KR101124919B1 - 노광 파라미터의 결정 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 레티클을 조명하고 투영 광학계를 통하여 레티클의 패턴의 상을 기판에 노광할 때의 노광 파라미터의 값을 결정하는 방법으로서,상기 레티클의 패턴은 복수 종류의 패턴을 포함하고,상기 방법은,상기 노광 파라미터의 값을 소정의 값으로 설정하는 설정 단계,설정된 노광 파라미터의 소정의 값을 이용하고 상기 기판의 노광량과 상기 기판의 디포커스량에 각각 복수의 값을 설정하여 상기 투영 광학계의 상면(image plane)측에 형성되는 상기 레티클의 복수 종류의 패턴의 광학상을 산출하고, 산출된 광학상의 윤곽과 상기 광학상의 목표 광학상의 윤곽 사이의 어긋남을 산출하는 산출 단계,상기 노광 파라미터의 소정의 값을 변경하고, 변경 후의 노광 파라미터의 값을 이용하여 상기 산출 단계를 반복하는 반복 단계, 및상기 산출 단계 및 상기 반복 단계에 있어서의 산출 결과를 이용하여, 상기 복수 종류의 패턴의 광학상 중 상기 어긋남의 최대값이 최소가 되는 경우의 노광 파라미터의 값을 결정하는 결정 단계를 포함하는, 노광 파라미터의 결정 방법.
- 레티클을 조명하고 투영 광학계를 통하여 레티클의 패턴의 상을 기판에 노광할 때의 노광 파라미터의 값의 결정을 컴퓨터에 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기록 매체로서,상기 레티클의 패턴은 복수 종류의 패턴을 포함하고,상기 컴퓨터 프로그램에 의해 실행되는 노광 파라미터의 결정 방법은,상기 노광 파라미터의 값을 소정의 값으로 설정하는 설정 단계,설정된 노광 파라미터의 소정의 값을 이용하고 상기 기판의 노광량과 상기 기판의 디포커스량에 각각 복수의 값을 설정하여 상기 투영 광학계의 상면측에 형성되는 상기 레티클의 복수 종류의 패턴의 광학상을 산출하고, 산출된 광학상의 윤곽과 상기 광학상의 목표 광학상의 윤곽 사이의 어긋남을 산출하는 산출 단계,상기 노광 파라미터의 소정의 값을 변경하고, 변경 후의 노광 파라미터의 값을 이용하여 상기 산출 단계를 반복하는 반복 단계, 및상기 산출 단계 및 상기 반복 단계에 있어서의 산출 결과를 이용하여, 상기 복수 종류의 패턴의 광학상 중 상기 어긋남의 최대값이 최소가 되는 경우의 노광 파라미터의 값을 결정하는 결정 단계를 포함하는, 기록 매체.
- 레티클을 조명하고 투영 광학계를 통하여 레티클의 패턴의 상을 기판에 노광할 때의 노광 파라미터의 값을 결정하는 방법으로서,상기 노광 파라미터의 값을 소정의 값으로 설정하는 설정 단계,설정된 노광 파라미터의 소정의 값을 이용하고 상기 기판의 노광량과 상기 기판의 디포커스량에 각각 복수의 값을 설정하여 상기 투영 광학계의 상면측에 형성되는 상기 레티클의 패턴의 광학상을 산출하고, 산출된 광학상의 윤곽과 상기 광학상의 목표 광학상의 윤곽 사이의 어긋남이 허용값이 되는, 상기 노광량 및 상기 디포커스량의 범위를 산출하는 산출 단계,상기 노광 파라미터의 소정의 값을 변경하고, 변경 후의 노광 파라미터의 값을 이용하여 상기 산출 단계를 반복하는 반복 단계, 및상기 산출 단계 및 상기 반복 단계에 있어서의 산출 결과를 이용하여, 상기 노광 파라미터의 값을 결정하는 결정 단계를 포함하는, 노광 파라미터의 결정 방법.
- 제3항에 있어서,상기 레티클은 복수 종류의 패턴을 포함하고,상기 복수 종류의 패턴은, 상기 광학상들의 윤곽들의 어긋남들에 대한 상이한 허용값들을 갖는, 노광 파라미터의 결정 방법.
- 제3항에 있어서,상기 산출 단계에서 상기 기판에 도포된 감광제에 형성된 레지스트상과 상기 광학상 사이의 관계를 규정하는 모델을 이용하여 계산에 의해 상기 광학상으로부터 상기 레지스트상이 산출되고, 상기 산출 단계에서 상기 레지스트상의 윤곽이 상기 광학상의 윤곽 대신 사용되는, 노광 파라미터의 결정 방법.
- 제3항에 있어서,상기 어긋남이 허용값 내가 되는 상기 노광량 및 상기 디포커스량의 범위가 최대인 노광 파라미터의 값을 결정하는, 노광 파라미터의 결정 방법.
- 제3항에 있어서,상기 노광 파라미터는, 상기 레티클의 조명 조건, 상기 투영 광학계의 개구수와 상기 투영 광학계의 수차 중 적어도 하나인, 노광 파라미터의 결정 방법.
- 레티클의 패턴의 상을 투영 광학계를 통한 노광에 의해 기판에 노광하는 노광 방법으로서,제1항 또는 제3항에 따른 결정 방법을 이용하여 결정된 노광 파라미터의 값을 이용하여 노광 조건을 설정하는 단계, 및상기 설정된 노광 조건 아래에서 기판을 노광하는 단계를 포함하는 노광 방법.
- 디바이스 제조 방법으로서,제8항에 따른 노광 방법을 사용하여 기판을 노광하는 단계,상기 노광된 기판을 현상하는 단계, 및상기 현상된 기판을 가공하여 상기 디바이스를 제조하는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
- 레티클을 조명하고 투영 광학계를 통하여 레티클의 패턴의 상을 기판에 노광할 때의 노광 파라미터의 값의 결정을 컴퓨터에 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기록 매체로서,상기 컴퓨터 프로그램에 의해 실행되는 노광 파라미터의 결정 방법은,상기 노광 파라미터의 값을 소정의 값으로 설정하는 설정 단계,설정된 노광 파라미터의 소정의 값을 이용하고 상기 기판의 노광량과 상기 기판의 디포커스량에 각각 복수의 값을 설정하여 상기 투영 광학계의 상면측에 형성되는 상기 레티클의 패턴의 광학상을 산출하고, 산출된 광학상의 윤곽과 상기 광학상의 목표 광학상의 윤곽 사이의 어긋남이 허용값이 되는, 상기 노광량 및 상기 디포커스량의 범위를 산출하는 산출 단계,상기 노광 파라미터의 소정의 값을 변경하고, 변경 후의 노광 파라미터의 값을 이용하여 상기 산출 단계를 반복하는 반복 단계, 및상기 산출 단계 및 상기 반복 단계에 있어서의 산출 결과를 이용하여, 상기 노광 파라미터의 값을 결정하는 결정 단계를 포함하는, 기록 매체.
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JP5215812B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 照明条件の決定方法、プログラム、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010107737A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Toshiba Corp | マスク検証方法、半導体装置の製造方法及び露光条件の調整プログラム |
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JP5539097B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 評価方法、決定方法及びプログラム |
JP5539140B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 決定方法、露光方法、プログラム及びコンピュータ |
JP5539148B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | レジストパターンの算出方法及び算出プログラム |
NL2007477A (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-24 | Asml Netherlands Bv | Method of optimizing a lithographic process, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and simulation apparatus. |
JP5835968B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2015-12-24 | キヤノン株式会社 | 決定方法、プログラム及び露光方法 |
TWI551205B (zh) * | 2013-06-20 | 2016-09-21 | 欣興電子股份有限公司 | 曝光圖像補償方法 |
JP5681309B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-03-04 | キヤノン株式会社 | 決定方法、露光方法及びプログラム |
JP6418606B2 (ja) | 2015-08-07 | 2018-11-07 | 東芝メモリ株式会社 | パターン輪郭抽出装置、パターン輪郭抽出方法およびパターン輪郭抽出プログラム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030219154A1 (en) | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Medvedeva Marina M. | Quality measurement of an aerial image |
US20070032896A1 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-08 | Brion Technologies, Inc. | Method for lithography model calibration |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3339174B2 (ja) * | 1993-11-08 | 2002-10-28 | ソニー株式会社 | フォトマスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
JP4352498B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2009-10-28 | ソニー株式会社 | パターン露光方法とこれに用いる処理装置 |
US6401236B1 (en) * | 1999-04-05 | 2002-06-04 | Micron Technology Inc. | Method to eliminate side lobe printing of attenuated phase shift |
JP2002190443A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Hitachi Ltd | 露光方法およびその露光システム |
TWI289878B (en) * | 2001-08-30 | 2007-11-11 | United Microelectronics Corp | Aggressive optical proximity correction method |
AU2003303356A1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-07-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Determining lithographic parameters to optimise a process window |
US7030966B2 (en) * | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations |
US7342646B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-03-11 | Asml Masktools B.V. | Method of manufacturing reliability checking and verification for lithography process using a calibrated eigen decomposition model |
KR100841729B1 (ko) * | 2004-09-14 | 2008-06-27 | 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. | 풀-칩 제조 신뢰성 체크 및 보정 수행 방법 및 이를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 |
JP2006303175A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Toshiba Corp | 照明輝度分布の規定方法 |
JP4690795B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP4336671B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2009-09-30 | キヤノン株式会社 | 露光パラメータの決定をコンピュータに実行させるプログラム、露光パラメータを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。 |
JP4806020B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2011-11-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを作成するための方法、公称条件で使用するためのリソグラフィプロセスの単一のモデルを作成するための方法、およびコンピュータ読取可能媒体 |
US20070121090A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7378202B2 (en) * | 2006-02-21 | 2008-05-27 | Mentor Graphics Corporation | Grid-based resist simulation |
JP2008041710A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 照明光学装置、露光方法及び設計方法 |
US7512927B2 (en) * | 2006-11-02 | 2009-03-31 | International Business Machines Corporation | Printability verification by progressive modeling accuracy |
US8056022B2 (en) * | 2006-11-09 | 2011-11-08 | Mentor Graphics Corporation | Analysis optimizer |
JP2009302206A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光パラメータの決定方法、露光パラメータを決定するためのプログラム、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
2008
- 2008-06-11 JP JP2008153398A patent/JP2009302206A/ja active Pending
-
2009
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030219154A1 (en) | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Medvedeva Marina M. | Quality measurement of an aerial image |
US20070032896A1 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-08 | Brion Technologies, Inc. | Method for lithography model calibration |
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