JP4528580B2 - 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム - Google Patents
照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4528580B2 JP4528580B2 JP2004243874A JP2004243874A JP4528580B2 JP 4528580 B2 JP4528580 B2 JP 4528580B2 JP 2004243874 A JP2004243874 A JP 2004243874A JP 2004243874 A JP2004243874 A JP 2004243874A JP 4528580 B2 JP4528580 B2 JP 4528580B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- illumination
- optical image
- mask pattern
- pattern
- management
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
R = k1 × λ / NA (1)
ここでRは、解像可能な最小の周期の1/2、λは露光波長、NAは露光装置の投影レンズの出射側開口数である。k1はプロセスの能力を表す因子(k1ファクタ)である。k1ファクタの小さい状態、即ち露光波長λと投影レンズの射出側開口数NAを変えないで、より微細なパターンを露光をする場合、パターンの露光量余裕度、焦点深度が狭くなり、転写されたレジストパターンの寸法が許容範囲から外れやすくなる。したがって、露光装置に求められる転写精度が高水準となる。このような問題を解決するために、変形照明法を使用することによってパターンの露光量余裕度、及び焦点深度を拡大する手法が考案されている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1には、有効光源の周辺部強度が中央部強度より大となるような照明方法が開示されている。輪帯照明や四重極照明のような変形照明を使用することによって、微細パターンの露光量余裕度、焦点深度が拡大する。
Ctr = (Imax - Imin)/(Imax + Imin) (2)
光学像のコントラストが小さいと、露光量の変動により転写パターンの寸法変動が増加する。したがって、露光量余裕度(EL)を大きくして転写パターンの寸法変動を抑制するためには、コントラストの増加が望ましい。
d{log(E)}/dx = d{log(1/I)}/dx = -d{log(I)}/dx = -(1/I)×dI/dx (3)
例えば、図1に示した露光装置において、光源10の照明光強度の誤差やレジスト感度のゆらぎなどが原因で、露光量がばらつくことがある。光学像で考えた場合、露光量のばらつきは像強度しきい値の変動に対応する。その結果、パターンエッジが移動して、パターン寸法の変動が生じる。
EL = 2×ΔD, ΔCD = 2×Δx (4)
露光量管理幅ΔD、及び寸法管理幅ΔCDの間には、近似的に次式の関係がある。
ΔD/Δx = d{log(EE)}/dx (5)
ここで、パターンエッジ位置での露光量をEEとしている。式(4)及び式(5)より、次式が導かれる。
EL = ΔCD × [d{log(EE)}/dx] (6)
ここで、d{log(EE)}/dxは、式(3)で示したように、着目するパターンエッジにおける規格化像強度勾配である。式(6)から、着目するパターンエッジ位置の規格化像強度勾配の値が大きいほど露光量余裕度ELが大きくなることがわかる。また、パターンエッジ位置の規格化像強度勾配が大きい光学像では、露光量誤差に対して寸法変動が少ない。このように、光学像のコントラストと同様に、光学像のパターンエッジ位置の規格化像強度勾配が、露光量余裕度の指標として用いることができる。
Bm = (aK1 + aK2 + ・・・ + aKm)/(bK1 + bK2 +・・・+ bKm) (7)
着目するパターンエッジ位置の寸法管理幅ΔCD、及び必要とされる露光量余裕度ELにたいして、判定値Bmが次式を満たす最大の整数mを求める。
Bm > EL / ΔCD (8)
式(8)より順位が1からmまでの光源群の集団を抽出して、露光量余裕度を最適にする照明とする。このように、指標として規格化像強度勾配を用いて、露光装置の露光量余裕度ELを向上させて転写パターンの寸法変動を抑制する照明光源の設計が可能となる。
Δcd = 2 × |J(xE) - I(xE)| / (dJ(xE)/dx) (9)
式(9)から、着目するパターンエッジ位置での変形規格化像強度勾配が大きいほど、デフォーカスによるパターン寸法の変動が小さいといえる。
ΔX =Δcd× (DF / Δz)2 (10)
フォーカス誤差ΔXが、寸法管理幅ΔCDと等しいとき、デフォーカスDFは焦点深度DOFの端となる。したがって、焦点深度DOFは、次式で表わされる。
DOF = 2 × DF = 2 × d × [ΔCD / {|J(xE) - I(xE)| / (dJ(xE)/dx)}] (11)
式(11)から、変形規格化像強度勾配が大きいほど焦点深度DOFが大きい光学像である。したがって、フォーカス誤差に対して転写パターンの寸法変動が少ない光学像であることがわかる。このように、デフォーカス像の変形規格化像強度勾配は、焦点深度の指標として用いることができる。
Dm = (bdK1+bdK2+ ・・・ +bdKm)/(|aK1-adK1|+|aK2-adK2|+・・・+|aKm-adKm|) (12)
着目するパターンエッジ位置の寸法管理幅ΔCDにたいして、判定値Dmが次式を満たす最大の整数mを求める。
Dm > 1 / ΔCD (13)
式(13)より順位が1からmまでの光源群の集団を抽出して、焦点深度を最適にする照明とする。このように、指標として変形規格化像強度勾配を用いて、露光装置の焦点深度を向上させて転写パターンの寸法変動を抑制する照明光源の設計が可能となる。
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2、2a フォトマスク
4 有効光源
4a 最大照明領域
6 瞳
10 光源
11 集光光学系
12 フライアイレンズ
14 コンデンサレンズ
15 照明光学系
16 マスクステージ
17 投影レンズ
19 投影光学系
20 基板ステージ
22a、22b 第1の偏光子
24 第2の偏光子
30 入力装置
31 出力装置
32 外部メモリ
34 設計情報データベース
35 設計管理サーバ
36 設計部
38 製造情報データベース
39 製造管理サーバ
40 製造部
42 設計ユニット
44 入力部
46 領域設定部
48 照明要素設定部
50 管理図形指定部
52 偏光設定部
54 像計算部
56 指標計算部
57 判定部
58 照明要素抽出部
60 照明合成部
62 パターン補正部
64 出力部
66 内部メモリ
72 マスクパターンファイル
74 転写パターンファイル
76 管理図形ファイル
80 透明基板
82 遮光膜
84a〜84d、94a〜94d 開口部
86 マスクパターン
92 レジスト膜
96 転写パターン
104a〜104d、130a〜130h 照明領域
106a〜106c、106i、106n、107i〜109i、132i〜139i 照明要素
110i 光源群
112、112a 第1の照明
114、104a 第2の照明
120a〜120d ラインパターン
122 L/Sパターン
Claims (8)
- マスクパターンの転写パターンの寸法管理を行う管理図形を設定するステップと、
前記マスクパターンを照明する複数の照明要素を設定するステップと、
前記複数の照明要素のそれぞれから出射される光の第1の偏光状態に第1の照明光を設定するステップと、
前記第1の照明光のそれぞれで第1の結像面に形成される前記管理図形の第1の光学像を計算するステップと、
前記第1の照明光のそれぞれで第2の結像面に形成される前記管理図形の第2の結像面光学像を計算するステップと、
前記第1の光学像及び前記第2の結像面光学像の光学特性に基づいて前記光の照明形状及び偏光状態分布を決定するステップ
とを含むことを特徴とする照明光源の設計方法。 - 前記複数の照明要素のそれぞれから出射される光の第2の偏光状態に第2の照明光を設定するステップと、
前記第2の照明光のそれぞれで前記第1の結像面に形成される前記管理図形の第2の光学像を計算するステップとを更に含み、
前記光の照明形状及び偏光状態分布を決定するステップは、前記第1及び第2の光学像の光学特性に基づいて決定することを特徴とする請求項1に記載の照明光源の設計方法。 - 前記光学特性が、前記光学像のコントラスト、及び前記光学像のパターンエッジにおける像強度で規格化された像強度勾配のいずれかであることを特徴とする請求項2に記載の照明光源の設計方法。
- 前記第1及び第2の結像面が、それぞれベストフォーカス面及びデフォーカス面であることを特徴とする請求項1に記載の照明光源の設計方法。
- マスクパターンの転写パターンの寸法管理を行う管理図形を設定するステップと、
前記マスクパターンを照明する複数の照明要素を設定するステップと、
前記複数の照明要素のそれぞれから出射される光の第1の偏光状態に第1の照明光を設定するステップと、
前記第1の照明光のそれぞれで第1の結像面に形成される前記管理図形の第1の光学像を計算するステップと、
前記第1の照明光のそれぞれで第2の結像面に形成される前記管理図形の第2の結像面光学像を計算するステップと、
前記第1の光学像及び前記第2の結像面光学像の光学特性に基づいて前記光の照明形状及び偏光状態分布を決定するステップと、
前記照明光源で前記マスクパターンの転写パターンの寸法変動を算出するステップ
とを含むことを特徴とするマスクパターンの設計方法。 - マスクパターンの転写パターンの寸法管理を行う管理図形を設定するステップと、
前記マスクパターンを照明する複数の照明要素を設定するステップと、
前記複数の照明要素のそれぞれから出射される光の第1の偏光状態に第1の照明光を設定するステップと、
前記第1の照明光のそれぞれで第1の結像面に形成される前記管理図形の第1の光学像を計算するステップと、
前記第1の照明光のそれぞれで第2の結像面に形成される前記管理図形の第2の結像面光学像を計算するステップと、
前記第1の光学像及び前記第2の結像面光学像の光学特性に基づいて前記光の照明形状及び偏光状態分布を決定するステップと、
前記照明光源で前記マスクパターンの転写パターンの寸法変動を算出するステップとを含み、
前記マスクパターンを補正した補正マスクパターンを用いてフォトマスクを作製することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - レジスト膜を塗布した半導体基板を露光装置に装着し、
請求項6で作製された前記フォトマスクを用いて前記半導体基板に投影し、前記レジスト膜に前記補正マスクパターンを転写してレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとして前記半導体基板を加工する
ことを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - マスクパターンの転写パターンの寸法管理を行う管理図形を設定する命令と、
前記マスクパターンを照明する複数の照明要素を設定する命令と、
前記複数の照明要素のそれぞれから出射される光の第1の偏光状態に第1の照明光を設定する命令と、
前記第1の照明光のそれぞれで第1の結像面に形成される前記管理図形の第1の光学像を計算する命令と、
前記第1の照明光のそれぞれで第2の結像面に形成される前記管理図形の第2の結像面光学像を計算する命令と、
前記第1の光学像及び前記第2の結像面光学像の光学特性に基づいて前記光の照明形状及び偏光状態分布を決定する命令
とをコンピュータに実行させるためのプログラム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004243874A JP4528580B2 (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
DE602005001994T DE602005001994T2 (de) | 2004-08-24 | 2005-08-23 | Verfahren zum Entwurf einer Beleuchtungsquelle, Verfahren zum Entwurf einer Maskenstruktur, Verfahren zur Herstellung einer Photomaske, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Computerprogrammprodukt |
US11/208,557 US7386830B2 (en) | 2004-08-24 | 2005-08-23 | Method for designing an illumination light source, method for designing a mask pattern, method for manufacturing a photomask, method for manufacturing a semiconductor device and a computer program product |
EP05018261A EP1630614B1 (en) | 2004-08-24 | 2005-08-23 | Method for designing an illumination light source, method for designing a mask pattern, method for manufacturing a photomask, method for manufacturing a semiconductor device and a computer program product |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004243874A JP4528580B2 (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006066440A JP2006066440A (ja) | 2006-03-09 |
JP4528580B2 true JP4528580B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=35285551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004243874A Expired - Fee Related JP4528580B2 (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7386830B2 (ja) |
EP (1) | EP1630614B1 (ja) |
JP (1) | JP4528580B2 (ja) |
DE (1) | DE602005001994T2 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8270077B2 (en) * | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
CN101726863B (zh) * | 2004-01-16 | 2012-08-29 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 偏振调制光学元件 |
US20070019179A1 (en) * | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
US7324280B2 (en) | 2004-05-25 | 2008-01-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for providing a pattern of polarization |
US7395516B2 (en) | 2005-05-20 | 2008-07-01 | Cadence Design Systems, Inc. | Manufacturing aware design and design aware manufacturing |
CN101228527B (zh) * | 2005-05-20 | 2011-03-23 | 凯登斯设计系统有限公司 | 有制造意识的ic设计处理和有设计意识的ic制造处理 |
US7735056B2 (en) * | 2006-03-30 | 2010-06-08 | Texas Instruments Incorporated | Automated circuit design dimension change responsive to low contrast condition determination in photomask phase pattern |
US7807323B2 (en) * | 2006-04-11 | 2010-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure condition setting method, semiconductor device manufacturing method, and exposure condition setting program |
EP1857879A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-21 | Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG | An illumination system and a photolithography apparatus |
JP2008004917A (ja) * | 2006-05-24 | 2008-01-10 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2008041710A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 照明光学装置、露光方法及び設計方法 |
JP5224687B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 露光条件算出プログラム及び露光条件算出方法 |
US8576377B2 (en) | 2006-12-28 | 2013-11-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080158529A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2008263143A (ja) | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Toshiba Corp | 露光装置の光源評価方法、露光装置の照明形状設計方法、及び露光装置の照明形状最適化ソフトウェア |
JP2009071125A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Canon Inc | 露光条件を決定する方法及びプログラム |
US8028252B2 (en) * | 2007-09-14 | 2011-09-27 | Luminescent Technologies Inc. | Technique for determining mask patterns and write patterns |
JP2009194041A (ja) | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Canon Inc | 評価方法、調整方法、露光装置、およびコンピュータプログラム |
JP2009194107A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Canon Inc | 有効光源形状のデータベースの生成方法、光学像の算出方法、プログラム、露光方法及びデバイス製造方法 |
US20090265148A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Synopsys, Inc. | Modeling a sector-polarized-illumination source in an optical lithography system |
JP2010114308A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
NL2003696A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Scanner model representation with transmission cross coefficients. |
JP2010128279A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Toshiba Corp | パターン作成方法及びパターン検証プログラム |
JP5607327B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 決定方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム |
US8739079B2 (en) | 2009-10-30 | 2014-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording medium and determination method |
NL2005738A (en) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Asml Holding Nv | Improved polarization designs for lithographic apparatus. |
US8490034B1 (en) * | 2010-07-08 | 2013-07-16 | Gauda, Inc. | Techniques of optical proximity correction using GPU |
US9164397B2 (en) * | 2010-08-03 | 2015-10-20 | Kla-Tencor Corporation | Optics symmetrization for metrology |
NL2007306A (en) * | 2010-09-23 | 2012-03-26 | Asml Netherlands Bv | Source polarization optimization. |
NL2007303A (en) * | 2010-09-23 | 2012-03-26 | Asml Netherlands Bv | Process tuning with polarization. |
JP5539140B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 決定方法、露光方法、プログラム及びコンピュータ |
JP5686567B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2015-03-18 | キヤノン株式会社 | 露光条件及びマスクパターンを決定するプログラム及び方法 |
US8699003B2 (en) * | 2011-06-07 | 2014-04-15 | Nanya Technology Corp. | Method for determining illumination source with optimized depth of focus |
US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
US20140129997A1 (en) * | 2012-11-08 | 2014-05-08 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
WO2015158444A1 (en) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Flows of optimization for lithographic processes |
EP4392826A1 (en) * | 2022-03-25 | 2024-07-03 | Photronics, Inc. | Low intensity photomask and system, method and program product for making low intensity photomask for use in flat panel display lithography |
CN115049735B (zh) * | 2022-08-12 | 2022-11-08 | 季华实验室 | 一种掩膜优化处理方法、装置、电子设备及存储介质 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07134390A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-05-23 | Sony Corp | 露光装置の設計方法及び露光用マスクの設計方法 |
JPH08335552A (ja) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 照明を最適化する方法および投影結像装置 |
JP2003303742A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Toshiba Corp | プロセスパラメータの作成方法、プロセスパラメータの作成システム及び半導体装置の製造方法 |
JP2004088075A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-03-18 | Asml Netherlands Bv | 光学エレメントを組み立てる部品のキット、光学エレメントを組み立てる方法、光学エレメント、リソグラフィ装置、およびデバイス製造法 |
JP2004200696A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、ミラー要素、デバイス製造方法、およびビーム送達システム |
JP2005183938A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Asml Masktools Bv | 最適化した偏光照明 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5465220A (en) | 1992-06-02 | 1995-11-07 | Fujitsu Limited | Optical exposure method |
JPH0682598B2 (ja) | 1984-10-11 | 1994-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置 |
US6563566B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-05-13 | International Business Machines Corporation | System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle |
TWI285295B (en) | 2001-02-23 | 2007-08-11 | Asml Netherlands Bv | Illumination optimization in lithography |
KR100468741B1 (ko) * | 2002-06-22 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치의 어퍼처 설계를 위한 시뮬레이션 방법 및장치, 그리고 시뮬레이션 방법을 기록한 기록매체 |
JP2004079714A (ja) | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Renesas Technology Corp | アパーチャの最適形状決定装置 |
JP3958163B2 (ja) | 2002-09-19 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
JP2004128108A (ja) | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 投影露光装置のアパーチャ形状の最適化方法 |
TWI257524B (en) | 2002-12-09 | 2006-07-01 | Asml Netherlands Bv | A method for determining parameters for lithographic projection, a computer system and computer program therefor, a method of manufacturing a device and a device manufactured thereby |
US7030966B2 (en) * | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations |
US6839125B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Method for optimizing an illumination source using full resist simulation and process window response metric |
SG146424A1 (en) | 2003-03-31 | 2008-10-30 | Asml Masktools Bv | Source and mask optimization |
US6894765B2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing |
US7057709B2 (en) * | 2003-12-04 | 2006-06-06 | International Business Machines Corporation | Printing a mask with maximum possible process window through adjustment of the source distribution |
-
2004
- 2004-08-24 JP JP2004243874A patent/JP4528580B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-23 DE DE602005001994T patent/DE602005001994T2/de active Active
- 2005-08-23 US US11/208,557 patent/US7386830B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-23 EP EP05018261A patent/EP1630614B1/en not_active Ceased
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07134390A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-05-23 | Sony Corp | 露光装置の設計方法及び露光用マスクの設計方法 |
JPH08335552A (ja) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 照明を最適化する方法および投影結像装置 |
JP2003303742A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Toshiba Corp | プロセスパラメータの作成方法、プロセスパラメータの作成システム及び半導体装置の製造方法 |
JP2004088075A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-03-18 | Asml Netherlands Bv | 光学エレメントを組み立てる部品のキット、光学エレメントを組み立てる方法、光学エレメント、リソグラフィ装置、およびデバイス製造法 |
JP2004200696A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、ミラー要素、デバイス製造方法、およびビーム送達システム |
JP2005183938A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Asml Masktools Bv | 最適化した偏光照明 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE602005001994T2 (de) | 2008-05-08 |
US7386830B2 (en) | 2008-06-10 |
US20060046168A1 (en) | 2006-03-02 |
EP1630614B1 (en) | 2007-08-15 |
JP2006066440A (ja) | 2006-03-09 |
EP1630614A1 (en) | 2006-03-01 |
DE602005001994D1 (de) | 2007-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4528580B2 (ja) | 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
US7681171B2 (en) | Method, program product and apparatus for performing double exposure lithography | |
KR100839972B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP3645242B2 (ja) | ダイポール式照明技術に関連して使用されるマスクの生成方法と生成装置 | |
US7684013B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US8635563B2 (en) | Mask data producing method and mask data producing program | |
US20100203430A1 (en) | Methods for performing model-based lithography guided layout design | |
US7898644B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US8043797B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US20080158529A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2004133426A (ja) | 自動光近接補正(opc)ルール作成 | |
US9779186B2 (en) | Methods for performing model-based lithography guided layout design | |
KR20020070130A (ko) | 그레이바를 서브-해상도 어시스트 피처로 활용하는광근접성교정방법 | |
Fühner | Artificial evolution for the optimization of lithographic process conditions | |
US20060256311A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7528934B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2005228791A (ja) | リソグラフィ補正システム、リソグラフィ補正方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100607 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |