TWI467344B - 決定曝光參數的方法，曝光方法，製造元件的方法及記錄媒體 - Google Patents

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Description

決定曝光參數的方法，曝光方法，製造元件的方法及記錄媒體
本發明係有關於一種決定一曝光參數的方法，一種曝光設備，一種記錄媒體其儲存用來決定曝光參數的電腦程式，一種曝光方法及一種製造元件的方法。
在半導體製造微影術中，預定的圖案化藉由使用一標線片來實施。為了擴大製造容量，最近經常會引進一曝光設備。
最新以引進的曝光設備的型式可以是與傳統的曝光設備相同亦可以是不同的。當一種新的曝光設備被引進時，就會需要一個操作來讓該曝光設備能夠使用傳統的標線片在一基材上形成與傳統的圖案相同的圖案。此操作通常被稱為圖案匹配(pattern matching)操作。
對於該基材上之圖案形狀具有最大影響的曝光參數為該標線片的照明條件及數值孔徑(NA)及該投影光學系統的像差。首先，用於新的曝光設備的這些曝光參數被設定為與用於傳統的曝光設備的曝光參數相同。然而，如果新與舊的曝光設備為不同的種類的話，則它們之間代表照明條件的清晰度(definition)就會不同。在此情形中，即使是使用了相同的數值代表，亦無法獲得相同的照明條件，因而無法獲得相同的圖案。同樣的情形亦發生在NA上，但在這方面，新與舊曝光設備之間在清晰度上的差異 太小因而不會造成實際上的問題。像差亦會影響圖案形狀，但一先進的曝光設備具有很小的像差，因此它對於圖案的影響可被忽略。因此，雖然一般的作法是藉由調整照明條件來達到圖案匹配的目的，但獲得高匹配精確度並不容易。
傳統的圖案匹配方法將於下文中描述。照明條件，曝光量，及散焦量(典型地，一最佳焦點位置)被明確說明，且在該基材上之標線片圖案的輪廓被計算。在多個圖案匹配位置之目標值與計算值之間的RMS(均方根)值或最大值之間的差異被設定為一指標值。圖3顯示此方法的一個例子。目標值，計算值，及多個圖案匹配位置係分別用點線，實線及長、短破折線來表示。
接下來，照明條件在維持相同的曝光量及散焦量稍微加以改變，且獲得一指標值。藉由在一空間中重復此程序來設定該照明條件，且可獲得一可讓該指標值為最小的照明條件。
傳統的圖案匹配方法只要曝光量及散焦量不會波動就可確保高度的圖案匹配精確度。然而，因為曝光參數是在一有限的曝光量及散焦量下被最佳化，用此方式獲得的照明條件可能會讓曝光量及散焦量的自由程度不足。
本發明提供一種決定一曝光參數的數值的方法，該曝光參數的數值適合一使用多個具有不同特徵結構 (feature)之圖案的曝光設備。
本發明亦提供一種決定一曝光參數的數值的方法，該曝光參數的數值較不受曝光量及/或散焦量的波動的影響。
依據本發明的第一態樣，一種在有多種形成在一標線片上的圖案藉由曝光被轉移至一基材上時用來決定一曝光參數的數值的方法被提供，該方法包含的步驟為：為一曝光參數的多個數值及一曝光量與一散焦量(defocus amount)的至少一者的多個數值的每一種組合計算出一光學影像，該光學影像係在照明一物件平面上的圖案時被形成在一影像平面上；為該曝光參數的多個數值的每一者計算出在該等多種圖案的每一種圖案中一介於一目標光學影像的輪廓與該光學影像之在前述計算步驟中算出來的輪廓之間的偏差；並決定出該曝光參數的一個數值作為在曝光該基材時的曝光參數的數值，在該曝光參數的數值下，該等多種圖案之間的光學影像的輪廓的偏差的最大值是最小的。
依據本發明的第二態樣，一種用來儲存一電腦程式的記錄媒體被提供，該電腦程式係用來促使一電腦在多種形成在一標線片上的圖案藉由曝光被轉移至一基材上時決定出一曝光參數的數值，該程式包含的步驟為：為一曝光參數的多個數值及一曝光量與一散焦量的至少一者的多個數值的每一種組合計算出一光學影像，該光學影像係在照明一物件平面上的圖案時被形成在一影像平面上；為該曝光 參數的多個數值的每一者計算出在該等多種圖案的每一種圖案中一介於一目標光學影像的輪廓與該光學影像之在前述計算步驟中算出來的輪廓之間的偏差；並決定出該曝光參數的一個數值作為在曝光該基材時的曝光參數的數值，在該曝光參數的數值下，該等多種圖案之間的光學影像的輪廓的偏差的最大值是最小的。
依據本發明的第三態樣，一種用來在一標線片的圖案藉由曝光被轉移至一基材上時決定一曝光參數的數值的方法被提供，該方法包含的步驟為：為一曝光參數的多個數值及一曝光量與一散焦量的至少一者的多個數值的每一種組合計算出一光學影像，該光學影像係在照明一物件平面上的圖案時被形成在一影像平面上；為該曝光參數的多個數值的每一者獲得該曝光量與該散焦量的至少一者的該等數值的一個範圍，在該範圍內，一介於一目標光學影像的輪廓與該光學影像之在前述計算步驟中算出來的輪廓之間的偏差不會大於一容許值；及根據為該曝光參數的多個數值的每一者而獲得的範圍來決定出該曝光參數的一最終數值。
根據本發明的第一及第二態樣，可決定出一適用於一使用具有不同特徵結構的圖案的曝光設備的曝光參數的數值。
根據本發明的第三態樣，可提供一種決定一曝光參數的數值的方法，其較不受曝光量及/或散焦量波動的影響。
本發明的其它特徵從下面參考附圖的示範性實施例的描述中將會變得很明顯。
<第一實施例>
使用於第一實施例中之曝光設備包括一光源(如，一雷射)24，一照明系統25，一標線片桌台27其固持一標線片26，一投影光學系統28，及一基材桌台30其固持一基材29，如圖22所示。該標線片26被設置在該投影光學系統28的物件平面上，而該基材29被設置在該投影光學系統28的影像平面上。
圖2為一流程圖其顯示依據第一實施例的圖案匹配方法。在此實施例中，當曝光該基材29為該照明條件時一曝光參數可為了該曝光設備而被設定。此外，會影響基材29的曝光結果的數值表示目標因子(factor)為曝光量與散焦量。當該照明條件，該曝光量，及該散焦量被界定時，該測試標線片26被設置在該投影光學系統28的物件平面上，以計算出一在照明該標線片26時形成在該基材29上的測試圖案輪廓。此處理為獲得形成在該投影光學系統28的影像平面上的光學影像的獲得處理。該數值孔徑(NA)與該投影光學系統28的像差亦可被用作為曝光參數。
在多個圖案匹配位置處介於被形成於該影像平面上的圖案之計算出來的數值與目標光學影像的輪廓(目標值) 之間的差異的RMS值及最大值被獲得。該曝光量及該散焦量的至少一者被改變，同時將該照明條件保持相同用以獲得該曝光量及/或該散焦量的範圍，在該範圍內，該RMS值或該最大值等於或小於一容許值。此範圍在圖1中以影線區域來表示。在此例子中，該曝光量及該散焦量兩者都被改變。此處理為計算因子數值範圍的計算處理，在該範圍內，一介於將被形成在該影像平面上的目標光學影像的輪廓與被獲得的光學影像的輪廓之間的偏差等於或小於一容許值。
該曝光量與該散焦量的改變量範圍的總面積，在此範圍內一被內切(inscribed)的矩形的面積，橫座標變量(在一最佳曝光量時之散焦量的範圍)，及縱座標變量(在最佳焦點位置時的曝光量範圍)中的至少一者被獲得且被獲得數值被設定為一指標值。為了下文中方便說明起見，該指標值將被稱為一匹配窗口。
該照明條件被稍微改變，且一指標被獲得。藉由此處理，上述的獲得處理已針對該曝光參數的多個數值及該等因子的多個數值來實施。計算因子數值的上述計算處理亦已針對該曝光參數的多個數值來實施。
藉由在此空間內重復此程序以設定照明條件，可獲得一照明條件，在此照明條件下該指標值為最大。此處理為根據該等因子數值範圍來決定用於該曝光設備之該等因子數值範圍的數值的決定處理。一基因演算法，一Monte Carlo方法，或類此者可被使用在照明條件的設定上。
圖案匹配方法的細節將於下文中加以描述。用於圖案匹配的圖案資訊從包括此圖案資訊圖形檔處被獲得(例如GDS格式的圖形檔)。一個圖形檔可包括多個圖形的所有圖形。或者，可藉由每個檔案儲存一些圖形來載入多個檔案。因為計算時間與計算面積的平方成正比，所以後者的方式需要的計算時間較短。
曝光量是用在一實驗中每單位面積的能量來表示，它係藉由在一模擬中形成在該影像平面上的光學影像的強度來表示。一光學影像的強度係假設標準強度為1且取0到1的值來加以常態化。光學影像在一個它被分割成一定數值的位置處的尺寸被定為該圖案的尺寸。圖4顯示此機制。在該基材29上的標線片26的圖案輪廓可藉由二維度地實施此操作來獲得。
為了將照明條件最佳化，必需指定曝光量的數值，亦即，在一圖案上每一部分的最終尺寸，因為最佳化結果變化與它有關。在此例子中該圖案為一最佳化目標圖案或一參考圖案，譬如像是一直線&空間(L/S)圖案。
為了要偵測此照明條件，有一種將整個照明區域分割並改變在每一分割點的強度藉以實施該偵測的方法(圖5)，及一種當照明形狀被限制在環形照明時改變可數位地表示之因子(譬如，內及外相干因子，σ)的數值，藉以實施該偵測(圖6)。
雖然在上述的方法中一光學影像被用來計算在該基材29上的圖案的輪廓，但在圖案匹配時必需要計算出一光 阻影像因為該光阻影像與該光學影像通常彼此不相同。一光阻影像可使用一種藉由實體上精確的計算來算出一光阻影像的方式，或是一種從該光阻影像之被計算出來的數值與該光學影像之被計算出來的數值之間的關連性來計算光阻影像的方式來加以計算出來。前者的方式的缺點為需要很長的計算時間，所以可以高速計算且具有稍後將被描述的特徵之後者的方式被使用於此實施例中。
計算一光阻影像的方法將於本文中加以說明。首先，數種用來取得圖7所示的模型的測試圖案被選取作為待轉移及測量的圖案。該等測試圖案被包括在該測試標線片26中。雖然只有數種測試圖案被使用，它們每一者都具有數十至數百個線寬，空間寬度，及線端寬度。在這些測試圖案上的重要點處，由它們的光學影像計算出影像對數斜率(ILS)及曲率。
ILS被界定為：ILS=d ln(I)/dx其中I為光線強度及x為位置。
曲率係藉由將輪廓分割成小曲線，將這些小曲線套用在圓的一部分上，將這些圓的半徑定為曲率來加以計算的。圖8及9分別顯示ILS及曲率的詳細例子。
在每一重要的點處，一介於一光學影像之計算出來的數值與一形成在一施用在該基材29上的光敏劑上的光阻 影像之測得的數值之間的差異δ被表示為：δ=a*曲率+b*ILS+c其中a，b，及c為常數。
這些數值被套用在所有的評估點上用以決定常數a，b，及c。界定測得的數值與計算出來的數值之間的關係的此一關係的建構一般被稱為模型建構。當此模型被決定之後，上述的差異可藉由計算在該圖案上的任意位置點的光學影像的LS及曲率來決定，且被用來取代該光學影像的一光阻影像的圖案尺寸可被計算出來。
雖然一示範性光阻影像計算方式已在上文中加以描述，但在計算一光阻影像之被測量的數值的關連性時，該照明條件受到侷限，因為該光阻影像的圖案的轉移及測量需要很多時間。然而，在此實施例中，即使是在一個照明條件不同於產生一模型來偵測最佳的照明條件的照明條件下，該模型必需是有效的。為了要符合此需要，此實施例使用下面的技術來產生模型。當介於一光阻影像的測量值與一光學影像的計算值之間的關係被界定之後，即存在有各種的物理量，它們代表該光學影像的特徵，譬如在靠近該評估點的最亮及最暗位置的光線強度或它們的比率。然而，各種評估的結果證明了ILS及曲率可被用來建構一對應於各式各樣的照明條件之一般用途的模型。圖10及11顯示ILS及曲率的多樣性。應注意的是，一個針對三個模 型取得圖案在七個曝光條件下的實驗被實施，用以根據實驗#1的結果來建構一個模型，其使用該ILS與該曲率作為變數。由其它曝光參數獲得的結果被標畫(plot)在該模型等式上。幾乎在這些結果上的所有數據都落在一個由ILS與該曲率所界定的平面上，透露出該模型對於各種曝光參數而言都是有效的。
雖然在本文中ILS被用作為該光學影像的指標，由ILS導出來的NILS(常態化的ILS)亦可被使用且被界定為：NILS=CD(d ln(I)/dx)其中I為光線強度，x為位置及CD為目標尺寸。
雖然該曝光量及散焦量的自由度在上述的說明中被列入考量，但只有該散焦量的自由度可被列入考量因為散焦量通常具有一比該曝光量的自由度小很多的自由度(圖12)。當然，亦可以只將該曝光量的自由度列入考量。為了方便在下文中說明起見，此自由度將被稱為匹配DOF。獲得匹配DOF的一個例子將於本文中說明。
圖13顯示一將配匹配的測試圖案。在此例子中，一L/S圖案被用來取代一元件圖案。六種此類圖案被用來將照明條件最佳化使得各圖案的中央線寬變為目標值。該等目標值被列在圖13的表中。該等曝光條件包括193奈米的波長，6%半色調標線片，及非偏極性，且該曝光參數 的最佳答案為環形照明。圖表1顯示用傳統方法獲得的結果。圖表1透露出當用5個最佳化試驗來設定外σ=0.915及內σ=0.889時可獲得偏差RMS值=3.16奈米。相反地，圖表2顯示在此實施例中將DOF列入考量所獲得的結果。圖表2透露出當用3個最佳化試驗來設定外σ=0.68及內σ=0.637時可獲得一匹配DOF=173奈米(偏差RMS值的容許值為5奈米)。
圖14顯示傳統匹配方法所得到的結果vs.依據此實實施例的匹配方法所得到的結果。圖14顯示出在每一個散焦量下的偏差RMS值。在圖14中，點線代表在用傳統的 匹配方法計算出來的照明條件下獲得的結果，而實線代表的是在使用依據此實施例的匹配方法計算出來的照明條件下獲得的結果。雖然存在著正及負散焦方向，但匹配精確度只依據在正方向上的散焦量來評估。如果該偏差RMS值的門檻值被假設為是5奈米的話，則在先前技術中散焦容許範圍達到50奈米，而在此實施例中則高達90奈米。
亦即，在傳統的匹配方法中，匹配精確度在最佳焦點位置時是很高，但在散焦時就會迅速地變差。相反地，依據此實施例的匹配方法具有一個特徵，即雖然匹配精確度比在最佳焦點位置差一些，但一小於該RMS標準的上限的散焦範圍很大。因為實際應用至一元件圖案上時，該RMS值的上限落在一元件特徵結構的補償範圍內，所以依據此實施例的匹配方法可形成具有較高精確度的元件圖案，進而改善元件製造的良率。
圖20為一方塊圖其顯示一模擬器的例子，該模擬器計算一光學影像及一光阻影像用以決定最佳曝光條件。該模擬器可藉由安裝一能夠促使一電腦執行相關處理的電腦程式來架構。該程式可包括程式碼(指令)其會造成該電腦執行一獲得步驟，一計算步驟，及一決定步驟，它們分別對應於獲得一光學影像的處理，計算因子數值範圍的處理及決定一曝光參數的數值的處理。該電腦包括，例如，一CPU，一記憶體(如，DRAM或硬碟機)，一輸入單元(如，鍵盤，通信界面，或媒體讀取器)，及一輸出單元(如，顯示器，記憶體，或通信界面)。該電腦程式可透 過輸入單元被載入到該電腦中且以一預定的格式被寫入到記憶體中。可使用此模擬器來建構一種可界定出介於一光學影像之測得的數值與一光學影像之計算出來數值之間的關係的模型，用以藉由使用此建構出來的模型計算並獲得一光學影像。
圖案匹配可只對一個圖案實施或對多個圖案實施。在一例子中，多個重要的圖案從一記憶體單元，一陣列電路，及一記憶體元件的周邊電路中被選取(圖15)。
圖16及17顯示將依據此實施例的匹配方法應用到三種圖案上所獲得的結果。連接符號△，○及◇的線分別對應圖案1，2及3。在圖16所示的例子中，一共用的偏差容許值被設定給這三個圖案。在另一方面，在圖17所示的實施例中，個別的偏差容許值被設定給這三個圖案。
在一個透過投影光學系統28曝照一基材29來將一標線片26的圖案轉移至基材29上的曝光方法中，使用依據此實施例的決定方法所決定出來的曝光參數的數值被設定給一曝光設備。基材29使用具有此曝光參數設定值之曝光設備來加以曝光。
<第二實施例>
當圖案匹配係針對多個圖案來實施時，傳統上係使用的是一種將所有圖案上的所有評估位置的尺寸誤差集合成一組並將根據該組所獲得的指標值最佳化的方法。當只注意一特定的圖案時，此傳統方法對所有圖案所獲得的最佳 指標值通常很差。圖表3顯示此情況的一個例子。一匹配誤差在本文中為一偏差量[奈米]。在此例子中，整體的偏差RMS值為1.48奈米，這對於一偏差容許值為2奈米而言是很好的值。然而，在陣列電路上的評估位置1處的誤差為3.5奈米，這比目標值要大了很多。在此例子中，該陣列電路可能會失效。
在此實施例中，可決定出一適合一曝光設備的曝光參數，該曝光設備使用一具有多個特徵結構不同之圖案的標線片26來曝光一基材。該指標值可以是上文所描述的該偏差RMS值或最大值，該匹配窗口，或匹配DOF。
為每一圖案獲得上述的指標並將獲得之指標的最差的值決定為一最佳化指標的方法將於此實施例中被描述。圖20為一顯示此方法的流程圖。首先，多種照明條件及多個圖案被設定。一基因演算法，一Monte Carlo方法，或類此者可被使用在照明條件的設定上。每一圖案在一特定的照明條件下的匹配精確度都使用該基材29的表面上的一光學影像或光阻影像來加以計算，且所有圖案中最差的匹配精確度被設定為用來評估該特定的照明條件的指標值。相同的操作在所有的照明條件下都被實施用以決定出一照明條件來作為最佳照明條件，在此照明條件下該指標值是最小的。如果該匹配窗口或該匹配DOF被地為目標的話，則一照明條件被決定為一最佳的照明條件，在該照明條件下該指標值是最大的。
因為此方法判斷哪一個圖案有不佳的匹配精確度，所以與傳統方法比較此來，這可以讓如何調整照明條件變得很清楚並方便獲得最佳的解決方案。當一元件特徵結構被列入考量時，依據此實施例的方法可被選用(如果該圖案被功能性地分割的話)，以取代毫無目的地平衡整個圖案。
接下來將說明一使用上述的曝光設備來製造元件(如 半導體積體電路元件及液晶顯示器元件)之示範性的方法。
這些元件係藉由使用上述的曝光方法將形成在標線片26上的圖案曝光之轉移步驟，將該經過曝光的基材29顯影的步驟，及處理該經過顯影的基材29之其它已知的步驟來製造的。該等已知的步驟包括，例如，蝕刻，光阻去除，分切，結合，及封裝等步驟。
雖然本發明已參考示範性實施例加以描述，但應被理解的是，本發明並不侷限於所揭露的示範性實施例。下面的申請專利範圍項的範圍應涵蓋最廣義的解釋以包含所有這些修改及等效結構及功能。
24‧‧‧光源
25‧‧‧照明系統
26‧‧‧標線片
27‧‧‧標線片桌台
28‧‧‧投影光學系統
29‧‧‧基材
30‧‧‧基材桌台
圖1為一用來說明如何獲得一匹配窗口的圖式；圖2為一流程圖其顯示依據第一實施例的圖案匹配方法；圖3為用來說明該圖案輪廓之計算出來的數值與目標數值的圖式；圖4為顯示圖案光學影像之強度分布的圖式；圖5為顯示藉由改變在每一分割點的強度而獲得的照明條件的圖式；圖6為顯示環形照明的圖式；圖7為顯示一測試圖案的圖式；圖8為一用來說明如何獲得ILS的圖式； 圖9為一用來說明如何獲得曲率的圖式；圖10為一顯示該ILS與該曲率可被用來建構一多用途模型的曲率；圖11為圖10的立體圖；圖12為一用來說明如何獲得該匹配的DOF的圖表；圖13為一顯示待匹配的圖案的圖式；圖14為一表格其顯示傳統圖案匹配VS.依據第一實施例的圖案匹配；圖15為一顯示多個圖案被用於圖案匹配的例子的圖式；圖16為一圖表，其顯示依據第一實施例的方法被應用在多個圖案上的例子；圖17為一圖表，其顯示依據第一實施例的方法被應用在多個圖案上的另一個例子；圖18為一流程圖，其顯示依據第二實施例的圖案匹配方法；圖19為顯示一曝光設備的圖式；及圖20為一方塊圖其顯示一模擬器的架構。

Claims (6)

  1. 一種當有多種形成在一標線片上的圖案的影像被一曝光設備轉移至一基材上時用來決定該曝光設備的一曝光參數的數值的方法，該方法包含的步驟為：設定該曝光參數的數值，該曝光參數不包含該光罩參數；使用該曝光參數之該被設定的數值來為一曝光量與一散焦(defocus)量的至少一者的多個數值計算出該等多種圖案的一光學影像，該光學影像係在照明該投影光學系統的一物件平面上的該等多種圖案時被形成在一影像平面上；為該等多種圖案的每一種圖案計算出一介於一目標光學影像的輪廓與該光學影像之在前述計算步驟中算出來的輪廓之間的偏差；改變該曝光參數並使用該被改變的曝光參數重復該計算步驟及該獲得步驟；及使用在該計算步驟及該重復步驟中的計算結果來決定該曝光參數的一個數值，在該曝光參數的數值下，該等多種圖案之中的光學影像的輪廓的偏差的最大值是最小的。
  2. 一種儲存電腦程式的記錄媒體，該電腦程式係用來促使一電腦在多種形成在一標線片上的圖案的影像被一曝光設備轉移至一基材上時決定該曝光設備的一曝光參數的數值，該程式包含的步驟為：設定該曝光參數的數值，該曝光參數不包含該光罩參 數；使用該曝光參數之該被設定的數值來為一曝光量與一散焦(defocus)量的至少一者的多個數值計算出該等多種圖案的一光學影像，該光學影像係在照明該投影光學系統的一物件平面上的該等多種圖案時被形成在一影像平面上；為該等多種圖案的每一種圖案計算出一介於一目標光學影像的輪廓與該光學影像之在前述計算步驟中算出來的輪廓之間的偏差；改變該曝光參數並使用該被改變的曝光參數重復該計算步驟及該獲得步驟；及使用在該計算步驟及該重復步驟中的計算結果來決定該曝光參數的一個數值，在該曝光參數的數值下，該等多種圖案之中的光學影像的輪廓的偏差的最大值是最小的。
  3. 一種當一標線片的圖案的影像被一曝光設備轉移至一基材上時決定該曝光設備的一曝光參數的數值的方法，該方法包含的步驟為：設定該曝光參數的數值，該曝光參數不包含該光罩參數；使用該曝光參數之該被設定的數值來為一曝光量與一散焦(defocus)量的至少一者的多個數值計算出該等多種圖案的一光學影像，該光學影像係在照明該投影光學系統的一物件平面上的圖案時被形成在一影像平面上；為該曝光參數的多個數值的每一者獲得該曝光量與該 散焦量的至少一者的該等數值的一個範圍，在該範圍內，一介於一目標光學影像的輪廓與在前述計算步驟中算出來的該光學影像的輪廓之間的偏差不會大於一容許值；改變該曝光參數並使用該被改變的曝光參數重復該計算步驟及該獲得步驟；及根據為該曝光參數的多個數值的每一者而獲得的範圍使用在該計算步驟、該獲得步驟及該重復步驟中的計算結果來決定該曝光參數的一數值，其中該標線片包括多種圖案，且該等多種圖案具有不同的光學影像輪廓偏差的容許值。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中一光阻影像係在該獲得步驟中使用一模型藉由計算從該光學影像獲得的，該模型界定一介於該光學影像與一形成在該被施用在該基材上的光阻劑上的光阻影像之間的關係，及該光阻影像的輪廓被用來取代在該獲得步驟中之該光學影像的輪廓。
  5. 一種將一標線片的圖案的影像透過一投影光學系統藉由曝光而曝光至一基材上的曝光方法，該方法包含：使用依據申請專利範圍第1或3項的方法所決定的曝光參數的數值來設定一曝光條件；及在該設定的曝光條件下將該基材曝光。
  6. 一種製造一半導體元件的方法，該方法包含：使用申請專利範圍第5項的方法來將一基材曝光；將經過曝光的基材顯影；及處理該經過顯影的基材以製造該半導體元件。
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