JP2007173609A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ラインエッジラフネスを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、被加工基板1上にレジスト膜3を形成する工程と、被加工基板1の上方に配置され、第1のライン状のパターンを含むマスク6を介して、レジスト膜3に露光光を照射することにより、レジスト膜3を露光する工程と、レジスト膜3を現像することにより、レジストパターンを形成する工程とを含み、レジスト膜3を露光する工程は、レジスト膜3をその適正露光量未満の第1の露光量で露光する工程と、マスク6と被加工基板1との位置関係を第1のライン状のパターンの長手方向にずらした状態で、レジスト膜3を適正露光量未満の第2の露光量で露光する工程とを含む。
【選択図】 図3
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、被加工基板1上にレジスト膜3を形成する工程と、被加工基板1の上方に配置され、第1のライン状のパターンを含むマスク6を介して、レジスト膜3に露光光を照射することにより、レジスト膜3を露光する工程と、レジスト膜3を現像することにより、レジストパターンを形成する工程とを含み、レジスト膜3を露光する工程は、レジスト膜3をその適正露光量未満の第1の露光量で露光する工程と、マスク6と被加工基板1との位置関係を第1のライン状のパターンの長手方向にずらした状態で、レジスト膜3を適正露光量未満の第2の露光量で露光する工程とを含む。
【選択図】 図3
Description
本発明は、レジストパターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
従来から半導体プロセスにおいては、半導体基板上に膜(絶縁膜、半導体膜または導電膜)を形成する工程と、上記膜を所望の形状に加工する工程とを繰り返すことによって、半導体回路を形成している。
上記膜を所望の形状に加工する工程は、上記膜上にレジストパターンを形成する工程(フォトリソグラフィプロセス)と、レジストパターンをマスクにして上記膜をエッチングする工程(エッチングプロセス)とを含む。
フォトリソグラフィプロセスで使用される露光光源としては、スループットの観点からKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーなどの紫外光が用いられている。近年のLSIの微細化によって、紫外光を用いたフォトリソグラフィプロセスにより形成されたレジストパターンは、レジスト材料種によっては、無視できない程度の大きさのラインエッジラフネス(LER)を持つようになってきている。
レジスト材料を改良することにより、ラインエッジラフネスを抑制する試みがなされているが、満足できる結果は得られてない。
特開2005−148644号公報
本発明の目的は、ラインエッジラフネスを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、被加工基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記被加工基板の上方に配置され、第1のライン状のパターンを含むマスクを介して、前記レジスト膜に露光光を照射することにより、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像することにより、レジストパターンを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記レジスト膜を露光する工程は、前記レジスト膜をその適正露光量未満の第1の露光量で露光する工程と、前記マスクと前記被加工基板との位置関係を前記第1のライン状のパターンの長手方向にずらした状態で、前記レジスト膜を前記適正露光量未満の第2の露光量で露光する工程とを含むことを特徴とする。
本発明によれば、ラインエッジラフネスを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供できるようになる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
[図1]
被加工基板1上に反射防止膜2が形成される。
被加工基板1上に反射防止膜2が形成される。
被加工基板1は、半導体基板とその上に形成された膜(絶縁膜、半導体膜もしくは導電膜)とを含む。上記膜は、単層の膜である場合もあるし、あるいは積層膜である場合もある。上記積層膜は、同じ種類の膜の積層膜(例えば、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜)の場合もあるし、あるいは異なる種類の膜の積層膜(例えば、絶縁膜と半導体膜との積層膜)の場合もある。半導体基板は、例えば、シリコン基板、歪みシリコン基板、SOI基板もしくはSiGeを含む基板である。
反射防止膜2の形成工程は、被加工基板1上に塗布膜(反射防止膜2となる液状の膜)をスピンコート法により形成する工程と、上記塗布膜をベーキングする工程とを含む。塗布膜の厚さは、例えば、反射防止膜2の厚さが80nmとなるように選ばれる。ベーキングは、例えば、215℃、60秒で行われる。
[図2]
反射防止膜2上にレジスト膜3が形成される。ここでは、レジスト膜3は、ArF用ポジ型レジスト膜とする。
反射防止膜2上にレジスト膜3が形成される。ここでは、レジスト膜3は、ArF用ポジ型レジスト膜とする。
レジスト膜3の形成工程は、反射防止膜2上に塗布膜(レジスト膜3となる液状の膜)をスピンコート法により形成する工程と、上記塗布膜をベーキングする工程とを含む。塗布膜の厚さは、例えば、レジスト膜3の厚さが200nmとなるように選ばれる。ベーキングは、例えば、130℃、90秒で行われる。
[図3]
図示しないArFエキシマレーザー露光装置(例えば、NSR S306B: ニコン社製)を用いて、レジスト膜3をArFエキシマレーザー4により露光することにより、レジスト膜3内にライン&スペースパターン(L&Sパターン)の潜像5が形成される。ArFエキシマレーザー4は、上記ArFエキシマレーザー露光装置内にセットされたマスク6を介して、レジスト膜3上に照射される。
図示しないArFエキシマレーザー露光装置(例えば、NSR S306B: ニコン社製)を用いて、レジスト膜3をArFエキシマレーザー4により露光することにより、レジスト膜3内にライン&スペースパターン(L&Sパターン)の潜像5が形成される。ArFエキシマレーザー4は、上記ArFエキシマレーザー露光装置内にセットされたマスク6を介して、レジスト膜3上に照射される。
ここで、露光条件は、NA=0.68、σ=0.75、2/3輪帯照明、露光量=10mJ/cm2 である。この露光量の値は、レジスト膜3の適正露光量の半分である。マスク6は、透過率6%のハーフトーンマスクである。該ハーフトーンマスクは、潜像5に対応したL&Sパターンを含む。
[図4]
マスク6はL&Sパターンのライン方向7に70nmずらされる。図4において、図3の工程のマスク6は破線で示されている。図3の工程と同じ露光条件で、レジスト膜3はArFエキシマレーザー4により再び露光される。その後、130℃、90秒のベーキング処理が行われる。
マスク6はL&Sパターンのライン方向7に70nmずらされる。図4において、図3の工程のマスク6は破線で示されている。図3の工程と同じ露光条件で、レジスト膜3はArFエキシマレーザー4により再び露光される。その後、130℃、90秒のベーキング処理が行われる。
[図5]
レジスト膜3を現像することにより、L&Sパターンを含むレジストパターン3pが形成される。
レジスト膜3を現像することにより、L&Sパターンを含むレジストパターン3pが形成される。
ここでは、現像液は2.38wt%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)、現像時間は30秒である。この場合、ラインエッジラフネスが抑制されたライン幅およびスペース幅が0.10μmのL&Sパターンを含むレジストパターン3pが得られることが確認された。
[図6]
レジストパターン3pをマスクにして、反射防止膜2、被加工基板1をエッチングすることにより、L&Sパターンを含むパターン1pが形成される。その後、レジストパターン3p、反射防止膜2が除去される。
レジストパターン3pをマスクにして、反射防止膜2、被加工基板1をエッチングすることにより、L&Sパターンを含むパターン1pが形成される。その後、レジストパターン3p、反射防止膜2が除去される。
ラインエッジラフネスが抑制される理由の一つについて、図7を用いて説明する。図7において、3sはレジスト膜3中のスペースパターンが潜像された領域(スペースパターン領域)、3eはレジスト膜3中のラインエッジラフネスが潜像された領域(ラインエッジラフネス領域)を示している。さらに、実線は図3の露光工程(第1の露光)で形成された潜像3s,3e、破線は図4の露光工程(第2の露光)で形成された潜像3s,3eを示している。
図7に示すように、ラインエッジラフネス領域3eは、第1および第2の露光後でも、適正露光量CEの半分でしか露光されない。そのため、現像処理で、ラインエッジラフネス領域3eは現像されず、ラインエッジラフネスは抑制される。
なお、ラインエッジラフネスの発生は、露光装置(光学系)、レジスト(材料)、マスクなどが複雑にからむものであり、上述したラインエッジラフネスが抑制される理由は、あくまでも現時点で考えられる理由の一つであり、他の理由も考えられる。
また、図7において、スペースパターンの長手方向の寸法は、ずらし距離Lだけ短くなっているが、スペースパターンの長手方向の寸法に比べて、ずらし距離Lが、十分に短い場合には無視できるので問題はない。無視できない場合には、ずらし距離Lに対応した寸法だけ大きいスペースパターンを含むマスクが用いられる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。以下、他の実施形態を述べる。
第1および第2の露光工程における露光量は、適正露光量の半分に限定されるものではない。すなわち、現像処理で、ラインエッジラフネス領域が現像されず、かつ、設計通りのパターン1pが形成される露光量であれば良い。
従来一つの露光工程であるところ、上記実施形態では二つの露光工程としたが、三つ以上の露光工程としても構わない。例えば、マスクを2回ずらす場合、3回の露光が行われる。この場合、各露光における露光量は、代表的には、適正露光量の1/3である。四つ以上の露光工程とする場合も同様である。
マスクをずらす代わりに、半導体基板をずらしても構わない。さらに、マスク6および半導体基板をずらしても構わない。マスク、半導体基板をずらす距離は、パターン1pのライン方向方の寸法が4μm以下の場合には、1μm(4μmの1/4)以下である。
L&Sパターン以外のパターンでも構わない。
図8に、L&Sパターン以外のパターンの例を示す。この場合、図8に示すように、2方向D1,D2にずらすことになる。一般に、長手方向が異なるn個のパターンで構成されたパターンは、n個の長手方向にずらすことになる。
エッジラフネスが周期的なパターンを持つ場合、ラフネスの周波数解析により得られた波長の半分だけ、マスク等をずらす。
さらに、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
1…被加工基板、1p…パターン、2…反射防止膜、3…レジスト膜、3p…レジストパターン、3s…スペースパターン領域、3e…ラインエッジラフネス領域、4…レーザー、5…潜像、6…マスク、7…ライン方向、CE…適正露光量。
Claims (5)
- 被加工基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記被加工基板の上方に配置され、第1のライン状のパターンを含むマスクを介して、前記レジスト膜に露光光を照射することにより、前記レジスト膜を露光する工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、レジストパターンを形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記レジスト膜を露光する工程は、
前記レジスト膜をその適正露光量未満の第1の露光量で露光する工程と、
前記マスクと前記被加工基板との位置関係を前記第1のライン状のパターンの長手方向にずらした状態で、前記レジスト膜を前記適正露光量未満の第2の露光量で露光する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1のライン状のパターンは、ライン&スペースパターンであることを特徴する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスクは、長手方向が前記第1のライン状のパターンの長手方向と異なる第2のライン状のパターンをさらに含み、
前記レジスト膜を前記第2の露光量で露光する工程は、前記マスクと前記被加工基板との位置関係を前記第1および第2のライン状のパターンの長手方向にずらした状態で、行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1および第2の露光量は、それぞれ、前記適正露光量の半分であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記適正露光量で前記レジスト膜を1回の露光工程で露光し、該露光したレジスト膜を現像して形成されたレジストパターンに、周期的なラインエッジラフネスが生じる場合には、
前記レジスト膜を前記第2の露光量で露光する工程において、前記ラインエッジラフネスの波長に対応する距離だけ、前記マスクと前記被加工基板との位置関係を前記第1のライン状のパターンの長手方向にずらすことを特徴とする請求項1ないし4のいずれ1項に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2005370619A JP2007173609A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 半導体装置の製造方法 |
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US8329381B2 (en) | 2009-04-16 | 2012-12-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pattern forming method |
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2005
- 2005-12-22 JP JP2005370619A patent/JP2007173609A/ja active Pending
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