JP5069052B2 - ドーズ補正方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
を提供することを目的としている。
後述する段落番号[0073]において[数15]に示す式として求める。
この式において、
C1は、合わせ込むべき現像のプロセスレベルの割合、
C2は、合わせ込むべきレジストに入射した荷電粒子ビームのエネルギー強度の割合、
ηは、レジストに入射した荷電粒子ビームに対する後方散乱電子のエネルギーの比、
Ebp n,m は、近接効果の影響の大きさの割合、
Ebcor n,m は、前記被描画材料上に分割された近接効果補正の単位区画(n,m)に
おける近接効果の影響の大きさの補正量、
Efog *0 n,m は、前記被描画材料上に分割された単位区画(fn,fm)のかぶり誤差
の影響Efog *0 fn,fm を近接効果補正の単位区画(n,m)において再計算して最適化
したかぶり誤差の影響の大きさ、
Smodfog *0 n,m は、前記被描画材料上に分割された単位区画(fn,fm)のかぶ
り誤差補正のドーズ量のSmodfog *0 fn,fm を近接効果補正の単位区画(n,m)に
おいて再計算して最適化したかぶり誤差補正の補正量、である。
(2)請求項2記載の発明は、前記(1)記載の式に、プロセス誤差、ローディング効果、転写誤差の影響を考慮して、レジストに与える荷電粒子ビームの入射エネルギーに対する適正なエネルギーレベルである適正レベルとレジストの現像プロセスに必要なエネルギーレベルであるプロセスレベルに合わせることで荷電粒子ビームのドーズ量を補正するために、被描画材料上の微小な区画(n,m)領域毎に対する近接効果補正の区画(n,m)の再計算0回目のドーズ量の補正値Smod n,m を、
後述する段落番号[0097]において[数26]に示す式として求める。
この式において、
Smodprocall n,m は、プロセス誤差補正とローディング効果補正に基づいた単
位区画(n,m)のドーズ補正量、
Smodproj n,m は、転写誤差補正に基づいた単位区画(n,m)の補正量、である
。
(3)請求項3記載の発明は、前記(2)記載の式に基づいて、近接効果補正の区画(n,m)の再計算1回目以降のドーズ量の補正値Smod´ n,m を
後述する段落番号[0098]において[数27]に示す式として求める。
この式において、
Ebp´ n,m は、前回求めた補正量Smod before n,m と今回求めた補正量Smod now n,m との差分であるSmod FB n,m を用いて計算された近接効果の影響の大きさの割合、
Efog *1 n,m は、再計算1回目によって計算されたかぶり誤差の影響の大きさ、である
。
(4)請求項4記載の発明は、前記Efog *0 n,m と前記Efog *1 n,m と前記Smodf
og *0 n,m とは、予めかぶり誤差の成分単独で再計算する、ことを特徴とする。
(5)請求項5記載の発明は、荷電粒子ビームのショットにより被描画材料上に所望した寸法のパターンを描く荷電粒子ビーム描画装置において、各種補正パラメータとかぶり誤差補正プログラムとかぶり誤差補正量マップとローディング効果補正プログラムとローディング効果補正量マップとプロセス誤差補正量マップと転写誤差補正量マップとを有する装置制御計算機システムと、前記かぶり誤差補正量マップと前記ローディング効果補正量マップと前記プロセス誤差補正量マップと前記転写誤差補正量マップとを受けて近接効果補正量を算出し近接効果補正量マップを出力する近接効果補正ユニットと、前記近接効果補正量マップを受けてショット時間を生成するショット生成部と、を有し、前記近接効果補正ユニットが、かぶり誤差補正、ローディング効果補正、プロセス誤差補正、転写誤差補正を加えた近接効果補正の区画(n,m)における荷電粒子ビームのドーズ量の補正値Smod n,m を、
後述する段落番号[0097]において[数26]に示す式として演算する。
この式において、
C1は、合わせ込むべき現像のプロセスレベルの割合、
C2は、合わせ込むべきレジストに入射した荷電粒子ビームのエネルギー強度の割合、
ηは、レジストに入射した荷電粒子ビームに対する後方散乱電子のエネルギーの比、
Ebp n,m は、近接効果の影響の大きさの割合、
Ebcor n,m は、前記被描画材料上に分割された近接効果補正の単位区画(n,m)に
おける近接効果の影響の大きさの補正量、
Efog *0 n,m は、前記被描画材料上に分割された単位区画(fn,fm)のかぶり誤差
の影響Efog *0 fn,fm を近接効果補正の単位区画(n,m)において再計算して最適化
したかぶり誤差の影響の大きさ、
Smodfog *0 n,m は、前記被描画材料上に分割された単位区画(fn,fm)のかぶ
り誤差補正のドーズ量のSmodfog *0 fn,fm を近接効果補正の単位区画(n,m)に
おいて再計算して最適化したかぶり誤差補正のドーズ補正量、
Smodprocall n,m は、プロセス誤差補正とローディング効果補正に基づいた単
位区画(n,m)のドーズ補正量、
Smodproj n,m は、転写誤差補正に基づいた単位区画(n,m)のドーズ補正量、
である。
(2)請求項2記載の発明によれば、プロセス誤差、ローディング効果、転写誤差の影響を考慮して、レジストに与える荷電粒子ビームの入射エネルギーに対する適正レベルとプロセスレベルに合わせることで荷電粒子ビームのドーズ量を補正することで、十分な精度が得られるドーズ補正方法を提供することができる。
(3)請求項3記載の発明によれば、近接効果補正に着目することで、十分な精度が得られるドーズ補正方法を提供することができる。
(4)請求項4記載の発明によれば、予めかぶり誤差の成分単独で補正量の再計算をしておくことで、荷電粒子ビームの照射量を精度よく補正することができる。
(5)請求項5記載の発明によれば、適正レベルをプロセスレベルに合わせるため、荷電粒子ビームのドーズ量を補正することで、簡単な処理でかつ十分な精度が得られる荷電粒子ビーム描画装置を提供することができる。
1)近接効果補正
荷電粒子ビーム描画方法において、ショットした荷電粒子ビームがレジスト内で散乱したり(前方散乱)、レジストを通過して基板中に入り、再び該基板からレジスト内に散乱したり(後方散乱)することにより、ショットした部分以外の近接した部分にもエネルギーが蓄積されてしまう。そのために、現像すると、所定部分内に未露光部が生じたり、所定部分以外の近接した部分が露光されてしまう現象が発生する。
2)かぶり(Foggy)誤差補正
ショットした荷電粒子ビームがレジスト面で反射し、その反射した荷電粒子ビームが被描画材料上に設けられている荷電粒子光学系素子(レンズ)や鏡筒等に当たって再度反射し、ショットした部分以外の遠方まで反射した荷電粒子ビームがレジストに入ることによって蓄積したエネルギーに基づくパターン描画への影響(描画すべきパターンの線幅が所定のものと異なる等の現象)を少なくするために、ドーズ量を補正する方法での種々の対策(かぶり誤差補正)が採られている。
3)近接効果とかぶり誤差は、どちらもドーズ量によってその影響が変化してしまう現象であり、そのため両者をドーズ量で補正するためにはそれぞれ単独ではなく包括的に補正しなければならない。また、こうした影響は周辺のドーズ量の変化によっても変化してしまうため、一度求めたドーズ補正量を使用して再度ドーズ補正量を算出している。
4)プロセス誤差補正
荷電粒子ビームによってパターンが描画された材料を現像或いはエッチング処理する際のプロセスが、材料面上で不均一であること(プロセス誤差)や、周辺(近傍・中域・遠方)のエッチング処理面積等に応じたエッチング速度の違い(ローディング効果)によって、描画されたパターンの寸法にバラツキが発生する。この誤差を少なくするため、ドーズ量を補正する方法での種々の対策(プロセス誤差補正、ローディング効果補正)が採られている。
5)転写誤差補正
荷電粒子ビームによって描画されたレチクル及びマスクを用いて露光装置(ステッパ)でウエハ上にパターンを形成する際に発生する、露光装置の光学系等の歪により、レチクル及びマスク上に描画されたパターンの位置に応じて露光装置でウエハ上に描画されたパターンの寸法にバラツキが発生する。この誤差を少なくするため、ドーズ量を補正する方法での種々の対策(転写誤差補正)が採られている。
1.荷電粒子ビームの入射エネルギーとは別のドーズ量に依存した周辺からのエネルギーの蓄積によって入射に対する適正レベルが変化する(近接効果、かぶり誤差等)。
2.材料上の位置や周辺のエッチング処理面積率によってプロセスレベルにバラツキが発生する(プロセス誤差、各種ローディング効果等)。
3.所望のパターン寸法を得るために入射に対する適正レベルを意図的に変化させる(転写誤差補正等)。
1)ドーズによって変化する影響の補正
近接効果とかぶり誤差は、ドーズによってその影響が変化する。こうした影響をドーズ量で補正するためには、その影響の大きさに見合う分だけのドーズ量を補正するだけではなく、補正されたドーズ量に見合う分の影響の変化も考慮してドーズ量を合わせ込む必要がある。従って、近接効果補正区画(n,m)におけるドーズ量の補正量Smodn,mは以下の式で求める。
一方、Efog´fn,fmにおいて、かぶり誤差の影響を再度見積もりなおす必要があるが、かぶり誤差の影響はマスク乾板面上の広大な領域に渡るため、近接効果補正の影響を考慮して近接効果補正のセル毎に再計算を施すには膨大なセルについての計算が必要となり、1描画フィールド毎に描画と並行してこうした計算を施すのは、描画スループットへの影響を考慮すると現実的ではない。
プロセスレベルの変化に対応させるための補正には、プロセス誤差補正、マイクロローディング効果補正、ミドルレンジローディング効果補正、グローバルローディング効果補正が相当する。ここでは、プロセス誤差、マイクロローディング効果、ミドルレンジローディング効果、グローバルローディング効果をそれぞれの要因によって現像・エッチングのプロセスレベルC1が局所的に変化したものと考える。
3)入射に対する適正レベルを意図的に変化させるための補正
合わせ込む入射電子エネルギー強度を意図的に変化させるための補正には、転写誤差補正が相当する。ここでは、転写誤差を、入射電子ビームのブラーを利用して、意図的に現像・エッチングすべき入射電子エネルギー強度の割合C2を変化させて形成するパターンのサイズを変化させようとするものと考える。
4)各種ドーズ量補正の近接効果補正への包括
各種ドーズ補正を包括した近接効果補正では、それぞれのドーズ量は全て近接効果補正に包括される。そのため、近接効果補正を除くその他の各種ドーズ量補正は、近接効果補正を伴う場合は単独でのドーズ量補正は行わない。一方、近接効果補正を伴わない場合は従来通り単独でのドーズ量補正を行なう。各種ドーズ量補正が包括された近接効果補正のショットタイム変調量は以下の通りとなる。
上述の実施の形態では、荷電粒子ビーム描画装置として電子ビーム描画装置を用いた場合を例にとったが、本発明はこれに限るものではなく、その他の装置、例えばイオンビーム描画装置等にも等しく適用することができる。
A)荷電粒子ビームの入射エネルギーに対する適正なエネルギーレベル(入射に対する適正レベル)を、材料面上に塗布された感光剤(レジスト)の現像及びエッチング等のプロセスに必要なエネルギーレベル(プロセスレベル)に合わせるため、荷電粒子ビームの照射量(レジストへの荷電粒子ビームの入射量=ドーズ量)を補正することにより、被描画材料上に所望の寸法の描画パターンを形成することができる。
B)従来、入射に対する適正レベルとプロセスレベルが一致しなくなる(変化してしまう)要因をそれぞれ単独に見積もりドーズ量で補正していたが、これらを包括して補正するドーズ補正量を算出することにより、それぞれの要因のドーズ量補正による相互の影響を別途補正(処理が複雑な上、十分な精度が得られない)する必要がなくなる。
C)近接効果とかぶり誤差を、荷電粒子ビームの入射エネルギーとは別のドーズ量に依存したエネルギーの蓄積により、入射に対する適正レベルとプロセスレベルが一致しなくなる現象として捕らえられることにより、両者の影響を包括的に補正するドーズ補正量を算出することができるようになる。
D)プロセス誤差及び各種ローディング効果を、材料上の位置や周辺のエッチング処理面積率によって局所的にプロセスレベルが一定でなくなる現象として捕らえ、その他のドーズ量補正を、こうした局所的に変化したプロセスレベルに、入射に対する適正レベルを合わせ込む補正と位置付けることで、こうした要因によるパターン寸法のバラツキを補正することができる。
E)転写誤差を補正するために必要なドーズ量補正を、入射に対する適正レベルを意図的に変化させるための補正として捕らえ、その他のドーズ量補正を、このようにして変化させた入射に対する適正レベルをプロセスレベルに合わせ込む補正と位置付けることで、こうした要因によるパターン寸法のバラツキを補正することができる。
F)ドーズ量に依存したエネルギーの蓄積によって変化する成分のドーズ量を算出する過程において、かぶり誤差補正の影響を比較的大きな単位区画毎に予め最適化(一度得られたドーズ補正量でかぶり誤差の影響を再度見積もった上でドーズ補正量を算出することを繰り返す)しておくことで、近接効果補正ユニットでのドーズ量補正のための計算量(演算時間)の増大を抑制することができる。
G)近接効果の影響の大きさを表す後方散乱係数(前方散乱に対する後方散乱の影響の大きさの割合)は材料面上で一定であると考えられているが、これが材料面上の位置によって変化することを想定して補正できる機能を設けることで、こうした変化に対応した補正が可能となる。
H)かぶり誤差の影響の単位描画面積あたりの大きさは材料面上で一定であると考えられているが、これが材料面上の位置によって変化することを想定して補正できる機能を設けることで、こうした変化に対応した補正が可能になる。
2 パターンデータファイル
3 パターンレイアウト情報
4 かぶり誤差補正パラメータ
5 かぶり誤差影響補正マップ
6 かぶり誤差補正プログラム
7 かぶり誤差補正量マップ
8 グローバルローディング効果補正パラメータ
9 グローバルローディング効果補正プログラム
10 グローバルローディング効果補正量マップ
11 ミドルレンジローディング効果補正パラメータ
12 マイクロローディング効果補正パラメータ
13 近接効果補正ユニット
14 ミドルレンジローディング効果補正量マップ
15 マイクロローディング効果補正量マップ
16 プロセス誤差補正量マップ
17 転写誤差補正量マップ
18 近接効果補正パラメータ
19 近接効果影響補正マップ
20 近接効果補正量マップ
21 パターン展開ユニット
22 ショット生成ユニット
23 ショット時間制御用ビーム偏向アンプ
24 ビーム偏向電極
25 電子ビーム源
26 電子ビーム
27 被描画材料移動用ステージ
28 被描画材料
29 ショットサイズ制御用ビーム偏向アンプ
30 ビーム偏向電極
31 ビーム成形スリット1
32 ビーム成形スリット2
33 ステージ位置制御ユニット
34 ショット位置制御用ビーム偏向アンプ
35 ビーム偏向電極
Claims (5)
- 荷電粒子ビームのショットにより被描画材料上に所望した寸法のパターンを描く荷電粒子ビーム描画装置におけるドーズ補正方法において、
近接効果、かぶり効果誤差の影響を考慮して、レジストに与える荷電粒子ビームの入射エネルギーに対する適正なエネルギーレベルである適正レベルとレジストの現像プロセスに必要なエネルギーレベルであるプロセスレベルに合わせることで荷電粒子ビームのドーズ量を補正するために、被描画材料上の微小な区画(n,m)領域毎に対する近接効果補正の区画(n,m)の再計算0回目のドーズ量の補正値Smodn,mを
前式において、
C1は、合わせ込むべき現像のプロセスレベルの割合、
C2は、合わせ込むべきレジストに入射した荷電粒子ビームのエネルギー強度の割合、
ηは、レジストに入射した荷電粒子ビームに対する後方散乱電子のエネルギーの比、
Ebpn,mは、近接効果の影響の大きさの割合、
Ebcorn,mは、前記被描画材料上に分割された近接効果補正の単位区画(n,m)に
おける近接効果の影響の大きさの補正量、
Efog*0 n,mは、前記被描画材料上に分割された単位区画(fn,fm)のかぶり誤差
の影響Efog*0 fn,fmを近接効果補正の単位区画(n,m)において再計算して最適化
したかぶり誤差の影響の大きさ、
Smodfog*0 n,mは、前記被描画材料上に分割された単位区画(fn,fm)のかぶ
り誤差補正のドーズ量のSmodfog*0 fn,fmを近接効果補正の単位区画(n,m)に
おいて再計算して最適化したかぶり誤差補正の補正量、である。 - 前記請求項1記載の式に、プロセス誤差、ローディング効果、転写誤差の影響を考慮して、レジストに与える荷電粒子ビームの入射エネルギーに対する適正なエネルギーレベルである適正レベルとレジストの現像プロセスに必要なエネルギーレベルであるプロセスレ
ベルに合わせることで荷電粒子ビームのドーズ量を補正するために、被描画材料上の微小な区画(n,m)領域毎に対する近接効果補正の区画(n,m)の再計算0回目のドーズ量の補正値Smodn,mを
前式において、
Smodprocalln,mは、プロセス誤差補正とローディング効果補正に基づいた単
位区画(n,m)のドーズ補正量、
Smodprojn,mは、転写誤差補正に基づいた単位区画(n,m)の補正量、である
。 - 前記Efog*0 n,mと前記Efog*1 n,mと前記Smodfog*0 n,mとは、予めかぶり
誤差の成分単独で再計算する、ことを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画装置におけるドーズ補正方法。 - 荷電粒子ビームのショットにより被描画材料上に所望した寸法のパターンを描く荷電粒子ビーム描画装置において、
各種補正パラメータとかぶり誤差補正プログラムとかぶり誤差補正量マップとローディング効果補正プログラムとローディング効果補正量マップとプロセス誤差補正量マップと転写誤差補正量マップとを有する装置制御計算機システムと、
前記かぶり誤差補正量マップと前記ローディング効果補正量マップと前記プロセス誤差補正量マップと前記転写誤差補正量マップとを受けて近接効果補正量を算出し近接効果補正量マップを出力する近接効果補正ユニットと、
前記近接効果補正量マップを受けてショット時間を生成するショット生成部と、
を有し、
前記近接効果補正ユニットが、かぶり誤差補正、ローディング効果補正、プロセス誤差補正、転写誤差補正を加えた近接効果補正の区画(n,m)における荷電粒子ビームのドーズ量の補正値Smodn,mを
前式において、
C1は、合わせ込むべき現像のプロセスレベルの割合、
C2は、合わせ込むべきレジストに入射した荷電粒子ビームのエネルギー強度の割合、
ηは、レジストに入射した荷電粒子ビームに対する後方散乱電子のエネルギーの比、
Ebpn,mは、近接効果の影響の大きさの割合、
Ebcorn,mは、前記被描画材料上に分割された近接効果補正の単位区画(n,m)に
おける近接効果の影響の大きさの補正量、
Efog*0 n,mは、前記被描画材料上に分割された単位区画(fn,fm)のかぶり誤差
の影響Efog*0 fn,fmを近接効果補正の単位区画(n,m)において再計算して最適化
したかぶり誤差の影響の大きさ、
Smodfog*0 n,mは、前記被描画材料上に分割された単位区画(fn,fm)のかぶ
り誤差補正のドーズ量のSmodfog*0 fn,fmを近接効果補正の単位区画(n,m)に
おいて再計算して最適化したかぶり誤差補正のドーズ補正量、
Smodprocalln,mは、プロセス誤差補正とローディング効果補正に基づいた単
位区画(n,m)のドーズ補正量、
Smodprojn,mは、転写誤差補正に基づいた単位区画(n,m)のドーズ補正量、
である。
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