JP2011193022A - モデルベーススキャナ調整を実行する方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 133
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 108
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 14
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 4
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
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Abstract
【解決手段】該方法は、テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、基準リソグラフィシステムを使用してテストパターンを結像し、結像結果を測定するステップと、第1のリソグラフィシステムを使用してテストパターンを結像し、結像結果を測定するステップと、基準リソグラフィシステムに対応する結像結果を使用して結像モデルを較正するステップと、第1のリソグラフィシステムに対応する結像結果を使用して、較正された結像モデルを調整するステップと、第1のセットのパラメータ値と第2のセットのパラメータ値との差に基づいて第1のリソグラフィシステムのパラメータを調節するステップとを含む。
【選択図】図1
Description
・プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの例は、粘弾性制御層および反射性表面を有するマトリクスアドレス可能表面である。このような装置の基本的原理は、(例えば)反射性表面のアドレス指定された区域は、入射光を回折光として反射し、アドレス指定されない区域は入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用すると、上記非回折光を反射ビームから除去し、回折光のみを残すことができる。この方法で、ビームは、マトリクスアドレス可能表面のアドレス指定パターンに従ってパターンが与えられる。必要なマトリクスアドレス指定は、適切な電子手段を使用して実行することができる。このようなミラーアレイに関してもっと知りたい場合には、例えば、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許US5,296,891号およびUS5,523,193号をご覧頂きたい。
・プログラマブルLCDアレイ。このような構造の例が、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許US5,229,872号にある。
[35] Pi=Pi(公称値)+MP_R−MP_Ri
[36] ここで、Pi(公称値)は、初期ウェーハデータWD_iの生成に使用される公称パラメータに対応し、MP_Rは基準スキャナについて較正されたモデルのパラメータに対応し、MP_Riはスキャナ(i)について較正されたモデルのパラメータに対応する。次に、この結果のパラメータPiを使用して、対応するスキャナ(i)を調整する。
WD_CT=WD_C+(WD_T−WD_M)
−放射の投影ビームPBを供給し、この特定のケースでは、放射源LAも備える放射システムEx、ILと、
−マスクMA(例えば、レチクル)を保持するマスクホルダが設けられ、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めする第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクトテーブル(マスクテーブル)MTと、
−基板W(例えば、レジストコートシリコンウェーハ)を保持する基板ホルダが設けられ、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクトテーブル(基板テーブル)WTと、
−マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば、1つまたは複数のダイを備える)に結像する投影システム(「レンズ」)PL(例えば、屈折性、反射性または反射屈折性光学システム)とを備える。
−ステップモードでは、マスクテーブルMTは実質的に静止状態に維持され、マスク像全体が1回(すなわち1回の「フラッシュ」)でターゲット部分Cに投影される。次に、ビームPBで異なるターゲット部分Cを照射できるように、基板テーブルWTをx及び/又はy方向にシフトする。
−スキャンモードでは、実質的に同じシナリオが当てはまるが、所与のターゲット部分Cが1回の「フラッシュ」で露光されない。代わりに、マスクテーブルMTは、投影ビームPBがマスク像をスキャンするように、所与の方向(いわゆる「スキャン方向」、例えば、y方向)に速度yで移動可能であり、同時に、基板テーブルWTが、同じ方向または反対方向に速度V=Mvで同時に移動し、ここでMはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4または1/5)。この方法で、解像度を損なわずに比較的大きいターゲット部分Cを露光することができる。
Claims (25)
- 基準リソグラフィシステムを使用して第1のリソグラフィシステムを調整する方法であって、前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、
テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記結像モデルを較正するステップであって、前記較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記較正された結像モデルを調整するステップであって、前記調整および較正されたモデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記第1のリソグラフィシステムの前記パラメータを調節するステップとを含む方法。 - 前記第1のリソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記第1のリソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 結像モデルを使用してリソグラフィシステムを調整する方法であって、前記リソグラフィシステムおよび前記結像モデルがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、
テストパターンを画定するステップと、
前記リソグラフィシステムを使用してテストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップであって、前記リソグラフィシステムは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記結像モデルを調整するステップであって、前記調整された結像モデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記リソグラフィシステムの前記第1のセットのパラメータを調節するステップとを含む方法。 - 前記リソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記結像モデルが、固定パラメータをさらに備える、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記結像モデルの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- ターゲットパターンを使用してリソグラフィシステムを調整する方法であって、前記リソグラフィシステムが結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、
結像モデルを画定するステップと、
前記リソグラフィシステムを使用して前記ターゲットパターンを結像し、結像結果を測定するステップと、
前記結像モデルを使用して前記ターゲットパターンの結像をシミュレートし、シミュレートした結像結果を判定するステップであって、前記結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記シミュレートした結像結果、および前記結像結果と前記ターゲットパターンとの差に基づいてターゲットウェーハデータを判定するステップと、
前記ターゲットウェーハデータを使用して前記結像モデルを調整するステップであって、前記調整された結像モデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータを調節するステップとを含む方法。 - 前記リソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項11に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項11に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記結像モデルの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項11に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記リソグラフィシステムおよび前記結像モデルの前記調整可能なパラメータが、最初に公称値に設定される、請求項11に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 基準リソグラフィシステムを使用して第1のリソグラフィシステムを調整する方法をコンピュータに実行させる命令のシーケンスを含むコンピュータ読取可能媒体であって、前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、前記方法が、
テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記結像モデルを較正するステップであって、前記較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記較正された結像モデルを調整するステップであって、前記調整された較正モデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記第1のリソグラフィシステムの前記パラメータを調節するステップとを含む、コンピュータ読取可能媒体。 - 前記第1のリソグラフィシステムがスキャナを備える、請求項16に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項16に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記第1のリソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項16に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項16に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 基準リソグラフィシステムを使用して第1のリソグラフィシステムを調整する方法を実行するように構成されたプロセッサを有する装置であって、前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、前記方法が、
テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像して、前記結像結果を測定するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して前記結像モデルを較正するステップであって、前記較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して前記較正された結像モデルを調整するステップであって、前記調整および較正されたモデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記第1のリソグラフィシステムの前記パラメータを調節するステップとを含む、装置。 - 前記第1のリソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項21に記載の装置。
- 前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項21に記載の装置。
- 前記第1のリソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項21に記載の装置。
- 前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項21に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/892,407 US7999920B2 (en) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | Method of performing model-based scanner tuning |
US11/892,407 | 2007-08-22 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008209112A Division JP4890517B2 (ja) | 2007-08-22 | 2008-08-15 | モデルベーススキャナ調整を実行する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011193022A true JP2011193022A (ja) | 2011-09-29 |
JP5461477B2 JP5461477B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=40088994
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008209112A Active JP4890517B2 (ja) | 2007-08-22 | 2008-08-15 | モデルベーススキャナ調整を実行する方法 |
JP2011123321A Active JP5461477B2 (ja) | 2007-08-22 | 2011-06-01 | モデルベーススキャナ調整を実行する方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008209112A Active JP4890517B2 (ja) | 2007-08-22 | 2008-08-15 | モデルベーススキャナ調整を実行する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7999920B2 (ja) |
EP (1) | EP2028546B1 (ja) |
JP (2) | JP4890517B2 (ja) |
KR (1) | KR100961686B1 (ja) |
CN (2) | CN102063022B (ja) |
SG (2) | SG195649A1 (ja) |
TW (3) | TWI446116B (ja) |
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- 2008-08-12 EP EP08252671A patent/EP2028546B1/en active Active
- 2008-08-15 SG SG2013082193A patent/SG195649A1/en unknown
- 2008-08-15 JP JP2008209112A patent/JP4890517B2/ja active Active
- 2008-08-15 SG SG200806059-2A patent/SG150471A1/en unknown
- 2008-08-21 KR KR1020080082042A patent/KR100961686B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-22 CN CN201110009511.6A patent/CN102063022B/zh active Active
- 2008-08-22 TW TW097132224A patent/TWI446116B/zh active
- 2008-08-22 TW TW104125141A patent/TWI570523B/zh active
- 2008-08-22 TW TW102102113A patent/TWI507827B/zh active
- 2008-08-22 CN CN2008102136000A patent/CN101373338B/zh active Active
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- 2011-06-01 JP JP2011123321A patent/JP5461477B2/ja active Active
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-
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- 2015-10-09 US US14/880,018 patent/US9921485B2/en active Active
-
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- 2018-02-09 US US15/893,305 patent/US10795266B2/en active Active
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TW201319765A (zh) | 2013-05-16 |
TW200919113A (en) | 2009-05-01 |
KR20090020508A (ko) | 2009-02-26 |
JP5461477B2 (ja) | 2014-04-02 |
TWI507827B (zh) | 2015-11-11 |
TWI446116B (zh) | 2014-07-21 |
EP2028546A3 (en) | 2009-12-09 |
US20090053628A1 (en) | 2009-02-26 |
SG150471A1 (en) | 2009-03-30 |
US7999920B2 (en) | 2011-08-16 |
US9158208B2 (en) | 2015-10-13 |
JP2009049412A (ja) | 2009-03-05 |
CN102063022A (zh) | 2011-05-18 |
CN102063022B (zh) | 2014-06-25 |
US20210018844A1 (en) | 2021-01-21 |
JP4890517B2 (ja) | 2012-03-07 |
CN101373338A (zh) | 2009-02-25 |
KR100961686B1 (ko) | 2010-06-09 |
EP2028546A2 (en) | 2009-02-25 |
TW201619717A (zh) | 2016-06-01 |
US11372337B2 (en) | 2022-06-28 |
US20160033872A1 (en) | 2016-02-04 |
CN101373338B (zh) | 2011-03-23 |
US20180231896A1 (en) | 2018-08-16 |
US9921485B2 (en) | 2018-03-20 |
EP2028546B1 (en) | 2012-10-03 |
US20110267597A1 (en) | 2011-11-03 |
US10795266B2 (en) | 2020-10-06 |
TWI570523B (zh) | 2017-02-11 |
SG195649A1 (en) | 2013-12-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |