JPH09297392A - フォトマスク及びその製法、及びレジスト材層の配列及びパターン化された層の配列を形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の領域上に、互に同じ複数の、互に同じ
幅を有する多数のパターン化された層の配列を、感光性
レジスト材層を用いたフォトリソグラフィ法を用いて形
成するために、感光性レジスト材層の複数の領域にそれ
ぞれ対応した複数の領域に、順次に、同じ露光処理を行
うのに用いる、多数のパターン化された層にそれぞれ対
応し且つそれらのパターンに対応したパターンをそれぞ
れ有する多数の遮光部または透光部の、多数のパターン
化された層の配列に対応した配列を有するフォトマスク
において、それを用いて、互に同じ複数の、多数のパタ
ーン化されたレジスト材層の配列を、それらのそれぞれ
における多数のレジスト材層が、それらの配列上の位置
に関せず、許容値以下の幅の設計値からの差しか有しな
いものとして、形成する。 【解決手段】 多数のフォトマスクの配列における多数
の遮光部または透光部が、多数の遮光部または透光部の
配列上の位置に応じた幅をそれぞれ有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の領域上に、
互に同じ複数の、互に同じ幅を有する多数のパターン化
された層の配列を、感光性レジスト材層を用いたフォト
リソグラフィ法を用いて形成するために、感光性レジス
ト材層の上記複数の領域に対応した複数の領域に、順次
に、露光処理を行うのに用いる、多数のパターン化され
た層にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応した
パターンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部
の、多数のパターン化された層の配列に対応した配列を
有するフォトマスク及びその製法；互に同じ複数の、互
に同じ幅を有する多数のパターン化されたレジスト材層
の配列になることを予定している感光性レジスト材層か
ら、その感光性レジスト材層の複数の領域に対する、フ
ォトマスクを用いた同じ露光処理を順次とって、互に同
じ複数の、多数のパターン化されたレジスト材層の配列
を、それらのそれぞれにおける多数のレジスト材層が、
それらの配列上の位置に関せず、許容値以下の幅の設計
値からの差しか有しないものとして、形成する方法；及
び複数の領域において、互に同じ複数の、互に同じ幅を
有する多数のパターン化された層の配列になることを予
定している層から、その層上に感光性レジスト材層を形
成し、その感光性レジスト材層に対する、フォトマスク
を用いた同じ露光処理を順次とって、互に同じ複数の、
多数のパターン化された層の配列を、それらのそれぞれ
における多数のパターン化された層が、それらの配列上
の位置に関せず、許容値以下の幅の設計値からの差しか
有しないものとして、形成する方法に関し、とくに、電
界効果トランジスタ集積回路の製法における、互に同じ
複数の、多数の電界効果トランジスタのゲート電極の配
列を、それらのそれぞれにおける多数のゲート電極がそ
れらの配列上の位置に関せず、許容値以下の幅の設計値
からの差しか有しないものとして形成する場合に適用し
て好適な、フォトマスク及びその製法、及びレジスト材
層の配列及びパターン化された層配列を形成する方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、次に述べる、電界効果トランジス
タ集積回路の製法における、互に同じ複数の、多数の電
界効果トランジスタのゲート電極の配列を形成する方法
に適用された、レジスト材層の配列を形成する方法、及
びパターン化された層の配列を形成する方法が提案され
ている。

【０００３】すなわち、図１に、実際上は例えば直径３
インチの円形を有するが簡単のため模式的に方形で示さ
れている、予め用意された半導体ウェハ１上に、図１Ａ
及び図２に示すように、爾後、半導体ウェハ１の複数
の領域（以下、簡単のため、半導体ウェハ１が上述した
ように方形であるとして、互に同じパターンで、３×３
＝９個の方形領域に区分して得られた領域Ａ１、Ａ２、
Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８及びＡ９とする）
上において、互に同じ複数９個の、互に同じ幅（ゲート
長になるもので、例えば０．１５μｍの設計値を有す
る）を有する多数の電界効果トランジスタのゲート電極
２１（パターン化された層）の配列（それら配列をＧ
１、Ｇ２………Ｇ９とする）にそれぞれなることを予定
している、例えばＷＳｉＮでなるゲート電極用層２（互
に同じ複数の、互に同じ幅を有する多数のパターン化さ
れた層の配列になることを予定している層）と、互に
同じ複数の、互に同じ幅を有する多数のパターン化され
たマスク層の配列になることを予定している例えばＳｉ
Ｏ₂ でなるマスク用層３と、互に同じ複数の、互に同
じ幅を有する多数のパターン化されたレジスト材層の配
列になることを予定している感光性レジスト材層４と
を、それらの順に積層して形成する。なお、図２におい
て、Ｂｉは、感光性レジスト材層４の、半導体ウェハ１
の領域Ａｉ（ｉ＝１、２………９）上の領域を示し、一
方、その領域Ｂｉが、図７を伴って後述するのに準じ
て、複数の領域に区画されているとして示されている。

【０００４】次に、感光性レジスト材層４の半導体ウェ
ハ１の複数９個の領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、
Ａ６、Ａ７、Ａ８及びＡ９のそれぞれ上の複数９個の領
域Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８及
びＢ９に対する、フォトマスクを用いた、複数の多数の
ゲート電極２１の配列のそれぞれにおける多数のゲート
電極２１の配列のパターンに対応したパターンでの、同
じ露光処理を、順次行い、次で、感光性レジスト材層４
の複数９個の領域Ｂ１〜Ｂ９の全てに対し、同時に現像
処理を行うことによって、感光性レジスト材層４から、
図３に示すように、互に同じ複数９個の、複数９個の多
数のゲート電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれ
ぞれにおける多数のゲート電極２１にそれぞれ対応し且
つそれら多数のゲート電極２１のパターンに対応したパ
ターンをそれぞれ有する多数のレジスト材層４１の、複
数９個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………
Ｇ９のそれぞれにおける多数のゲート電極２１の配列に
対応した配列Ｒ１、Ｒ２………Ｒ９を形成する。なお、
図３において、Ｃｉは、マスク用層３の、半導体ウェハ
１の領域Ａｉ上の領域を示し、一方、その領域Ｃｉが、
領域Ｂｉと同様に複数の領域に区画されていることを示
している。

【０００５】この場合、フォトマスクとして、複数９個
の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９の
それぞれにおける多数のゲート電極２１にそれぞれ対応
し且つそれら多数のゲート電極２１のパターンに対応し
たパターンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部
（感光性レジスト材層４が、露光された部をして、現像
処理によって、溶去されるかされないかに応じた）の、
複数９個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２……
…Ｇ９のそれぞれにおける多数のゲート電極２１の配列
に対応した配列を有するとともに、多数の遮光部または
透光部が、それらの配列上の位置に関せず、互に同じ幅
を有するフォトマスクを用いている。

【０００６】次に、複数９個の、多数のレジスト材層４
１の配列Ｒ１、Ｒ２………Ｒ９を同時に用いた、マスク
用層３に対するエッチング処理によって、マスク用層３
から、図４に示すように、互に同じ複数９個の、複数９
個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９
のそれぞれにおける多数のゲート電極２１にそれぞれ対
応し且つそれらのパターンに対応したパターンをそれぞ
れ有する多数のマスク層３１の、複数９個の多数のゲー
ト電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれにお
ける多数のゲート電極２１の配列に対応した配列Ｍ１、
Ｍ２………Ｍ９を形成する。なお、図４において、Ｄｉ
は、ゲート電極用層２の、半導体ウェハ１の領域Ａｉ上
の領域を示し、一方、その領域Ｄｉが、領域Ｃｉと同様
に複数の領域に区画されていることを示している。

【０００７】次に、複数９個の多数のレジスト材層４１
の配列Ｒ１、Ｒ２………Ｒ９を、図５に示すように、複
数９個の多数のマスク層３１の配列Ｍ１、Ｍ２………Ｍ
９上から、除去する。なお、図５において、Ｄｉは、図
４におけると同様の領域を示し、また、その領域Ｄｉ
が、領域Ｃｉと同様に複数の領域に区画されていること
を示している。

【０００８】次に、複数９個の多数のマスク層３１の配
列Ｍ１、Ｍ２………Ｍ９を同時に用いた、ゲート電極用
層２に対するエッチング処理によって、ゲート電極用層
２から、図６に示すように、互に同じ複数９個の、多数
の電界効果トランジスタのゲート電極２１の配列Ｇ１、
Ｇ２………Ｇ９を形成する。なお、図６において、Ｄｉ
は、図４におけると同様の領域を示し、また、その領域
Ｄｉが、領域Ｃｉと同様に複数の領域に区画されている
ことを示している。

【０００９】以上が、従来提案されている、電界効果ト
ランジスタ集積回路の製法における、互に同じ複数の、
多数の電界効果トランジスタのゲート電極の配列を形成
する方法に適用された、レジスト材層の配列を形成する
方法（図１〜図３を伴って述べている）、及びパターン
化された層を形成する方法（図１〜図６を伴って述べて
いる）である。

【００１０】図１〜図３を伴って述べた、従来提案され
ている、電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する方法に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法によれば、感光性レジスト材
層４から、互に同じ複数９個の、多数のパターン化され
たレジスト材層４１の配列Ｒ１、Ｒ２………Ｒ９を、そ
れら複数９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１、Ｒ
２………Ｒ９に対して共通のフォトマスクを用いて、容
易に形成することができる。

【００１１】また、図１〜図６を伴って述べた、従来提
案されている、電界効果トランジスタ集積回路の製法に
おける、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタ
のゲート電極の配列を形成する方法に適用された、パタ
ーン化された層（ゲート電極２１）の配列を形成する方
法によれば、互に同じ複数９個の多数のゲート電極２１
の配列Ｇ１〜Ｇ７を、マスク用層３から、互に同じ複数
９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を用い
たエッチング処理により形成された、互に同じ複数９個
の多数のマスク層３１の配列Ｍ１〜Ｍ９を用いたエッチ
ング処理によって、ゲート用電極層２から、形成するよ
うにしており、そして、この場合、マスク層３１とゲー
ト用電極層２とのエッチング比率を、複数９個の多数の
ゲート電極２１の配列Ｇ１〜Ｇ９を複数９個の多数のマ
スク層３１の配列Ｍ１〜Ｍ９を用いずに複数９個の多数
のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を用いて形成する
とした場合に比し、高くすることができるので、複数９
個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１〜Ｇ９を、複数９
個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１〜Ｇ９を複数９個
の多数のマスク層３１の配列Ｍ１〜Ｍ９を用いずに複数
９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を用い
て形成するとした場合に比し、高い寸法精度で容易に形
成することができ、また、ゲート電極用層２の表面が、
複数９個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１〜Ｇ９を複
数９個の多数のマスク層３１の配列Ｍ１〜Ｍ９を用いず
に複数９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９
を用いて形成するとした場合において同様の表面に生ず
るおそれのあるエッチャントによる損傷を、有効に回避
することができ、さらに、複数９個の多数のゲート電極
２１の配列のそれぞれにおける多数のゲート電極２１上
に、複数９個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１〜Ｇ９
を複数９個の多数のマスク層３１の配列Ｍ１〜Ｍ９を用
いずに複数９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜
Ｒ９を用いて形成するとした場合において、複数９個の
多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を除去したと
きに生ずるおそれのあるレジスト材層４１の残渣物が残
るのを、有効に回避することができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図１〜図３を伴って述
べた、従来提案されている、電界効果トランジスタ集積
回路の製法における、互に同じ複数の、多数の電界効果
トランジスタのゲート電極の配列を形成する方法に適用
された、レジスト材層の配列を形成する方法の場合、互
に同じ複数９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜
Ｒ９を、それらのそれぞれにおける多数のレジスト材層
４１が、それらの配列上の位置に関せず同じ幅を有する
ものとして形成されるとして、フォトマスクとして、上
述したように、複数９個の多数のゲート電極２１の配列
Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれにおける多数のゲート
電極２１にそれぞれ対応し且つそれら多数のゲート電極
２１のパターンに対応したパターンをそれぞれ有する多
数の遮光部または透光部の、多数のゲート電極２１の配
列に対応した配列を有するとともに、多数の遮光部また
は透光部が、それらの配列上の位置に関せず互に同じ幅
を有するフォトマスクを用いていた。

【００１３】このため、及び複数９個の多数のレジスト
材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を、感光性レジスト材層４か
ら形成する過程における、感光性レジスト材層４の複数
９個の領域Ｂ１〜Ｂ９に対する、フォトマスクを用い
た、同じ露光処理を順次行うのに用いる露光手段におけ
る光学系に歪があると考えられるという主な理由で、互
に同じ複数９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜
Ｒ９のそれぞれにおける多数のレジスト材層４１が、子
細にみるに、それら多数のレジスト材層４１の配列上の
位置に応じた幅をそれぞれ有するものとして形成され
る、という欠点を有していた。

【００１４】このことは、感光性レジスト材層４とし
て、表面にヘキストジャパン製のＴＡＲと称されている
反射防止膜を６５ｎｍの厚さで設けている東京応化製の
ｉｐ−３１００でなる厚さ１．０５μｍの感光性レジス
ト材層を用い、また、感光性レジスト材層４の複数の領
域Ｂ１、Ｂ２………Ｂ９に対する順次の露光処理を、１
／５倍に縮小された３６５ｎｍの波長を有するｉ線のパ
ターン像（多数の遮光部または透光部のパターン（それ
ぞれの幅は、多数のゲート電極２１の幅が０．１５μｍ
の設計値で得られるとする値を有する）による）を、開
口数ＮＡが０．６のレンズを用いて、感光性レジスト材
層４１に投影する処理とし、現像処理を、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイト（ＴＳＭＲ）の２．３
８％水溶液を現像液として用いた、パドル方式（感光性
レジスト材層４上に現像液を盛る）による処理として、
複数９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９の
それぞれにおける多数のレジスト材層４１の幅（その幅
は、多数のゲート電極２１の幅が０．１５μｍの設計値
で得られるとする０．２μｍ程度の値を有する）を、走
査型電子顕微鏡式測長装置を用いて測定し、その幅の、
多数のレジスト材層４１の配列上の位置の分布を測定し
たところ、図７に示す結果が得られたことからも明らか
であろう。なお、図７Ａは、多数のレジスト材層４１
が、それらの幅をとる方向をして、Ｙ軸方向（上下方
向）であるように形成されている場合の、その幅の、多
数のレジスト材層４１の配列上の位置の分布を示し、ま
た、図７Ｂは、多数のレジスト材層４１が、それらの幅
をとる方向をして、Ｘ軸方向（左右方向）であるように
形成されている場合の、その幅の多数のレジスト材層４
１の配列上の位置の分布を示している。

【００１５】よって、本発明は、電界効果トランジスタ
集積回路の製法における、互に同じ複数の、多数の電界
効果トランジスタのゲート電極２１の配列をそれぞれ形
成するのに適用した場合でみて、その複数の多数のゲー
ト電極２１の配列を、それらのそれぞれにおける多数の
ゲート電極２１が、それらの配列上の位置に関せず、許
容値以下の幅の設計値からの差しか有しないものとして
形成することができる、新規なフォトマスク及びその製
法、及びレジスト材層の配列及びパターン化された層の
配列を形成する方法を提案せんとするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明によるフォトマス
クは、（ｉ）複数の領域上に、互に同じ複数の、互に同
じ幅を有する多数のパターン化された層の配列を、感光
性レジスト材層を用いたフォトリソグラフィ法を用いて
形成するために、上記感光性レジスト材層の上記複数の
領域にそれぞれ対応した複数の領域に、順次に、同じ露
光処理を行うのに用いる、上記多数のパターン化された
層にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応したパ
ターンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部の、
上記多数のパターン化された層の配列に対応した配列を
有するフォトマスクにおいて、（ｉｉ）上記多数のフォ
トマスクの配列における多数の遮光部または透光部が、
上記多数の遮光部または透光部の配列上の位置に応じた
幅をそれぞれ有する。

【００１７】また、本発明によるフォトマスクの製法
は、（ｉ）複数の領域上に、互に同じ複数の、互に同じ
幅を有する多数のパターン化された層の配列を、感光性
レジスト材層を用いたフォトリソグラフィ法を用いて形
成するために、上記感光性レジスト材層の上記複数の領
域にそれぞれ対応した複数の領域に、順次に、同じ露光
処理を行うのに用いる、上記多数のパターン化された層
にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応したパタ
ーンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部の、上
記多数のパターン化された層の配列に対応した配列を有
するフォトマスクの製法において、（ｉｉ）上記多数
の遮光部または透光部の配列における多数の遮光部また
は透光部にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応
したパターンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光
部の、上記多数の遮光部または透光部の配列に対応した
配列を有するとともに、上記多数の遮光部または透光
部の幅の、上記多数の遮光部または透光部の配列上の位
置の分布が、上記フォトマスクと同様の方法で予め製造
された、上記多数の遮光部または透光部にそれぞれ対応
し且つそれらのパターンに対応したパターンをそれぞれ
有するとともに互いに同じ幅を有する多数の測定用遮光
部または測定用透光部の、上記多数の遮光部または透光
部の配列に対応した配列を有する測定用フォトマスクに
おける、上記多数の測定用遮光部または測定用透光部の
予め測定された幅の、上記多数の測定用遮光部または測
定用透光部の配列上の位置の分布に応じているマスク
を、上記フォトマスクと同様の方法で、上記フォトマス
クとして製造する。

【００１８】さらに、本発明によるレジスト材層の配列
を形成する方法は、（ｉ）互に同じ複数の、互に同じ幅
を有する多数のパターン化されたレジスト材層の配列に
なることを予定している感光性レジスト材層の複数の領
域に対し、フォトマスクを用いた同じ露光処理を順次行
い、次で、上記感光性レジスト材層の複数の領域の全て
に対し、同時に現像処理を行うことによって、上記感光
性レジスト材層から、互に同じ複数の、多数のパターン
化されたレジスト材層の配列を、それらのそれぞれにお
ける多数のパターン化されたレジスト材層が、それらの
配列上の位置に関せず、許容値以下の幅の設計値からの
差しか有しないものとして、形成する方法において、
（ｉｉ）上記フォトマスクとして、上記多数のレジス
ト材層にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応し
たパターンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部
の、上記多数のレジスト材層の配列に対応した配列を有
するとともに、上記多数の遮光部または透光部がそれら
の配列上の位置に応じた幅をそれぞれ有するフォトマス
クを用いる。

【００１９】また、本発明によるパターン化された層の
配列を形成する方法は、（イ）（ｉ）爾後、複数の領域
上において、互に同じ複数の、互に同じ幅を有する多数
のパターン化された層の配列になることを予定している
層と、マスク用層と、感光性レジスト材層をそれらの順
に積層して形成する工程と、（ｉｉ）上記感光性レジス
ト材層の上記複数の領域にそれぞれ対応した複数の領域
に対し、フォトマスクを用いた同じ露光処理を、順次行
い、次で、上記感光性レジスト材層の複数の領域の全て
に対し、同時に現像処理を行うことによって、上記感光
性レジスト材層から、互に同じ複数の、上記複数の多数
のパターン化された層の配列のそれぞれにおける多数の
パターン化された層にそれぞれ対応し且つそれらのパタ
ーンに対応したパターンをそれぞれ有する多数のレジス
ト材層の、上記複数の多数のパターン化された層の配列
のそれぞれにおける多数のパターン化された層の配列に
対応した配列を形成する工程と、（ｉｉｉ）上記複数
の、多数のレジスト材層の配列を形成する工程後、それ
ら複数の、多数のレジスト材層の配列を同時に用いた、
上記マスク用層に対するエッチング処理によって、上記
マスク用層から、互に同じ複数の、上記多数のレジスト
材層にそれぞれ対応し且つそれのパターンに対応したパ
ターンをそれぞれ有する多数のマスク層の、上記多数の
レジスト材層の配列に対応した配列を形成する工程と、
（ｉｖ）上記複数の、多数のマスク層の配列を形成する
工程後、上記複数の、多数のレジスト材層の配列を同時
に除去する工程と、（ｖ）上記複数の、多数のレジスト
材層の配列を除去する工程後、上記複数の、多数のマス
ク層の配列を同時に用いた、上記互に同じ複数の、多数
のパターン化された層の配列になる層に対するエッチン
グ処理によって、上記互に同じ複数の、多数のパターン
化された層の配列になる層から、上記互に同じ複数の、
多数のパターン化された層の配列を形成する工程とを有
するパターン化された層の配列を、それらのそれぞれに
おける多数のパターン化された層が、それらの配列上の
位置に関せず、許容値以下の幅の設計値からの差しか有
しないものとして、形成する方法において、（ロ）上記
フォトマスクとして、上記多数のパターン化された層
にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応したパタ
ーンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部の、上
記多数のパターン化された層の配列に対応した配列を有
するとともに、上記多数の遮光部がそれらの配列上の
位置に応じた幅をそれぞれ有するフォトマスクを用い
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、本発明による、電界効果ト
ランジスタ集積回路の製法における、互に同じ複数の、
多数の電界効果トランジスタのゲート電極の配列を形成
する方法に適用された、パターン化された層の配列を形
成する方法の実施の形態例を、フォトマスクの実施の形
態例、フォトマスクの製法の実施の形態例、及びレジス
ト材層の配列を形成する方法の実施の形態例とともに述
べよう。

【００２１】まず、「従来の技術」で述べたと同様に、
図１に、実際上は例えば直径３インチの円形を有するが
簡単のため模式的に、方形で示されている、予め用意さ
れた半導体ウェハ１上に、図１Ａ及び図２に示すよう
に、爾後、半導体ウェハ１の複数の領域Ａ１、Ａ２、
Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８及びＡ９上におい
て、互に同じ複数９個の、互に同じ幅（例えば０．１５
μｍの設計値を有する）を有する多数の電界効果トラン
ジスタのゲート電極２１（パターン化された層）の配列
Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９にそれぞれなることを予定してい
るゲート電極用層２（互に同じ複数の、互に同じ幅を有
する多数のパターン化された層の配列になることを予定
している層）と、互に同じ複数の、互に同じ幅を有す
る多数のパターン化されたレジスト材層の配列になるこ
とを予定している例えばＳｉＯ₂ でなるマスク用層３
と、互に同じ複数の、互に同じ幅を有する多数のパタ
ーン化されたマスク層の配列になることを予定している
感光性レジスト材層４とを、それらの順に積層して形成
する。

【００２２】次に、「従来の技術」で述べたと同様に、
感光性レジスト材層４の半導体ウェハ１の複数９個の領
域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８及
びＡ９のそれぞれ上の複数９個の領域Ｂ１、Ｂ２、Ｂ
３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８及びＢ９に対する、
フォトマスクを用いた、複数の多数のゲート電極２１の
配列のそれぞれにおける多数のゲート電極２１の配列の
パターンに対応したパターンでの、同じ露光処理を、順
次行い、次で、感光性レジスト材層４の複数９個の領域
Ｂ１〜Ｂ９の全てに対し、同時に現像処理を行うことに
よって、感光性レジスト材層４から、図３に示すよう
に、互に同じ複数９個の、複数９個の多数のゲート電極
２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれにおける多
数のゲート電極２１にそれぞれ対応し且つそれら多数の
ゲート電極２１のパターンに対応したパターンをそれぞ
れ有する多数のレジスト材層４１の、複数９個の多数の
ゲート電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれ
における多数のゲート電極２１の配列に対応した配列Ｒ
１、Ｒ２………Ｒ９を形成する。

【００２３】この場合、フォトマスクとして、「従来の
技術」で述べたと同様に、複数９個の多数のゲート電極
２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれにおける多
数のゲート電極２１にそれぞれ対応し且つそれら多数の
ゲート電極２１のパターンに対応したパターンをそれぞ
れ有する多数の遮光部または透光部（感光性レジスト材
層４が、露光された部をして、現像処理によって、溶去
されるかされないかに応じた）の、複数９個の多数のゲ
ート電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれに
おける多数のゲート電極２１の配列に対応した配列を有
するフォトマスクを用いるが、そのフォトマスクは、多
数の遮光部または透光部が、それらの配列上の位置に関
せず互に同じ幅を有する、という「従来の技術」で述べ
た場合とは異なり、多数の遮光部または透光部の配列上
の位置に応じた幅をそれぞれ有している。

【００２４】いま、フォトマスクの多数の遮光部または
透光部がそれらの配列上の位置に応じた幅をそれぞれ有
していることについて、さらに述べるに、フォトマスク
として、「従来の技術」で述べたフォトマスクを用い
て、複数９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ
２を形成した場合において、複数９個の多数のレジスト
材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９のそれぞれにおける多数のレ
ジスト材層４１の幅の、多数のレジスト材層４１の配列
上の位置の分布の測定結果が、「発明が解決しようとす
る課題」で述べたように且つ図７に示すように得られる
とする場合、その測定結果に応じて、マスク用層３上の
領域Ｃｉにおいて、図８に示すように、複数（図８Ａに
おいては、２５個）の領域に区画し、それら複数の区画
領域のそれぞれにおける多数のレジスト材層４１の幅の
設計値からの平均的な偏差値（０．０、＋０．１、＋
０．２μｍで表示されている）を測定し、そして、フォ
トマスクを、上述した領域Ｃｉにおける複数の区画領域
に対応する複数の区画領域のそれぞれにおける多数の遮
光部または透光部の幅が、設計値から、上述したレジス
ト材層４１の幅の設計値からの平均的な偏差値に応じた
分、補正された値を有するものとして用意する。

【００２５】なお、そのようなフォトマスクは、多数の
遮光部または透光部の配列における多数の遮光部または
透光部にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応し
たパターンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部
の、多数の遮光部または透光部の配列に対応した配列を
有するとともに、多数の遮光部または透光部の幅の、多
数の遮光部または透光部の配列上の位置の分布が、「従
来の技術」で述べたフォトマスクと同様の方法で予め製
造された、多数の遮光部または透光部にそれぞれ対応し
且つそれらのパターンに対応したパターンをそれぞれ有
するとともに互いに同じ幅を有する多数の測定用遮光部
または測定用透光部の、多数の遮光部または透光部の配
列に対応した配列を有する測定用フォトマスク（「従来
の技術」で述べたフォトマスクと同様のフォトマスク）
における、多数の測定用遮光部または測定用透光部の予
め測定された多数の測定用遮光部または測定用透光部の
配列上の位置の分布に応じているマスクを、「従来の技
術」で述べたフォトマスクと同様の方法で、この場合の
フォトマスクとして製造する。

【００２６】次に、「従来の技術」で述べたと同様に、
複数９個の、多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１、Ｒ２
………Ｒ９を同時に用いた、マスク用層３に対するエッ
チング処理によって、マスク用層３から、図４に示すよ
うに、互に同じ複数９個の、複数９個の多数のゲート電
極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれにおける
多数のゲート電極２１にそれぞれ対応し且つそれらのパ
ターンに対応したパターンをそれぞれ有する多数のマス
ク層３１の、複数９個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ
１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれにおける多数のゲート電
極２１の配列に対応した配列Ｍ１、Ｍ２………Ｍ９を形
成する。

【００２７】次に、「従来の技術」で述べたと同様に、
複数９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１、Ｒ２…
……Ｒ９を、図５に示すように、複数９個の多数のマス
ク層３１の配列Ｍ１、Ｍ２………Ｍ９上から、除去す
る。

【００２８】次に、「従来の技術」で述べたと同様に、
複数９個の多数のマスク層３１の配列Ｍ１、Ｍ２………
Ｍ９を同時に用いた、ゲート電極用層２に対するエッチ
ング処理によって、ゲート電極用層２から、図６に示す
ように、互に同じ複数９個の、多数の電界効果トランジ
スタのゲート電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９を形
成する。

【００２９】以上が、本発明による電界効果トランジス
タ集積回路の製法における、互に同じ複数の、多数の電
界効果トランジスタのゲート電極の配列を形成する方法
に適用された、フォトマスク及びその製法（図７及び図
８を伴って、図３に示す複数９個の多数のレジスト材層
４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を形成する場合で述べている）、
レジスト材層の配列を形成する方法（図１〜図３を伴っ
て述べている）、及びパターン化された層の配列を形成
する方法（図１〜図６を伴って述べている）である。

【００３０】図７及び図８を伴って、図３に示す複数９
個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を形成す
る場合で述べている、本発明による電界効果トランジス
タ集積回路の製法における、互に同じ複数の、多数の電
界効果トランジスタのゲート電極の配列を形成する方法
に適用された、フォトマスクによれば、上述したよう
に、複数９個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２
………Ｇ９のそれぞれにおける多数のゲート電極２１に
それぞれ対応し且つそれら多数のゲート電極２１のパタ
ーンに対応したパターンをそれぞれ有する多数の遮光部
または透光部の、多数のゲート電極２１の配列に対応し
た配列を有するとともに、多数の遮光部または透光部
が、それらの配列上の位置に応じた幅を有するので、そ
れを用いて、互に同じ複数９個の、多数のパターン化さ
れたレジスト材層４１の配列Ｒ１、Ｒ２………Ｒ９を、
それらのそれぞれにおける多数のレジスト材層４１が、
それらの配列上の位置に関せず、許容値以下の幅の設計
値からの差しか有しないものとして、容易に形成するこ
とができる。

【００３１】また、図７及び図８を伴って、図３に示す
複数９個の多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を
形成する場合で述べている、本発明による電界効果トラ
ンジスタ集積回路の製法における、互に同じ複数の、多
数の電界効果トランジスタのゲート電極の配列を形成す
る方法に適用された、フォトマスクの製法によれば、互
に同じ複数９個の、多数のパターン化されたレジスト材
層４１の配列Ｒ１、Ｒ２………Ｒ９のそれぞれにおける
多数のレジスト材層４１を、それらの配列上の位置に関
せず、許容値以下の幅の設計値からの差しか有しないも
のとして容易に形成することができるフォトマスクを、
容易に製造することができる。

【００３２】さらに、図１〜図３を伴って述べた、本発
明による電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する方法に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法によれば、「従来の技術」で
述べたと同様に、感光性レジスト材層４から、互に同じ
複数９個の、多数のパターン化されたレジスト材層４１
の配列Ｒ１、Ｒ２………Ｒ９を、それら複数９個の多数
のレジスト材層４１の配列Ｒ１、Ｒ２………Ｒ９に対し
て共通のフォトマスクを用いて、容易に形成することが
できる。

【００３３】また、図１〜図３を伴って述べた、本発明
による電界効果トランジスタ集積回路の製法における、
互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲート
電極の配列を形成する方法に適用された、レジスト材層
の配列を形成する方法の場合、用いるフォトマスクが、
上述したように、複数９個の多数のゲート電極２１の配
列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれにおける多数のゲー
ト電極２１にそれぞれ対応し且つそれら多数のゲート電
極２１のパターンに対応したパターンをそれぞれ有する
多数の遮光部または透光部の、多数のゲート電極２１の
配列に対応した配列を有するとともに、多数の遮光部ま
たは透光部が、それらの配列上の位置に応じた幅を有す
るフォトマスクであるので、複数９個の多数のレジスト
材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を、感光性レジスト材層４の
複数９個の領域Ｂ１〜Ｂ９から形成する過程における、
感光性レジスト材層４の複数９個の領域Ｂ１〜Ｂ９に対
する、フォトマスクを用いた、同じ露光処理を順次行う
のに用いる露光手段における光学系に、歪があるとして
も、互に同じ複数９個の、多数のレジスト材層４１の配
列Ｒ１〜Ｒ９を、それらのそれぞれにおける多数のレジ
スト材層４１が、それらの配列上の位置に関せず、許容
値（例えば０．０１μｍ程度）以下の幅の設計値からの
差しか有しないものとして、容易に形成することができ
る。

【００３４】さらに、図１〜図６を伴って述べた、本発
明による電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する方法に適用された、パターン
化された層（ゲート電極２１）の配列を形成する方法に
よれば、「従来の技術」で述べたと同様に、互に同じ複
数９個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ１〜Ｇ７を、マ
スク用層３から、互に同じ複数９個の多数のレジスト材
層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を用いたエッチング処理により
形成された、互に同じ複数９個の多数のマスク層３１の
配列Ｍ１〜Ｍ９を用いたエッチング処理によって、ゲー
ト用電極層２から、形成するようにしており、そして、
この場合、マスク層３１とゲート用電極層２とのエッチ
ング比率を、複数９個の多数のゲート電極２１の配列Ｇ
１〜Ｇ９を複数９個の多数のマスク層３１の配列Ｍ１〜
Ｍ９を用いずに複数９個の多数のレジスト材層４１の配
列Ｒ１〜Ｒ９を用いて形成するとした場合に比し、高く
することができるので、複数９個の多数のゲート電極２
１の配列Ｇ１〜Ｇ９を、複数９個の多数のゲート電極２
１の配列Ｇ１〜Ｇ９を複数９個の多数のマスク層３１の
配列Ｍ１〜Ｍ９を用いずに複数９個の多数のレジスト材
層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を用いて形成するとした場合に
比し、高い寸法精度で容易に形成することができ、ま
た、ゲート電極用層２の表面が、複数９個の多数のゲー
ト電極２１の配列Ｇ１〜Ｇ９を複数９個の多数のマスク
層３１の配列Ｍ１〜Ｍ９を用いずに複数９個の多数のレ
ジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を用いて形成するとし
た場合において同様の表面に生ずるおそれのあるエッチ
ャントによる損傷を、有効に回避することができ、さら
に、複数９個の多数のゲート電極２１の配列のそれぞれ
における多数のゲート電極２１上に、複数９個の多数の
ゲート電極２１の配列Ｇ１〜Ｇ９を複数９個の多数のマ
スク層３１の配列Ｍ１〜Ｍ９を用いずに複数９個の多数
のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９を用いて形成する
とした場合において、複数９個の多数のレジスト材層４
１の配列Ｒ１〜Ｒ９を除去したときに生ずるおそれのあ
るレジスト材層４１の残渣物が残るのを、有効に回避す
ることができる。

【００３５】また、図１〜図６を伴って述べた、本発明
による電界効果トランジスタ集積回路の製法における、
互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲート
電極の配列を形成する方法に適用された、パターン化さ
れた層の配列を形成する方法の場合、互に同じ複数の、
多数のゲート電極２１の配列を形成するのに用いる、互
に同じ複数の、多数のマスク層３１を形成するために、
感光性レジスト材層４から、互に同じ複数の、多数のレ
ジスト材層４１の配列を用いて、形成するのに用いるフ
ォトマスクが、上述したように、複数９個の多数のゲー
ト電極２１の配列Ｇ１、Ｇ２………Ｇ９のそれぞれにお
ける多数のゲート電極２１にそれぞれ対応し且つそれら
多数のゲート電極２１のパターンに対応したパターンを
それぞれ有する多数の遮光部または透光部の、多数のゲ
ート電極２１の配列に対応した配列を有するとともに、
多数の遮光部または透光部が、それらの配列上の位置に
応じた幅を有するフォトマスクであるので、複数９個の
多数のゲート電極２１の配列Ｇ１〜Ｇ９を、感光性レジ
スト材層４から形成する過程における、感光性レジスト
材層４の複数９個の領域Ｂ１〜Ｂ９に対する、フォトマ
スクを用いた、同じ露光処理を順次行うのに用いる露光
手段における光学系に、歪があるとしても、互に同じ複
数９個の、多数のレジスト材層４１の配列Ｒ１〜Ｒ９
を、それらのそれぞれにおける多数のレジスト材層４１
が、それらの配列上の位置に関せず、許容値以下の幅の
設計値からの差しか有しないものとして、容易に形成す
ることができる。

【００３６】なお、上述においては、本発明によるフォ
トマスク及びその製法、及びレジスト材層の配列及びパ
ターン化された層の配列を形成する方法のそれぞれにつ
いて、１つの例を述べたに過ぎず、本発明の精神を脱す
ることなしに、種々の変型変更をなし得るであろう。

【００３７】

【発明の効果】本発明によるフォトマスクによれば、そ
れを用いて、互に同じ複数の、多数のパターン化された
レジスト材層の配列を、それらのそれぞれにおける多数
のレジスト材層が、その配列上の位置に関せず、許容値
以下の幅の設計値からの差しか有しないものとして、容
易に形成することができる。

【００３８】本発明によるフォトマスクの製法によれ
ば、上述した特徴ある本発明によるフォトマスクを容易
に形成することができる。

【００３９】本発明によるレジスト材層の配列を形成す
る方法によれば、互に同じ複数の、多数のレジスト材層
の配列を、それらのそれぞれにおける多数のレジスト材
層が、それらの配列上の位置に関せず、許容値以下の幅
の設計値からの差しか有しないものとして、容易に形成
することができる。

【００４０】本発明によるパターン化された層の配列を
形成する方法によれば、互に同じ複数の、多数のパター
ン化された層の配列を、それらのそれぞれにおける多数
のパターン化された層が、それらの配列上の位置に関せ
ず、許容値以下の幅の設計値からの差しか有しないもの
として、容易に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する場合に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法及びパターン化された層を形
成する方法の説明に供する、半導体ウェハを模式的に示
す平面図（図１Ａ）及びその横断面図（図１Ｂ）であ
る。

【図２】電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する場合に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法及びパターン化された層を形
成する方法の説明に供する、図１に示す半導体ウェハ上
にゲート電極用層、マスク用層及び感光性レジスト材層
をそれらの順に積層して形成した状態を模式的に示す平
面図（図２Ａ）及びその縦断面図（図２Ｂ）である。

【図３】電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する場合に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法及びパターン化された層を形
成する方法の説明に供する、図２に示す状態から、マス
ク用層の複数の領域上に、互に同じ複数の、多数のレジ
スト材層の配列をそれぞれ形成した状態を模式的に示す
平面図（図３Ａ）及びその縦断面図（図３Ｂ）である。

【図４】電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する場合に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法及びパターン化された層を形
成する方法の説明に供する、図３に示す状態から、ゲー
ト電極用層の複数の領域上に、互に同じ複数の、多数の
マスク層の配列をそれぞれ形成した状態を模式的に示す
平面図（図４Ａ）及びその縦断面図（図４Ｂ）である。

【図５】電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する場合に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法及びパターン化された層を形
成する方法の説明に供する、図４に示す状態から、互に
同じ複数の、多数のマスク層の配列を除去した状態を模
式的に示す、平面図（図５Ａ）及びその縦断面図（図５
Ｂ）である。

【図６】電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する場合に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法及びパターン化された層を形
成する方法の説明に供する、図４に示す状態から、半導
体ウェハの複数の領域上に、互に同じ複数の、多数のゲ
ート電極の配列をそれぞれ形成した状態を模式的に示
す、平面図（図６Ａ）及びその縦断面図（図６Ｂ）であ
る。

【図７】電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する場合に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法及びパターン化された層を形
成する方法の説明に供する、互に同じ複数の、多数のレ
ジスト材層の配列のそれぞれにおける多数のレジスト材
層の幅の、多数のレジスト材層の配列上の位置の分布の
例を示す図である。

【図８】電界効果トランジスタ集積回路の製法におけ
る、互に同じ複数の、多数の電界効果トランジスタのゲ
ート電極の配列を形成する場合に適用された、レジスト
材層の配列を形成する方法及びパターン化された層を形
成する方法の説明に供する、フォトマスクの多数の透光
部または遮光部の幅の、多数の遮光部または透光部の配
列上の位置に応じた補正量を示す図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ ２ ゲート電極用層 ２１ ゲート電極 ３ マスク用層 ３１ マスク層 ４ 感光性レジスト材層 ４１ レジスト材層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 王義 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 渡辺 俊文 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の領域上に、互に同じ複数の、互に同
   じ幅を有する多数のパターン化された層の配列を、感光
   性レジスト材層を用いたフォトリソグラフィ法を用いて
   形成するために、上記感光性レジスト材層の上記複数の
   領域にそれぞれ対応した複数の領域に、順次に、同じ露
   光処理を行うのに用いる、上記多数のパターン化された
   層にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応したパ
   ターンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部の、
   上記多数のパターン化された層の配列に対応した配列を
   有するフォトマスクにおいて、 上記多数のフォトマスクの配列における多数の遮光部ま
   たは透光部が、上記多数の遮光部または透光部の配列上
   の位置に応じた幅をそれぞれ有することを特徴とするフ
   ォトマスク。
2. 【請求項２】複数の領域上に、互に同じ複数の、互に同
   じ幅を有する多数のパターン化された層の配列を、感光
   性レジスト材層を用いたフォトリソグラフィ法を用いて
   形成するために、上記感光性レジスト材層の上記複数の
   領域にそれぞれ対応した複数の領域に、順次に、同じ露
   光処理を行うのに用いる、上記多数のパターン化された
   層にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応したパ
   ターンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部の、
   上記多数のパターン化された層の配列に対応した配列を
   有するフォトマスクの製法において、 上記多数の遮光部または透光部の配列における多数の
   遮光部または透光部にそれぞれ対応し且つそれらのパタ
   ーンに対応したパターンをそれぞれ有する多数の遮光部
   または透光部の、上記多数の遮光部または透光部の配列
   に対応した配列を有するとともに、上記多数の遮光部
   または透光部の幅の、上記多数の遮光部または透光部の
   配列上の位置の分布が、上記フォトマスクと同様の方法
   で予め製造された、上記多数の遮光部または透光部にそ
   れぞれ対応し且つそれらのパターンに対応したパターン
   をそれぞれ有するとともに互いに同じ幅を有する多数の
   測定用遮光部または測定用透光部の、上記多数の遮光部
   または透光部の配列に対応した配列を有する測定用フォ
   トマスクにおける、上記多数の測定用遮光部または測定
   用透光部の予め測定された幅の、上記多数の測定用遮光
   部または測定用透光部の配列上の位置の分布に応じてい
   るマスクを、上記フォトマスクと同様の方法で、上記フ
   ォトマスクとして製造することを特徴とするフォトマス
   クの製法。
3. 【請求項３】互に同じ複数の、互に同じ幅を有する多数
   のパターン化されたレジスト材層の配列になることを予
   定している感光性レジスト材層の複数の領域に対し、フ
   ォトマスクを用いた同じ露光処理を順次行い、次で、上
   記感光性レジスト材層の複数の領域の全てに対し、同時
   に現像処理を行うことによって、上記感光性レジスト材
   層から、互に同じ複数の、多数のパターン化されたレジ
   スト材層の配列をそれらのそれぞれにおける多数のパタ
   ーン化されたレジスト材層が、それらの配列上の位置に
   関せず、許容値以下の幅の設計値からの差しか有しない
   ものとして、形成する方法において、 上記フォトマスクとして、上記多数のレジスト材層に
   それぞれ対応し且つそれらのパターンに対応したパター
   ンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部の、上記
   多数のレジスト材層の配列に対応した配列を有するとと
   もに、上記多数の遮光部または透光部がそれらの配列上
   の位置に応じた幅をそれぞれ有するフォトマスクを用い
   ることを特徴とするレジスト材層の配列を形成する方
   法。
4. 【請求項４】爾後、複数の領域上において、互に同じ複
   数の、互に同じ幅を有する多数のパターン化された層の
   配列になることを予定している層と、マスク用層と、感
   光性レジスト材層をそれらの順に積層して形成する工程
   と、 上記感光性レジスト材層の上記複数の領域にそれぞれ対
   応した複数の領域に対し、フォトマスクを用いた同じ露
   光処理を、順次行い、次で、上記感光性レジスト材層の
   複数の領域の全てに対し、同時に現像処理を行うことに
   よって、上記感光性レジスト材層から、互に同じ複数
   の、上記複数の多数のパターン化された層の配列のそれ
   ぞれにおける多数のパターン化された層にそれぞれ対応
   し且つそれらのパターンに対応したパターンをそれぞれ
   有する多数のレジスト材層の、上記複数の多数のパター
   ン化された層の配列のそれぞれにおける多数のパターン
   化された層の配列に対応した配列を形成する工程と、 上記複数の、多数のレジスト材層の配列を形成する工程
   後、それら複数の、多数のレジスト材層の配列を同時に
   用いた、上記マスク用層に対するエッチング処理によっ
   て、上記マスク用層から、互に同じ複数の、上記多数の
   レジスト材層にそれぞれ対応し且つそれのパターンに対
   応したパターンをそれぞれ有する多数のマスク層の、上
   記多数のレジスト材層の配列に対応した配列を形成する
   工程と、 上記複数の、多数のマスク層の配列を形成する工程後、
   上記複数の、多数のレジスト材層の配列を同時に除去す
   る工程と、 上記複数の、多数のレジスト材層の配列を除去する工程
   後、上記複数の、多数のマスク層の配列を同時に用い
   た、上記互に同じ複数の、多数のパターン化された層の
   配列になる層に対するエッチング処理によって、上記互
   に同じ複数の、多数のパターン化された層の配列になる
   層から、互に同じ複数の、多数のパターン化された層の
   配列を、それらのそれぞれにおける多数のパターン化さ
   れた層が、それらの配列上の位置に関せず、許容値以下
   の幅の設計値からの差しか有しないものとして、形成す
   る工程とを有するパターン化された層の配列を形成する
   方法において、 上記フォトマスクとして、上記多数のパターン化され
   た層にそれぞれ対応し且つそれらのパターンに対応した
   パターンをそれぞれ有する多数の遮光部または透光部
   の、上記多数のパターン化された層の配列に対応した配
   列を有するとともに、上記多数の遮光部がそれらの配
   列上の位置に応じた幅をそれぞれ有するフォトマスクを
   用いることを特徴とするパターン化された層の配列を形
   成する方法。