JP4899871B2 - レジストパターン形成方法及び電子素子の製造方法並びに半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
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する。このとき、マスクのパターンの境界に対応する部位に、回折現象により、光が弱く露光する領域ができ、現像やエッチングすることにより、線状レジストパターンを形成できるので、従来の露光装置や製膜装置を利用して、さらに微細なレジストパターンを形成でき、微細な電子素子を製造できる。
2・・・・加工対象層
21・・・加工対象領域
3・・・・第一レジスト
31・・・弱露光領域
32・・・非露光領域
4・・・・第二レジスト
41・・・弱露光領域
42・・・非露光領域
5・・・・マスク
50・・・マスク
51・・・マスクパターン
52・・・レジストパターン
54・・・レジストパターン
55・・・マスクパターン
10・・・基板
20・・・加工対象層
210・・加工対象領域
30・・・第一レジスト
310・・弱露光領域
320・・露光領域
40・・・第二レジスト
410・・弱露光領域
420・・露光領域
15・・・基板
25・・・加工対象層
251・・加工対象領域
35・・・第一レジスト
351・・弱露光領域
352・・非露光領域
45・・・第二レジスト
451・・弱露光領域
452・・非露光領域
16・・・基板
26・・・加工対象層
261・・加工対象領域
36・・・第一レジスト
361・・弱露光領域
362・・露光領域
46・・・第二レジスト
461・・弱露光領域
462・・露光領域
Claims (4)
- 基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法であって、基板上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジストとし、次にその上に第一レジストとは逆のタイプのレジストを塗布し第二レジストとし、次にパターン形成されたマスクを介し露光し、次に第二レジストを弱現像し、次に第二レジストが残余されていない領域の第一レジスト及び第二レジストの残余部をエッチングにより除去し、次に第一レジストを弱現像することにより、マスクのパターンの境界に対応する部位に線状レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
- 基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法であって、基板上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジストとし、次にその上に第一レジストとは逆のタイプのレジストを塗布し第二レジストとし、次にパターン形成されたマスクを介し露光し、次に第二レジストを強現像し、次に第一レジストを強現像することにより、マスクのパターンの境界に対応する部位では線状にレジストの除去された、レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
- 表面に加工対象層を形成した基板を用意し、加工対象層上に請求項1または2に記載のレジストパターン形成方法でレジストパターンを形成し、加工対象層を加工することを特徴とする電子素子の製造方法。
- ウェハーの表面に加工対象層を形成した基板を用意し、加工対象層上に請求項1または2に記載のレジストパターン形成方法でレジストパターンを形成し、加工対象層を加工することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
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