JPH10149972A - 電子線露光装置及びその露光方法 - Google Patents
電子線露光装置及びその露光方法Info
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- JPH10149972A JPH10149972A JP8308479A JP30847996A JPH10149972A JP H10149972 A JPH10149972 A JP H10149972A JP 8308479 A JP8308479 A JP 8308479A JP 30847996 A JP30847996 A JP 30847996A JP H10149972 A JPH10149972 A JP H10149972A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Abstract
(57)【要約】
【課題】部分一括方式の電子線直接描画にてパターンの
露光を行う際、部分一括露光パターンと可変成形露光パ
ターンの寸法差を低減し、パターン寸法精度の低下を招
かないビーム寸法調整方法を提供する。 【解決手段】可変成形ビーム用の可変成形開口１６を設
けた第２アパーチャー１５上に、部分一括露光用開口１
５を形成しておき、さらにこの第２アパーチャー上にビ
ーム寸法調整用開口２１を設け、ビーム寸法調整用開口
２１を通過した電子ビームのビーム電流量を測定し、測
定されたビーム電流量とビーム寸法調整用開口２１の設
計寸法から計算される電流量との差による補正値を可変
成形ビームの寸法に加算する。
露光を行う際、部分一括露光パターンと可変成形露光パ
ターンの寸法差を低減し、パターン寸法精度の低下を招
かないビーム寸法調整方法を提供する。 【解決手段】可変成形ビーム用の可変成形開口１６を設
けた第２アパーチャー１５上に、部分一括露光用開口１
５を形成しておき、さらにこの第２アパーチャー上にビ
ーム寸法調整用開口２１を設け、ビーム寸法調整用開口
２１を通過した電子ビームのビーム電流量を測定し、測
定されたビーム電流量とビーム寸法調整用開口２１の設
計寸法から計算される電流量との差による補正値を可変
成形ビームの寸法に加算する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線露光装置及び
その露光方法に係わり、特にＬＳＩ製造でのリソグラフ
ィ技術における電子線直接描画技術、詳しくは部分一括
露光方式の電子線露光によりパターンを試料に描画する
際のビーム寸法調整方法に関する。
その露光方法に係わり、特にＬＳＩ製造でのリソグラフ
ィ技術における電子線直接描画技術、詳しくは部分一括
露光方式の電子線露光によりパターンを試料に描画する
際のビーム寸法調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩの設計ルール即ち最小線
幅は微細化の一途をたどっており、従来の紫外光を用い
た縮小投影露光では形成が困難になりつつある。
幅は微細化の一途をたどっており、従来の紫外光を用い
た縮小投影露光では形成が困難になりつつある。
【０００３】この様なパターンの微細化の問題に対する
解決方法として、電子線直接描画法がある。しかしなが
ら、電子線直接描画法は、集束した電子ビームを用いて
一筆書きの要領でパターンの露光を行うため、縮小投影
露光方法等と比較しスループットが低いという問題点を
有していた。
解決方法として、電子線直接描画法がある。しかしなが
ら、電子線直接描画法は、集束した電子ビームを用いて
一筆書きの要領でパターンの露光を行うため、縮小投影
露光方法等と比較しスループットが低いという問題点を
有していた。
【０００４】この問題を解決する方法として近年、部分
一括露光方式の電子線直接描画装置が開発されている。
一括露光方式の電子線直接描画装置が開発されている。
【０００５】図６に部分一括露光方式の電子線直接描画
装置の構成を示す。図６において、電子ビームＥＢを成
形するための第２アパーチャー１５上に、従来の可変成
形電子線露光用として四角形状の可変成形開口１６を形
成しておく他、露光パターンの一部を抜き出した部分一
括露光用開口１７を複数個形成しておく。
装置の構成を示す。図６において、電子ビームＥＢを成
形するための第２アパーチャー１５上に、従来の可変成
形電子線露光用として四角形状の可変成形開口１６を形
成しておく他、露光パターンの一部を抜き出した部分一
括露光用開口１７を複数個形成しておく。
【０００６】従来の可変成形電子線露光を行う場合は、
電子銃１１から放射された電子ビームＥＢはまず第１ア
パーチャー１２により横断面形状が四角形の電子ビーム
に成形される。その後、成形された電子ビームＥＢは、
成形偏向器１３により第２アパーチャー１５上の可変成
形開口１６上に照射され、両開口のオーバーラップによ
り任意のビーム寸法に成形された後、縮小レンズ１８に
より縮小され、偏光器１９によりウェハ２０上の任意の
点に照射される。
電子銃１１から放射された電子ビームＥＢはまず第１ア
パーチャー１２により横断面形状が四角形の電子ビーム
に成形される。その後、成形された電子ビームＥＢは、
成形偏向器１３により第２アパーチャー１５上の可変成
形開口１６上に照射され、両開口のオーバーラップによ
り任意のビーム寸法に成形された後、縮小レンズ１８に
より縮小され、偏光器１９によりウェハ２０上の任意の
点に照射される。
【０００７】また部分一括露光を行う場合、第１アパー
チャー１２により成形された電子ビームＥＢは選択偏光
器１４により第２アパーチャー１５上の任意の部分一括
開口１７上に照射される。そして第２アパーチャー１５
上の部分一括開口１７の形状に成形された電子ビームＥ
Ｂは、縮小レンズ１８により縮小され、偏向器１９によ
りウェハ２０上の任意の点に照射される。
チャー１２により成形された電子ビームＥＢは選択偏光
器１４により第２アパーチャー１５上の任意の部分一括
開口１７上に照射される。そして第２アパーチャー１５
上の部分一括開口１７の形状に成形された電子ビームＥ
Ｂは、縮小レンズ１８により縮小され、偏向器１９によ
りウェハ２０上の任意の点に照射される。
【０００８】従って複雑な形状のパターンでも、予め第
２アパーチャー上に開口を形成しておくことにより、可
変成形露光と比較してショット数を低減することが可能
となり、スループットが大幅に向上する。このような技
術は例えば、Ｙ．Ｎａｋａｙａｍａ ｅｔ ａｌ．，
Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ８，１８３６
（１９９０）に開示されている。
２アパーチャー上に開口を形成しておくことにより、可
変成形露光と比較してショット数を低減することが可能
となり、スループットが大幅に向上する。このような技
術は例えば、Ｙ．Ｎａｋａｙａｍａ ｅｔ ａｌ．，
Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ８，１８３６
（１９９０）に開示されている。
【０００９】実際の部分一括露光では、部分一括開口と
して形成可能な面積、第２アパーチャー上に形成できる
部分一括開口の種類数等の制限により、全てのパターン
を部分一括開口に置き換える事は不可能である。従って
繰り返し性のあるパターンについてのみ、予めパターン
の一部を抜き出して、第２アパーチャー上に部分一括開
口を形成しておく。そして繰り返し性のあるパターンを
部分一括露光法により露光し、そのパターンに接する繰
り返し性の無いパターンを可変成形露光法により露光を
行う。
して形成可能な面積、第２アパーチャー上に形成できる
部分一括開口の種類数等の制限により、全てのパターン
を部分一括開口に置き換える事は不可能である。従って
繰り返し性のあるパターンについてのみ、予めパターン
の一部を抜き出して、第２アパーチャー上に部分一括開
口を形成しておく。そして繰り返し性のあるパターンを
部分一括露光法により露光し、そのパターンに接する繰
り返し性の無いパターンを可変成形露光法により露光を
行う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述のように部分一括
露光法を用いて露光を行った場合、露光パターン中の繰
り返し性のある部分については部分一括露光法を用い、
繰り返し性の無い部分については可変成形露光を行うた
め、その境界部分で両者のパターンが接する事になる。
露光法を用いて露光を行った場合、露光パターン中の繰
り返し性のある部分については部分一括露光法を用い、
繰り返し性の無い部分については可変成形露光を行うた
め、その境界部分で両者のパターンが接する事になる。
【００１１】ここで可変成形露光はステージ上の設けら
れた基準マーク等を用いて、ビーム寸法の調整を行う事
が可能である。従って成形偏向器のリニアリティ、ビー
ム縮小率の変動等によりビーム寸法が変動した場合で
も、ビーム寸法調整を行う事により常に正確なビーム寸
法を維持する事が可能である。
れた基準マーク等を用いて、ビーム寸法の調整を行う事
が可能である。従って成形偏向器のリニアリティ、ビー
ム縮小率の変動等によりビーム寸法が変動した場合で
も、ビーム寸法調整を行う事により常に正確なビーム寸
法を維持する事が可能である。
【００１２】これに対し部分一括露光ではパターンは予
め第２アパーチャー上に開口として形成されており、開
口形成時の作成精度やビーム縮小率の変動等により、ウ
ェハ上でパターンの設計値通りの正確なビーム寸法が得
られない場合が生じるが、複雑なパターン形状をした部
分一括ビームのビーム寸法を正確に測定することは困難
である。
め第２アパーチャー上に開口として形成されており、開
口形成時の作成精度やビーム縮小率の変動等により、ウ
ェハ上でパターンの設計値通りの正確なビーム寸法が得
られない場合が生じるが、複雑なパターン形状をした部
分一括ビームのビーム寸法を正確に測定することは困難
である。
【００１３】従って、可変成形露光によるパターンと部
分一括露光によるパターンの接続部分において、両者の
ビーム寸法差から形成されたパターンの寸法差が生じ、
デバイス作成の上で信頼性の低下を招くという問題点を
有していた。
分一括露光によるパターンの接続部分において、両者の
ビーム寸法差から形成されたパターンの寸法差が生じ、
デバイス作成の上で信頼性の低下を招くという問題点を
有していた。
【００１４】例えば図７において、設計寸法０．２０μ
ｍのラインパターンを可変成形ビームと部分一括ビーム
を用いて露光する場合、可変成形ビームはビーム寸法較
正によりそのビームにより形成されるパターン寸法を正
確に０．２０μｍにすることが可能である。それに対し
て部分一括ビームのビーム寸法は、第２アパーチャの開
口寸法、ビーム縮小率等により固定されてしまい、ビー
ム寸法較正を行うことは出来ない。図７では、部分一括
開口によるパターン寸法が設計値より１０％大きい場合
を例示している。
ｍのラインパターンを可変成形ビームと部分一括ビーム
を用いて露光する場合、可変成形ビームはビーム寸法較
正によりそのビームにより形成されるパターン寸法を正
確に０．２０μｍにすることが可能である。それに対し
て部分一括ビームのビーム寸法は、第２アパーチャの開
口寸法、ビーム縮小率等により固定されてしまい、ビー
ム寸法較正を行うことは出来ない。図７では、部分一括
開口によるパターン寸法が設計値より１０％大きい場合
を例示している。
【００１５】したがって本発明の目的は、部分一括方式
の電子線直接描画によりパターンの露光を行う際、部分
一括露光パターンと可変成形露光パターンの寸法差を低
減し、パターン寸法精度の低下を招かないビーム寸法調
整方法を提供することである。
の電子線直接描画によりパターンの露光を行う際、部分
一括露光パターンと可変成形露光パターンの寸法差を低
減し、パターン寸法精度の低下を招かないビーム寸法調
整方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、可変成
形ビーム用の可変成形開口を設けた第２アパーチャー上
に、部分一括露光用開口を形成しておき、試料上に前記
部分一括露光用開口の開口形状を一括して転写する方式
の電子線露光装置において、前記第２アパーチャー上に
ビーム寸法調整用開口を設けた電子線露光装置にある。
形ビーム用の可変成形開口を設けた第２アパーチャー上
に、部分一括露光用開口を形成しておき、試料上に前記
部分一括露光用開口の開口形状を一括して転写する方式
の電子線露光装置において、前記第２アパーチャー上に
ビーム寸法調整用開口を設けた電子線露光装置にある。
【００１７】本発明の他の特徴は、可変成形ビーム用の
可変成形開口を設けた第２アパーチャー上に、部分一括
露光用開口を形成しておき、試料上に前記可変成形開口
を通過した可変成形ビームによる可変成形パターンおよ
び前記部分一括露光用開口を通過した部分一括ビームに
よる部分一括転写パターンを形成する方式の電子線露光
方法において、前記第２アパーチャー上にビーム寸法調
整用開口を設けておき、前記ビーム寸法調整用開口を通
過した電子ビームのビーム電流量を測定し、測定された
前記ビーム電流量と前記ビーム寸法調整用開口の設計寸
法から計算される電流量との差による補正値を前記可変
成形ビームの寸法に加算することによりビーム寸法調整
を行う電子線露光方法にある。
可変成形開口を設けた第２アパーチャー上に、部分一括
露光用開口を形成しておき、試料上に前記可変成形開口
を通過した可変成形ビームによる可変成形パターンおよ
び前記部分一括露光用開口を通過した部分一括ビームに
よる部分一括転写パターンを形成する方式の電子線露光
方法において、前記第２アパーチャー上にビーム寸法調
整用開口を設けておき、前記ビーム寸法調整用開口を通
過した電子ビームのビーム電流量を測定し、測定された
前記ビーム電流量と前記ビーム寸法調整用開口の設計寸
法から計算される電流量との差による補正値を前記可変
成形ビームの寸法に加算することによりビーム寸法調整
を行う電子線露光方法にある。
【００１８】上記電子線露光装置もしくは電子線露光方
法において、前記ビーム寸法調整用開口は１個の四角形
状の開口であることができる。あるいは、前記ビーム寸
法調整用開口は縦及び横の少なくともいずれか一方が一
定の比率で変化している複数個の小開口の群から構成さ
れていることができる。
法において、前記ビーム寸法調整用開口は１個の四角形
状の開口であることができる。あるいは、前記ビーム寸
法調整用開口は縦及び横の少なくともいずれか一方が一
定の比率で変化している複数個の小開口の群から構成さ
れていることができる。
【００１９】また上記電子線露光方法において、前記可
変成形ビーム寸法に加算されるビーム寸法差による補正
値は、ビーム寸法によらない一定の値、ビーム寸法をパ
ラメータとする多項式で近似される値あるいはビーム寸
法をパラメータとするテーブルとして示される値である
ことができる。
変成形ビーム寸法に加算されるビーム寸法差による補正
値は、ビーム寸法によらない一定の値、ビーム寸法をパ
ラメータとする多項式で近似される値あるいはビーム寸
法をパラメータとするテーブルとして示される値である
ことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態につい
て図１および図２を参照して説明する。図１は第１の実
施の形態を説明するための電子線露光装置の概略図であ
り、図２は第１の実施の形態において用いる第２アパー
チャー１５を拡大して示した平面図である。
て図１および図２を参照して説明する。図１は第１の実
施の形態を説明するための電子線露光装置の概略図であ
り、図２は第１の実施の形態において用いる第２アパー
チャー１５を拡大して示した平面図である。
【００２１】まず、図６と同様に、電子銃１１から放出
された電子ビームＥＢを平断面が四角形の電子ビームに
成形する第１アパーチャー１２、可変成形開口１６およ
び部分一括開口１７を設けた第２アパーチャー１５、第
１アパーチャー１２により四角形に成形された電子ビー
ムを第２アパーチャー１５上の可変成形開口１６上に偏
向照射させて両開口のオーバーラップにより任意のビー
ム寸法に成形させる成形偏向器１３、第２アパーチャー
１５からの電子ビームＥＢを縮小する縮小レンズ１８、
縮小された電子ビームを試料（ウェハ）上の任意の点に
照射させる偏向器１９、部分一括露光を行う場合に第１
アパーチャー１２により成形された電子ビームＥＢを第
２アパーチャー１５上の任意の部分一括開口１７上に照
射させる選択偏光器１４を有している。
された電子ビームＥＢを平断面が四角形の電子ビームに
成形する第１アパーチャー１２、可変成形開口１６およ
び部分一括開口１７を設けた第２アパーチャー１５、第
１アパーチャー１２により四角形に成形された電子ビー
ムを第２アパーチャー１５上の可変成形開口１６上に偏
向照射させて両開口のオーバーラップにより任意のビー
ム寸法に成形させる成形偏向器１３、第２アパーチャー
１５からの電子ビームＥＢを縮小する縮小レンズ１８、
縮小された電子ビームを試料（ウェハ）上の任意の点に
照射させる偏向器１９、部分一括露光を行う場合に第１
アパーチャー１２により成形された電子ビームＥＢを第
２アパーチャー１５上の任意の部分一括開口１７上に照
射させる選択偏光器１４を有している。
【００２２】さらに本発明の第１の実施の形態では、第
２アパーチャー１５上に、露光パターンの一部を抜き出
した部分一括露光用開口１７とは別に、ビーム寸法調整
用の開口２１（２１Ａ）を設けておく。この時ビーム寸
法調整用の開口２１Ａは１個の縦横２５μｍの正方形の
平面形状である。
２アパーチャー１５上に、露光パターンの一部を抜き出
した部分一括露光用開口１７とは別に、ビーム寸法調整
用の開口２１（２１Ａ）を設けておく。この時ビーム寸
法調整用の開口２１Ａは１個の縦横２５μｍの正方形の
平面形状である。
【００２３】ビーム寸法の補正調整ステップとして第１
に、可変成形ビームのビーム寸法調整を行う。
に、可変成形ビームのビーム寸法調整を行う。
【００２４】具体的には、電子銃１１から放射された電
子ビームＥＢを、第１アパーチャー１２により１３０μ
ｍ□に成形し、成形偏向器１３により偏向して第２アパ
ーチャー１５の１２５μｍ□の可変成形用開口１６上に
照射する。
子ビームＥＢを、第１アパーチャー１２により１３０μ
ｍ□に成形し、成形偏向器１３により偏向して第２アパ
ーチャー１５の１２５μｍ□の可変成形用開口１６上に
照射する。
【００２５】可変成形用開口１６を通過した電子ビーム
ＥＢを縮小レンズ１８により１／２５に縮小し、偏向器
１９によりステージ２３上の基準マーク２２上を走査
し、得られた反射電子信号よりビーム寸法を得る。
ＥＢを縮小レンズ１８により１／２５に縮小し、偏向器
１９によりステージ２３上の基準マーク２２上を走査
し、得られた反射電子信号よりビーム寸法を得る。
【００２６】この操作を複数のビーム寸法について行
い、設定ビーム寸法と実測ビーム寸法の差が無くなるよ
うに、成形偏光器１３の偏向量を調節する。ここでは基
準マーク２２上でのビーム寸法を、縦横それぞれ１μｍ
から５μｍまで１μｍおきに変化させ、可変成形ビーム
寸法の調整を行った。
い、設定ビーム寸法と実測ビーム寸法の差が無くなるよ
うに、成形偏光器１３の偏向量を調節する。ここでは基
準マーク２２上でのビーム寸法を、縦横それぞれ１μｍ
から５μｍまで１μｍおきに変化させ、可変成形ビーム
寸法の調整を行った。
【００２７】またこの可変成形ビームのビーム寸法調整
の前あるいは後に既知の方法によりステージ上（試料
上）の電子流密度を測定する。電子銃から放出される電
子ビームはきわめて安定している。またビーム縮小率や
リニアリティ等の装置に起因する要因はいつもフラフラ
変化するようなものではなく、所定の値から変動してい
たならばその変動した値を一連の露光工程中維持する。
したがってここで測定した電子流密度の値は現在の装置
の状態で所定の電圧を電子銃に印加したときに於ける電
子流密度であり、このビーム寸法の補正調整ステップを
含む一連の露光工程中一定の値、すなわち上記測定され
た値を維持することが出来る。
の前あるいは後に既知の方法によりステージ上（試料
上）の電子流密度を測定する。電子銃から放出される電
子ビームはきわめて安定している。またビーム縮小率や
リニアリティ等の装置に起因する要因はいつもフラフラ
変化するようなものではなく、所定の値から変動してい
たならばその変動した値を一連の露光工程中維持する。
したがってここで測定した電子流密度の値は現在の装置
の状態で所定の電圧を電子銃に印加したときに於ける電
子流密度であり、このビーム寸法の補正調整ステップを
含む一連の露光工程中一定の値、すなわち上記測定され
た値を維持することが出来る。
【００２８】ビーム寸法の補正調整ステップとして第２
に、ビーム寸法調整用開口２１Ａを通過した電子ビーム
のビーム電流量を測定する。
に、ビーム寸法調整用開口２１Ａを通過した電子ビーム
のビーム電流量を測定する。
【００２９】具体的には、第１アパーチャー１２により
１３０μｍ□の正方形状に成形された電子ビームＥＢ
を、部分一括開口選択偏向器１４により偏向し、ビーム
寸法調整用開口２１Ａ上に照射する。
１３０μｍ□の正方形状に成形された電子ビームＥＢ
を、部分一括開口選択偏向器１４により偏向し、ビーム
寸法調整用開口２１Ａ上に照射する。
【００３０】このビーム寸法調整用開口２１Ａを通過し
た電子ビームをファラデーカップ２４に照射し、電流計
２５により電流量を測定する。
た電子ビームをファラデーカップ２４に照射し、電流計
２５により電流量を測定する。
【００３１】実測されたビーム電流は１０８．１６０ｎ
Ａであった。ここで電子ビームの電子流密度は１０Ａ／
ｃｍ2 であり、ビーム寸法調整用開口２１Ａが設計値通
りであれば得られるビーム寸法は１μｍ□、そのときの
電流量は１００．０００ｎＡである。
Ａであった。ここで電子ビームの電子流密度は１０Ａ／
ｃｍ2 であり、ビーム寸法調整用開口２１Ａが設計値通
りであれば得られるビーム寸法は１μｍ□、そのときの
電流量は１００．０００ｎＡである。
【００３２】したがってこのことから、ビーム寸法調整
用開口２１Ａによる実際のビーム寸法は縦横共に１．０
４μｍであり、第２アパーチャーの作製時のプロセスに
起因して、第２アパーチャー上の開口寸法は、全て設計
寸法より縦横共に約１μｍ大きく形成されていた。
用開口２１Ａによる実際のビーム寸法は縦横共に１．０
４μｍであり、第２アパーチャーの作製時のプロセスに
起因して、第２アパーチャー上の開口寸法は、全て設計
寸法より縦横共に約１μｍ大きく形成されていた。
【００３３】部分一括開口１７とビーム寸法調整用開口
２１（２１Ａ）は同一ステップで形成する。例えば図５
に示すように、シリコン基板３１の主面上のシリコン酸
化膜３２の上に膜厚が１０〜２０μｍのシリコン膜３３
を設け、そのシリコン膜３３にエッチングステップを含
むＰＲ工程により部分一括開口１７とビーム寸法調整用
開口２１（２１Ａ）を同時にパターンニング形成し
（Ａ）、部分一括開口１７およびビーム寸法調整用開口
２１（２１Ａ）に対応するシリコン基板３１の箇所を裏
面から除去し（Ｂ）、そこに露出するシリコン酸化膜３
２を除去してシリコン膜３３の裏面を露出させ、シリコ
ン膜３３の表面上に金膜３４を形成する（Ｃ）。
２１（２１Ａ）は同一ステップで形成する。例えば図５
に示すように、シリコン基板３１の主面上のシリコン酸
化膜３２の上に膜厚が１０〜２０μｍのシリコン膜３３
を設け、そのシリコン膜３３にエッチングステップを含
むＰＲ工程により部分一括開口１７とビーム寸法調整用
開口２１（２１Ａ）を同時にパターンニング形成し
（Ａ）、部分一括開口１７およびビーム寸法調整用開口
２１（２１Ａ）に対応するシリコン基板３１の箇所を裏
面から除去し（Ｂ）、そこに露出するシリコン酸化膜３
２を除去してシリコン膜３３の裏面を露出させ、シリコ
ン膜３３の表面上に金膜３４を形成する（Ｃ）。
【００３４】このように部分一括開口１７とビーム寸法
調整用開口２１（２１Ａ）とは同時に形成するから、ビ
ーム寸法調整用開口２１（２１Ａ）の設計寸法からの誤
差はそのまま部分一括開口１７の設計寸法からの誤差で
あるとすることができる。
調整用開口２１（２１Ａ）とは同時に形成するから、ビ
ーム寸法調整用開口２１（２１Ａ）の設計寸法からの誤
差はそのまま部分一括開口１７の設計寸法からの誤差で
あるとすることができる。
【００３５】以上はビーム寸法調整用開口２１（２１
Ａ）に寸法誤差がある場合を説明した。しかしながら、
またビーム縮小率やリニアリティ等の変動による誤差の
場合も、或いはこれらの要因が重なったことによる誤差
の場合も同様である。即ち、開口部の寸法誤差もビーム
縮小率やリニアリティ等の変動も、ビーム寸法調整用開
口２１（２１Ａ）を通過したビームにあたえる影響と部
分一括開口１７を通過したビームにあたえる影響は同じ
であるから、ビーム寸法調整用開口２１（２１Ａ）を通
過したビームによる露光面積を算出しその設計値からの
誤差を求めることにより、部分一括開口１７を通過した
ビームによる露光面積の設計値からの誤差が得られるの
である。
Ａ）に寸法誤差がある場合を説明した。しかしながら、
またビーム縮小率やリニアリティ等の変動による誤差の
場合も、或いはこれらの要因が重なったことによる誤差
の場合も同様である。即ち、開口部の寸法誤差もビーム
縮小率やリニアリティ等の変動も、ビーム寸法調整用開
口２１（２１Ａ）を通過したビームにあたえる影響と部
分一括開口１７を通過したビームにあたえる影響は同じ
であるから、ビーム寸法調整用開口２１（２１Ａ）を通
過したビームによる露光面積を算出しその設計値からの
誤差を求めることにより、部分一括開口１７を通過した
ビームによる露光面積の設計値からの誤差が得られるの
である。
【００３６】ビーム寸法の補正調整ステップとして第３
に、前記ビーム寸法調整用開口を通過した電子ビーム寸
法に設計値との差分、即ち縦横共に＋０．０４μｍを可
変成形のビーム寸法に加算する。
に、前記ビーム寸法調整用開口を通過した電子ビーム寸
法に設計値との差分、即ち縦横共に＋０．０４μｍを可
変成形のビーム寸法に加算する。
【００３７】通常、可変成形のビーム寸法と成形偏向器
の補正量との関係は、（１）式および（２）式で示され
るような、縦横それぞれ１次式で示される。
の補正量との関係は、（１）式および（２）式で示され
るような、縦横それぞれ１次式で示される。
【００３８】 ｄＷ＝ａ０＋ａ１×Ｗ＋ａ２×Ｈ＋ａ３×Ｗ×Ｈ・・・・・・（１）式 ｄＨ＝ｂ０＋ｂ１×Ｈ＋ｂ２×Ｗ＋ｂ３×Ｈ×Ｗ・・・・・・（２）式 一般的には、上記可変成形ビーム寸法補正式のビーム寸
法によらない第１項、すなわちシフト項の係数ａ０、ｂ
０に前記差分の＋０．０４μｍを加算する。あるいは、
さらにビーム寸法をパラメータとする第２項のゲイン項
や第３項の回転項、さらには第４項の台形項を用いてよ
り精密に補正することが出来る。
法によらない第１項、すなわちシフト項の係数ａ０、ｂ
０に前記差分の＋０．０４μｍを加算する。あるいは、
さらにビーム寸法をパラメータとする第２項のゲイン項
や第３項の回転項、さらには第４項の台形項を用いてよ
り精密に補正することが出来る。
【００３９】したがってこの場合、従来部分一括開口を
用いて露光したレジストパターンと、可変成形開口を用
いて露光したレジストパターンには、０．０４μｍの寸
法差が生じていたが、本発明の方法を用いることにより
両者の寸法差が解消され、レジストパターンの寸法精度
を従来の０．０７μｍ（３σ）から０．０３μｍ（３
σ）に向上させることが可能であった。
用いて露光したレジストパターンと、可変成形開口を用
いて露光したレジストパターンには、０．０４μｍの寸
法差が生じていたが、本発明の方法を用いることにより
両者の寸法差が解消され、レジストパターンの寸法精度
を従来の０．０７μｍ（３σ）から０．０３μｍ（３
σ）に向上させることが可能であった。
【００４０】すなわち、従来技術では、可変成形及び部
分一括パターンの、同一設計寸法のレジストパターンを
複数箇所測定した結果、可変成形と部分一括パターンの
寸法差のため寸法バラツキ（３σ）が０．０７μｍ生じ
ていたが、本発明の方法により可変成形と部分一括の寸
法差が解消されたので、寸法バラツキ（３σ）が０．０
３μｍに向上した。
分一括パターンの、同一設計寸法のレジストパターンを
複数箇所測定した結果、可変成形と部分一括パターンの
寸法差のため寸法バラツキ（３σ）が０．０７μｍ生じ
ていたが、本発明の方法により可変成形と部分一括の寸
法差が解消されたので、寸法バラツキ（３σ）が０．０
３μｍに向上した。
【００４１】次に上記（１）、（２）式についてさらに
詳しく説明する。可変成形ビームは四辺形であるから、
そのビーム寸法は平面形状において、Ｘ軸方向の幅Ｗと
Ｙ軸方向の高さＨで示される。そして、上記（１）式お
よび（２）式のｄＷおよびｄＨは、あるビーム寸法Ｗお
よびＨ時におけるビーム寸法の補正量を示す。この補正
量を可変成形ビームの成形偏向器の偏向量にフィードバ
ックする。
詳しく説明する。可変成形ビームは四辺形であるから、
そのビーム寸法は平面形状において、Ｘ軸方向の幅Ｗと
Ｙ軸方向の高さＨで示される。そして、上記（１）式お
よび（２）式のｄＷおよびｄＨは、あるビーム寸法Ｗお
よびＨ時におけるビーム寸法の補正量を示す。この補正
量を可変成形ビームの成形偏向器の偏向量にフィードバ
ックする。
【００４２】例えば、（１）式の各補正係数が、ａ０＝
＋０．０１（シフト項）、ａ１＝＋０．００２（ゲイン
項：Ｗ依存項）、ａ２＝＋０．００１（回転項：Ｈ依存
項）、ａ３＝＋０．０００３（台形項：ＷＨ依存項）で
あった場合に、Ｗ＝２μｍ、Ｈ＝１μｍのビームのＷの
寸法補正量ｄＷは、ｄＷ＝（＋０．０１）＋（＋０．０
０２×２）＋（＋０．００１×１）＋（＋０．０００３
×２×１）＝＋０．０１５６μｍとなる。
＋０．０１（シフト項）、ａ１＝＋０．００２（ゲイン
項：Ｗ依存項）、ａ２＝＋０．００１（回転項：Ｈ依存
項）、ａ３＝＋０．０００３（台形項：ＷＨ依存項）で
あった場合に、Ｗ＝２μｍ、Ｈ＝１μｍのビームのＷの
寸法補正量ｄＷは、ｄＷ＝（＋０．０１）＋（＋０．０
０２×２）＋（＋０．００１×１）＋（＋０．０００３
×２×１）＝＋０．０１５６μｍとなる。
【００４３】次に、本発明の第２の実施の形態について
図３および図４を参照して説明する。
図３および図４を参照して説明する。
【００４４】図３は第２の実施の形態を説明するため
の、電子線露光装置の概略図であり、図４は第２の実施
の形態において用いる第２アパーチャー１５を拡大して
示した平面図である。
の、電子線露光装置の概略図であり、図４は第２の実施
の形態において用いる第２アパーチャー１５を拡大して
示した平面図である。
【００４５】尚、図３及び図４において、図１及び図２
と同一もしくは類似の箇所は同じ符号を付してあるか
ら、重複する説明は省略する。
と同一もしくは類似の箇所は同じ符号を付してあるか
ら、重複する説明は省略する。
【００４６】先ず、電子ビームを成形するための第２ア
パーチャー１５上に、露光パターンの一部を抜き出した
部分一括露光用開口１７とは別に、複数個のビーム寸法
調整用の小開口２１ａ〜ｈから構成されるビーム寸法調
整用開口２１（２１Ｂ）を形成しておく。
パーチャー１５上に、露光パターンの一部を抜き出した
部分一括露光用開口１７とは別に、複数個のビーム寸法
調整用の小開口２１ａ〜ｈから構成されるビーム寸法調
整用開口２１（２１Ｂ）を形成しておく。
【００４７】形成されたビーム寸法調整用の小開口２１
ａ〜２１ｈは、縦寸法（図４の平面図で縦方向の寸法）
を１２５μｍ一定とし、横寸法を１２．５μｍ（２１
ａ）、２５μｍ（２１ｂ）、５０μｍ（２１ｃ）、１０
０μｍ（２１ｄ）とした小開口及び、横寸法（図４の平
面図で横方向の寸法）を１２５μｍ一定とし、縦寸法を
１２．５μｍ（２１ｅ）、２５μｍ（２１ｆ）、５０μ
ｍ（２１ｇ）、１００μｍ（２１ｈ）とした合計８個で
ある。
ａ〜２１ｈは、縦寸法（図４の平面図で縦方向の寸法）
を１２５μｍ一定とし、横寸法を１２．５μｍ（２１
ａ）、２５μｍ（２１ｂ）、５０μｍ（２１ｃ）、１０
０μｍ（２１ｄ）とした小開口及び、横寸法（図４の平
面図で横方向の寸法）を１２５μｍ一定とし、縦寸法を
１２．５μｍ（２１ｅ）、２５μｍ（２１ｆ）、５０μ
ｍ（２１ｇ）、１００μｍ（２１ｈ）とした合計８個で
ある。
【００４８】ここで第２アパーチャー１５を通過した電
子ビームは、１／２５に縮小されて試料上に照射される
ため、ビーム寸法調整用開口２１ａ〜２１ｈを通過した
電子ビームの試料上での寸法は、縦方向×横方向につい
てそれぞれ、５×０．５μｍ、５×１μｍ、５×２μ
ｍ、５×４μｍ、０．５×５μｍ、１×５μｍ、２×５
μｍ、４×５μｍとなる。
子ビームは、１／２５に縮小されて試料上に照射される
ため、ビーム寸法調整用開口２１ａ〜２１ｈを通過した
電子ビームの試料上での寸法は、縦方向×横方向につい
てそれぞれ、５×０．５μｍ、５×１μｍ、５×２μ
ｍ、５×４μｍ、０．５×５μｍ、１×５μｍ、２×５
μｍ、４×５μｍとなる。
【００４９】ビーム寸法の補正調整ステップとして第１
に、可変成形ビームのビーム寸法調整を前記第１の実施
の形態と同様に行う。
に、可変成形ビームのビーム寸法調整を前記第１の実施
の形態と同様に行う。
【００５０】ビーム寸法の補正調整ステップとして第２
に、ビーム寸法調整用の小開口２１ａ〜２１ｈを通過し
た電子ビーム電流量を測定する。このとき、ビーム寸法
調整用の小開口２１ａ〜２１ｈを通過した電子ビーム電
流量実測値はそれぞれ、２２５．６２５ｎＡ（５×０．
５μｍおよび０．５×５μｍの場合）、４５１．２５０
ｎＡ（５×１μｍおよび１×５μｍの場合）、９０１．
５００ｎＡ（５×２μｍおよび２×５μｍの場合）、１
８０５．０００ｎＡ（５×４μｍおよび４×５μｍの場
合）であり、またこのときの電子ビームの電流密度は１
０Ａ／ｃｍ2 であったため、第２のアパーチャー１５上
の開口は全て縦横共に、設計寸法より５％小さく形成さ
れていることが分かった。
に、ビーム寸法調整用の小開口２１ａ〜２１ｈを通過し
た電子ビーム電流量を測定する。このとき、ビーム寸法
調整用の小開口２１ａ〜２１ｈを通過した電子ビーム電
流量実測値はそれぞれ、２２５．６２５ｎＡ（５×０．
５μｍおよび０．５×５μｍの場合）、４５１．２５０
ｎＡ（５×１μｍおよび１×５μｍの場合）、９０１．
５００ｎＡ（５×２μｍおよび２×５μｍの場合）、１
８０５．０００ｎＡ（５×４μｍおよび４×５μｍの場
合）であり、またこのときの電子ビームの電流密度は１
０Ａ／ｃｍ2 であったため、第２のアパーチャー１５上
の開口は全て縦横共に、設計寸法より５％小さく形成さ
れていることが分かった。
【００５１】ビーム寸法の補正調整ステップとして第３
に、前記ビーム寸法調整用の小開口２１ａ〜２１ｈを通
過した電子ビーム寸法の設計値との差分、即ち縦横共に
−５％を可変成形のビーム寸法に加算する。
に、前記ビーム寸法調整用の小開口２１ａ〜２１ｈを通
過した電子ビーム寸法の設計値との差分、即ち縦横共に
−５％を可変成形のビーム寸法に加算する。
【００５２】通常、可変成形のビームと成形偏向器の補
正量との関係は、前記（１）、（２）式の縦横それぞれ
１次式で示される。
正量との関係は、前記（１）、（２）式の縦横それぞれ
１次式で示される。
【００５３】したがって具体的には、前記可変成形ビー
ム寸法補正式のゲイン項の係数ａ１、ｂ１に前記差分の
−５％を加算する。従ってこの場合、従来部分一括開口
を用いて露光したレジストパターンと、可変成形開口を
用いて露光したレジストパターンには、５％の寸法差が
生じていたが、本発明の方法を用いることにより両者の
寸法差が解消され、レジストパターンの寸法精度を従来
の０．０８μｍ（３σ）から０．０３μｍ（３σ）に向
上させることが可能であった。
ム寸法補正式のゲイン項の係数ａ１、ｂ１に前記差分の
−５％を加算する。従ってこの場合、従来部分一括開口
を用いて露光したレジストパターンと、可変成形開口を
用いて露光したレジストパターンには、５％の寸法差が
生じていたが、本発明の方法を用いることにより両者の
寸法差が解消され、レジストパターンの寸法精度を従来
の０．０８μｍ（３σ）から０．０３μｍ（３σ）に向
上させることが可能であった。
【００５４】第１の実施の形態はビーム寸法調整用開口
が１ヶ所のため一定のシフト量しか求められないのに対
して、第２の実施の形態では、たがいに寸法が異なる複
数のビーム寸法調整用の小開口からビーム寸法調整用開
口が構成されているから、この第２の実施の形態によれ
ば部分一括開口の開口寸法と寸法シフト量との間にゲイ
ン成分がある場合、シフト量のゲイン成分も正確に補正
することが出来るという利点を有する。
が１ヶ所のため一定のシフト量しか求められないのに対
して、第２の実施の形態では、たがいに寸法が異なる複
数のビーム寸法調整用の小開口からビーム寸法調整用開
口が構成されているから、この第２の実施の形態によれ
ば部分一括開口の開口寸法と寸法シフト量との間にゲイ
ン成分がある場合、シフト量のゲイン成分も正確に補正
することが出来るという利点を有する。
【００５５】他方、先の第１の実施の形態では、ビーム
寸法調整用開口が占める面積が小となり、その分だけ本
来の部分一括開口を数多く搭載することが出来、また調
整にかかる時間が短くてすむと利点を有する。
寸法調整用開口が占める面積が小となり、その分だけ本
来の部分一括開口を数多く搭載することが出来、また調
整にかかる時間が短くてすむと利点を有する。
【００５６】以上本発明の実施の形態について説明した
が、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものでは
ない。例えば、実施の形態で述べたビーム寸法調整用開
口の数及び寸法の組み合わせ及びその配置は、第１アパ
ーチャーの開口寸法で規定される最大ビーム寸法以下で
あり、部分一括開口選択偏向器により電子ビームの照射
が可能であれば、自由に設定して良い。
が、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものでは
ない。例えば、実施の形態で述べたビーム寸法調整用開
口の数及び寸法の組み合わせ及びその配置は、第１アパ
ーチャーの開口寸法で規定される最大ビーム寸法以下で
あり、部分一括開口選択偏向器により電子ビームの照射
が可能であれば、自由に設定して良い。
【００５７】また本実施の形態では、ビーム寸法差を一
定のシフト値或いはゲイン値として、可変成形ビームの
ビーム寸法補正式の係数に加算したが、実施の形態より
もさらに細かく寸法差を測定することにより、台形項或
いは２次以上の高次項の係数として加算して寸法差の補
正をすることも可能である。また本実施の形態では、寸
法差を可変成形ビームの補正式の係数として補正する方
法について述べたが、これに限らず例えば、寸法差をビ
ーム寸法の縦横寸法をパラメータとするテーブルとして
記憶し、可変成形ビーム寸法に加算しても良い。即ち実
施の形態のようにビーム寸法の補正量を補正式及びその
係数として表す（記憶しておく）のではなく、補正量を
表（テーブル）として表す（記憶しておく）方法を用い
ることも可能である。
定のシフト値或いはゲイン値として、可変成形ビームの
ビーム寸法補正式の係数に加算したが、実施の形態より
もさらに細かく寸法差を測定することにより、台形項或
いは２次以上の高次項の係数として加算して寸法差の補
正をすることも可能である。また本実施の形態では、寸
法差を可変成形ビームの補正式の係数として補正する方
法について述べたが、これに限らず例えば、寸法差をビ
ーム寸法の縦横寸法をパラメータとするテーブルとして
記憶し、可変成形ビーム寸法に加算しても良い。即ち実
施の形態のようにビーム寸法の補正量を補正式及びその
係数として表す（記憶しておく）のではなく、補正量を
表（テーブル）として表す（記憶しておく）方法を用い
ることも可能である。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は部分一括
露光方式の電子線露光にて、予め第２アパーチャー上に
形成しておいた、ビーム寸法調整用開口を通過した電子
ビームの電流量を測定し、設計値から予想される電流量
との差分を、ビーム寸法の寸法差によるものとして、可
変成形ビームのビーム寸法に加算するものである。従っ
て、部分一括露光と可変成形露光のレジストパターン寸
法差を解消し、パターン寸法精度を向上させることが可
能となる。
露光方式の電子線露光にて、予め第２アパーチャー上に
形成しておいた、ビーム寸法調整用開口を通過した電子
ビームの電流量を測定し、設計値から予想される電流量
との差分を、ビーム寸法の寸法差によるものとして、可
変成形ビームのビーム寸法に加算するものである。従っ
て、部分一括露光と可変成形露光のレジストパターン寸
法差を解消し、パターン寸法精度を向上させることが可
能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するための、
電子線露光装置を示す概略図である。
電子線露光装置を示す概略図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態を説明するための、
第２アパーチャーを示す平面図である。
第２アパーチャーを示す平面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を説明するための、
電子線露光装置を示す概略図である。
電子線露光装置を示す概略図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態を説明するための、
第２アパーチャーを示す平面図である。
第２アパーチャーを示す平面図である。
【図５】部分一括開口およびビーム寸法調整用開口の製
造を例示する断面図である。
造を例示する断面図である。
【図６】従来技術を説明するための、電子線露光装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図７】従来技術の問題点を示す図である。
１１ 電子銃 １２ 第１アパーチャー １３ 成形偏向器 １４ 選択偏向器 １５ 第２アパーチャー １６ 可変成形開口 １７ 部分一括開口 １８ 縮小レンズ １９ 偏向器 ２０ ウェハ ２１（２１Ａ、２１Ｂ） ビーム寸法調整用開口 ２１ａ〜２１ｈ ビーム寸法調整用開口２１Ｂを構成
するビーム寸法調整用の小開口 ２２ 基準マーク ２３ ステージ ２４ ファラデーカップ ２５ 電流計 ３１ シリコン基板 ３２ シリコン酸化膜 ３３ シリコン膜 ３４ 金膜
するビーム寸法調整用の小開口 ２２ 基準マーク ２３ ステージ ２４ ファラデーカップ ２５ 電流計 ３１ シリコン基板 ３２ シリコン酸化膜 ３３ シリコン膜 ３４ 金膜
Claims (7)
- 【請求項１】 可変成形ビーム用の可変成形開口を設け
た第２アパーチャー上に、部分一括露光用開口を形成し
ておき、試料上に前記部分一括露光用開口の開口形状を
一括して転写する方式の電子線露光装置において、 前記第２アパーチャー上にビーム寸法調整用開口を設け
たことを特徴とする電子線露光装置。 - 【請求項２】 前記ビーム寸法調整用開口は四角形状で
あることを特徴とする請求項１記載の電子線露光装置。 - 【請求項３】 前記ビーム寸法調整用開口は縦及び横の
少なくともいずれか一方が一定の比率で変化している複
数個の小開口の群から構成されていることを特徴とする
請求項１記載の電子線露光装置。 - 【請求項４】 可変成形ビーム用の可変成形開口を設け
た第２アパーチャー上に、部分一括露光用開口を形成し
ておき、試料上に前記可変成形開口を通過した可変成形
ビームによる可変成形パターンおよび前記部分一括露光
用開口を通過した部分一括ビームによる部分一括転写パ
ターンを形成する方式の電子線露光方法において、 前記第２アパーチャー上にビーム寸法調整用開口を設け
ておき、前記ビーム寸法調整用開口を通過した電子ビー
ムのビーム電流量を測定し、測定された前記ビーム電流
量と前記ビーム寸法調整用開口の設計寸法から計算され
る電流量との差による補正値を前記可変成形ビームの寸
法に加算することによりビーム寸法調整を行うことを特
徴とする電子線露光方法。 - 【請求項５】 前記ビーム寸法調整用開口は四角形状で
あることを特徴とする請求項４記載の電子線露光方法。 - 【請求項６】 前記ビーム寸法調整用開口は縦及び横の
少なくともいずれか一方が一定の比率で変化している複
数個の小開口の群から構成されていることを特徴とする
請求項４記載の電子線露光方法。 - 【請求項７】 前記可変成形ビーム寸法に加算されるビ
ーム寸法差による補正値は、ビーム寸法によらない一定
の値、ビーム寸法をパラメータとする多項式で近似され
る値あるいはビーム寸法をパラメータとするテーブルと
して示される値であることを特徴とする請求項４に記載
の電子線露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08308479A JP3094927B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 電子線露光装置及びその露光方法 |
| US08/972,040 US6114708A (en) | 1996-11-19 | 1997-11-17 | Electron-beam exposure apparatus and exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08308479A JP3094927B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 電子線露光装置及びその露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149972A true JPH10149972A (ja) | 1998-06-02 |
| JP3094927B2 JP3094927B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=17981521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08308479A Expired - Fee Related JP3094927B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 電子線露光装置及びその露光方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6114708A (ja) |
| JP (1) | JP3094927B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013211393A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Canon Inc | 描画装置、および物品の製造方法 |
| JP2016134495A (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 電子線照射装置および電子線照射方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4558240B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2010-10-06 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置 |
| US7129503B2 (en) * | 2002-10-09 | 2006-10-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Determining emitter beam size for data storage medium |
| JP2006269545A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、マスク製造方法および半導体装置の製造方法 |
| EP1760762B1 (en) * | 2005-09-06 | 2012-02-01 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Device and method for selecting an emission area of an emission pattern |
| KR101350980B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2014-01-15 | 삼성전자주식회사 | Ｃｄ 선형성을 보정할 수 있는 가변 성형 빔을 이용한 노광방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
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