）の例では、フォーカス値＝０．０（μｍ）が最適のフォーカスオフセットである。露光条件決定部１５は、マスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線から、最適のフォーカスオフセットに対応したＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線を抽出する。
【００３２】
図５（ｂ）は、過去の露光条件情報１４から抽出したマスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線の一例である。ＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線はフォーカスオフセットの設定値によって異なるが、ここでは説明の簡単のために、最適のフォーカスオフセットに対応したＣＤ−Ｅｘｐ曲線のみを示している。同図は、ポジ型のレジストの場合の例である。ポジ型のレジストの場合、露光量（Ｅｘｐ）を増加させるに従い、レジストの寸法は小さくなる。
【００３３】
ＣＤ−Ｅｘｐ曲線は、レジストプロセス、光学条件、マスク条件（マスクの透過率、位相差、マスク短寸法、パターンピッチ等）のそれぞれが依存したグラフである。本実施の形態においてはマスクＡの使用環境（露光機並びにレジストプロセス）とマスクＢの使用環境とはレジストプロセスおよび光学条件は同じであり、且つ、マスクＡとマスクＢとでマスク条件は同じであるので、マスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線からマスクＢの最適露光量を算出することが可能である。
【００３４】
例えば、マスクＡの露光条件のフォーカスオフセットにおける最適露光量が、図５におけるＥｘｐＡであるとすると、マスクＢの最適露光量ＥｘｐＢは同図に示すように次の式で算出できる。
ＥｘｐＢ＝ＥｘｐＡ＋Ｇ×ΔＣＤＢ−Ａ×ＭＥＦ
ここで、ＧはＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線の傾きを表している。
【００３５】
このように、本発明に係る露光条件決定システムによれば、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４を有するデータベース１０を備え、露光条件決定部１５がそれらの情報を用いて新規マスクの露光条件を決定するので、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく、新規マスクの露光条件を得ることができる。
【００３６】
なお、上記の説明においてはマスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線並びにＭＥＦは、過去の露光条件情報１４から抽出されるものとして説明を行ったが、ＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線並びにＭＥＦは、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３に基づく光学シミュレーションによって理論的に算出したものを用いてもよい。
【００３７】
なお、図１においてマスク条件決定システム１００はシミュレーション手段１６を有する構成として示した。しかし、上記説明からも分かるように本実施の形態においてはシミュレーション手段１６は必ずしも必要ではない。即ち、マスク条件決定システム１００はシミュレーション手段１６を有しない構成であってもよい。
【００３８】
また、図１においてデータベース１０は、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の全てを有する構成として示した。しかし、本実施の形態においては、露光条件の決定の際にそれらの情報のうちマスク情報１１および過去の露光条件情報１４以外の情報は使用していない。即ち、データベース１０は、例えばマスク情報１１および過去の露光条件情報１４のみを保持する構成であってもよい。
【００３９】
＜実施の形態２＞
本実施の形態においては、マスクＡの使用環境とマスクＢの使用環境とでレジストプロセスは同じであるが露光機が異なる場合について説明する。図６は、その場合の露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【００４０】
使用者は、新規マスク情報として、露光条件決定部１５に露光条件を決定しようとするマスクＢのマスク短寸法データ、使用する予定の露光機（露光機Ｂ）、使用する予定の光学条件（光学条件Ｂ）、ターゲットＣＤを入力する（ＳＴ２１）。露光条件決定部１５は、データベース１０の露光機情報１２から露光機Ｂの収差情報（収差情報Ｂ）を抽出する（ＳＴ２２）。
【００４１】
さらに、データベース１０のマスク情報１１からマスクＢとマスク短寸法のターゲット値が同じであるマスクＡのマスク短寸法データを、露光機情報１２からマスクＡが使用された露光機の収差情報（収差情報Ａ）を、露光条件情報１４からマスクＡが使用された露光条件（露光条件Ａ）をそれぞれ抽出する（ＳＴ２３）。なお、露光条件Ａには最適露光量およびマスクＡが使用された光学条件（光学条件Ａ）の情報が含まれる。
【００４２】
露光条件決定部１５は、マスクＡのマスク短寸法データおよび光学条件Ａ、収差情報Ａをシミュレーション部１６に送る。シミュレーション部１６は、それらに基づく光学シミュレーションを行い、その結果として得られる光学像（光学像Ａ）を露光条件決定部１５に出力する。露光条件決定部１５は、光学像ＡからターゲットＣＤに相当する閾値（スライス値Ａ）を算出する（ＳＴ２４）。
【００４３】
続いて、露光条件決定部１５は、マスクＢの短寸法データおよび光学条件Ｂ、収差情報Ｂをシミュレーション部１６に送る。シミュレーション部１６は、それらに基づく光学シミュレーションを行い、その結果として得られる光学像（光学像Ｂ）を露光条件決定部１５に出力する。露光条件決定部１５は、光学像ＢからターゲットＣＤに相当する閾値（スライス値Ｂ）を算出する（ＳＴ２５）。
【００４４】
そして、露光条件決定部１５は、スライス値Ａおよびスライス値Ｂ、実際のマスクＡにおける最適露光量（露光条件Ａの最適露光量）ＥｘｐＡから、マスクＢの最適露光量ＥｘｐＢを算出する（ＳＴ２６）。ＥｘｐＢは以下の式により求められる。
ＥｘｐＢ＝ＥｘｐＡ×１／（１＋（ＳｌＡ−ＳｌＢ））
上式において、ＳｌＡはスライス値Ａ、ＳｌＢはスライス値Ｂである。
【００４５】
このように、本発明に係る露光条件決定システムによれば、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４を有するデータベース１０を備え、露光条件決定部１５がそれらの情報を用いて新規マスクの露光条件を決定するので、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく、新規マスクの露光条件を得ることができる。また、露光条件の決定の際には、露光機の収差情報に基づく光学シミュレーションが用いられるため、露光機毎の個体差に応じた露光条件を得ることができる。
【００４６】
また、図１においてデータベース１０は、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の全てを有する構成として示した。しかし、本実施の形態においては、露光条件の決定の際にそれらの情報のうちレジストプロセス情報１３は使用していない。即ち、データベース１０は、例えばマスク情報１１、露光機情報１２および過去の露光条件情報１４のみを保持する構成であってもよい。
【００４７】
＜実施の形態３＞
本実施の形態においては、マスクＡの使用環境とマスクＢの使用環境とでレジストプロセスおよび露光機が異なる場合について説明する。図７は、その場合の露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【００４８】
使用者は、露光条件決定部１５に露光条件を決定しようとするマスクＢのマスク短寸法データ、使用する予定の露光機（露光機Ｂ）、使用する予定の光学条件（光学条件Ｂ）、使用する予定のレジストプロセス（プロセスＢ）、ターゲットＣＤを入力する（ＳＴ３１）。露光条件決定部１５は、データベース１０の露光機情報１２から、露光機Ｂの収差情報（収差情報Ｂ）を、レジストプロセス情報１３からプロセスＢの情報を抽出する（ＳＴ３２）。
【００４９】
さらに、データベース１０のマスク情報１１からマスクＢとマスク短寸法のターゲット値が同じであるマスクＡのマスク短寸法データを、露光機情報１２からマスクＡが使用された露光機の収差情報（収差情報Ａ）を、レジストプロセス情報１３からマスクＡが使用されたレジストプロセス（プロセスＡ）の情報を、過去の露光条件情報１４からマスクＡが使用された露光条件（露光条件Ａ）をそれぞれ抽出する（ＳＴ３３）。なお、露光条件Ａには最適露光量およびマスクＡが使用された光学条件（光学条件Ａ）の情報が含まれる。
【００５０】
露光条件決定部１５は、マスクＡのマスク短寸法および光学条件Ａ、収差情報Ａ、プロセスＡの情報をシミュレーション部１６に送る。シミュレーション部１６は、それらに基づく現像シミュレーションを行い、その結果を露光条件決定部１５に出力する。ここで、現像シミュレーションとは、光学シミュレーションにレジストの溶解特性や膜厚等の情報（即ちレジストプロセスの情報）を加えて、与えるエネルギー（露光量）に応じたレジストパターンの仕上がり寸法をシミュレーションするものである。露光条件決定部１５は、現像シミュレーションの結果として得られる仕上がり寸法から、ターゲットＣＤに相当する閾値（スライス値Ａ）を求める（ＳＴ３４）。現像シミュレーションの場合、スライス値は露光量として得られる。
【００５１】
さらに、露光条件決定部１５は、マスクＢのマスク短寸法および光学条件Ｂ、収差情報Ｂ、プロセスＢの情報をシミュレーション部１６に送る。シミュレーション部１６は、それらに基づく現像シミュレーションを行い、その結果を露光条件決定部１５に出力する。露光条件決定部１５は、現像シミュレーションの結果として得られる仕上がり寸法から、ターゲットＣＤに相当する閾値（スライス値Ｂ）を求める（ＳＴ３５）。
【００５２】
そして、露光条件決定部１５は、スライス値Ａおよびスライス値Ｂ、実際のマスクＡにおける最適露光量（露光条件Ａの最適露光量）ＥｘｐＡから、マスクＢの最適露光量ＥｘｐＢを算出する。ＥｘｐＢは以下の手順により求められる。
【００５３】
まず、ステップＳＴ３４において現像シミュレーションから得られた露光量（スライス値Ａ）とＥｘｐＡとの相関係数ｋを次式で算出する（ＳＴ３６）。
ｋ＝ＥｘｐＡ／ＳｌＡ
ＳｌＡはスライス値Ａである。続いて、相関係数ｋと現像シミュレーションから得られた露光量（スライス値Ｂ）から、マスクＢにおける最適露光量ＥｘｐＢを次式で算出する（ＳＴ３７）。
ＥｘｐＢ＝ｋ×ＳｌＢ
なお、この式においてＳｌＢはスライス値Ｂである。
【００５４】
このように、本発明に係る露光条件決定システムによれば、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４を有するデータベース１０を備え、露光条件決定部１５がそれらの情報を用いて新規マスクの露光条件を決定するので、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく、新規マスクの露光条件を得ることができる。また、露光条件の決定の際には、露光機の収差情報およびレジストプロセス情報に基づく現像シミュレーションが用いられるため、露光機毎の個体差に応じた露光条件を得ることができ、また、レジストプロセスを変更したケースに対しても対応可能である。
【００５５】
なお、本発明の適用は、特定の露光技術に限定されるものではなく、例えば水銀（Ｈｇ）ランプからのｉ線やｇ線、並びに、ＫｒＦエキシマ光、ＡｒＦエキシマ光、Ｆ２光等を用いた露光技術、ＥＰＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、Ｘ線リソグラフィー、ＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）等の次世代露光技術を使用するプロセスに対しても適用可能である。
【００５６】
また、以上の実施の形態の説明において、データベース１０は、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の全てを有する構成として示した。しかし、実施の形態１〜３からも分かるように、それらの情報は必ずしも全て必要になるとは限らない。言い換えれば、データベース１０はその必要に応じて、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４のうちの少なくとも１つを有する構成であっても良い。
【００５７】
同様に、露光条件決定システム１００に入力される新規マスク情報２０の情報も、新規マスクの特性に関する情報、新規マスクでの露光に使用する予定の露光機や使用する予定のレジストプロセス、使用する予定の光学条件等の情報を必ずしも全て含む必要はない。つまり、それらの情報のうち必要に応じた少なくとも１つを有するものであってもよい。
【００５８】
【発明の効果】
請求項１に記載の露光条件決定システムによれば、過去の露光に関する第１の情報がデータベース化されているため、露光条件決定部は、過去の露光結果を反映させることで、新規に作成されたマスクに適した露光条件を、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく得ることができる。
【００５９】
請求項２に記載の露光条件決定システムによれば、請求項１に記載の露光条件決定システムにおいて、第１の情報は、第１のマスク情報、第１のレジストプロセス情報、露光条件情報、第１の露光機情報のうちの少なくとも１つを含むので、露光条件決定部は、露光機毎の個体差や、マスクおよびレジストプロセスの変更に応じた露光条件を得ることができる。
【００６０】
請求項３に記載の露光条件決定システムによれば、請求項２に記載の露光条件決定システムにおいて、第２の情報は、第２のマスク情報、第２の露光機情報、第２のレジストプロセス情報、光学条件情報のうちの少なくともいずれか１つとを含むので、露光条件決定部は、第２の露光機情報およびレジストプロセス情報に対応する第１の情報を容易に得ることができる。よって、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく、新規マスクに適した露光条件を決定することができる。
【００６１】
請求項４に記載の露光条件決定システムによれば、請求項３に記載の露光条件決定システムにおいて、露光条件決定部は、第１のマスク情報、露光条件情報および第２のマスク情報とに基づき、新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定するので、マスクの変更に応じた露光条件を得ることができる。特に、過去の露光と新規に作成されたマスクを用いる露光とで使用するレジストプロセスおよび露光機が共に同じである場合に有効である。
【００６２】
請求項５に記載の露光条件決定システムによれば、請求項３に記載の露光条件決定システムにおいて、露光条件決定部は、第１および第２のマスク情報、第１および第２の露光機情報、露光情報および光学情報に基づく光学シミュレーションの結果に基づき新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定するので、マスクおよび露光機の変更に応じた露光条件を得ることができる。特に、過去の露光と新規に作成されたマスクを用いる露光とで使用するレジストプロセスが同じ且つ使用する露光機が異なる場合に有効である。
【００６３】
請求項６に記載の露光条件決定システムによれば、請求項３に記載の露光条件決定システムにおいて、露光条件決定部は、第１および第２のマスク情報、第１および第２の露光機情報、第１および第２のレジストプロセス情報、露光情報および光学情報に基づく現像シミュレーションの結果に基づき新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定するので、マスク、露光機およびレジストプロセスの変更に応じた露光条件を得ることができる。特に、過去の露光と新規に作成されたマスクを用いる露光とで使用するレジストプロセスおよび露光機が共に異なる場合に有効である。
【００６４】
請求項７に記載の露光条件決定システムによれば、請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムにおいて、第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、露光条件決定部は、所定の情報の値として、複数の位置におけるデータの平均値を採用するので、ショット内での特定個所における露光特性に偏ることなく露光条件を決定できる。
【００６５】
請求項８に記載の露光条件決定システムによれば、請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムにおいて、第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、露光条件決定部は、所定の情報の値として、複数の位置におけるデータのうちショット内で露光量およびフォーカスに対してのマージンが他の点よりも小さい位置におけるデータの値を採用するので、ショット内全体としての共通マージンを大きくとることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る露光条件設定システムの構成を示す概略図である。
【図２】データベースに蓄積させる情報の構成を説明するための図である。
【図３】孤立パターンと密集パターンの一例を示す図である。
【図４】実施の形態１における露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【図５】ＣＤ−Ｆｏｕｃｕｓ特性曲線およびＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線の一例を示す図である。
【図６】実施の形態２における露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【図７】実施の形態３における露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【図８】新規マスクがロットの製造に使用されるまでの従来の工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０ データベース、１１ マスク情報、１２ 露光機情報、１３ レジストプロセス情報、１４ 露光条件情報、１５ 露光条件決定プログラム、１６ シミュレーション部、２０ 新規マスク情報、２１ 新規マスクの露光条件、１００ 露光条件決定システム。
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトリソグラフィー技術に関するものであり、特に、露光工程における露光条件を決定するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体装置の製造のフォトリソグラフィー技術の露光工程においては、所定のパターンが描かれたマスクが使用される。図８は、新規に作成したマスクおよびリピートマスク（以下「新規マスク」という）が実際にロットの製造に使用されるまでの従来の工程を示すフローチャートである。従来、新規マスクが作成された場合、その都度、当該新規マスクを用いる際の露光条件（最適露光量およびフォーカスオフセット）を決定する目的で、実際に露光機を用いたテスト露光が行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記テスト露光は、実際に露光機を用いて露光を行う人為的な作業であり、手間が掛かる。また各露光機間には収差等の個体差があるため、新規マスクを使用する露光機によって露光条件のチェックポイントが異なり、その作業はさらに煩雑なものとなっていた。そのため、作成したマスクを実際にロットの製造に用いるまでには、多くの労力と時間を要する結果となっていた。
【０００４】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、煩雑な露光条件の確認作業を必要とせず、露光機毎の個体差に応じた露光条件を得ることが可能な露光条件算出システムを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の露光条件決定システムは、過去の露光に関する第１の情報を蓄積したデータベースと、新規に作成されたマスクを用いる露光に関する第２の情報および前記データベースに蓄積された前記第１の情報に基づき、前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定する露光条件決定部とを備えることを特徴とする。
【０００６】
請求項２に記載の露光条件決定システムは、請求項１に記載の露光条件決定システムであって、前記第１の情報は、前記過去の露光に使用されたマスクの特性に関する第１のマスク情報と、前記過去の露光に使用されたレジストプロセスの特性に関する第１のレジストプロセス情報と、前記過去の露光に使用された露光条件に関する露光条件情報と、露光機の特性に関する第１の露光機情報とのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする。
【０００７】
請求項３に記載の露光条件決定システムは、請求項２に記載の露光条件決定システムであって、前記第２の情報は、前記新規に作成されたマスクの特性に関する第２のマスク情報と、前記新規に作成されたマスクを用いる露光で使用する予定の露光機を示す第２の露光機情報と、前記新規に作成されたマスクを用いる露光で使用する予定のレジストプロセスを示す第２のレジストプロセス情報と、前記新規に作成されたマスクを用いる露光で使用する予定の光学条件を示す光学条件情報とのうちの少なくともいずれか１つとを含むことを特徴とする。
【０００８】
請求項４に記載の露光条件決定システムは、請求項３に記載の露光条件決定システムであって、前記露光条件決定部は、前記第１のマスク情報、前記露光条件情報および前記第２のマスク情報とに基づき、前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定することを特徴とする。
【０００９】
請求項５に記載の露光条件決定システムは、請求項３に記載の露光条件決定システムであって、前記第１および第２のマスク情報、前記第１および第２の露光機情報、前記露光情報および前記光学情報に基づく光学シミュレーションを行う光学シミュレーション部をさらに備え、前記露光条件決定部は、前記光学シミュレーションの結果に基づき前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定することを特徴とする。
【００１０】
請求項６に記載の露光条件決定システムは、請求項３に記載の露光条件決定システムであって、前記第１および第２のマスク情報、前記第１および第２の露光機情報、前記第１および第２のレジストプロセス情報、前記露光情報および前記光学情報に基づく現像シミュレーションを行うシミュレーション部をさらに備え、前記露光条件決定部は、前記現像シミュレーションの結果に基づき前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定することを特徴とする。
【００１１】
請求項７に記載の露光条件決定システムは、請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムであって、前記第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、前記露光条件決定部は、前記所定の情報の値として、前記複数の位置におけるデータの平均値を採用することを特徴とする。
【００１２】
請求項８に記載の露光条件決定システムは、請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムであって、前記第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、前記露光条件決定部は、前記所定の情報の値として、前記複数の位置におけるデータのうち前記ショット内で露光量およびフォーカスに対してのマージンが他の点よりも小さい位置におけるデータの値を採用することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
＜実施の形態１＞
露光条件は、マスク短寸法、露光機の光学条件、露光機のレンズ特性（収差）、レジストプロセス、下地の反射率や段差等によって決定される。
【００１４】
図１は、実施の形態１に係る露光条件決定システムの構成を示す概略図である。露光条件決定システム１００は、データベース１０、露光条件決定部１５、シミュレーション部１６を備える。データベース１０には、過去に行った露光工程に関する情報が蓄積されており、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４が含まれている。各情報の詳細については後述する。
【００１５】
露光条件決定システム１００は、新たに作成された新規マスクに関する情報（新規マスク情報２０）が入力されることにより、当該新規マスクに適した露光条件（新規マスクの露光条件２１）を算出して出力する。
【００１６】
新規マスク情報２０は、新規マスクの露光条件を決定するために新たに入力される情報であり、当該新規マスクのマスク短寸法（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）、位相差、透過率、マスク形状等、新規マスクの特性に関する情報の他、新規マスクでの露光に使用する予定の露光機や使用する予定のレジストプロセスおよびそのターゲットＣＤ（露光後のレジストの仕上がり寸法の目標値）、使用する予定の光学条件を示す情報等が含まれる。光学条件とは、レンズのＮＡ（開口数）およびアパーチャ（σ：照明系のＮＡとレンズＮＡとの比）の情報である。
【００１７】
露光条件決定部１５は、データベース１０から抽出した各種情報並びに新規マスク情報２０に基づき、露光条件決定プログラムにより新規マスクに適した露光条件を決定し、その結果である新規マスクの露光条件２１を出力する。また、シミュレーション部１６は、露光条件決定部１５の指示に基づき、データベース１０から抽出した各種情報や新規マスク情報２０に基づいた光学シミュレーションや現像シミュレーションを行う。シミュレーション部１６によるシミュレーション結果は、露光条件決定部１５において新規マスクの露光条件２１の決定の際に用いられる。
【００１８】
なお、説明の便宜上、図１ではシミュレーション部１６と露光条件決定部１５とは別々に図示したが、例えば、露光条件決定部１５の露光条件決定プログラムを、光学シミュレーションや現像シミュレーションのプログラムを含むようにプログラミングし、露光条件決定部１５自体がそれらのシミュレーションを行うよう構成してもよい。
【００１９】
以下、データベース１０が有する各情報について説明する。マスク情報１１は、過去に作成されたマスクの特性に関する情報であり、マスク短寸法のターゲット値および実際のマスク短寸法、位相差、透過率（ハーフトーンマスク或いはバイナリマスク）、マスク形状、マスクのタイプ（ノーマルマスク或いはレベンソンマスク）等の情報が含まれている。
【００２０】
露光機情報１２は、各露光機毎の波長、レンズの収差等の情報である。即ち、露光機情報１２には、各露光機毎の固有差に関する情報が含まれている。レンズの収差の情報（収差情報）とは、露光機毎に固有のレンズ特性であり、レンズの不均一等により発生するレンズ内の光の強度差およびフォーカス差の分布を表すものである。
【００２１】
レジストプロセス情報１３は、過去の露光で使用されたレジストプロセスの特性に関する情報であり、レジストの種類、膜厚、溶解パラメータ、屈折率、透過率、Ｅｔｈ（開口露光量）等の情報である。
【００２２】
過去の露光条件情報１４には、過去の露光で実際に使用された露光条件（即ち、過去の露光における最適の露光条件）に関する情報である。過去の露光条件情報１４に含まれる情報として具体的には、例えば、過去の露光でのマスク、レジストプロセス、露光機の組合せ並びにそのときの最適の露光条件、およびその露光結果（例えば、露光後のレジストの仕上がり寸法）、さらに、露光条件決定の際のテスト露光から得られたＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線並びにＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線（露光量の変化、フォーカスの変化、レジストの仕上がり寸法の変化との関係を示す曲線）、同じくテスト露光から得られたマスクの寸法が変動したときのレジストの仕上がり寸法の変動割合であるＭＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｆａｃｔｏｒ； ＭＥＦ＝ΔＲｅｓｉｓｔＣＤ／ΔＭａｓｋＣＤ）等がある。ここで、露光条件には光学条件も含まれる。
【００２３】
ここで、データベース１０のマスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の各々は、１回の露光で照射される領域（ショット）内の複数の位置におけるデータで構成されていることが望ましい。一般に、露光機のレンズ収差やテレセントリック度の影響により、光強度やフォーカスはショット内の位置によって異なる。そのため、露光条件の決定はショット内の１点のみのデータを使用するのみでは適切に行うことができない。そこで、ショット内のでの光強度やフォーカスの分布を露光条件に反映できるよう、ショット内の複数の点におけるデータを用いることが望ましい。例えば、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３の各々は、図２に示すようなショット５０内の＃０１〜＃０５の５点についてのデータにより構成するとよい。なお、ショット内の５点についてのデータとすることは一例に過ぎず、より適正な露光条件の決定を行えるように、さらに多く点についてのデータにより構成されるものであってもよい。
【００２４】
なお、ショット内の複数の点におけるデータにより構成された情報を、露光条件の決定に使用する場合、その値としては複数の点のデータの平均値を採用するとよい。それにより、ショット内での特定個所における露光特性に偏ることなく露光条件を決定できる。
【００２５】
あるいは、ショット内で露光量およびフォーカスに対してのマージンが他の点よりも小さい点が予め分かっている場合は、その点のデータを採用してもよい。そのことにより、ショット内全体としての共通マージンを大きくとることができる。例えば、ライン幅が他の部分よりも狭いラインパターンの部分などはレジストサイズが細くなるために、当該マージンは小さくなる。また、収差のショット内分布とマスク短寸法のマスク内分布に基づいた光学シミュレーションを行うことにより、ショット内でのマージンが最も小さくなる点を割り出すこともできる。
【００２６】
さらに、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の各々は、マスクパターンにおける図３（ａ）のような密集パターンと、図３（ｂ）のような孤立パターンとの両方をモニタして得られたデータから構成されることが望ましい。その理由として、第１に、マスクの描画時の特性により密集パターンと孤立パターンとでは、ターゲット値からの寸法ずれの度合いや、マスク面内における寸法精度の分布が異なる場合があるためである。第２に、露光機の収差の影響も密集パターンと孤立パターンとで異なる場合があるためである。また、モニタするパターンについては、そのマスクで使用される最小パターンサイズのものが好ましい。
【００２７】
以下、本実施の形態に係る露光条件決定システムの動作について説明する。ここでは、新規マスクが使用される環境は、過去に行われた露光の環境と同じであるものと仮定する。即ち、露光機およびレジストプロセスは、過去に行われた露光と同じものが用いられる。また、新規マスクと過去に使用されたマスクとは透過率、位相差、パターンピッチ等のマスク条件は同じものとする。図４は、その場合の露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。なお、以下の説明において、過去に使用されたマスクをマスクＡ、新規マスクをマスクＢと称する。
【００２８】
まず、使用者は、露光条件決定部１５に新規マスク情報２０として、マスクＢのマスク短寸法データを入力する（ＳＴ１１）。露光条件決定部１５は、データベース１０のマスク情報１１から、マスクＢとマスク短寸法のターゲット値が同じであるマスクＡのマスク短寸法データおよび当該マスクＡが使用された際の露光条件（露光条件Ａ）を抽出する（ＳＴ１２）。さらに、過去の露光条件情報１４からマスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線、ＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線並びにＭＥＦを抽出する。このとき、マスクＢとターゲット値が同じマスクが過去に複数個ある場合（即ちマスクＡに相当するものが過去に複数個あった場合）、それらの情報の値の平均値をとったものを採用する。
【００２９】
露光条件決定部は１５は、マスクＡのマスク短寸法のターゲット値からのずれ量（ΔＣＤＡ）およびマスクＢのマスク短寸法のターゲット値からのずれ量（ΔＣＤＢ）を算出し、マスクＡとマスクＢとのマスク短寸法の差ΔＣＤＢ−Ａ＝ΔＣＤＢ−ΔＣＤＡを算出する（ＳＴ１３）。そして、ΔＣＤＢ−Ａおよび露光条件Ａ、マスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線並びにＭＥＦに基づき、マスクＢの露光条件（露光条件Ｂ）を決定する（ＳＴ１４）。
【００３０】
以下、ステップＳＴ１４における露光条件Ｂの決定の手法を説明する。ＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線は露光条件の１つであるフォーカスオフセットの設定値によって異なるので、まず、露光条件決定１５部はＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線に基づき最適なフォーカスオフセットを決定する。図５（ａ）は、過去の露光条件情報１４から抽出したマスクＡのＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線の一例である。この図から分かるように、ＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線は露光量によって異なる。
【００３１】
通常、フォーカスのずれに対するＣＤ変動が少ない程フォーカスずれに対するマージンが大きくなり安定した露光結果を得ることができるので、露光条件決定部１５は、ＣＤ−Ｆｏｃｕｓ特性曲線の傾きが最も小さくなるフォーカス値をフォーカスオフセットとして決定する。例えば図５（ａ）の例では、フォーカス値＝０．０（μｍ）が最適のフォーカスオフセットである。露光条件決定部１５は、マスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線から、最適のフォーカスオフセットに対応したＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線を抽出する。
【００３２】
図５（ｂ）は、過去の露光条件情報１４から抽出したマスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線の一例である。ＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線はフォーカスオフセットの設定値によって異なるが、ここでは説明の簡単のために、最適のフォーカスオフセットに対応したＣＤ−Ｅｘｐ曲線のみを示している。同図は、ポジ型のレジストの場合の例である。ポジ型のレジストの場合、露光量（Ｅｘｐ）を増加させるに従い、レジストの寸法は小さくなる。
【００３３】
ＣＤ−Ｅｘｐ曲線は、レジストプロセス、光学条件、マスク条件（マスクの透過率、位相差、マスク短寸法、パターンピッチ等）のそれぞれが依存したグラフである。本実施の形態においてはマスクＡの使用環境（露光機並びにレジストプロセス）とマスクＢの使用環境とはレジストプロセスおよび光学条件は同じであり、且つ、マスクＡとマスクＢとでマスク条件は同じであるので、マスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線からマスクＢの最適露光量を算出することが可能である。
【００３４】
例えば、マスクＡの露光条件のフォーカスオフセットにおける最適露光量が、図５におけるＥｘｐＡであるとすると、マスクＢの最適露光量ＥｘｐＢは同図に示すように次の式で算出できる。
ＥｘｐＢ＝ＥｘｐＡ＋Ｇ×ΔＣＤＢ−Ａ×ＭＥＦ
ここで、ＧはＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線の傾きを表している。
【００３５】
このように、本発明に係る露光条件決定システムによれば、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４を有するデータベース１０を備え、露光条件決定部１５がそれらの情報を用いて新規マスクの露光条件を決定するので、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく、新規マスクの露光条件を得ることができる。
【００３６】
なお、上記の説明においてはマスクＡのＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線並びにＭＥＦは、過去の露光条件情報１４から抽出されるものとして説明を行ったが、ＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線並びにＭＥＦは、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３に基づく光学シミュレーションによって理論的に算出したものを用いてもよい。
【００３７】
なお、図１においてマスク条件決定システム１００はシミュレーション手段１６を有する構成として示した。しかし、上記説明からも分かるように本実施の形態においてはシミュレーション手段１６は必ずしも必要ではない。即ち、マスク条件決定システム１００はシミュレーション手段１６を有しない構成であってもよい。
【００３８】
また、図１においてデータベース１０は、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の全てを有する構成として示した。しかし、本実施の形態においては、露光条件の決定の際にそれらの情報のうちマスク情報１１および過去の露光条件情報１４以外の情報は使用していない。即ち、データベース１０は、例えばマスク情報１１および過去の露光条件情報１４のみを保持する構成であってもよい。
【００３９】
＜実施の形態２＞
本実施の形態においては、マスクＡの使用環境とマスクＢの使用環境とでレジストプロセスは同じであるが露光機が異なる場合について説明する。図６は、その場合の露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【００４０】
使用者は、新規マスク情報として、露光条件決定部１５に露光条件を決定しようとするマスクＢのマスク短寸法データ、使用する予定の露光機（露光機Ｂ）、使用する予定の光学条件（光学条件Ｂ）、ターゲットＣＤを入力する（ＳＴ２１）。露光条件決定部１５は、データベース１０の露光機情報１２から露光機Ｂの収差情報（収差情報Ｂ）を抽出する（ＳＴ２２）。
【００４１】
さらに、データベース１０のマスク情報１１からマスクＢとマスク短寸法のターゲット値が同じであるマスクＡのマスク短寸法データを、露光機情報１２からマスクＡが使用された露光機の収差情報（収差情報Ａ）を、露光条件情報１４からマスクＡが使用された露光条件（露光条件Ａ）をそれぞれ抽出する（ＳＴ２３）。なお、露光条件Ａには最適露光量およびマスクＡが使用された光学条件（光学条件Ａ）の情報が含まれる。
【００４２】
露光条件決定部１５は、マスクＡのマスク短寸法データおよび光学条件Ａ、収差情報Ａをシミュレーション部１６に送る。シミュレーション部１６は、それらに基づく光学シミュレーションを行い、その結果として得られる光学像（光学像Ａ）を露光条件決定部１５に出力する。露光条件決定部１５は、光学像ＡからターゲットＣＤに相当する閾値（スライス値Ａ）を算出する（ＳＴ２４）。
【００４３】
続いて、露光条件決定部１５は、マスクＢの短寸法データおよび光学条件Ｂ、収差情報Ｂをシミュレーション部１６に送る。シミュレーション部１６は、それらに基づく光学シミュレーションを行い、その結果として得られる光学像（光学像Ｂ）を露光条件決定部１５に出力する。露光条件決定部１５は、光学像ＢからターゲットＣＤに相当する閾値（スライス値Ｂ）を算出する（ＳＴ２５）。
【００４４】
そして、露光条件決定部１５は、スライス値Ａおよびスライス値Ｂ、実際のマスクＡにおける最適露光量（露光条件Ａの最適露光量）ＥｘｐＡから、マスクＢの最適露光量ＥｘｐＢを算出する（ＳＴ２６）。ＥｘｐＢは以下の式により求められる。
ＥｘｐＢ＝ＥｘｐＡ×１／（１＋（ＳｌＡ−ＳｌＢ））
上式において、ＳｌＡはスライス値Ａ、ＳｌＢはスライス値Ｂである。
【００４５】
このように、本発明に係る露光条件決定システムによれば、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４を有するデータベース１０を備え、露光条件決定部１５がそれらの情報を用いて新規マスクの露光条件を決定するので、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく、新規マスクの露光条件を得ることができる。また、露光条件の決定の際には、露光機の収差情報に基づく光学シミュレーションが用いられるため、露光機毎の個体差に応じた露光条件を得ることができる。
【００４６】
また、図１においてデータベース１０は、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の全てを有する構成として示した。しかし、本実施の形態においては、露光条件の決定の際にそれらの情報のうちレジストプロセス情報１３は使用していない。即ち、データベース１０は、例えばマスク情報１１、露光機情報１２および過去の露光条件情報１４のみを保持する構成であってもよい。
【００４７】
＜実施の形態３＞
本実施の形態においては、マスクＡの使用環境とマスクＢの使用環境とでレジストプロセスおよび露光機が異なる場合について説明する。図７は、その場合の露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【００４８】
使用者は、露光条件決定部１５に露光条件を決定しようとするマスクＢのマスク短寸法データ、使用する予定の露光機（露光機Ｂ）、使用する予定の光学条件（光学条件Ｂ）、使用する予定のレジストプロセス（プロセスＢ）、ターゲットＣＤを入力する（ＳＴ３１）。露光条件決定部１５は、データベース１０の露光機情報１２から、露光機Ｂの収差情報（収差情報Ｂ）を、レジストプロセス情報１３からプロセスＢの情報を抽出する（ＳＴ３２）。
【００４９】
さらに、データベース１０のマスク情報１１からマスクＢとマスク短寸法のターゲット値が同じであるマスクＡのマスク短寸法データを、露光機情報１２からマスクＡが使用された露光機の収差情報（収差情報Ａ）を、レジストプロセス情報１３からマスクＡが使用されたレジストプロセス（プロセスＡ）の情報を、過去の露光条件情報１４からマスクＡが使用された露光条件（露光条件Ａ）をそれぞれ抽出する（ＳＴ３３）。なお、露光条件Ａには最適露光量およびマスクＡが使用された光学条件（光学条件Ａ）の情報が含まれる。
【００５０】
露光条件決定部１５は、マスクＡのマスク短寸法および光学条件Ａ、収差情報Ａ、プロセスＡの情報をシミュレーション部１６に送る。シミュレーション部１６は、それらに基づく現像シミュレーションを行い、その結果を露光条件決定部１５に出力する。ここで、現像シミュレーションとは、光学シミュレーションにレジストの溶解特性や膜厚等の情報（即ちレジストプロセスの情報）を加えて、与えるエネルギー（露光量）に応じたレジストパターンの仕上がり寸法をシミュレーションするものである。露光条件決定部１５は、現像シミュレーションの結果として得られる仕上がり寸法から、ターゲットＣＤに相当する閾値（スライス値Ａ）を求める（ＳＴ３４）。現像シミュレーションの場合、スライス値は露光量として得られる。
【００５１】
さらに、露光条件決定部１５は、マスクＢのマスク短寸法および光学条件Ｂ、収差情報Ｂ、プロセスＢの情報をシミュレーション部１６に送る。シミュレーション部１６は、それらに基づく現像シミュレーションを行い、その結果を露光条件決定部１５に出力する。露光条件決定部１５は、現像シミュレーションの結果として得られる仕上がり寸法から、ターゲットＣＤに相当する閾値（スライス値Ｂ）を求める（ＳＴ３５）。
【００５２】
そして、露光条件決定部１５は、スライス値Ａおよびスライス値Ｂ、実際のマスクＡにおける最適露光量（露光条件Ａの最適露光量）ＥｘｐＡから、マスクＢの最適露光量ＥｘｐＢを算出する。ＥｘｐＢは以下の手順により求められる。
【００５３】
まず、ステップＳＴ３４において現像シミュレーションから得られた露光量（スライス値Ａ）とＥｘｐＡとの相関係数ｋを次式で算出する（ＳＴ３６）。
ｋ＝ＥｘｐＡ／ＳｌＡ
ＳｌＡはスライス値Ａである。続いて、相関係数ｋと現像シミュレーションから得られた露光量（スライス値Ｂ）から、マスクＢにおける最適露光量ＥｘｐＢを次式で算出する（ＳＴ３７）。
ＥｘｐＢ＝ｋ×ＳｌＢ
なお、この式においてＳｌＢはスライス値Ｂである。
【００５４】
このように、本発明に係る露光条件決定システムによれば、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４を有するデータベース１０を備え、露光条件決定部１５がそれらの情報を用いて新規マスクの露光条件を決定するので、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく、新規マスクの露光条件を得ることができる。また、露光条件の決定の際には、露光機の収差情報およびレジストプロセス情報に基づく現像シミュレーションが用いられるため、露光機毎の個体差に応じた露光条件を得ることができ、また、レジストプロセスを変更したケースに対しても対応可能である。
【００５５】
なお、本発明の適用は、特定の露光技術に限定されるものではなく、例えば水銀（Ｈｇ）ランプからのｉ線やｇ線、並びに、ＫｒＦエキシマ光、ＡｒＦエキシマ光、Ｆ２光等を用いた露光技術、ＥＰＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、Ｘ線リソグラフィー、ＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）等の次世代露光技術を使用するプロセスに対しても適用可能である。
【００５６】
また、以上の実施の形態の説明において、データベース１０は、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４の全てを有する構成として示した。しかし、実施の形態１〜３からも分かるように、それらの情報は必ずしも全て必要になるとは限らない。言い換えれば、データベース１０はその必要に応じて、マスク情報１１、露光機情報１２、レジストプロセス情報１３、過去の露光条件情報１４のうちの少なくとも１つを有する構成であっても良い。
【００５７】
同様に、露光条件決定システム１００に入力される新規マスク情報２０の情報も、新規マスクの特性に関する情報、新規マスクでの露光に使用する予定の露光機や使用する予定のレジストプロセス、使用する予定の光学条件等の情報を必ずしも全て含む必要はない。つまり、それらの情報のうち必要に応じた少なくとも１つを有するものであってもよい。
【００５８】
【発明の効果】
請求項１に記載の露光条件決定システムによれば、過去の露光に関する第１の情報がデータベース化されているため、露光条件決定部は、過去の露光結果を反映させることで、新規に作成されたマスクに適した露光条件を、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく得ることができる。
【００５９】
請求項２に記載の露光条件決定システムによれば、請求項１に記載の露光条件決定システムにおいて、第１の情報は、第１のマスク情報、第１のレジストプロセス情報、露光条件情報、第１の露光機情報のうちの少なくとも１つを含むので、露光条件決定部は、露光機毎の個体差や、マスクおよびレジストプロセスの変更に応じた露光条件を得ることができる。
【００６０】
請求項３に記載の露光条件決定システムによれば、請求項２に記載の露光条件決定システムにおいて、第２の情報は、第２のマスク情報、第２の露光機情報、第２のレジストプロセス情報、光学条件情報のうちの少なくともいずれか１つとを含むので、露光条件決定部は、第２の露光機情報およびレジストプロセス情報に対応する第１の情報を容易に得ることができる。よって、煩雑な露光条件の確認作業を行うことなく、新規マスクに適した露光条件を決定することができる。
【００６１】
請求項４に記載の露光条件決定システムによれば、請求項３に記載の露光条件決定システムにおいて、露光条件決定部は、第１のマスク情報、露光条件情報および第２のマスク情報とに基づき、新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定するので、マスクの変更に応じた露光条件を得ることができる。特に、過去の露光と新規に作成されたマスクを用いる露光とで使用するレジストプロセスおよび露光機が共に同じである場合に有効である。
【００６２】
請求項５に記載の露光条件決定システムによれば、請求項３に記載の露光条件決定システムにおいて、露光条件決定部は、第１および第２のマスク情報、第１および第２の露光機情報、露光情報および光学情報に基づく光学シミュレーションの結果に基づき新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定するので、マスクおよび露光機の変更に応じた露光条件を得ることができる。特に、過去の露光と新規に作成されたマスクを用いる露光とで使用するレジストプロセスが同じ且つ使用する露光機が異なる場合に有効である。
【００６３】
請求項６に記載の露光条件決定システムによれば、請求項３に記載の露光条件決定システムにおいて、露光条件決定部は、第１および第２のマスク情報、第１および第２の露光機情報、第１および第２のレジストプロセス情報、露光情報および光学情報に基づく現像シミュレーションの結果に基づき新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定するので、マスク、露光機およびレジストプロセスの変更に応じた露光条件を得ることができる。特に、過去の露光と新規に作成されたマスクを用いる露光とで使用するレジストプロセスおよび露光機が共に異なる場合に有効である。
【００６４】
請求項７に記載の露光条件決定システムによれば、請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムにおいて、第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、露光条件決定部は、所定の情報の値として、複数の位置におけるデータの平均値を採用するので、ショット内での特定個所における露光特性に偏ることなく露光条件を決定できる。
【００６５】
請求項８に記載の露光条件決定システムによれば、請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムにおいて、第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、露光条件決定部は、所定の情報の値として、複数の位置におけるデータのうちショット内で露光量およびフォーカスに対してのマージンが他の点よりも小さい位置におけるデータの値を採用するので、ショット内全体としての共通マージンを大きくとることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る露光条件設定システムの構成を示す概略図である。
【図２】データベースに蓄積させる情報の構成を説明するための図である。
【図３】孤立パターンと密集パターンの一例を示す図である。
【図４】実施の形態１における露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【図５】ＣＤ−Ｆｏｕｃｕｓ特性曲線およびＣＤ−Ｅｘｐ特性曲線の一例を示す図である。
【図６】実施の形態２における露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【図７】実施の形態３における露光条件決定システムの動作を示すフローチャートである。
【図８】新規マスクがロットの製造に使用されるまでの従来の工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０ データベース、１１ マスク情報、１２ 露光機情報、１３ レジストプロセス情報、１４ 露光条件情報、１５ 露光条件決定プログラム、１６ シミュレーション部、２０ 新規マスク情報、２１ 新規マスクの露光条件、１００ 露光条件決定システム。
Claims (8)
- 過去の露光に関する第１の情報を蓄積したデータベースと、
新規に作成されたマスクを用いる露光に関する第２の情報および前記データベースに蓄積された前記第１の情報に基づき、前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定する露光条件決定部とを備える
ことを特徴とする露光条件決定システム。 - 請求項１に記載の露光条件決定システムであって、
前記第１の情報は、
前記過去の露光に使用されたマスクの特性に関する第１のマスク情報と、
前記過去の露光に使用されたレジストプロセスの特性に関する第１のレジストプロセス情報と、
前記過去の露光に使用された露光条件に関する露光条件情報と、
露光機の特性に関する第１の露光機情報と
のうちの少なくとも１つを含む
ことを特徴とする露光条件決定システム。 - 請求項２に記載の露光条件決定システムであって、
前記第２の情報は、
前記新規に作成されたマスクの特性に関する第２のマスク情報と、
前記新規に作成されたマスクを用いる露光で使用する予定の露光機を示す第２の露光機情報と、
前記新規に作成されたマスクを用いる露光で使用する予定のレジストプロセスを示す第２のレジストプロセス情報と、
前記新規に作成されたマスクを用いる露光で使用する予定の光学条件を示す光学条件情報と
のうちの少なくともいずれか１つとを含む
ことを特徴とする露光条件決定システム。 - 請求項３に記載の露光条件決定システムであって、
前記露光条件決定部は、前記第１のマスク情報、前記露光条件情報および前記第２のマスク情報とに基づき、前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定する
ことを特徴とする露光条件決定システム。 - 請求項３に記載の露光条件決定システムであって、
前記第１および第２のマスク情報、前記第１および第２の露光機情報、前記露光情報および前記光学情報に基づく光学シミュレーションを行う光学シミュレーション部をさらに備え、
前記露光条件決定部は、前記光学シミュレーションの結果に基づき前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定する
ことを特徴とする露光条件決定システム。 - 請求項３に記載の露光条件決定システムであって、
前記第１および第２のマスク情報、前記第１および第２の露光機情報、前記第１および第２のレジストプロセス情報、前記露光情報および前記光学情報に基づく現像シミュレーションを行うシミュレーション部をさらに備え、
前記露光条件決定部は、前記現像シミュレーションの結果に基づき前記新規に作成されたマスクに適した露光条件を決定する
ことを特徴とする露光条件決定システム。 - 請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムであって、
前記第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、
前記露光条件決定部は、前記所定の情報の値として、前記複数の位置におけるデータの平均値を採用する
ことを特徴とする露光条件決定システム。 - 請求項１から請求項６のいずれかに記載の露光条件決定システムであって、
前記第１および第２の情報に含まれる所定の情報は、露光のショット内の複数の位置におけるデータで構成されており、
前記露光条件決定部は、前記所定の情報の値として、前記複数の位置におけるデータのうち前記ショット内で露光量およびフォーカスに対してのマージンが他の点よりも小さい位置におけるデータの値を採用する
ことを特徴とする露光条件決定システム。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002203512A JP2004047755A (ja) | 2002-07-12 | 2002-07-12 | 露光条件決定システム |
| US10/318,002 US6801297B2 (en) | 2002-07-12 | 2002-12-13 | Exposure condition determination system |
| KR1020020080203A KR20040007208A (ko) | 2002-07-12 | 2002-12-16 | 노광 조건 결정 시스템 |
| TW092105079A TW200401172A (en) | 2002-07-12 | 2003-03-10 | Exposure condition determination system |
| CNA031074812A CN1467792A (zh) | 2002-07-12 | 2003-03-19 | 曝光条件确定系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002203512A JP2004047755A (ja) | 2002-07-12 | 2002-07-12 | 露光条件決定システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004047755A true JP2004047755A (ja) | 2004-02-12 |
Family
ID=29997149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002203512A Pending JP2004047755A (ja) | 2002-07-12 | 2002-07-12 | 露光条件決定システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6801297B2 (ja) |
| JP (1) | JP2004047755A (ja) |
| KR (1) | KR20040007208A (ja) |
| CN (1) | CN1467792A (ja) |
| TW (1) | TW200401172A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210814A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujitsu Ltd | 露光システム及び露光方法 |
| JP2009265659A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-12 | Brion Technologies Inc | マスクライタ調整及び最適化を巣っこする方法 |
| JP2010040968A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 露光方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータの作成方法 |
| JP2010225900A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 露光装置および電子デバイスの製造方法 |
| JP2010232458A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 露光量制御方法及び露光装置 |
| US10151972B2 (en) | 2016-12-06 | 2018-12-11 | Toshiba Memory Corporation | Manufacturing method of photomask and recording medium |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9032097B2 (en) * | 2001-04-26 | 2015-05-12 | Nokia Corporation | Data communication with remote network node |
| JP4588368B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2010-12-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 露光計測方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法 |
| US7553678B2 (en) | 2006-03-17 | 2009-06-30 | United Microelectronics Corp. | Method for detecting semiconductor manufacturing conditions |
| US7194328B1 (en) * | 2006-04-04 | 2007-03-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for tracking reticle history |
| US8050793B1 (en) | 2006-04-04 | 2011-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for linking reticle manufacturing data |
| US20080180696A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Sony Corporation | Process window for EUV lithography |
| CN101446769B (zh) * | 2007-11-27 | 2011-06-29 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 光刻图形的曝光条件选择方法 |
| CN101738874B (zh) * | 2008-11-24 | 2011-11-02 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 光刻胶显影模拟的方法 |
| JP2011040460A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Toshiba Corp | 露光装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP5835968B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2015-12-24 | キヤノン株式会社 | 決定方法、プログラム及び露光方法 |
| US8810785B2 (en) * | 2011-08-26 | 2014-08-19 | United Microelectronics Corp. | Mask inspecting method |
| CN103186051B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-05-13 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光刻中曝光条件设置方法 |
| CN103186052B (zh) * | 2011-12-28 | 2015-04-22 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种光刻参数优化方法 |
| CN109188867A (zh) | 2018-09-11 | 2019-01-11 | 惠科股份有限公司 | 曝光补偿表的生成方法、光阻曝光补偿的方法及曝光机台 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3551660B2 (ja) | 1996-10-29 | 2004-08-11 | ソニー株式会社 | 露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光方法 |
| JP2000091196A (ja) | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| TW407291B (en) | 1998-11-06 | 2000-10-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | The simulation of the post-exposure bake process of the chemically amplified resist |
| JP2001338865A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Nec Corp | 半導体露光方法及び半導体製造装置 |
| JP2001358060A (ja) | 2000-06-16 | 2001-12-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4198877B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2008-12-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP4022374B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2007-12-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体デバイスの製造方法およびそのシステム |
| JP2002334826A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Canon Inc | 露光方法、面位置合わせ方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6674516B2 (en) * | 2002-02-20 | 2004-01-06 | International Business Machines Corporation | Method of photolithographic exposure dose control as a function of resist sensitivity |
-
2002
- 2002-07-12 JP JP2002203512A patent/JP2004047755A/ja active Pending
- 2002-12-13 US US10/318,002 patent/US6801297B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-16 KR KR1020020080203A patent/KR20040007208A/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-03-10 TW TW092105079A patent/TW200401172A/zh unknown
- 2003-03-19 CN CNA031074812A patent/CN1467792A/zh active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210814A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujitsu Ltd | 露光システム及び露光方法 |
| JP2009265659A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-12 | Brion Technologies Inc | マスクライタ調整及び最適化を巣っこする方法 |
| US8056028B2 (en) | 2008-04-14 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Method of performing mask-writer tuning and optimization |
| JP2010040968A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 露光方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータの作成方法 |
| JP4703693B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2011-06-15 | 株式会社東芝 | 露光方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータの作成方法 |
| US8142960B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure method, mask data producing method, and semiconductor device manufacturing method |
| JP2010225900A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 露光装置および電子デバイスの製造方法 |
| JP2010232458A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 露光量制御方法及び露光装置 |
| US10151972B2 (en) | 2016-12-06 | 2018-12-11 | Toshiba Memory Corporation | Manufacturing method of photomask and recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6801297B2 (en) | 2004-10-05 |
| US20040008329A1 (en) | 2004-01-15 |
| CN1467792A (zh) | 2004-01-14 |
| TW200401172A (en) | 2004-01-16 |
| KR20040007208A (ko) | 2004-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004047755A (ja) | 露光条件決定システム | |
| JP5960953B2 (ja) | 単一のプロセスウィンドウモデルを生成するためのシステム | |
| CN101042526B (zh) | 掩膜数据的修正方法、光掩膜和光学像的预测方法 | |
| JP4700672B2 (ja) | ライン幅粗さおよびレジストパターン不良を予測する方法、プログラム、および装置、ならびにそのリソグラフィシミュレーションプロセスでの使用 | |
| US7327436B2 (en) | Method for evaluating a local flare, correction method for a mask pattern, manufacturing method for a semiconductor device and a computer program product | |
| JP4528580B2 (ja) | 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
| KR100714480B1 (ko) | 포토마스크의 테스트 패턴 이미지로부터 인쇄된 테스트피쳐들을 이용하는 포토리소그래피 공정에 있어서 초점변화를 측정하는 시스템 및 방법 | |
| EP1473596A2 (en) | Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations | |
| US20040156029A1 (en) | Method for optimizing an illumination source using full resist simulation and process window response metric | |
| KR100700367B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
| TWI467344B (zh) | 決定曝光參數的方法，曝光方法，製造元件的方法及記錄媒體 | |
| JP2007158328A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| TW201142488A (en) | Pattern selection for full-chip source and mask optimization | |
| JP2011193022A (ja) | モデルベーススキャナ調整を実行する方法 | |
| KR20060109307A (ko) | 향상된 포토리소그래피 공정 윈도우를 제공하는 포토마스크구조 및 그 제조 방법 | |
| TWI240307B (en) | Correction method and verification method for pattern size using OPC, mask and semiconductor device made by using the correction method, and system and recording medium executing the correction method | |
| TW200408913A (en) | Photomask designing method, pattern predicting method and computer program product | |
| US20060256311A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| Mack et al. | Lithography performance of contact holes: II. Simulation of the effects of reticle corner rounding on wafer print performance | |
| Martin et al. | Exploring new high speed mask aware RET verification flows | |
| JP2006032960A (ja) | 複雑な発光体形状を模擬するための強度平衡露光 | |
| KR20040021594A (ko) | 오버레이 조절 방법 | |
| JP2008263143A (ja) | 露光装置の光源評価方法、露光装置の照明形状設計方法、及び露光装置の照明形状最適化ソフトウェア | |
| JP2007150354A (ja) | パターン予測方法およびプログラム | |
| Lee et al. | Virtual OPC at hyper NA lithography |