JP2008041710A - 照明光学装置、露光方法及び設計方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】L&Sパターン21,22に対応すべく、2重極照明1,2からなる照射光の光強度分布を形成する。2重極照明1は一対の照明モード11a,11bから、2重極照明2は一対の照明モード12a,12bから構成される。
【選択図】図1
Description
例えば、半導体装置のロジック回路におけるゲート層を形成する場合、図21(a)に示すように、シリコン基板上には素子分離領域101と、この素子分離領域101により画定された活性領域102とが存在する。通常、ゲート層は活性領域102を横断するように形成される。
本発明では、様々なパターンに対応した光照射を1回の露光で実現すべく、被照射対象(フォトマスク)を照射する照射光の光強度分布を、複数の2重極照明又は複数の4重極照明を相異なる位置で組み合わせた照明状態となるように調節する照明制御機構を備えた照明光学装置を提示する。
先ず、図1(a)に示すように、フォトマスク100aにおけるマスクパターンが、仮想波線L1と平行な方向に延在する、ピッチの異なる2種類のライン&スペース(L&S)パターン21,22を光照射する場合について説明する。
第2の手法としては、照明制御機構において、複数のプリズムを含む光学系を用い、所定の位置に設置されたプリズムを駆使して、各照明モード11a,11b,12a,12bを合成的に形成する。
以下、上記した基本骨子を踏まえ、本発明を適用した好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図7は、本実施形態による露光装置の概略構成を示す模式図である。
この露光装置は、いわゆる縮小投影露光を行うものであり、露光光を照射する照明光源101と、照射された露光光をフォトマスクの所望部位へ集光する集光光学系102と、集光光学系102を通過した露光光を制御して、フォトマスク110に照射させる照明制御機構103と、フォトマスクが載置固定されるレチクルステージ104と、フォトマスク110のマスクパターンを通過した露光光を被転写体の所望部位へ投影する投影光学系105と、被転写体が載置固定されるウェーハステージ106とを備えて構成されている。
集光光学系102は、露光光を集光する各種のレンズと、露光光の照度を均一化するフライアイレンズとを備えて構成されている。
ウェーハステージ106は、被転写体であるレジスト膜が表面に形成された被被転写対象、ここでは導体ウェーハ111が載置固定されるものである。
以下、デバイス、ここでは半導体装置(例えばMOSトランジスタ)の設計方法について説明する。
図9は、半導体装置の設計方法を示すフロー図である。
続いて、上記の設計結果に基づき光学シミュレーション(例えばフォトリソグラフィー・シミュレーション)を行う(ステップS2)。その後、光学シミュレーションの結果に基づいて、上記の設計結果から製造プロセスマージンが見積もられる。例えば、フォーカスマージンの規準値が0.2μmであれば、全てのパターンについてこのフォーカスマージンの規準値を満たすか否かが判定される。なお、この見積もりについては、製造プロセスマージンを確認する手段により自動的に行うこともできる。
ステップS4をステップS5に優先して行う場合の設計フローを図10に示す。この場合、ステップS1〜S3については図9と同様である。
続いて、所定許容範囲を満たす設計レイアウトの変更が可能か否かを判定する(ステップ11)。可能であると判定された場合には、ステップS3において、当該設計データが実際の半導体装置の製造に供される。不可能であると判定された場合には、ステップS5に進み、照明状態の最適化が探索される。そして、設計データが変更された後、ステップS3において、当該設計データが実際の半導体装置の製造に供される。
続いて、露光装置の照明制御機構により実現可能な照明状態の範囲内で、照明状態の最適化が可能か否かを判定する(ステップ12)。可能であると判定された場合には、ステップS3において、当該設計データが実際の半導体装置の製造に供される。不可能であると判定された場合には、ステップS4に進み、設計レイアウトが変更される。そして、設計データが変更された後、ステップS3において、当該設計データが実際の半導体装置の製造に供される。
本方法では、フォトリソグラフィー技術により半導体基板上のフォトレジストにゲート層パターン、ここではピッチの異なる2種類のL&Sパターンを転写する場合を例示する。ここで、ゲート層とは、素子分離領域上から活性領域上へかけて帯状に延在する導電部材であり、説明の便宜上、活性領域上の部分をゲート電極、素子分離領域上の部分をゲート配線と称することにする。
図12は、第1のパターン形成方法で用いる一組のフォトマスクを示す概略平面図であり、図13及び図14は、第1のパターン形成方法を説明するための概略平面図である。
第1のマスクパターン51bは、同様にゲート配線に対応した幅とされたL&Sパターンであるが、第1のマスクパターン51aよりもピッチの狭いものである。
第2のマスクパターン52bは、第1のマスクパターン51bと重なるように、形成するゲート電極に対応した幅(ゲート配線よりも幅狭)及びピッチとされ、第1のマスクパターン51bよりも幅狭のL&Sパターンである。
具体的には、第1のフォトマスク51(及び/又は第2のフォトマスク52)の第1のマスクパターン51a,51b(及び/又は第2のマスクパターン52a,52b)と平行に縞状のピッチパターンとして並設された複数の補助マスクパターンを設ける。補助マスクパターンは、第1のマスクパターン51a,51b(及び/又は第2のマスクパターン52a,52b)を露光する際のプロセスマージンを更に向上させるべく形成されるものである。
通常、補助パターンは、マスクパターンの露光を補助するものであることから、自身は転写されない状態にある(例えば、露光限界以下の幅に形成されている)ことを要する。このように補助パターンは、極めて大きなプロセスマージンを得られる反面、そのサイズには大きな制約が課されるものである。これに対して上記の場合では、補助マスクパターンの露光部分は第2のフォトマスク52の光透過部分に相当するため、補助マスクパターンを殊更に転写されない状態に形成する必要はない。従って、仮に第1のフォトマスク51のみを用いた単独露光を行った場合に、第1のマスクパターン51a,51bと共に転写される程度のサイズに補助マスクパターンを形成することができる。即ちこの場合では、補助マスクパターンのサイズに制約が課されることなく、極めて大きなプロセスマージンを得られることになる。
本方法では、フォトリソグラフィー技術により半導体基板上のフォトレジストにゲート層パターン、ここではピッチの異なる2種類の状態と、パターンの延在方向が互いに直交する2種類の状態とにより種別された、4種類のL&Sパターンを転写する場合を例示する。
図15は、第2のパターン形成方法で用いる一組のフォトマスクを示す概略平面図であり、図16〜図19は、第2のパターン形成方法を説明するための概略平面図である。
第1のマスクパターン71aは、形成するゲート配線に対応した幅とされたL&Sパターンである。
第1のマスクパターン71bは、同様にゲート配線に対応した幅とされたL&Sパターンであるが、第1のマスクパターン71aよりもピッチの狭いものである。
第1のマスクパターン71cは、第1のマスクパターン71aと同様のピッチとされているが、延在方向がこれと直交する方向とされたものである。
第1のマスクパターン71dは、第1のマスクパターン71bと同様のピッチとされているが、延在方向がこれと直交する方向とされたものである。
第2のマスクパターン72bは、第1のマスクパターン71bと重なるように、形成するゲート電極に対応した幅(ゲート配線よりも幅狭)及びピッチとされ、第1のマスクパターン71bよりも幅狭のL&Sパターンである。
第2のマスクパターン72cは、第1のマスクパターン71cと重なるように、形成するゲート電極に対応した幅(ゲート配線よりも幅狭)及びピッチとされ、第1のマスクパターン71cよりも幅狭のL&Sパターンである。
第2のマスクパターン72dは、第1のマスクパターン71dと重なるように、形成するゲート電極に対応した幅(ゲート配線よりも幅狭)及びピッチとされ、第1のマスクパターン71dよりも幅狭のL&Sパターンである。
具体的には、第1のフォトマスク71(及び/又は第2のフォトマスク72)の第1のマスクパターン71a,71b,71c,71d(及び/又は第2のマスクパターン72a,72b,72c,72d)と平行に縞状のピッチパターンとして並設された複数の補助マスクパターンを設ける。補助マスクパターンは、第1のマスクパターン71a,71b,71c,71d(及び/又は第2のマスクパターン72a,72b,72c,72d)を露光する際のプロセスマージンを更に向上させるべく形成されるものである。
通常、補助パターンは、マスクパターンの露光を補助するものであることから、自身は転写されない状態にある(例えば、露光限界以下の幅に形成されている)ことを要する。このように補助パターンは、極めて大きなプロセスマージンを得られる反面、そのサイズには大きな制約が課されるものである。これに対して上記の場合では、補助マスクパターンの露光部分は第2のフォトマスク72の光透過部分に相当するため、補助マスクパターンを殊更に転写されない状態に形成する必要はない。従って、仮に第1のフォトマスク71のみを用いた単独露光を行った場合に、第1のマスクパターン71a,71b,71c,71dと共に転写される程度のサイズに補助マスクパターンを形成することができる。即ちこの場合では、補助マスクパターンのサイズに制約が課されることなく、極めて大きなプロセスマージンを得られることになる。
本実施形態では、上記のパターン形成方法を用いてゲート層を形成し、当該ゲート層を備えた例えばMOSトランジスタを作製する。ここでは、上記した第1のパターン形成方法を用いてゲート層を形成する場合について例示する。勿論、上記した第2のパターン形成方法を適用しても好適である。
続いて、活性領域212の表面を例えば熱酸化して、薄いゲート絶縁膜213を形成する。このゲート絶縁膜213上を含む全面に導電膜、例えば多結晶シリコン膜(不図示)をCVD法等により堆積する。
このパターン形成方法を、ゲート層214の形成に適用することにより、所望の微細幅のゲート層214を備えた微細なMOSトランジスタを精度良く作製することができる。
前記照射光を集光させる集光光学系と、
前記集光光学系を通過した前記照射光を制御して被照射対象に照射させる照明制御機構と
を含み、
前記照明制御機構は、前記被照射対象を照射する前記照射光の光強度分布を、複数の2重極照明又は複数の4重極照明を相異なる位置で組み合わせた照明状態となるように調節することを特徴とする照明光学装置。
付記1〜4のいずれか1項に記載の照明光学装置と、
前記フォトマスクの前記マスクパターンを通過した前記照射光を前記被転写対象に集光させる投影光学系と
を含むことを特徴とする露光装置。
前記被照射対象を照射する前記照射光の光強度分布を、複数の2重極照明又は複数の4重極照明を相異なる位置で組み合わせた照明状態となるように調節することを特徴とする照明制御方法。
前記パターン形成の設計データに基づいて見積もられた製造プロセスマージンが基準値を満たしていない場合に、
前記設計データを得た際の前記照明状態において、許容範囲を満たすように前記パターンの設計レイアウトを変更する第1の工程と、
前記設計データを得た際の前記パターンの設計レイアウトにおいて、当該設計レイアウトに適合するように、フォトマスクを照射する照射光の光強度分布を、複数の2重極照明又は複数の4重極照明を相異なる位置で組み合わせた照明状態に調節するシミュレーションを行い、前記照明状態を最適化する第2の工程と
のうちの一方の工程を選択的に実行することを特徴とする設計方法。
前記第1の工程で前記許容範囲を満たさない場合に、前記第2の工程を実行することを特徴とする付記11に記載の設計方法。
前記第2の工程で前記設計レイアウトに適合する最適な前記照明状態が見出されない場合に、前記第1の工程を実行することを特徴とする付記11に記載の設計方法。
第2のフォトマスクを用いて第2のマスクパターンを、少なくとも一部が前記第1のマスクパターンと重畳されるように前記被転写体に露光する第2のステップと
を含み、前記第1のマスクパターンと前記第2のマスクパターンとの合成露光により、前記被転写体にパターンを転写するに際して、
前記第1のステップ及び前記第2のステップの少なくとも一方において、前記照明状態を用いて露光を行うことを特徴とする付記17に記載の露光方法。
11a,11b,12a,12b,13a,13b,14a,14b,15a,15b,16a,16b,17a,17b,18a,18b,19a,19b,20a,20b, 41a,41b,41c,41d,42a,42b,42c,42d,43a,43b,43c,43d,44a,44b,44c,44d,45a,45b,45c,45d 照明モード
21,22,23,34 ライン&スペース(L&S)パターン
31〜35 4重極照明
51,71 第1のフォトマスク
52,72 第2のフォトマスク
51a,51b,71a,71b,71c,71d 第1のマスクパターン
52a,52b,72a,72b,72c,72d 第2のマスクパターン
53a,53b,73a,73b,73c,73d ゲート配線パターン
54a,54b,74a,74b,74c,74d ゲート電極パターン
61,211 素子分離領域
62,62a〜62c,212 活性領域
63 フォトレジスト
64,65,81〜84 レジストパターン
101 照明光源
102 集光光学系
103 照明制御機構
104 レチクルステージ
105 投影光学系
106 ウェーハステージ
231 ゲート絶縁膜
214 ゲート層
214a ゲート配線
214b ゲート電極
215 LDD領域
216 サイドウォールスペーサ
217 ソース/ドレイン領域
Claims (9)
- 照射光を発生させる光源と、
前記照射光を集光させる集光光学系と、
前記集光光学系を通過した前記照射光を制御して被照射対象に照射させる照明制御機構と
を含み、
前記照明制御機構は、前記被照射対象を照射する前記照射光の光強度分布を、複数の2重極照明又は複数の4重極照明を相異なる位置で組み合わせた照明状態となるように調節することを特徴とする照明光学装置。 - 前記照明状態は、当該照明状態を構成する一組の照明モードのサイズ又は形状が、前記照明状態毎に調節されてなることを特徴とする請求項1に記載の照明光学装置。
- 前記照明状態は、当該照明状態を構成する一組の照明モードの位置が前記照明状態の規準位置から内側又は外側にシフトするように前記2重極照明毎に調節されてなることを特徴とする請求項1又は2に記載の照明光学装置。
- 照射光を制御して被照射対象に照射させるに際して、
前記被照射対象を照射する前記照射光の光強度分布を、複数の2重極照明又は複数の4重極照明を相異なる位置で組み合わせた照明状態となるように調節することを特徴とする照明制御方法。 - パターン形成を行う際の設計方法であって、
前記パターン形成の設計データに基づいて見積もられた製造プロセスマージンが基準値を満たしていない場合に、
前記設計データを得た際の前記照明状態において、許容範囲を満たすように前記パターンの設計レイアウトを変更する第1の工程と、
前記設計データを得た際の前記パターンの設計レイアウトにおいて、当該設計レイアウトに適合するように、フォトマスクを照射する照射光の光強度分布を、複数の2重極照明又は複数の4重極照明を相異なる位置で組み合わせた照明状態に調節するシミュレーションを行い、前記照明状態を最適化する第2の工程と
のうちの一方の工程を選択的に実行することを特徴とする設計方法。 - 前記照明状態は、当該照明状態を構成する一組の照明モードのサイズ又は形状を、前記照明状態毎に調節するものであることを特徴とする請求項5に記載の設計方法。
- 前記照明状態は、当該照明状態を構成する一組の照明モードの位置を、前記照明状態の規準位置から内側又は外側にシフトするように、前記2重極照明毎に調節するものであることを特徴とする請求項5又は6に記載の設計方法。
- 請求項5〜7のいずれか1項に記載の設計方法により得られた前記設計レイアウト及び前記照明状態に従って、前記フォトマスクのマスクパターンを前記被転写対象に露光転写することを特徴とする露光方法。
- 第1のフォトマスクを用いて第1のマスクパターンを被転写体に露光する第1のステップと、
第2のフォトマスクを用いて第2のマスクパターンを、少なくとも一部が前記第1のマスクパターンと重畳されるように前記被転写体に露光する第2のステップと
を含み、前記第1のマスクパターンと前記第2のマスクパターンとの合成露光により、前記被転写体にパターンを転写するに際して、
前記第1のステップ及び前記第2のステップの少なくとも一方において、前記照明状態を用いて露光を行うことを特徴とする請求項8に記載の露光方法。
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