JP2013109265A - マスクおよびパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 実施形態のマスクは、露光装置を用いて被加工基板上のレジスト膜にパターンを転写するためのマスクである。前記パターンに対応するパターン(以下、メインパターンという)2と、前記メインパターン2の隣りに配置され、前記露光装置の解像限界以下の寸法を有するパターン(以下、サブパターンという)とを具備する。前記サブパターンは、前記メインパターンの隣りに配置された第1のサブパターン3と、前記第1のサブパターン3に接触するように、前記第1のサブパターンの長手方向に沿って配置された複数の第2のサブパターン4とを含む。さらに、P≦λ/(NA(1+σ0 ))を満たす。Pは第2のサブパターンの配置ピッチ、NAは露光装置の開口数、λは露光装置を用いてメインパターンを転写する時の露光波長、σ0 は露光装置を用いてメインパターンを転写する時の最大σである。
【選択図】 図1
Description
図1は、第1の実施形態に係るフォトマスクを模式的に示す平面図である。本実施形態のフォトマスクは、半導体装置の製造方法のリソグラフィ工程において使用される。本実施形態のフォトマスクは、例えば、ハーフピッチ160nm以降のマスクである。この値はマスク上での値である。
を満たす。
図2は、第2の実施形態に係るフォトマスクを模式的に示す平面図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
図3は、第3の実施形態に係るフォトマスクを模式的に示す平面図である。
図4は、第4の実施形態に係るフォトマスクを模式的に示す平面図である。
図5は、第5の実施形態に係るパターン形成方法を示すフロー図である。
被加工基板上にレジスト膜を形成する。
第1の実施形態のフォトマスクを用いて、被加工基板上のレジスト膜を露光する。本実施形態では、第1の実施形態のフォトマスクを用いた場合について説明するが、第2−第4の実施形態のフォトマスクを用いた場合も同様である。
ステップS2(露光)に続いて、露光したレジスト膜を現像することにより、被加工基板上にレジストパターンを形成する。
レジストパターンをマスクにして被加工基板をエッチングし、パターンを形成する。
Claims (6)
- 露光装置を用いて被加工基板上のレジスト膜にパターンを転写するためのマスクであって、
前記パターンに対応し、ラインパターンを含むパターン(以下、メインパターンという)と、
前記メインパターンの隣りに配置され、前記露光装置の解像限界以下の寸法を有するパターン(以下、サブパターンという)とを具備し、
前記サブパターンは、
前記メインパターンの隣りに配置され、ライン形状を有する第1のサブパターンと、
前記第1のサブパターンに接触するように、前記第1のサブパターンの長手方向に沿って配置され、矩形形状を有する複数の第2のサブパターンとを含み、
前記第1のサブパターンの長手方向と前記ラインパターンの長手方向とが一致するように、前記第1のサブパターンは前記ラインパターンの隣りに配置され、
前記複数の第2のサブパターンの各々はその一辺が前記第1のサブパターンの長辺に接触するとともに、前記複数の第2のサブパターンは前記第1のサブパターンの長手方向に沿って配置され、
物理洗浄技術を用いて前記第1のサブパターンを洗浄した時に、前記第1のサブパターンの機械的強度が補強されるように、前記複数の第2のサブパターンの数および配置位置が決定され、
かつ、
P≦λ/(NA(1+σ0 ))、
Pは前記複数の第2のサブパターンの配置ピッチ、
NAは前記露光装置の開口数、
λは前記露光装置を用いてダイポール照明または直交照明により前記メインパターンを転写する時の露光波長、
σ0 は前記露光装置を用いて前記ダイポール照明または前記直交照明により前記メインパターンを転写する時の最大σ
を満たすことを特徴とするマスク。 - 露光装置を用いて被加工基板上のレジスト膜にパターンを転写するためのマスクであって、
前記パターンに対応するパターン(以下、メインパターンという)と、
前記メインパターンの隣りに配置され、前記露光装置の解像限界以下の寸法を有するパターン(以下、サブパターンという)とを具備し、
前記サブパターンは、
前記メインパターンの隣りに配置された第1のサブパターンと、
前記第1のサブパターンに接触するように、前記第1のサブパターンの長手方向に沿って配置された複数の第2のサブパターンとを含み、
かつ、
P≦λ/(NA(1+σ0 ))、
Pは前記複数の第2のサブパターンの配置ピッチ、
NAは前記露光装置の開口数、
λは前記露光装置を用いて前記メインパターンを転写する時の露光波長、
σ0 は前記露光装置を用いて前記メインパターンを転写する時の最大σ
を満たすことを特徴とするマスク。 - 前記メインパターンはラインパターンを含み、
前記第1のサブパターンの形状はラインであり、
前記第2のサブパターンの形状は矩形であり、
前記第1のサブパターンの長手方向と前記ラインパターンの長手方向とが一致するように、前記第1のサブパターンは前記ラインパターンの隣りに配置され、
前記複数の第2のサブパターンの各々はその一辺が前記第1のサブパターンの長辺に接触するとともに、前記複数の第2のサブパターンは前記第1のサブパターンの長手方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項2に記載のマスク。 - 前記露光装置による照明は、ダイポール照明または直交照明であることを特徴とする請求項2または3に記載のマスク。
- 物理洗浄技術を用いて前記第1のサブパターンを洗浄した時に、前記第1のサブパターンの機械的強度が補強されるように、前記複数の第2のサブパターンの数および配置位置が決定されていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載のマスク。
- 請求項2ないし5のいずれか1項に記載のマスクを用いて、被加工基板上のレジスト膜を露光する工程と、
前記露光したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記被加工基板をエッチングする工程と
を含むことを特徴するパターン形成方法。
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