JP4257088B2 - フォトマスク製造時に現像段階で生じる線幅変化を補正して露光する方法及びそのためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造に利用されるフォトマスクを製造するためにフォトマスク基板のレジストを露光する方法に係り、より詳細にはフォトマスク製造時に現像段階で生じる線幅変化を補正して露光する方法及びこれを実現するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトリソグラフィに利用されるフォトマスクを製造するためには、電子ビームリソグラフィを利用して次のような一連の工程を進めることが一般的である。まず、石英やガラスなどの材質よりなる透明フォトマスク基板上に遮光膜と電子ビームレジストとが順次に積層されたブランクマスクを準備する。露光装置を利用して前記電子ビームレジストに所望のパターン通りに電子ビームを露光する。次に、現像装置を利用して露光された電子ビームレジストを現像する。所望のパターン通りに形成された電子ビームレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成する。その後、電子ビームレジストパターンを除去することによりフォトマスクを完成する。
【0003】
このように製造されたフォトマスクでは、製造工程上のさまざまな原因により所望の臨界寸法(CD:Critical Dimension)とは異なる線幅を有した遮光膜パターンが形成され、パターン線幅の均一度が下がるといった問題がある。このように工程上の原因によりパターン線幅が変化し均一度が低下したフォトマスクを利用してフォトリソグラフィを行えば、ウェーハ上のパターンについても線幅が変化し均一度が低下する。従って、パターン線幅が変化し均一度が低下したフォトマスクは半導体素子の不良要因になって工程収率を下げることにより製造コストを上昇させる。このために、パターン線幅の変化を起こす原因を分析して補正露光する必要がある。
【0004】
パターン線幅の変化をもたらす工程上の原因のうち代表的なものとしてフォギング(fogging)効果とローディング(loading)効果とがある。フォギング効果とは、電子ビームレジストの内部または表面と、電子ビーム照射器の対物レンズ下部とから反射された電子ビームにより電子ビームレジストが散乱露光されることによって線幅変化が生じることをいう。そして、ローディング効果とは、遮光膜をエッチングする時にローディング密度(電子ビームレジストが除去されて下部の遮光膜が露出された面積の密度)の高い部分の線幅がローディング密度の低い部分の線幅より広くなるといった線幅変化が生じることをいう。
【0005】
いままでの補正露光法はこのようなフォギング効果やローディング効果を考慮したものが大部分であった。フォギング効果及びローディング効果は、フォトマスク製造工程のうちそれぞれ露光工程及び遮光膜エッチング工程で生じる線幅変化の原因であり、フォトマスク製造工程のうち現像段階で生じる線幅変化は看過されてきた。しかし、フォギング効果及びローディング効果を考慮した補正露光法を用いてフォトマスクを製造してもパターン線幅の均一度を高めるのに限界があり、現像段階での線幅変化はそれが小さいとしても、順次高集積化する集積回路の製造に無視できない影響を及ぼすと言える。
【0006】
図1は現像段階で生じる線幅変化を説明するために示された現像装置の概略的な図面である。
【0007】
図1を参照すれば、現像装置では、ブランクマスク20の露光面25が上に向かうように置かれた状態で、すなわち露光工程を通じて露光された電子ビームレジストが上に向かうように置かれた状態で、ノズル15を介して現像液10が下方に噴射される。この時、現像液が等しく行き渡るべく、ブランクマスク20を回転させる(30)。すなわち、一般的な現像工程はスピン工程を採用するものである。ところで、露光されたブランクマスク20を回転させつつ(30)現像液10を噴射すれば、ブランクマスク20の露光面25上での現像液10の流速、相対流量、気化熱などの差により遮光膜パターンの線幅に対する均一度が変化する。現像工程がスピン工程方法を採用するために、現像段階で生じるパターン線幅変化は放射方向への変化特性を示す。現像段階でのパターン線幅変化はウェーハの工程マージンを減らして外郭部分のセルを脆弱にする問題があるためにこれに対する補正露光法の開発が急務である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明がなそうとする技術的課題は、電子ビーム露光後の現像段階にて示されるパターン線幅の変化を補正して露光する方法を提供することである。また、本発明がなそうとする他の技術的課題は、現像段階で生じるパターン線幅の変化を補正して露光するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を達成するための本発明におけるフォトマスク製造時に、現像段階で生じる二次元的に分布したパターン線幅変化を補正して露光する方法によれば、まずフォトマスク基板上の領域を縦横それぞれに区画して二次元的に分散した複数のメッシュに分割し、前記フォトマスク基板の中央に位置する基準メッシュからの距離がrであり、当該基準メッシュからみて種々の放射方向に分散して配置される各メッシュでのパターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布を次の数式で表現されるガウス分布として想定し、パターン線幅変化量ΔCD(r)の標準偏差σを算出する。
【0011】
【数5】
【0012】
ここで、AとBとは定数である。次に、前記算出された標準偏差σを前記数式に代入して最終的な関数を導出し、前記基準メッシュからの距離がxであるフォトマスク基板上の任意の地点でのパターン線幅変化量ΔCD(x)を前記数式から予測する。前記フォトマスク基板上の各地点に対し、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が負である領域のパターン線幅は広がり、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が正である領域のパターン線幅は狭まるべくパターン線幅データを補正する。前記フォトマスク基板上の各地点に対して補正されたパターン線幅データを露光装備に適用する。
【0013】
前記標準偏差σを算出する段階は、a)まず所定の線幅を有するテストパターンによりフォトマスク基板上に測定パターンを形成し、前記各メッシュに対して前記測定パターンの線幅を測定する段階、b)前記測定された線幅と前記テストパターンの線幅との差であるパターン線幅変化量ΔCD(r)を決定する段階、c)前記任意のσを選択してこれを前記数式に代入して前記各メッシュに対してパターン線幅変化量を計算する段階、d)前記計算されたパターン線幅変化量と前記決定されたパターン線幅変化量ΔCD(r)の偏差を求める段階、および前記bないしd)段階を反復して行って前記偏差を最小とするσを自動的に選定する段階とを含む。
【0015】
前記他の技術的課題を達成するための本発明におけるフォトマスク製造時に、現像段階で生じる二次元的に分布したパターン線幅変化を補正して露光するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、当該プログラムは、フォトマスク基板上の領域を縦横それぞれに区画して二次元的に分散した複数のメッシュに分割して前記フォトマスク基板の中央に位置する基準メッシュからの距離がrであり、当該基準メッシュからみて種々の放射方向に分散して配置される各メッシュでのパターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布を次の数式で表現されるガウス分布として想定し、パターン線幅変化量ΔCD(r)の標準偏差σを算出する手順をコンピュータに実行させる。
【0016】
【数6】
【0017】
ここで、AとBとは定数である。そして、このプログラムは、前記数式に前記算出された標準偏差σを代入して最終的な関数を導出し、前記基準メッシュからの距離がxであるフォトマスク基板上の任意の地点でのパターン線幅変化量ΔCD(x)を前記数式から予測する手順と、前記フォトマスク基板上の各地点に対し、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が負である領域のパターン線幅は広がり、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が正である領域のパターン線幅は狭まるべくパターン線幅データを補正する手順とをコンピュータに実行させる。また、前記フォトマスク基板上の各地点に対して補正されたパターン線幅データにより露光装備を作動して前記フォトマスク基板上の電子ビームレジストを露光する手順をコンピュータに実行させる。
【0018】
前記標準偏差σを算出する手順は、a)前記各メッシュに対し所定の線幅を有するテストパターンによりフォトマスク基板上に形成された測定パターンで測定した線幅と前記テストパターンの線幅との差で決定されたパターン線幅変化量ΔCD(r)の入力を受け付ける手順、b)任意のσを選択してこれを前記数式に代入して前記各メッシュに対してパターン線幅変化量を計算する手順、及びc)前記計算されたパターン線幅変化量と前記入力を受け付けたパターン線幅変化量ΔCD(r)との偏差を求めて前記偏差を最小にするσを選定する手順を含む。
【0019】
本発明によれば、所望のパターンに対してフォトマスク製造時に現像段階で生じるパターン線幅変化量を予測してこれに相応するように補正露光する方法を通じ、現像段階で生じるパターン線幅変化を減らすことができる。従って、現像段階で生じるパターン線幅変化によりウェーハの工程マージンが減って外郭部分のセルが脆弱になる問題を解決できる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図2ないし図6を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。しかし、本実施形態は本発明を説明するためにのみ用いられるものであり、本発明は、以下にて開示される実施形態に限定されるものでなく相異なる多様な形態で具現されることは明らかである。以下の各図面にて同じ参照符号は同じ要素を示す。
【0021】
本実施形態はフォトマスク基板上の電子ビームレジストを露光する方法に係り、フォトマスク製造時に現像段階で生じる線幅変化を補正して露光する方法に関する。図2は本発明の実施形態によりフォトマスク製造時に現像段階で生じる線幅変化を補正して露光する方法の順序を図示したフローチャートである。
【0022】
段階 I
図2を参照すれば、まずフォトマスク基板上の領域をメッシュに分割し、任意に定められた基準メッシュからの距離がrであるメッシュでのパターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布を求めねばならない。前記パターン線幅変化量ΔCD(r)の分布を求める段階は、図3に示されるような次の段階を経て行われる。
【0023】
図3を参照すれば、前記パターン線幅変化量ΔCD(r)の分布を求める段階では、まず所定の線幅を有するテストパターンによりフォトマスク基板上に露光、現像及びエッチングして測定パターンを形成する(S1)。前記測定パターンが形成されたフォトマスク基板上の領域をメッシュに分割し、前記各メッシュに対して前記測定パターンの線幅を測定する。そして、前記測定された線幅と前記テストパターンの線幅との差であるパターン線幅変化量ΔCD(r)を決定する(S2)。ここで、前記基準メッシュとして前記フォトマスク基板の中央に位置するメッシュを選択すれば、前記基準メッシュからの距離がrであるメッシュでのパターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布を次の数式で表現されるガウス分布として想定できる。
【0024】
【数7】
【0025】
ここで、AとBとは定数である。
【0026】
前記数式(1)が有する意味を詳述すれば、次の通りである。前述の如く、一般的な現像工程はスピン工程を含むために、現像段階で生じるパターン線幅変化はフォトマスク基板の中央を基準にした放射方向への変化特性を示す。フォトマスク基板上の任意の地点でスピンにより生じるパターン線幅変化はフォトマスク基板の中央からの距離rにより指数的に減りうるので、その分布はガウス分布として定量化できる。
【0027】
各メッシュに対してパターン線幅変化量が決定された後で、前記数式(1)での標準偏差σを算出する(S3)。詳述すれば、任意のσを選択してこれを前記数式(1)に代入する。任意のσが代入された前記数式(1)にそれぞれのrを代入することにより前記各メッシュに対してパターン線幅変化量を計算する。次に、前記計算されたパターン線幅変化量と前記決定されたパターン線幅変化量との偏差を求める。前記偏差を最小とするσが選定されるまで順次に任意のσを選択して前記偏差を求める過程を反復的に行う。前記偏差を最小とするσは最小自乗法で求めることが望ましい。すなわち、各rに対して求めた偏差の自乗の和が最小になる時のσを前記数式(1)の標準偏差として選定する。
【0028】
以下では、前述の如くフォトマスク基板上の領域をメッシュに分割し、フォトマスク基板の中央に位置する基準メッシュからの距離がrであるメッシュでのパターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布を求めるための各段階を詳細に説明する一例を提供する。
【0029】
図4及び図5は本発明の実施形態に用いられたテストパターン及び前記テストパターンがフォトマスク基板上に配列された様子をそれぞれ図示したものである。
【0030】
図4は本実験例に用いられたテストパターンを示したものである。図4に示されたように、前記テストパターン110は線幅2μmを有して4μm間隔に配列された一定の長さを有した基準パターン112と枠116とを有する。前記基準パターン112は13個が集まって一束114をなすことにより、一束全体では50μmに達する幅を有する。前記テストパターン110はこのような束114を一つだけ含むものであってもよいが、本実施形態では二つ含むものを用いる。前記枠116は一辺長さが120μmである正方形である。前記テストパターン110で基準パターン112は後続の工程を経て線幅を測定する部分に該当する。
【0031】
図5は前記テストパターン110が配列されたフォトマスク基板100を示したものである。示されたように、前記フォトマスク基板100は一辺の長さが6インチである正方形である。露光されるテストパターン110は前記フォトマスク基板100の横及び縦にそれぞれ21個ずつ配列される。各テストパターン110の間隔は6750μmである。
【0032】
以上にて説明したテストパターン110及びテストパターン110の配列は非常に単純な形であるが、本発明は実施形態にて言及した形に限定されず、多様な形のテストパターン及びその配列についても適用されうる。
【0033】
図4及び図5に説明されたテストパターン110及びテストパターン110の配列を用いてフォトマスク基板100上の電子ビームレジストを露光し、現像及びエッチングして測定パターンを形成する。まず、石英やガラスなどの材質よりなる透明フォトマスク基板上に遮光膜と電子ビームレジストとが順次に積層されたブランクマスクを準備し、前記テストパターン110及びテストパターン110の配列を用いて前記電子ビームレジストを露光する。この時には、現像段階で生じるパターン線幅変化だけが顕著となるようにすべくフォギング効果及びローディング効果を考慮した補正露光を行ってもよい。次に、前記露光された電子ビームレジストを、通常の方法通りのスピン工程により現像する。現像された電子ビームレジストにより前記遮光膜をエッチングして前記電子ビームレジストを除去して測定パターンを完成する。
【0034】
前記測定パターンが形成されたフォトマスク基板100をメッシュに分割し、前記各メッシュに対して前記測定パターンの線幅を測定する。図6は測定パターンの線幅に対するCD均一度地図を示したものである。前記均一度地図は前記フォトマスク基板100の横及び縦をそれぞれ21個のメッシュに分割した後、各メッシュでの測定パターン110の線幅を測定して線幅が同じ領域をグルーピングした結果である。前記線幅はそれぞれのメッシュ別に測定された平均値である。本実施形態では前記フォトマスク基板100の横及び縦をそれぞれ21個のメッシュに分割するものであるが、この場合に限定されず、前記メッシュの大きさは測定する線幅などを考慮して設定されねばならない。図面では、前記フォトマスク基板100の端に位置する1ないし3番目のメッシュと19ないし21番目のメッシュを除いてその内側のメッシュ(4ないし18番目のメッシュ)を示した。
【0035】
均一度地図上でハッチングが同一になった領域は同一の線幅を有する領域を示す。換言すれば、フォトマスク基板100の領域のうちで、同一のハッチングがされた領域上の測定パターン110は同じ線幅を有しており、前記均一度地図上において、異なったハッチングがされた領域が多く存在すればするほど測定パターン110線幅の均一度が低下することを示している。図6を参照すれば、同一のハッチングがされた領域は前記フォトマスク基板100の中央を基準として円形をなしており、8つの相異なるハッチング領域が存在することを確認できる。上記の如く同一のハッチングがされた領域が円形をなしている理由は、前述の通り現像工程にてブランクマスクを回転させるためであり、複数のハッチング領域が存在する理由は現像装置にローディングされた露光されたブランクマスクの個別領域により露光面上での現像液の流速、相対流量または気化熱差があるためである。図6を参照すれば、測定パターン110の線幅の最大値が2.216μm、最小値が2.2μmほどであるが、度数の99.73%を含む指標とさせる、標準偏差の3倍値である3σ(一般的に、CDエラーという)は10.4nmほどである。
【0036】
次に、前記測定パターンの線幅と前記テストパターンの線幅との差であるパターン線幅変化量ΔCDを決定する。前記フォトマスク基板の中央に位置するメッシュを基準メッシュとして選択する。前記基準メッシュからの距離がrであるメッシュでのパターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布をグラフに示せば図7の通りである。図7に見られるとおり、前記パターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布を数式(1)で表現されるガウス分布として想定できる。次に、最小自乗法で前記数式(1)での標準偏差σを算出する。順次にσを異ならしめて前記数式(1)から計算されたパターン線幅変化量と、実際測定により決定されたパターン線幅変化量とを比較することにより、全てのメッシュでの偏差の自乗和が最も小さいσを前記数式(1)での標準偏差σとして選択する。
【0037】
以上にて説明された標準偏差σを求める過程はコンピュータプログラムにより行うことが簡便である。前記プログラムはフォトマスク基板を各メッシュに分割して各メッシュで測定されたパターン線幅に対するデータの入力を受け付けることにより始まる。このためには、テストパターン及びこの配列に対するデータがユーザ等によりコンピュータに入力されねばならない。任意のσを選択して前記選択されたσの値を数式(1)に代入して各メッシュでのパターン線幅変化量を求める。その後、各メッシュで前記計算されたパターン線幅変化量と決定されたパターン線幅変化量との偏差を求める。具体的には、最初に選択されたσに所定の変位を加えていきつつ数式(1)の計算を反復して行う。そして、最小自乗法を用いて、前記計算されたパターン線幅変化量と決定されたパターン線幅変化量との差の自乗を求めて各メッシュに対してこれを合わせてその合算された値が最小とするためのσの値を求める。この過程にて、前記定数AとBも求められうる。
【0038】
本実施形態にて上記の過程を通じて求めた標準偏差σは40000μmほどである。定数Aは−0.00208nmであって0とみなすことができる。一方、Bは13nmである。
【0039】
段階 II
テストパターンを利用して前述の過程を経て求めたパターン線幅変化量ΔCD(r)の分布から前記フォトマスク基板上の各地点に対してパターン線幅変化量ΔCD(x)を予測する。すなわち、段階Iにて求めたσ、A及びBの値を前記数式(1)に代入すれば数式(2)の通りとなる。
【0040】
【数8】
【0041】
ここで、rの単位はμmであってΔCD(r)の単位はnmである。前記rに任意のxを代入して前記フォトマスク基板上の各地点に対してパターン線幅変化量ΔCD(x)を予測する。
【0042】
段階 III
段階IIにて予測したパターン線幅変化量によりパターン線幅データを補正する。ここで、前記基準メッシュからの距離がxであるフォトマスク基板上の任意の地点での露光時の電子線ビームのドーズ(dose)(x)を、基準ドーズE0に対して前記数式(2)から予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)に基づいて次の数式により決定できる。ここで、ドーズとは、電子線ビームの照射線量である。
【0043】
【数9】
【0044】
ここで、ΔCD(x)maxは前記予測されたパターン線幅変化量の最大値を示す。前記基準ドーズE0は実験を通じて適正値に決定できるが、単位ドーズ量変化時のパターン線幅変化量を考慮してその値を限定することもできる。単位ドーズ量変化時のパターン線幅変化量はドーズマージンと称される。ドーズマージンは、nm/%ドーズの単位で表示され、ドーズの%変化量に対して線幅の変化量を示す変数である。従って、ドーズマージンが分かれば、線幅の変化量を測定して補正露光さるべきドーズを計算できる。例えば、ドーズマージンが2nm/%ドーズの場合、1nmの線幅変化を付与するためには0.5%のドーズ変化を与えればよい。この場合、基準ドーズは補正露光前のドーズの0.5%に該当する。本実施形態では、図7に見られるようにΔCD(x)maxが13nmであるので、最大補正ドーズは補正露光前のドーズの6.5%である。
【0045】
ドーズを変化させる方法の代わりに、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が負である領域のパターン線幅データには正のバイアスを適用して、当該領域のパターン線幅が大きくなるように補正し、予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が正である領域のパターン線幅データには負のバイアスを適用して、当該領域のパターン線幅が小さくなるように補正することもできる。数式で表現すれば次の数式(4)の通りである。
【0046】
【数10】
【0047】
段階 IV
段階IIIにて補正されたパターン線幅データを露光装備に適用して補正露光を行う。本補正露光段階により現像段階で生じるフォトマスク基板の各地点での線幅変化を減らせる。
【0048】
以下にてはドーズを変化させる方法を用いて補正露光する一例を説明する。図4及び図5を参照して説明したようなパターンに対して補正露光を実施した。
【0049】
前記パターンによりブランクマスクの電子ビームレジストを8μC/cm2ドーズの電子ビームで1次露光した。本実施形態にて用いられた露光装備は東芝社のEBM−3000であり、前記装備は電子ビーム再散乱による線幅変化が非常に小さいと知られているので電子ビーム再散乱による線幅変化は無視できる。次に、前記1次露光ドーズの6.5%に該当する0.52μC/cm2ドーズを基準ドーズE0として前記数式(3)により前記フォトマスク基板を補正露光した。次に、現像装置を利用して露光された電子ビームレジストを現像し、所望のパターン通りに形成された電子ビームレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成した。前記電子ビームレジストパターンを除去することによりフォトマスクを完成した。
【0050】
図8は本発明の実施形態により補正露光を経て現像及びエッチングされたフォトマスク基板のパターン線幅に対するCD均一度地図を示したものである。前記フォトマスク基板の横及び縦をそれぞれ21個のメッシュに分割したが、図面では前記フォトマスク基板の端に位置する1ないし3番目のメッシュと19ないし21番目のメッシュを除いてその内側のメッシュ(4ないし18番目のメッシュ)を示した。
【0051】
図8を参照すれば、5つの相異なるハッチング領域が存在すると確認できる。フォトマスク基板の補正露光された部分は線幅の最大値が2.21μm、最小値が2.2μmほどである。そして、CDエラーは6.6nmほどであった。補正露光を行わないで形成した測定パターン110の場合に、線幅の最大値が2.216μm、最小値が2.2μm、そしてCDエラーが10.4nmほどであったのと比較すれば、第一に、補正露光を行った場合において線幅の最大値と最小値との差である線幅の範囲が狭まった。第二に、補正露光を行った場合においてCDエラーが減少した。従って、本実施形態にて前記数式(2)により予測されたパターン線幅変化量による補正露光を行うことにより、現像段階で生じる線幅変化を補償して均一度が向上することが分かる。特に、実際にマスクとして用いられる中央部分では図6に見られた円形ハッチング領域が見られずに相異なるハッチング領域も5つであり、図6に比べて均一度が顕著に改善されたことを確認できる。従って、コーナ部分を除外した部分のCDエラーは4ないし5nmほどまでに減少することが確認できる。
【0052】
前述の本発明の線幅変化を補正する方法はプログラムで具現可能であり、このプログラムはコンピュータ読み取り可能な記録媒体により提供できる。また、前記記録媒体に記憶されたプログラムは、たとえば汎用ディジタルコンピュータにより読み込まれて実行される。従って前記露光装備に装着されたデジタルコンピュータにより上記プログラムが実行されることにより、本発明を一層容易に実施せしめる。前記記録媒体は磁気記録媒体(例:ROM、フレキシブルディスク、ハードディスクなど)、及び光学的記録媒体(例:CD−ROM、DVDなど)を含む。また、上記のプログラムは、キャリアウエーブ(例:インターネットを介した伝送)を通じて提供され、提供されたプログラムは適宜に記録媒体に記録されてもよい。
【0053】
前記記録媒体に記録されたプログラムは、フォトマスク基板上の領域をメッシュに分割し、前記フォトマスク基板の中央に位置する基準メッシュからの距離がrであるメッシュでのパターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布を前記数式(1)で表現されるガウス分布として想定し、パターン線幅変化量ΔCD(r)の標準偏差σを算出する手順、前記数式に前記算出された標準偏差σを代入し、前記基準メッシュからの距離がxであるフォトマスク基板上の任意の地点でのパターン線幅変化量ΔCD(x)を前記数式から予測する手順をコンピュータに実行させる。
【0054】
前記標準偏差σを算出する手順は、前記各メッシュに対し、フォトマスク基板上に所定の線幅を有するテストパターンにより露光、現像及びエッチングして形成された測定パターンで測定した線幅と前記テストパターンの線幅との差で決定されたパターン線幅変化量ΔCD(r)を入力される手順、任意のσを選択してこれを前記数式に代入して前記各メッシュに対してパターン線幅変化量を計算する手順、及び前記計算されたパターン線幅変化量と前記入力されたパターン線幅変化量ΔCD(r)との偏差を求めて前記偏差を最小とするσを選定する手順を含む。
【0055】
前記記録媒体に記録されるプログラムは、また前記フォトマスク基板上の各地点に対し、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が負である領域のパターン線幅は広がり、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が正である領域のパターン線幅は狭まるべくパターン線幅データを補正する手順をコンピュータに実行させる。ここで数式(3)の基準ドーズ及びパターン線幅変化量は別途に外部から入力されたり計算を通じて与えられうる。
【0056】
また、前記記録媒体に記録されたプログラムは、前記フォトマスク基板上の各地点に対して補正されたパターン線幅データにより露光装備を作動して前記フォトマスク基板上の電子ビームレジストを露光する手順をコンピュータに実行させる。したがって、前記プログラムは露光装備を運用するコンピュータにインストールされて露光装備にて補正露光を行うのに必要な補正露光データを生成してこれにより露光装備を運用できる。ここで、各コンピュータに実行させる各手順を実際にコード化した機能的なプログラムコード及びコードセグメントは本発明が属する技術分野のプログラマにより容易に作成されうる。
【0057】
以上、本発明を望ましい実施形態を例にして詳細に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想内で当業者によりさまざまな多くの変形が可能であることは明白である。例えば、本実施形態では基準メッシュとしてフォトマスク基板の中央に位置するメッシュを選定して現像工程で生じるパターン線幅変化量の分布がガウス分布によると想定して説明したが、前記基準メッシュとしてフォトマスク基板の中央に位置するメッシュではない任意のメッシュを選定することはいくらでも可能である。この時にはパターン線幅変化量の分布がガウス分布によらないために直接測定されたパターン線幅変化量の分布をグラフに作成した後、測定されていない地点でのパターン線幅変化量は前記グラフから予測する方法を利用できる。
【0058】
【発明の効果】
前述の如く、本発明によればフォトマスク製造時に現像段階で生じるパターン線幅の変化を予測し、これによりマスクパターン線幅データをあらかじめ補正して補正されたパターンデータにより露光する。従って、現像段階で生じる線幅変化を最小化でき、CD偏差を減少させて均一度を向上させることにより順次高集積される集積回路の微細線幅を均一に形成できる。
【0059】
また、本発明の線幅変化補正方法はコンピュータプログラムで具現されて汎用ディジタルコンピュータにて実行されることにより容易に行える。
【0060】
従って、本発明によれば高精密度、高品質のフォトマスク製造が可能であり、工程収率及び半導体素子動作の信頼性向上が期待される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 フォトマスク製造時に現像段階で生じる線幅変化を説明するために示された現像装置の概略的な図面である。
【図2】 本発明の実施形態によりフォトマスク製造時に現像段階で生じる線幅変化を補正して露光する方法の順序を図示したフローチャートである。
【図3】 本発明の実施形態により測定パターンのパターン線幅変化量の分布を求める方法の順序を図示したフローチャートである。
【図4】 本発明の実施形態に用いられたテストパターンを示した図である。
【図5】 図4に示すテストパターンがフォトマスク基板上に配列された様子を示す図である。
【図6】 図4及び図5に示したテストパターンにより露光、現像及びエッチングしてフォトマスク基板上に測定パターンを形成した場合の測定パターンの線幅に対するCD均一度地図を示したものである。
【図7】 本発明の実施形態により測定パターンのパターン線幅変化量の分布を示したものである。
【図8】 本発明の実施形態により補正露光を経て現像及びエッチングされたフォトマスク基板のパターン線幅に対するCD均一度地図を示したものである。
【符号の説明】
110 テストパターン
112 基準パターン
114 一束
116 端
Claims (8)
- フォトマスク製造時に、現像段階で生じる二次元的に分布したパターン線幅変化を補正して露光する方法であって、
フォトマスク基板上の領域を縦横それぞれに区画して二次元的に分散した複数のメッシュに分割し、前記フォトマスク基板の中央に位置する基準メッシュからの距離がrであり、当該基準メッシュからみて種々の放射方向に分散して配置される各メッシュでのパターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布を次の数式で表現されるガウス分布として想定し、パターン線幅変化量ΔCD(r)の標準偏差σを算出する段階と、
前記算出された標準偏差σを前記数式に代入して最終的な関数を導出し、前記基準メッシュからの距離がxであるフォトマスク基板上の任意の地点でのパターン線幅変化量ΔCD(x)を前記関数から予測する段階と、
前記フォトマスク基板上の各地点に対し、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が負である領域のパターン線幅は広がり、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が正である領域のパターン線幅は狭まるべくパターン線幅データを補正する段階と、
前記フォトマスク基板上の各地点に対して補正されたパターン線幅データを露光装備に適用する段階とを含み、
前記標準偏差σを算出する段階は、
a)所定の線幅を有するテストパターンによりフォトマスク基板上に測定パターンを形成し、前記各メッシュに対して前記測定パターンの線幅を測定して前記測定された線幅と前記テストパターンの線幅との差であるパターン線幅変化量ΔCD(r)を決定する段階と、
b)任意のσを選択する段階と、
c)前記任意のσを前記数式に代入して前記各メッシュに対してパターン線幅変化量を計算する段階と、
d)前記計算されたパターン線幅変化量と前記測定されたパターン線幅変化量ΔCD(r)との偏差を求める段階と、
e)前記b)ないしd)段階を反復して行って前記偏差を最小とするσを自動的に選定する段階とを含むことを特徴とする、線幅変化を補正して露光する方法。 - 前記e)段階の最小である偏差は最小自乗法により決定することを特徴とする請求項1に記載の線幅変化を補正して露光する方法。
- 前記パターン線幅データを補正する段階では、バイアス=−ΔCD(x)で与えられるバイアスを適用し、
前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が負である領域のパターン線幅データには正のバイアスを適用して当該領域のパターン線幅が大きくなるように補正し、予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が正である領域のパターン線幅データには負のバイアスを適用して当該領域のパターン線幅が小さくなるように補正することを特徴とする請求項1に記載の線幅変化を補正して露光する方法。 - フォトマスク製造時に、現像段階で生じる二次元的に分布したパターン線幅変化を補正して露光するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
フォトマスク基板上の領域を縦横それぞれに区画して二次元的に分散した複数の複数のメッシュに分割し、前記フォトマスク基板の中央に位置する基準メッシュからの距離がrであり、当該基準メッシュからみて種々の放射方向に分散して配置される各メッシュでのパターン線幅変化量ΔCD(r)の前記距離rに対する分布を次の数式で表現されるガウス分布として想定し、パターン線幅変化量ΔCD(r)の標準偏差σを算出する手順と、
前記数式に前記算出された標準偏差σを代入して最終的な関数を導出し、前記基準メッシュからの距離がxであるフォトマスク基板上の任意の地点でのパターン線幅変化量ΔCD(x)を前記関数から予測する手順と、
前記フォトマスク基板上の各地点に対し、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が負である領域のパターン線幅は広がり、前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が正である領域のパターン線幅は狭まるべくパターン線幅データを補正する手順と、
前記フォトマスク基板上の各地点に対して補正されたパターン線幅データにより露光装備を作動して前記フォトマスク基板上の電子ビームレジストを露光する手順と、をコンピュータに実行させ、
前記標準偏差σを算出する手順は、
a)前記各メッシュに対し、所定の線幅を有するテストパターンによりフォトマスク基板上に形成した測定パターンで測定した線幅と前記テストパターンの線幅との差で決定されたパターン線幅変化量ΔCD(r)の入力を受け付ける手順と、
b)任意のσを選択してこれを前記数式に代入して前記各メッシュに対してパターン線幅変化量を計算する手順と、
c)前記計算されたパターン線幅変化量と前記入力を受け付けたパターン線幅変化量ΔCD(r)との偏差を求めて前記偏差を最小とするσを自動的に選定する手順とを含む、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - 前記偏差を最小とするσを選定する方法として最小自乗法を用いることを特徴とする請求項5に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
- 前記パターン線幅データを補正する手順は、バイアス=−ΔCD(x)で与えられるバイアスを適用し、
前記予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が負である領域のパターン線幅データには正のバイアスを適用して当該領域のパターン線幅が大きくなるように補正し、予測されたパターン線幅変化量ΔCD(x)が正である領域のパターン線幅データには負のバイアスを適用して当該領域のパターン線幅が小さくなるように補正する手順であることを特徴とする請求項5に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2001-057979 | 2001-09-19 | ||
KR10-2001-0057979A KR100429879B1 (ko) | 2001-09-19 | 2001-09-19 | 포토마스크 제조시 현상 단계에서 발생하는 선폭 변화를보정하여 노광하는 방법 및 이를 기록한 기록매체 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003107665A JP2003107665A (ja) | 2003-04-09 |
JP4257088B2 true JP4257088B2 (ja) | 2009-04-22 |
Family
ID=19714425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002270374A Expired - Fee Related JP4257088B2 (ja) | 2001-09-19 | 2002-09-17 | フォトマスク製造時に現像段階で生じる線幅変化を補正して露光する方法及びそのためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6775815B2 (ja) |
JP (1) | JP4257088B2 (ja) |
KR (1) | KR100429879B1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6667385B2 (en) * | 2002-01-28 | 2003-12-23 | Energenetics International, Inc. | Method of producing aminium lactate salt as a feedstock for dilactic acid or dimer production |
KR100518607B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2005-10-04 | 삼성전자주식회사 | 진공 지연시간에 따른 선폭변화의 보정방법 |
KR100567746B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-04-05 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 선폭 캘리브레이션 방법 |
TWI298430B (en) | 2004-03-31 | 2008-07-01 | Hoya Corp | Electron-beam plotting method, method of manufacturing lithographic mask, and electron-beam plotting device |
US7396617B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-07-08 | Photronics, Inc. | Photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
US7435533B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-10-14 | Photronics, Inc. | Method of forming a semiconductor layer using a photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
JP4834310B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-12-14 | 株式会社東芝 | パターン形成方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびプログラム |
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US7669171B2 (en) * | 2007-09-05 | 2010-02-23 | United Miceoelectronics Corp. | Prediction model and prediction method for exposure dose |
US9005848B2 (en) * | 2008-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
US9005849B2 (en) * | 2009-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
KR101096979B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2011-12-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 균일도 조절 방법 |
US8810785B2 (en) * | 2011-08-26 | 2014-08-19 | United Microelectronics Corp. | Mask inspecting method |
CN202383394U (zh) * | 2011-11-22 | 2012-08-15 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板 |
JP7126925B2 (ja) * | 2017-12-18 | 2022-08-29 | Hoya株式会社 | パターン描画方法、フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5153928A (en) * | 1989-06-09 | 1992-10-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Method and apparatus for recording/reproducing mesh pattern data |
JPH04121745A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-22 | Ricoh Co Ltd | レティクルの製造方法 |
KR0158315B1 (ko) | 1995-08-28 | 1998-12-01 | 유기범 | 간이교환전화시스템 |
JP3348586B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2002-11-20 | ソニー株式会社 | 電子線リソグラフィ技術における近接効果補正法 |
JPH09297392A (ja) * | 1996-05-02 | 1997-11-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フォトマスク及びその製法、及びレジスト材層の配列及びパターン化された層の配列を形成する方法 |
TW357262B (en) * | 1996-12-19 | 1999-05-01 | Nikon Corp | Method for the measurement of aberration of optical projection system, a mask and a exposure device for optical project system |
KR200158315Y1 (ko) | 1996-12-28 | 1999-10-15 | 양재신 | 자동차 리어 범퍼의 보강구조 |
JPH10256114A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Sony Corp | フォトレジスト膜のパターン形成方法 |
JPH11305416A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
JP3508617B2 (ja) * | 1999-05-11 | 2004-03-22 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法 |
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US6757886B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-06-29 | International Business Machines Corporation | Alternating phase shift mask design with optimized phase shapes |
-
2001
- 2001-09-19 KR KR10-2001-0057979A patent/KR100429879B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-08-22 US US10/225,417 patent/US6775815B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-17 JP JP2002270374A patent/JP4257088B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-23 US US10/873,242 patent/US7185312B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003107665A (ja) | 2003-04-09 |
US20030061595A1 (en) | 2003-03-27 |
US20040229138A1 (en) | 2004-11-18 |
KR100429879B1 (ko) | 2004-05-03 |
KR20030025056A (ko) | 2003-03-28 |
US7185312B2 (en) | 2007-02-27 |
US6775815B2 (en) | 2004-08-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090127 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090202 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4257088 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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