JP4834310B2 - パターン形成方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents
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Description
本実施形態では、フォトマスク上に塗布されたレジスト膜に照射する電子ビームの照射ドーズ量(露光量)を補正することにより、現像時に発生するローディング効果による寸法変動誤差を低減する場合を例にあげて詳細に説明する。
ΔW=α・V …(1)
となる。αは、係数(図7の直線の傾き)である。
W=a・Log(D)+b …(2)
となる。aおよびbは係数である。
ΔD=D・ΔW/a …(3)
が得られる。
ΔD=(α/a)D・V …(4)
が得られる。
本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、現像時に発生するローディング効果に加えて、露光工程後のベーク(PEB: Post Exposure Baking)時に発生するローディング効果も補正露光することにある。
Claims (5)
- 基板の主面上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜にパターンを潜像するために、前記レジスト膜を露光する工程と、
前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜上に現像液を流し、前記レジスト膜を現像する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングすることにより、前記基板上にパターンを形成する工程とを含み、
前記レジスト膜を露光する工程は、
前記基板の主面をM(≧2)個の領域に分割する工程と、
前記M個の各領域における補正露光量を決定する工程であって、i番目(1≦i≦M)の領域の補正露光量を、前記現像液の流れの上流方向に対して前記i番目の領域よりも上流にある領域における前記パターンに係るパターン開口率に基づいて、前記i番目の領域における前記パターンの実パターン寸法が設計パターン寸法になるように、決定する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記レジスト膜を現像する工程の前に、露光した前記レジスト膜をベークする工程をさらに含み、
前記レジスト膜を露光する工程は、
前記基板の主面をN(≧2)個の領域に分割する工程と、
前記N個の各領域における補正露光量を決定する工程であって、j番目(1≦j≦N)の領域の補正露光量を、前記レジスト膜をベークする工程時における前記レジスト膜上の雰囲気の流れの上流方向に対して前記j番目の領域よりも上流にある領域における前記パターンに係るパターン開口率に基づいて、前記j番目の領域における前記パターンの実パターン寸法が設計パターン寸法になるように、決定する工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 透明基板および該透明基板上に形成された遮光膜を含む基板を用意する工程と、
請求項1または2に記載のパターン形成方法により、前記遮光膜からなるパターンを形成する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 請求項3に記載のフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いたリソグラフィプロセスにより、半導体基板を含む基板上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングする工程と
を含むことを特徴する半導体装置の製造方法。 - 基板の主面上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜にパターンを潜像するために、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜上に現像液を流し、前記レジスト膜を現像する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングすることにより、前記基板上にパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法における、前記レジスト膜を露光する工程で使用する露光量を決定する手順をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記露光量を決定する手順は、
前記基板の主面をM(≧2)個の領域に分割する手順と、
前記M個の各領域における補正露光量を決定する手順であって、i番目(1≦i≦M)の領域の補正露光量を、前記現像液の流れの上流方向に対して前記i番目の領域よりも上流にある領域における前記パターンに係るパターン開口率に基づいて、前記i番目の領域における前記パターンの実パターン寸法が設計パターン寸法になるように、決定する手順と
を含むことを特徴とするプログラム。
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