JPH1010701A - フォトマスクの作製方法、レジスト材料への電子線ビーム照射補正量の決定方法、並びにフォトマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】フォトマスクの作製に使用されるマスクパター
ンデータ量を増加させることなく、マスクパターンの密
度（描画率）に起因して、ドライエッチング時、エッチ
ングされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれ
ることを出来る限り無くし、所望寸法のマスクパターン
を有するフォトマスクを作製し得る方法を提供する。 【解決手段】フォトマスクの作製方法においては、ドラ
イエッチング時、形成すべきマスクパターンの密度に起
因してエッチングされたマスクパターンの寸法が所望の
寸法からずれることを無くすべく、フォトマスク基板上
に形成すべきマスクパターンの単位区画当たりの密度に
基づき、レジスト材料に照射すべき電子線ビームの該単
位区画当たりの照射補正量を決定し、該照射補正量に基
づく照射量の電子線ビームにて所望の描画パターンをレ
ジスト材料に描画する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
において使用されるフォトマスクの作製方法、レジスト
材料への電子線ビーム照射補正量の決定方法、並びにフ
ォトマスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】フォトマスク作製においては、従来、電
子線ビームリソグラフィー技術が用いられている。通常
方式のあるいはハーフトーン方式のフォトマスクを作製
する場合、先ず、フォトマスク基板上に形成された例え
ばクロム（Ｃｒ）薄膜から成る遮光膜若しくは半遮光膜
上のレジスト材料に電子線ビームにて所望の描画パター
ンを描画する。次いで、このレジスト材料を現像し、パ
ターニングされたレジスト材料をエッチング用マスクと
して遮光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングして、
遮光膜若しくは半遮光膜から成るマスクパターンをフォ
トマスク基板上に形成する。このフォトマスクの作製に
おいては、電子線ビームによってレジスト材料に描画さ
れる描画パターンの密度（以下、「描画率」と呼ぶ）に
起因して、ドライエッチングにて得られたマスクパター
ンの寸法が所望の寸法（マスクパターン設計寸法）から
ずれるという現象が発生している。以下、本明細書中で
は、このような現象をパターン変動現象と呼ぶ。また、
フォトマスクに形成される若しくは形成されたパターン
をマスクパターンと呼び、半導体装置に形成される若し
くは形成されたパターンを、単にパターンと呼ぶ。更に
は、以下、遮光膜及び半遮光膜を総称して遮光膜等と呼
ぶ場合がある。

【０００３】パターン変動現象は、電子線ビームにて描
画パターンをレジスト材料に描画したときレジスト材料
に発生する熱による「レジストヒーティング」現象や、
基板によって反射された電子が電子線描画装置のカラム
内で反射され、再びレジスト材料に入射することによっ
てレジスト材料に発生する「かぶり露光」現象によって
生じる。あるいは又、このパターン変動現象は、描画率
に依存して、フォトマスク基板上に形成された遮光膜等
のドライエッチングの状態が変化することによっても生
じる。半導体装置のドライエッチング工程においてパタ
ーンの寸法が変動する原因として、「ローディング効
果」がよく知られている。

【０００４】このローディング効果は、半導体装置のド
ライエッチング工程において、レジストがポジ型レジス
トの場合、半導体装置に形成すべきパターンが疎な領域
にはエッチングに必要な活性種が必要以上に多く供給さ
れ、それとは逆に、半導体装置に形成すべきパターンが
密な領域ではエッチングに必要とされる活性種の供給量
が足りなくなるという現象である。ローディング効果の
結果、パターンの密度に依存して所望寸法のパターンが
得られなくなる。即ち、半導体装置に形成すべきパター
ンが疎な領域では、ドライエッチングにより形成された
パターンの寸法が所望のパターン寸法（パターン設計寸
法）よりも大きくなる。一方、半導体装置に形成すべき
パターンが密な領域では、ドライエッチングにより形成
されたパターンの寸法が所望のパターン寸法よりも小さ
くなる。

【０００５】ローディング効果に起因したパターン寸法
の変動に対する対策として、ドライエッチング条件の最
適化がとられ、あるいは又、フォトマスク基板上に形成
すべきマスクパターンの形状を補正する方法が提案され
ている。後者の方法を半導体装置のドライエッチに適応
した例として、例えば第３８回応用物理学会３０ｐ−Ｚ
Ａ−１１で発表された手法を挙げることができる。この
手法は、半導体装置に形成すべきパターンが疎な領域で
生じるエッチング過剰に対処するために、半導体装置に
形成すべきパターンが疎な領域に対応するフォトマスク
の部分に、ダミーのマスクパターン（例えば、矩形の補
助マスクパターン）を形成し、あるいは又、マスクパタ
ーンの寸法をマスクパターン設計寸法より大きくし、ド
ライエッチングによって得られた孤立したパターンの寸
法をパターン設計寸法に近づける手法である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなマスクパターンの形状を補正する方法をフォトマス
クの作製方法に適用した場合、次のような問題点があ
る。即ち、マスクパターンの形状を補正するためには、
フォトマスク基板上の所望の位置に新たに矩形マスクパ
ターン（補助マスクパターン）等を設けたり、マスクパ
ターンの寸法を修正する必要がある。そのため、電子線
ビームによる描画のためのマスクパターンデータにマス
クパターンの補正データを加える必要があり、マスクパ
ターンデータ量の増加が避けられない。このことは、近
年の膨大な集積度の半導体装置を作製する上で、大きな
問題である。

【０００７】更には、パターン変動現象は、フォトマス
ク作製時に発生するローディング効果以外の原因によっ
ても生じることが本発明者らの検討により判明した。フ
ォトマスク作製時に発生するローディング効果とは、マ
スクパターンが疎な領域において活性種が必要以上に供
給され、それ故、遮光膜等のエッチングが過剰となり、
反対に、マスクパターンが密な領域では遮光膜等のエッ
チングが不足となる現象である。然るに、フォトマスク
基板上に形成（塗布）されたレジスト材料の種類によっ
ては、ローディング効果とは逆の現象が起こることが判
明した。この現象は、使用するレジスト材料のドライエ
ッチング耐性が低い場合に顕著に現れる。この現象は、
レジストがポジ型レジストの場合、描画率が低い領域で
は遮光膜等のエッチング不足が生じ、描画率の高い領域
では遮光膜等のエッチング過剰が生じる、ローディング
効果とは逆の現象である。尚、このようなローディング
効果とは逆の現象を、本明細書中では「逆ローディング
効果」と呼ぶ。この逆ローディング効果は、レジスト材
料と活性種とが反応する結果、活性種による遮光膜等の
エッチングが進行し難くなるために生じると推定してい
る。

【０００８】ところで、ローディング効果においても逆
ローディング効果においても、ドライエッチング後の遮
光膜等から成るマスクパターンの寸法が描画率に依存し
て変動するという現象に変わりはない。以下、本明細書
においては、遮光膜等のドライエッチングにおいて、こ
のローディング効果及び逆ローディング効果に依る描画
率に依存したマスクパターンの寸法の変動現象を、総称
して「プロセス近接効果」と呼ぶ。

【０００９】従って、本発明の目的は、フォトマスクの
作製に使用されるマスクパターンデータ量を増加させる
ことなく、ドライエッチング時、マスクパターンの密度
（描画率）に起因して、エッチングされたマスクパター
ンの寸法が所望の寸法からずれることを出来る限り無く
し、所望寸法のマスクパターンを有するフォトマスクを
作製し得る方法、かかる方法の実行のためにレジスト材
料への電子線ビーム照射補正量を決定する方法、並び
に、かかるフォトマスクの作製方法にて作製されるフォ
トマスクを提供することにある。

【００１０】更に、本発明の目的は、マスクパターンデ
ータ量を増加させることなく上述のプロセス近接効果を
補正し、所望寸法のマスクパターンを有するフォトマス
クを作製し得る方法、かかる方法の実行のためにレジス
ト材料への電子線ビーム照射補正量を決定する方法、並
びに、かかるフォトマスクの作製方法にて作製されるフ
ォトマスクを提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のフォトマスクの作製方法は、フォトマスク
基板上に形成された遮光膜若しくは半遮光膜上のレジス
ト材料に電子線ビームにて所望のパターンを描画した
後、該レジスト材料を現像し、パターニングされたレジ
スト材料をエッチング用マスクとして遮光膜若しくは半
遮光膜をドライエッチングし、遮光膜若しくは半遮光膜
から成るマスクパターンをフォトマスク基板上に形成す
るフォトマスクの作製方法であって、ドライエッチング
時、形成すべきマスクパターンの密度に起因してエッチ
ングされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれ
ることを無くすべく、フォトマスク基板上に形成すべき
マスクパターンの単位区画当たりの密度に基づき、レジ
スト材料に照射すべき電子線ビームの該単位区画当たり
の照射補正量を決定し、該照射補正量に基づく照射量の
電子線ビームにて所望の描画パターンをレジスト材料に
描画することを特徴とする。

【００１２】あるいは又、上記の目的を達成するための
本発明のフォトマスクの作製方法は、フォトマスク基板
上に形成された遮光膜若しくは半遮光膜上のレジスト材
料に電子線ビームにて所望のパターンを描画した後、該
レジスト材料を現像し、パターニングされたレジスト材
料をエッチング用マスクとして遮光膜若しくは半遮光膜
をドライエッチングし、遮光膜若しくは半遮光膜から成
るマスクパターンをフォトマスク基板上に形成するフォ
トマスクの作製方法であって、（イ）ドライエッチング
時、形成すべきマスクパターンの密度に起因してエッチ
ングされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれ
ることを無くすべくレジスト材料に照射すべき電子線ビ
ームの照射補正量と、フォトマスク基板上に形成すべき
マスクパターンの密度との関係を予め求めておき、更
に、（ロ）フォトマスク基板上に形成すべきマスクパタ
ーンの密度の変化が、ドライエッチング時、エッチング
されたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれる現
象を生ぜしめる範囲を予め求めておき、（ハ）前記
（ロ）において予め求められた範囲を単位区画として、
実際にフォトマスク基板上に形成すべきマスクパターン
を該単位区画で区切り、各単位区画におけるマスクパタ
ーンの密度を計算にて求め、（ニ）各単位区画における
求められたマスクパターンの密度に基づき、前記（イ）
において予め求められた照射補正量とマスクパターンの
密度との関係から、レジスト材料に照射すべき電子線ビ
ームの各単位区画毎の照射補正量を決定し、（ホ）該決
定された照射補正量に基づく照射量の電子線ビームにて
所望の描画パターンをレジスト材料に描画することを特
徴とする。

【００１３】上記の目的を達成するための本発明のレジ
スト材料への電子線ビーム照射補正量の決定方法は、フ
ォトマスク基板上に形成された遮光膜若しくは半遮光膜
上のレジスト材料に電子線ビームにて所望のパターンを
描画した後、該レジスト材料を現像し、パターニングさ
れたレジスト材料をエッチング用マスクとして遮光膜若
しくは半遮光膜をドライエッチングし、遮光膜若しくは
半遮光膜から成るマスクパターンをフォトマスク基板上
に形成するフォトマスクの作製方法におけるレジスト材
料への電子線ビーム照射補正量の決定方法であって、
（イ）ドライエッチング時、形成すべきマスクパターン
の密度に起因してエッチングされたマスクパターンの寸
法が所望の寸法からずれることを無くすべくレジスト材
料に照射すべき電子線ビームの照射補正量と、フォトマ
スク基板上に形成すべきマスクパターンの密度との関係
を予め求めておき、更に、（ロ）フォトマスク基板上に
形成すべきマスクパターンの密度の変化が、ドライエッ
チング時、エッチングされたマスクパターンの寸法が所
望の寸法からずれる現象を生ぜしめる範囲を予め求めて
おき、（ハ）前記（ロ）において予め求められた範囲を
単位区画として、実際にフォトマスク基板上に形成すべ
きマスクパターンを該単位区画で区切り、各単位区画に
おけるマスクパターンの密度を計算にて求め、（ニ）各
単位区画における求められたマスクパターンの密度に基
づき、前記（イ）において予め求められた照射補正量と
マスクパターンの密度との関係から、レジスト材料に照
射すべき電子線ビームの各単位区画毎の照射補正量を決
定することを特徴とする。

【００１４】上記の目的を達成するための本発明のフォ
トマスクは、フォトマスク基板上に形成された遮光膜若
しくは半遮光膜上のレジスト材料に電子線ビームにて所
望のパターンを描画した後、該レジスト材料を現像し、
パターニングされたレジスト材料をエッチング用マスク
として遮光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングする
ことによって形成された遮光膜若しくは半遮光膜から成
るマスクパターンを有するフォトマスクであって、ドラ
イエッチング時、形成すべきマスクパターンの密度に起
因してエッチングされたマスクパターンの寸法が所望の
寸法からずれることを無くすべく、フォトマスク基板上
に形成すべきマスクパターンの単位区画当たりの密度に
基づき、レジスト材料に照射すべき電子線ビームの該単
位区画当たりの照射補正量を決定し、該照射補正量に基
づく照射量の電子線ビームにて所望の描画パターンをレ
ジスト材料に描画することによって作製されること特徴
とする。

【００１５】あるいは又、上記の目的を達成するための
本発明のフォトマスクは、フォトマスク基板上に形成さ
れた遮光膜若しくは半遮光膜上のレジスト材料に電子線
ビームにて所望のパターンを描画した後、該レジスト材
料を現像し、パターニングされたレジスト材料をエッチ
ング用マスクとして遮光膜若しくは半遮光膜をドライエ
ッチングすることによって形成された遮光膜若しくは半
遮光膜から成るマスクパターンを有するフォトマスクで
あって、（イ）ドライエッチング時、形成すべきマスク
パターンの密度に起因してエッチングされたマスクパタ
ーンの寸法が所望の寸法からずれることを無くすべくレ
ジスト材料に照射すべき電子線ビームの照射補正量と、
フォトマスク基板上に形成すべきマスクパターンの密度
との関係を予め求めておき、更に、（ロ）フォトマスク
基板上に形成すべきマスクパターンの密度の変化が、ド
ライエッチング時、エッチングされたマスクパターンの
寸法が所望の寸法からずれる現象を生ぜしめる範囲を予
め求めておき、（ハ）前記（ロ）において予め求められ
た範囲を単位区画として、実際にフォトマスク基板上に
形成すべきマスクパターンを該単位区画で区切り、各単
位区画におけるマスクパターンの密度を計算にて求め、
（ニ）各単位区画における求められたマスクパターンの
密度に基づき、前記（イ）において予め求められた照射
補正量とマスクパターンの密度との関係から、レジスト
材料に照射すべき電子線ビームの各単位区画毎の照射補
正量を決定し、（ホ）該決定された照射補正量に基づく
照射量の電子線ビームにて所望の描画パターンをレジス
ト材料に描画することによって作製されること特徴とす
る。

【００１６】本発明におけるフォトマスクとして、フォ
トマスク基板上にパターニングされた遮光膜を有する通
常のフォトマスクあるいは位相シフトマスク、フォトマ
スク基板上にパターニングされた遮光膜を有し、フォト
マスク基板の一部が彫り込まれた位相シフトマスク、フ
ォトマスク基板上にパターニングされた半遮光膜を有す
るハーフトーン方式の位相シフトマスクを例示すること
ができる。遮光膜や半遮光膜は、例えばクロム（Ｃｒ）
から構成することができる。フォトマスク基板を構成す
る材料として石英を例示することができる。

【００１７】近年のフォトマスク作製においては、電子
線ビーム近接効果補正が必須とされている。電子線ビー
ム近接効果補正は、通常、描画パターンの描画時の電子
線ビーム照射量をマスクパターンデータ上で補正するこ
とにより行われる。つまり、描画パターンの描画時の電
子線ビーム照射量を調節、制御することで、現像後に得
られるパターニングされたレジスト材料の寸法の変動を
補正する。

【００１８】同様にして、遮光膜等のドライエッチング
工程においてプロセス近接効果により生じるパターン変
動現象を、描画パターンの描画時の電子線ビーム照射量
を補正（最適化）することによって抑制することが可能
である。しかも、この電子線ビーム照射量を調節する方
法は、マスクパターンデータ上で電子線ビーム照射量に
応じた数値を設定することによって行われる。従って、
本発明のフォトマスクの作製方法あるいはレジスト材料
への電子線ビーム照射補正量の決定方法においては、描
画パターン図形（補助マスクパターン等）に相当するマ
スクパターンデータを新たに生成する必要はない。それ
故、マスクパターンデータ上でデータ量を増加させるこ
となくプロセス近接効果を補正するという目的が達成さ
れる。しかも、電子線ビーム近接効果補正と併せてプロ
セス近接効果を補正することが可能である。本発明にお
いては、マスクパターンデータ上の電子線ビーム照射量
の補正（最適化）を行うことによって、電子線ビーム描
画の際の電子線ビーム照射量を補正（最適化）し、これ
によって、形成すべきマスクパターンの描画率に起因し
て遮光膜等のドライエッチング工程にて生じるプロセス
近接効果を抑制することができる。尚、電子線ビーム近
接効果補正は、電子線ビームのレジスト材料への照射に
おける問題を解決するのに対して、本発明においては、
電子線ビームのレジスト材料への照射には無関係なドラ
イエッチング工程において生じる問題を電子線ビームの
照射量を最適化することで解決する。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、発明の実
施の形態及び実施例に基づき本発明を説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。

【００２０】先ず、本発明のフォトマスクの作製方法あ
るいはレジスト材料への電子線ビーム照射補正量の決定
方法の概要を段階を、図１を参照して説明する。

【００２１】［ステップ−１］ステップ−１において
は、以下の処理を行う。（イ）ドライエッチング時、形
成すべきマスクパターンの密度に起因してエッチングさ
れたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれること
を無くすべくレジスト材料に照射すべき電子線ビームの
照射補正量と、フォトマスク基板上に形成すべきマスク
パターンの密度との関係を予め求める。即ち、プロセス
近接効果を補正するために、フォトマスク基板上に形成
すべきマスクパターンの密度と、レジスト材料に対する
電子線ビームの照射補正量との関係を求める。併せて、
（ロ）フォトマスク基板上に形成すべきマスクパターン
の密度の変化が、ドライエッチング時、エッチングされ
たマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれる現象を
生ぜしめる範囲を予め求める。即ち、プロセス近接効果
が及ぶ範囲を求める。ステップ−１は、次の３つのサブ
ステップから構成される。

【００２２】[サブステップ−１Ａ]先ず、フォトマスク
基板上に形成すべきマスクパターンの密度と、ドライエ
ッチングによってフォトマスク基板上に形成されたマス
クパターン寸法の変動の関係を実験にて求める。尚、電
子線ビームによってレジスト材料に描画されるパターン
の密度（描画率）が、フォトマスク基板上に形成すべき
マスクパターンの密度に対応するので、以下、描画率に
基づき説明を行う。

【００２３】具体的には、描画率を変化させた同一形態
（例えば、ライン・アンド・スペース・パターン）の評
価用描画パターンを描画するためのマスクパターンデー
タを準備する。一方、例えばクロム（Ｃｒ）薄膜から成
る遮光膜若しくは半遮光膜が形成されたフォトマスク基
板の上に、レジスト材料を形成（塗布）しておく。そし
て、かかるマスクパターンデータに基づき、種々の描画
率の描画パターンを同一電子線ビーム照射量でレジスト
材料に描画する。尚、設定した描画率の種類（数）を
「Ｋ」とする。

【００２４】次いで、レジスト材料を現像し、パターニ
ングされたレジスト材料をエッチング用マスクとして遮
光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングして、遮光膜
若しくは半遮光膜から成る評価用のマスクパターン（以
下、評価パターンと呼ぶ）をフォトマスク基板上に形成
する。得られた評価パターンの数はＫ個である。そし
て、各評価パターンの寸法（例えば、ライン幅やスペー
ス幅）を描画率毎に測定する。尚、測定個所は、各評価
パターンの中央部とすることが好ましい。

【００２５】測定結果を、描画率と寸法差の関係として
纏める。ここで、描画率ｋ％の評価パターンにおいて測
定されたマスクパターンの寸法をＳ_{m_k}、所望の寸法
（マスクパターン設計寸法）をＳ_{d_k}とすると、寸法差
ΔＳ_kは、Ｓ_{m_k}−Ｓ_{d_k} で表される。こうして得られた
描画率と寸法差の関係のデータ（「データ１」と呼ぶ）
を、プロセス近接効果を補正する基準として用いる。

【００２６】[サブステップ−１Ｂ]サブステップ−１Ｂ
においては、フォトマスク基板上に形成すべきマスクパ
ターンの密度の変化が、ドライエッチング時、エッチン
グされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれる
現象を生ぜしめる範囲を求める。即ち、プロセス近接効
果が及ぶ範囲を求める。そのために、サブステップ−１
Ａで得られたマスクパターンを測定することにより、求
める範囲を割り出す。具体的には、描画率が比較的高い
評価パターンを適宜選択し、かかる評価パターンを複数
（Ｎ個）のマトリックス状の領域に区分けし、各領域の
中央部におけるマスクパターンの寸法を測定する。ｉ番
目の領域におけるかかる測定値をＳ_{m_i}とする。また、
１番目からＮ番目までの領域におけるかかる測定値の平
均値をＳ_{m_ave}とする。そして、 Ｓ_{m_i}−Ｓ_{m_ave} の関係を等分布線に纏めることにより、評価パターンの
縁部からどれだけ内側に入ったところでマスクパターン
の寸法に変化が無くなるかを決定する。尚、マスクパタ
ーンの寸法に変化が無くなるマスクパターンの位置の
内、最も評価パターンの縁部から近い位置から、評価パ
ターンの縁部までの最短の距離を「Ｌ」とする。

【００２７】評価パターンの中央部においては、描画率
は一定とみなせる。一方、評価パターンの縁部における
描画率は、評価パターンの中央部と比較して大きく変化
している。従って、上述の距離Ｌは、フォトマスク基板
上に形成すべきマスクパターンの密度の変化が、ドライ
エッチング時、エッチングされたマスクパターンの寸法
が所望の寸法からずれる現象を生ぜしめる範囲に相当す
る。言い換えれば、かかる距離Ｌは、使用したレジスト
材料においてプロセス近接効果が及ぶ範囲に相当する。

【００２８】[サブステップ−１Ｃ]データ１として求め
られた各描画率毎の寸法差ΔＳ_k（＝Ｓ_{m_k}−Ｓ_{d_k}）
は、レジスト材料に対する電子線ビームの照射量を適切
に補正することによって、出来る限り０に近づけること
が可能である。サブステップ−１Ｃにおいては、各描画
率毎に必要とされる電子線ビームの照射補正量を実験か
ら求める。即ち、サブステップ−１Ａで用いたと同じ形
状の評価用描画パターンをレジスト材料に描画する。そ
して、Ｋ’個の評価用描画パターンのそれぞれが、Ｍ個
のマトリックス状の領域に区分けされるようにマスクパ
ターンデータを設定し、且つ、区分けされた各領域（１
≦ｊ≦Ｍ）に対して異なる照射量の電子線ビームを照射
するようにマスクパターンデータを設定する。

【００２９】言い換えれば、１つの評価用描画パターン
の異なるＭ個のレジスト材料の領域に、照射量を変化さ
せて１回、電子線ビームを描画する。この操作をＫ’個
の評価用描画パターンに対して行う。

【００３０】その後、サブステップ−１Ａと同じ条件で
レジスト材料を現像し、次いで、サブステップ−１Ａと
同じ条件にて、パターニングされたレジスト材料をエッ
チング用マスクとして遮光膜若しくは半遮光膜をドライ
エッチングして、遮光膜若しくは半遮光膜から成る評価
パターンをフォトマスク基板上に形成する。その後、各
評価パターンのＭ個の領域の中央部において、マスクパ
ターンの寸法を測定する。こうして、描画率と、寸法差
と、電子線ビームの照射量との関係のデータを得ること
ができる。かかるデータから、寸法差が最も小さくなる
ときの電子線ビームの照射量と描画率との関係のデータ
（「データ２」と呼ぶ）が得られる。尚、サブステップ
−１Ａにおける電子線ビーム照射量から、寸法差が最も
小さくなるときの電子線ビームの照射量を減じた照射量
が、照射補正量である。

【００３１】以上のステップ−１により、プロセス近接
効果を補正するために、フォトマスク基板上に形成すべ
きマスクパターンの密度と、レジスト材料に対する電子
線ビームの照射補正量との関係が求まる。併せて、プロ
セス近接効果が及ぶ範囲（Ｌ）が求まる。

【００３２】［ステップ−２］ステップ−２において
は、プロセス近接効果が及ぶ範囲（Ｌ）を単位区画とし
て、実際にフォトマスク基板上に形成すべきマスクパタ
ーンをこの単位区画で区切り、各単位区画におけるマス
クパターンの密度を計算にて求める。そのために、先
ず、計算機を用いて、マスクパターンデータを範囲
（Ｌ）を一辺とした正方形で分割する。区切られた単位
区画をメッシュテーブルとして計算機上に保存する。こ
うして求められた各々の単位区画内におけるマスクパタ
ーンの密度（描画率）を、以下に示す式に基づき計算機
を用いて計算する。求められた描画率は、対象となるメ
ッシュテーブル内にデータとして格納する。描画率は、
以下の式（１）から求め得る。 描画率（％）＝（単位区画内に存在するパターンの面積の総和）／（単位区画の 面積）×１００ ＝（単位区画内に存在するパターンの面積の総和）／Ｌ²×１００ 式（１）

【００３３】このような計算をマスクパターンデータの
全ての単位区画において行い、求められた描画率をメッ
シュテーブルに格納する。こうして求められたメッシュ
テーブルを「データ３」と呼ぶ。

【００３４】［ステップ−３］ステップ−３において
は、各単位区画における求められたマスクパターンの密
度に基づき、ステップ−１にて予め求めた照射補正量と
マスクパターンの密度との関係から、レジスト材料に照
射すべき電子線ビームの各単位区画毎の照射補正量を決
定する。即ち、ステップ−１及びステップ−２で求めた
データ２及びデータ３に基づき、レジスト材料に描画さ
れる各描画パターンに対して、照射補正量を設定する。
具体的には、データ３として求めた単位区画毎の描画率
に基づき、データ２から照射補正量を求め、これによっ
て、この単位区画内に存在するパターン全てに対する照
射補正量が決定される。このような操作を、全ての単位
区画、即ち、レジスト材料に描画すべき全ての描画パタ
ーンに対して行う。こうして、レジスト材料へ照射すべ
き電子線ビームの照射補正量が決定される。

【００３５】［ステップ−４］その後、ステップ−３に
て求められた照射補正量に基づく照射量の電子線ビーム
にて所望の描画パターンをレジスト材料に描画する。次
に、かかるレジスト材料を現像し、パターニングされた
レジスト材料をエッチング用マスクとして遮光膜若しく
は半遮光膜をドライエッチングし、遮光膜若しくは半遮
光膜から成るマスクパターンをフォトマスク基板上に形
成することによって、フォトマスクが作製される。

【００３６】

【実施例】

（実施例−１）実施例１においては、フォトマスク基板
上に塗布するレジスト材料としてＰＭＭＡ系のポジ型レ
ジスト材料を用いた。以下、実施例１におけるフォトマ
スクの作製方法及びレジスト材料への電子線ビーム照射
補正量の決定方法、並びにフォトマスクを説明する。

【００３７】［工程−１００］この工程は、先に説明し
たサブステップ−１Ａに相当する。先ず、フォトマスク
基板上に形成すべきマスクパターンの密度（描画率に相
当する）と、ドライエッチングによってフォトマスク基
板上に形成されたマスクパターン寸法の変動の関係を実
験にて求めた。用いた描画パターンを図２に示す。設定
した描画率の種類（Ｋ）を、２．５％，５％，１０％，
２０％，３０％，４０％，５０％，６０％，７０％，８
０％，９０％，９５％，９７．５％の１３通り（Ｋ＝１
３）とした。１つの描画率につき図２の（Ｂ）に模式的
に示すような５μｍ幅の評価パターンを形成した。この
評価パターンはライン・アンド・スペース・パターンで
ある。尚、図２の（Ｂ）においては、ラインの部分に斜
線を付した。また、評価パターンの外形を点線で示し
た。各評価パターンを縱横２ｃｍ離して、図２の（Ａ）
に示すように配置した。尚、図２の（Ａ）においては、
評価パターンの横に描画率を記載した。評価パターン
は、フォトマスク基板上に形成されたクロムから成る遮
光膜上のレジスト材料に、各描画率の描画パターンを同
一電子線ビーム照射量で描画した後、かかるレジスト材
料をＭＩＢＫ現像液を用いて現像し、パターニングされ
たレジスト材料をエッチング用マスクとして遮光膜を塩
素と酸素の混合ガスによりドライエッチングした後、レ
ジスト材料を剥離することで作製した。

【００３８】描画率が５０％以下の評価パターンを形成
するための描画パターンにおいては、ラインの幅を５μ
ｍとし、所定の描画率が得られるようにスペースの幅を
調整した。ライン幅を５μｍとしたのは、電子線ビーム
近接効果を避けるためである。尚、加速電圧が２０ｋｅ
Ｖの場合、電子線ビームの入射点から約２μｍの範囲に
電子線ビーム近接効果が生じる。一方、描画率が５０％
を超える評価パターンを形成するための描画パターンに
おいては、スペースの幅を５μｍに固定し、所定の描画
率が得られるようにラインの幅を調整した。ラインの幅
を５μｍに固定し、所定の描画率が得られるようにスペ
ースの幅を調整したのでは、高い描画率においてスペー
スの幅が微小となり、電子線ビーム近接効果が生じるか
らである。

【００３９】得られた評価パターンの中央部で、描画率
５０％以下の評価パターンにおいてはラインの幅を測定
し、描画率が５０％を超える評価パターンにおいてはス
ペースの幅を測定した。測定方法は、以下においても同
様である。測定した結果を、横軸に描画率ｋ、縦軸に寸
法差ΔＳ_k（＝Ｓ_{m_k}−Ｓ_{d_k}）として纏めた結果を図３
に示す。図３から、描画率が高くなるに従い、寸法差が
大きくなることが判る。

【００４０】［工程−１１０］この工程は、先に説明し
たサブステップ−１Ｂに相当し、プロセス近接効果が及
ぶ範囲（Ｌ）を求める。そのために、［工程−１００］
で得られた評価パターンから適当な描画率の評価パター
ンを適当な数、選択する。実施例１においては、描画率
７０％の評価パターンを選択した。そして、５ｍｍ四角
の評価パターンを縱横２００μｍに区分けした。即ち、
評価パターンをＮ＝６２５個のマトリックス状の領域に
区分けした。そして、各領域の中央部におけるマスクパ
ターンの寸法を測定した。そして、ｉ番目の領域におけ
るかかる測定値Ｓ_{m_i}、及び、１番目からＮ番目までの
領域におけるかかる測定値の平均値Ｓ_{m_ave}に基づき、 Ｓ_{m_i}−Ｓ_{m_ave} の値を等分布線に纏めた結果を模式的に図４の（Ａ）に
示す。また、Ｓ_{m_i}−Ｓ_{m _ave}の値（単位：任意）の変化
を模式的に図４の（Ｂ）に示す。図４の（Ａ）において
実線Ａで囲まれた領域の中では、Ｓ_{m_i}−Ｓ_{m_ave}の値が
ほぼ一定となる。つまり、この実線Ａで囲まれた領域内
では、プロセス近接効果は一様となる。反対に、この実
線Ａより外側の領域では、評価パターンの端部方向に向
かって描画パターンの存在率（即ち、微小領域における
描画率）が減少し、その結果、プロセス近接効果の度合
いが変化する。従って、プロセス近接効果が及ぶ範囲
（Ｌ）は、この実線Ａから評価パターンの縁部までの距
離、即ち、Ｓ_{m_i}−Ｓ_{m_ave}の値がほぼ一定となるマスク
パターンの位置の内、最も評価パターンの縁部から近い
位置から、評価パターンの縁部までの最短の距離「Ｌ」
に相当する。実施例１においては、Ｌ＝１．００ｍｍで
あった。

【００４１】［工程−１２０］この工程は、先に説明し
たサブステップ−１Ｃに相当する。図３に示した描画率
ｋと寸法差ΔＳ_kの結果から、実施例１にて用いたレジ
スト材料においては、プロセス近接効果を描画率１０％
の刻みの値で補正することとした。即ち、例えば、１
０．０％〜１９．９％の描画率の範囲に入るパターンは
同じ描画率として扱うこととした。そこで、各描画率の
範囲の中間値（１５％，２５％，３５％，４５％，５５
％，６５％，７５％，８５％，９５％）での最適なる照
射量（寸法差が最も小さくなるときの電子線ビームの照
射量）を得るために、以下の処理を行う。尚、実施例１
のこの工程における評価パターンの数（Ｋ’）は９であ
る。

【００４２】評価パターンを、［工程−１００］と同様
のライン・アンド・スペース・パターンとした。図５の
（Ａ）に模式的に示すように３×３のマトリックス状に
配置された９つの評価パターンを作製した。尚、評価パ
ターンのそれぞれの描画率は、各描画率の範囲の中間値
（１５％，２５％・・・８５％，９５％）とした。各評
価パターンの大きさを３ｍｍ四角とし、各評価パターン
が５ｍｍ離れて配置されるように評価パターンを形成し
た。図５の（Ａ）に示した評価パターンの横には描画率
を付記した。また、Ｋ’個の評価用描画パターンのそれ
ぞれが、Ｍ個（実施例１においては９個）のマトリック
ス状の領域に区分けされるようにマスクパターンデータ
を設定し、区分けされた各領域（１≦ｊ≦９）に対して
異なる照射量の電子線ビーム（実施例１においては９レ
ベル）でレジスト材料を描画した。尚、各描画率におい
て基準となる照射量は、図３で得られた描画率毎の寸法
差を考慮して設定した。形成された評価パターンの１つ
の模式図を図５の（Ｂ）に示す。尚、各領域の境界を点
線で示した。評価パターンの大きさ、区分けされた評価
パターンの領域の大きさ、各評価パターンの間の距離
は、実施例１にて使用したレジスト材料においてプロセ
ス近接効果が及ぶ範囲（Ｌ）が約１．００ｍｍと求まっ
たため、評価に際し他の要素と影響しないことを考慮し
ている。尚、レジスト材料の現像条件、ドライエッチン
グの条件は、［工程−１００］と同様とした。

【００４３】こうして得られた９つの評価パターンのそ
れぞれにおいて、９個のマトリックス状の領域の中央部
にてマスクパターンの寸法を測定した。測定した結果
を、横軸に照射補正量、縦軸に寸法差をとって描画率毎
にプロットした結果を図６に示す。尚、寸法差とは、測
定されたマスクパターンの寸法から所望の寸法（マスク
パターン設計寸法）を減じた値である。図６では、説明
の都合上、描画率が１５％（白四角で表示）、５５％
（黒四角で表示）、及び９５％（白丸で表示）のデータ
しか示していない。実際には、１５％〜９５％の全ての
データに対してプロットする。

【００４４】図６から、各描画率において、ドライエッ
チングによって得られるマスクパターンの寸法が所望の
寸法（マスクパターン設計寸法）に出来る限り近づくよ
うな、即ち、寸法差が出来る限り０となるような照射補
正量を求めた。得られた描画率と照射補正量の関係を、
図７に示す。

【００４５】［工程−１３０］以上により求めた、描画
率毎の照射補正量と、プロセス近接効果が及ぶ範囲
（Ｌ）に基づき、プロセス近接効果が及ぶ範囲（Ｌ）を
単位区画として、実際にフォトマスク基板上に形成すべ
きマスクパターンをこの単位区画で区切り、各単位区画
におけるマスクパターンの密度を計算にて求め、次い
で、各単位区画における求められたマスクパターンの密
度に基づき、描画率毎の照射補正量とマスクパターンの
密度との関係から、レジスト材料に照射すべき電子線ビ
ームの各単位区画毎の照射補正量を決定し、この照射補
正量に基づく照射量の電子線ビームにて所望の描画パタ
ーンをレジスト材料に描画する。

【００４６】この工程における描画パターンとして、
［工程−１００］で用いた描画パターンを用いた。ま
ず、描画すべきマスクパターンデータを、プロセス近接
効果が及ぶ範囲（Ｌ）と定めた１．００ｍｍ四角の単位
区画にて、マスクパターンデータ全体に亙って区切っ
た。次に、各々の単位区画においてその単位区画内での
描画パターンの描画率を式（１）に基づき計算し、単位
区画内の全ての描画パターンに対して、［工程−１２
０］にて求められた描画率との照射補正量の関係から、
かかる単位区画における照射補正量を求める。この操作
を全ての単位区画に対して行うことにより、マスクパタ
ーンデータの全体に亙ってプロセス近接効果の補正を行
った。そして、このマスクパターンデータに基づき、即
ち、照射補正量に基づく照射量の電子線ビームにて上述
の描画パターンをレジスト材料に描画した。尚、照射補
正量に基づく照射量とは、プロセス近接効果の補正のた
めの照射補正量に加え、電子線ビーム近接効果補正のた
めの照射補正量を考慮し、所望の寸法のマスクパターン
を得るための最適照射量を意味する。そして、［工程−
１００］と同様の条件でレジスト材料の現像を行い、次
いで、パターニングされたレジスト材料をエッチング用
マスクとして遮光膜をドライエッチングし、遮光膜から
成るマスクパターン（評価パターンと同じ形状を有す
る）をフォトマスク基板上に形成した。

【００４７】形成された種々の描画率におけるマスクパ
ターンの中央部において、マスクパターンの寸法を測定
した。そして、測定結果に基づき寸法差を求めた。ここ
で、寸法差とは、測定されたマスクパターンの寸法から
所望の寸法（マスクパターン設計寸法）を減じた値であ
る。描画率と寸法差の関係を、図８に黒四角で示す。
尚、図８において、比較のため、［工程−１００］にて
得られたプロセス近接効果を補正していない値（図３参
照）を白丸で示した。

【００４８】図８から明らかなように、全ての描画率に
おいて、ドライエッチングにて得られたマスクパターン
の寸法は、所望の寸法（マスクパターン設計寸法）に対
し±０．０２μｍの範囲内にあり、ドライエッチングに
て得られたマスクパターンは高い精度で形成されている
ことが判る。本発明により、プロセス近接効果が大幅に
低減された高精度のフォトマスクを作製することができ
た。

【００４９】（実施例２）実施例２においては、レジス
ト材料としてノボラック系のネガ型レジスト材料を用い
た。実施例１の［工程−１００］と全く同様の方法で得
られた評価パターンにおける寸法差ΔＳ_k（＝Ｓ_{m_k}−Ｓ
_{d_k}）と描画率の関係を図９に示す。尚、実施例２にお
いては、レジスト材料を現像するためにＴＭＡＨ現像液
を用いた。次に、実施例１の［工程−１１０］と同様の
方法で、プロセス近接効果が及ぶ範囲（Ｌ）を求めたと
ころ、Ｌ＝１．００ｍｍであった。

【００５０】次いで、実施例１の［工程−１２０］と同
様の方法で得られた評価パターンの寸法差と照射補正量
の関係を各描画率毎に求めた。その結果を図１０に示
す。図１０では、説明の都合上、描画率が１５％（白四
角で表示）、５５％（黒四角で表示）、及び９５％（白
丸で表示）のデータしか示していない。更に、図１０か
ら、各描画率において、ドライエッチングによって得ら
れるマスクパターンの寸法が所望の寸法（マスクパター
ン設計寸法）に出来る限り近づくような、即ち、寸法差
が出来る限り０となるような照射補正量を求めた。得ら
れた描画率と照射補正量の関係を、図１１に示す。

【００５１】次に、実施例１の［工程−１３０］と同様
の方法にて、遮光膜から成るマスクパターン（評価パタ
ーンと同じ形状を有する）をフォトマスク基板上に形成
した。得られた種々の描画率におけるマスクパターンの
中央部において、マスクパターンの寸法を測定した。そ
して、測定結果に基づき寸法差を求めた。ここで、寸法
差とは、測定されたマスクパターンの寸法から所望の寸
法（マスクパターン設計寸法）を減じた値である。描画
率と寸法差の関係を、図１２に黒四角で示す。尚、図１
２において、比較のため、プロセス近接効果を補正して
いない値（図９参照）を白丸で示した。

【００５２】図１２から明らかなように、全ての描画率
において、ドライエッチングにて得られたマスクパター
ンの寸法は、所望の寸法（マスクパターン設計寸法）に
対し±０．０２μｍの範囲内にあり、ドライエッチング
にて得られたマスクパターンは高い精度で形成されてい
ることが判る。本発明により、プロセス近接効果が大幅
に低減された高精度のフォトマスクを作製することがで
きた。

【００５３】以上、本発明を、発明の実施の形態及び好
ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらに限
定されるものではない。実施例にて説明した条件や各種
の数値は例示であり、適宜変更することができる。発明
の実施の形態及び好ましい実施例においては、使用した
レジスト材料においてプロセス近接効果が及ぶ範囲（距
離Ｌ）を予め求めたが、かかる範囲（距離Ｌ）を経験則
から一定の値として取り扱い、サブステップ−１Ｂや
［工程−１１０］を省略することもできる。あるいは
又、プロセス近接効果を補正するための電子線ビームの
照射補正量と、フォトマスク基板上に形成すべきマスク
パターンの密度との関係を、一定のテーブル化し、かか
るテーブルを参照することで、フォトマスク基板上に形
成すべきマスクパターンの単位区画当たりの密度に基づ
き、レジスト材料に照射すべき電子線ビームの該単位区
画当たりの照射補正量を決定することも可能である。こ
れによって、ステップ−１や［工程−１００］〜［工程
−１２０］を省略することができる。

【００５４】本発明のフォトマスクの作製方法及びレジ
スト材料への電子線ビーム照射補正量の決定方法を、半
導体基板等の上に形成された被エッチング材料層（例え
ば、絶縁層や配線層）の上に塗布されたレジスト材料へ
の電子線ビームの直接描画法に適用することもできる。
即ち、かかる直接描画法においては、半導体基板の上に
形成された被エッチング材料層上のレジスト材料に電子
線ビームにて所望のパターンを描画した後、該レジスト
材料を現像し、パターニングされたレジスト材料をエッ
チング用マスクとして被エッチング材料層をドライエッ
チングするが、この際、ドライエッチング時、形成すべ
き被エッチング材料層のパターン密度に起因して、エッ
チングされた被エッチング材料層の寸法が所望の寸法
（設計寸法）からずれることを無くすべく、半導体基板
上に形成すべき被エッチング材料層のパターンの単位区
画当たりの密度に基づき、レジスト材料に照射すべき電
子線ビームの該単位区画当たりの照射補正量を決定し、
該照射補正量に基づく照射量の電子線ビームにて所望の
描画パターンをレジスト材料に描画する。

【００５５】あるいは又、かかる直接描画法において
は、（イ）ドライエッチング時、形成すべき被エッチン
グ材料層のパターン密度に起因して、エッチングされた
被エッチング材料層の寸法が所望の寸法（設計寸法）か
らずれることを無くすべくレジスト材料に照射すべき電
子線ビームの照射補正量と、半導体基板上に形成すべき
被エッチング材料層のパターンの密度との関係を予め求
めておき、更に、（ロ）半導体基板上に形成すべき被エ
ッチング材料層のパターンの密度の変化が、ドライエッ
チング時、エッチングされた被エッチング材料層のパタ
ーンの寸法が所望の寸法からずれる現象を生ぜしめる範
囲を予め求めておき、（ハ）前記（ロ）において予め求
められた範囲を単位区画として、実際に半導体基板上に
形成すべき被エッチング材料層のパターンを該単位区画
で区切り、各単位区画における被エッチング材料のパタ
ーンの密度を計算にて求め、（ニ）各単位区画における
求められた被エッチング材料層のパターンの密度に基づ
き、前記（イ）において予め求められた照射補正量と被
エッチング材料層のパターンの密度との関係から、レジ
スト材料に照射すべき電子線ビームの各単位区画毎の照
射補正量を求め、（ホ）該照射補正量に基づく照射量の
電子線ビームにて所望の描画パターンをレジスト材料に
描画する。

【００５６】尚、上記の直接描画法における工程（イ）
〜（ニ）によれば、直接描画法のためのレジスト材料へ
の電子線ビーム照射補正量の決定を行うことができる。

【００５７】

【発明の効果】本発明によれば、プロセス近接効果を補
正するために新たに描画パターン図形（補助マスクパタ
ーン等）を生成させる必要がない。それ故、マスクパタ
ーンデータ上でデータ量を増加させることなくプロセス
近接効果を補正することができる。その結果、高精度の
フォトマスクを作製することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のフォトマスクの作製方法あるいはレジ
スト材料への電子線ビーム照射補正量の決定方法を説明
するための工程図である。

【図２】描画率と、ドライエッチング後の評価パターン
におけるマスクパターンの寸法差の関係を調べるための
評価パターンの模式的な配置図、及び評価パターンの拡
大された模式図である。

【図３】実施例１における、描画率と、ドライエッチン
グ後の評価パターンにおけるマスクパターンの寸法差の
関係を示す図である。

【図４】プロセス近接効果が及ぶ範囲を求めるために、
或る評価パターンにおいてｉ番目の領域におけるかかる
測定値Ｓ_{m_i}、及び、１番目からＮ番目までの領域にお
けるかかる測定値の平均値Ｓ_{m_ave}に基づき求められた
Ｓ_{m_i}−Ｓ_{m_ave}の関係を等分布線に纏めた結果、及びＳ
_{m_i}−Ｓ_{m_ave}の値の変化を模式的に示す図である。

【図５】各描画率において、ドライエッチングによって
得られるマスクパターンの寸法が所望の寸法に等しくな
るような照射補正量を求めるための評価パターンの模式
的な配置図、及び評価パターンの拡大された模式図であ
る。

【図６】実施例１において得られた描画率と照射補正量
と寸法差との関係を示す図である。

【図７】実施例１における描画率と照射補正量の関係を
示す図である。

【図８】実施例１において、プロセス近接効果の補正を
行った場合と行わない場合の描画率と寸法差の関係を示
す図である。

【図９】実施例２における、描画率と、ドライエッチン
グ後の評価パターンにおけるマスクパターンの寸法差の
関係を示す図である。

【図１０】実施例２において得られた描画率と照射補正
量と寸法差との関係を示す図である。

【図１１】実施例２における描画率と照射補正量の関係
を示す図である。

【図１２】実施例２において、プロセス近接効果の補正
を行った場合と行わない場合の描画率と寸法差の関係を
示す図である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】フォトマスク基板上に形成された遮光膜若
   しくは半遮光膜上のレジスト材料に電子線ビームにて所
   望のパターンを描画した後、該レジスト材料を現像し、
   パターニングされたレジスト材料をエッチング用マスク
   として遮光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングし、
   遮光膜若しくは半遮光膜から成るマスクパターンをフォ
   トマスク基板上に形成するフォトマスクの作製方法であ
   って、 ドライエッチング時、形成すべきマスクパターンの密度
   に起因してエッチングされたマスクパターンの寸法が所
   望の寸法からずれることを無くすべく、フォトマスク基
   板上に形成すべきマスクパターンの単位区画当たりの密
   度に基づき、レジスト材料に照射すべき電子線ビームの
   該単位区画当たりの照射補正量を決定し、 該照射補正量に基づく照射量の電子線ビームにて所望の
   描画パターンをレジスト材料に描画することを特徴とす
   るフォトマスクの作製方法。
2. 【請求項２】フォトマスク基板上に形成された遮光膜若
   しくは半遮光膜上のレジスト材料に電子線ビームにて所
   望のパターンを描画した後、該レジスト材料を現像し、
   パターニングされたレジスト材料をエッチング用マスク
   として遮光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングし、
   遮光膜若しくは半遮光膜から成るマスクパターンをフォ
   トマスク基板上に形成するフォトマスクの作製方法であ
   って、 （イ）ドライエッチング時、形成すべきマスクパターン
   の密度に起因してエッチングされたマスクパターンの寸
   法が所望の寸法からずれることを無くすべくレジスト材
   料に照射すべき電子線ビームの照射補正量と、フォトマ
   スク基板上に形成すべきマスクパターンの密度との関係
   を予め求めておき、更に、 （ロ）フォトマスク基板上に形成すべきマスクパターン
   の密度の変化が、ドライエッチング時、エッチングされ
   たマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれる現象を
   生ぜしめる範囲を予め求めておき、 （ハ）前記（ロ）において予め求められた範囲を単位区
   画として、実際にフォトマスク基板上に形成すべきマス
   クパターンを該単位区画で区切り、各単位区画における
   マスクパターンの密度を計算にて求め、 （ニ）各単位区画における求められたマスクパターンの
   密度に基づき、前記（イ）において予め求められた照射
   補正量とマスクパターンの密度との関係から、レジスト
   材料に照射すべき電子線ビームの各単位区画毎の照射補
   正量を決定し、 （ホ）該決定された照射補正量に基づく照射量の電子線
   ビームにて所望の描画パターンをレジスト材料に描画す
   ることを特徴とするフォトマスクの作製方法。
3. 【請求項３】フォトマスク基板上に形成された遮光膜若
   しくは半遮光膜上のレジスト材料に電子線ビームにて所
   望のパターンを描画した後、該レジスト材料を現像し、
   パターニングされたレジスト材料をエッチング用マスク
   として遮光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングし、
   遮光膜若しくは半遮光膜から成るマスクパターンをフォ
   トマスク基板上に形成するフォトマスクの作製方法にお
   けるレジスト材料への電子線ビーム照射補正量の決定方
   法であって、 （イ）ドライエッチング時、形成すべきマスクパターン
   の密度に起因してエッチングされたマスクパターンの寸
   法が所望の寸法からずれることを無くすべくレジスト材
   料に照射すべき電子線ビームの照射補正量と、フォトマ
   スク基板上に形成すべきマスクパターンの密度との関係
   を予め求めておき、更に、 （ロ）フォトマスク基板上に形成すべきマスクパターン
   の密度の変化が、ドライエッチング時、エッチングされ
   たマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれる現象を
   生ぜしめる範囲を予め求めておき、 （ハ）前記（ロ）において予め求められた範囲を単位区
   画として、実際にフォトマスク基板上に形成すべきマス
   クパターンを該単位区画で区切り、各単位区画における
   マスクパターンの密度を計算にて求め、 （ニ）各単位区画における求められたマスクパターンの
   密度に基づき、前記（イ）において予め求められた照射
   補正量とマスクパターンの密度との関係から、レジスト
   材料に照射すべき電子線ビームの各単位区画毎の照射補
   正量を決定することを特徴とするレジスト材料への電子
   線ビーム照射補正量の決定方法。
4. 【請求項４】フォトマスク基板上に形成された遮光膜若
   しくは半遮光膜上のレジスト材料に電子線ビームにて所
   望のパターンを描画した後、該レジスト材料を現像し、
   パターニングされたレジスト材料をエッチング用マスク
   として遮光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングする
   ことによって形成された遮光膜若しくは半遮光膜から成
   るマスクパターンを有するフォトマスクであって、 ドライエッチング時、形成すべきマスクパターンの密度
   に起因してエッチングされたマスクパターンの寸法が所
   望の寸法からずれることを無くすべく、フォトマスク基
   板上に形成すべきマスクパターンの単位区画当たりの密
   度に基づき、レジスト材料に照射すべき電子線ビームの
   該単位区画当たりの照射補正量を決定し、 該照射補正量に基づく照射量の電子線ビームにて所望の
   描画パターンをレジスト材料に描画することによって作
   製されること特徴とするフォトマスク。
5. 【請求項５】フォトマスク基板上に形成された遮光膜若
   しくは半遮光膜上のレジスト材料に電子線ビームにて所
   望のパターンを描画した後、該レジスト材料を現像し、
   パターニングされたレジスト材料をエッチング用マスク
   として遮光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングする
   ことによって形成された遮光膜若しくは半遮光膜から成
   るマスクパターンを有するフォトマスクであって、 （イ）ドライエッチング時、形成すべきマスクパターン
   の密度に起因してエッチングされたマスクパターンの寸
   法が所望の寸法からずれることを無くすべくレジスト材
   料に照射すべき電子線ビームの照射補正量と、フォトマ
   スク基板上に形成すべきマスクパターンの密度との関係
   を予め求めておき、更に、 （ロ）フォトマスク基板上に形成すべきマスクパターン
   の密度の変化が、ドライエッチング時、エッチングされ
   たマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれる現象を
   生ぜしめる範囲を予め求めておき、 （ハ）前記（ロ）において予め求められた範囲を単位区
   画として、実際にフォトマスク基板上に形成すべきマス
   クパターンを該単位区画で区切り、各単位区画における
   マスクパターンの密度を計算にて求め、 （ニ）各単位区画における求められたマスクパターンの
   密度に基づき、前記（イ）において予め求められた照射
   補正量とマスクパターンの密度との関係から、レジスト
   材料に照射すべき電子線ビームの各単位区画毎の照射補
   正量を決定し、 （ホ）該決定された照射補正量に基づく照射量の電子線
   ビームにて所望の描画パターンをレジスト材料に描画す
   ることによって作製されること特徴とするフォトマス
   ク。