JPH10289856A - 電子線露光用マスク及び電子線描画方法 - Google Patents
電子線露光用マスク及び電子線描画方法Info
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- JPH10289856A JPH10289856A JP9097537A JP9753797A JPH10289856A JP H10289856 A JPH10289856 A JP H10289856A JP 9097537 A JP9097537 A JP 9097537A JP 9753797 A JP9753797 A JP 9753797A JP H10289856 A JPH10289856 A JP H10289856A
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31777—Lithography by projection
- H01J2237/31788—Lithography by projection through mask
Abstract
(57)【要約】
【課題】 所望コンタクトパターンに適用する際の電子
線リソグラフィ工程の短時間化（短ＴＡＴ化）、及び描
画寸法精度を劣化させる原因となる可変成形電子線によ
る描画精度不足を回避する。 【解決手段】 電子線露光用マスク１に種々の寸法（サ
イズ）を持ったコンタクト描画用開口２，３，４，５，
６を作製し、これを用いて所望コンタクトパターンを電
子線露光する。このため、矩形電子線を形成するアパー
チャ（絞り）の調整、成形レンズの変動等による、描画
寸法変動を最小限に抑えることができ、また、事前に行
う電子線寸法較正を行う必要もなくなり、電子線リソグ
ラフィ工程にかかる時間（ＴＡＴ）を大幅に削減可能に
なる。
線リソグラフィ工程の短時間化（短ＴＡＴ化）、及び描
画寸法精度を劣化させる原因となる可変成形電子線によ
る描画精度不足を回避する。 【解決手段】 電子線露光用マスク１に種々の寸法（サ
イズ）を持ったコンタクト描画用開口２，３，４，５，
６を作製し、これを用いて所望コンタクトパターンを電
子線露光する。このため、矩形電子線を形成するアパー
チャ（絞り）の調整、成形レンズの変動等による、描画
寸法変動を最小限に抑えることができ、また、事前に行
う電子線寸法較正を行う必要もなくなり、電子線リソグ
ラフィ工程にかかる時間（ＴＡＴ）を大幅に削減可能に
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いてレ
ジストに所望パターンを直接露光する電子線露光用マス
ク、及び電子線露光用マスクを用いた電子線の露光方法
に関するものである。
ジストに所望パターンを直接露光する電子線露光用マス
ク、及び電子線露光用マスクを用いた電子線の露光方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の製造には高いスループッ
トが要求されており、これは、微細パターンを半導体ウ
ェハ上に形成するリソグラフィ工程においても例外でな
い。このため、紫外光を用いる光リソグラフィやＸ線を
用いるＸ線リソグラフィばかりでなく、電子線を用いる
電子線リソグラフィにおいても、予め所望パターンが形
成された光やＸ線用のマスクやレチクルと同等である電
子線露光用マスクを使用する転写法が用いられている。
トが要求されており、これは、微細パターンを半導体ウ
ェハ上に形成するリソグラフィ工程においても例外でな
い。このため、紫外光を用いる光リソグラフィやＸ線を
用いるＸ線リソグラフィばかりでなく、電子線を用いる
電子線リソグラフィにおいても、予め所望パターンが形
成された光やＸ線用のマスクやレチクルと同等である電
子線露光用マスクを使用する転写法が用いられている。
【０００３】電子線露光用マスクを用いた露光方法は、
通常繰り返しパターンが多く存在するＤＲＡＭ、ＳＲＡ
Ｍ等のメモリデバイスに適用され、繰り返しパターンが
少ないＡＳＩＣ、マイクロコンピュータ等のロジックデ
バイスには、従来法である可変成形電子線による露光が
適用されている。この方法は、図４（ａ）に示される所
望パターン１５が矩形分割ライン１６で可変成形電子線
の一度のショットで描画できる最大照射領域１７以下の
矩形パターンに分割され、図４（ｂ）のように矩形パタ
ーン１８、１９、２０、２１に分割し、２個の絞り（ア
パーチャ）を用いて矩形電子線が順次成形され、所望パ
ターン１が露光される方法である。
通常繰り返しパターンが多く存在するＤＲＡＭ、ＳＲＡ
Ｍ等のメモリデバイスに適用され、繰り返しパターンが
少ないＡＳＩＣ、マイクロコンピュータ等のロジックデ
バイスには、従来法である可変成形電子線による露光が
適用されている。この方法は、図４（ａ）に示される所
望パターン１５が矩形分割ライン１６で可変成形電子線
の一度のショットで描画できる最大照射領域１７以下の
矩形パターンに分割され、図４（ｂ）のように矩形パタ
ーン１８、１９、２０、２１に分割し、２個の絞り（ア
パーチャ）を用いて矩形電子線が順次成形され、所望パ
ターン１が露光される方法である。
【０００４】この可変成形電子線による露光を行う場
合、事前に可変成形（矩形）電子線の寸法較正を行う必
要がある。これは、外部環境である温度、振動、磁場や
装置電源、装置構成ユニット間から生じるラインノイズ
や加速電圧用高圧電源等の不安定要因が、電子線、及び
電子線露光装置の光学系（成形偏向、成形レンズ、対物
レンズ等）の安定性、再現性を低下（劣化）させ、要求
寸法精度（特にバラツキ）を満たさなくなるため、可変
成形電子の寸法較正が必要となる。この電子線の寸法安
定性は、時間の経過とともに低下するものであり、通常
１０〜１２時間毎に較正が必要となる。また、設計寸法
の異なる適用デバイス毎に寸法較正を実施し、高い寸法
精度の維持を図り、安定した状態で所望パターンの露光
を行う。
合、事前に可変成形（矩形）電子線の寸法較正を行う必
要がある。これは、外部環境である温度、振動、磁場や
装置電源、装置構成ユニット間から生じるラインノイズ
や加速電圧用高圧電源等の不安定要因が、電子線、及び
電子線露光装置の光学系（成形偏向、成形レンズ、対物
レンズ等）の安定性、再現性を低下（劣化）させ、要求
寸法精度（特にバラツキ）を満たさなくなるため、可変
成形電子の寸法較正が必要となる。この電子線の寸法安
定性は、時間の経過とともに低下するものであり、通常
１０〜１２時間毎に較正が必要となる。また、設計寸法
の異なる適用デバイス毎に寸法較正を実施し、高い寸法
精度の維持を図り、安定した状態で所望パターンの露光
を行う。
【０００５】ここで、実際の可変成形電子線によるリソ
グラフィ工程の処理フローを図５に示す。ステップ１に
おいて、事前に電子線描画装置の装置較正を行う。この
際、可変成形（矩形）電子線の寸法較正を実施する。次
のステップ２において、所望レジストパターン寸法を得
るための最適露光量条件を抽出するためのパイロット描
画を行う。特に、最適露光量条件は、リソグラフィ工程
の次に行われるエッチング工程によって生じる設計寸法
からのエッチング後の寸法シフト量を見込んで決定する
必要がある。また、このステップ２において、下地パタ
ーンとの重ね合わせ露光のためのアライメント条件出し
を行う場合があるが、通常、予め決められたマークの大
きさ、位置（座標）が用いられるため、必ず実施する必
要はない。次に、このステップ２のパイロット描画結果
から求めた最適露光量を用いて、ステップ３である本描
画を製品である全ウェハに対して行う。そして、ステッ
プ４として、描画不良、ゴミ等の検査のために外観チェ
ックを行い、製品（描画ロット）は次工程であるエッチ
ング工程に進む。
グラフィ工程の処理フローを図５に示す。ステップ１に
おいて、事前に電子線描画装置の装置較正を行う。この
際、可変成形（矩形）電子線の寸法較正を実施する。次
のステップ２において、所望レジストパターン寸法を得
るための最適露光量条件を抽出するためのパイロット描
画を行う。特に、最適露光量条件は、リソグラフィ工程
の次に行われるエッチング工程によって生じる設計寸法
からのエッチング後の寸法シフト量を見込んで決定する
必要がある。また、このステップ２において、下地パタ
ーンとの重ね合わせ露光のためのアライメント条件出し
を行う場合があるが、通常、予め決められたマークの大
きさ、位置（座標）が用いられるため、必ず実施する必
要はない。次に、このステップ２のパイロット描画結果
から求めた最適露光量を用いて、ステップ３である本描
画を製品である全ウェハに対して行う。そして、ステッ
プ４として、描画不良、ゴミ等の検査のために外観チェ
ックを行い、製品（描画ロット）は次工程であるエッチ
ング工程に進む。
【０００６】以上示したように、設計寸法の異なる製品
毎にステップ１から４を実施しているのが、現状の可変
成形電子線を用いた電子線リソグラフィ工程である。
毎にステップ１から４を実施しているのが、現状の可変
成形電子線を用いた電子線リソグラフィ工程である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ロジックテバイスへ適
用される可変成形電子線による従来の電子線リソグラフ
ィ工程の場合、上記したように設計寸法の異なる製品毎
に可変成形電子線の寸法較正を行ない、所望のレジスト
パターン寸法を得るための最適露光量条件を抽出するた
めにパイロット描画も行わなければならない。そのた
め、電子線リソグラフィ工程にかかる時間（ＴＡＴ）が
数時間にも及んでしまう。
用される可変成形電子線による従来の電子線リソグラフ
ィ工程の場合、上記したように設計寸法の異なる製品毎
に可変成形電子線の寸法較正を行ない、所望のレジスト
パターン寸法を得るための最適露光量条件を抽出するた
めにパイロット描画も行わなければならない。そのた
め、電子線リソグラフィ工程にかかる時間（ＴＡＴ）が
数時間にも及んでしまう。
【０００８】更に、エッチング工程に生じる設計寸法か
らのエッチング後の寸法シフトを見込む必要があるた
め、設計寸法、下地材料、構造、膜厚等が異なる製品毎
に行わなければならなくなっており、同様にＴＡＴが大
幅に延びている。
らのエッチング後の寸法シフトを見込む必要があるた
め、設計寸法、下地材料、構造、膜厚等が異なる製品毎
に行わなければならなくなっており、同様にＴＡＴが大
幅に延びている。
【０００９】また、可変成形電子線を用いているため、
２個のアパーチャの調整方法や成形レンズの電圧変動等
によって得られるレジストパターンの寸法バラツキ精度
が低下してしまう。特に、コンタクトパターンを描画す
る場合、微細なルールで設計された矩形（四角）パター
ンを可変成形電子線で描画することになるため、得られ
る寸法バラツキ精度の劣化が顕著になってしまう。
２個のアパーチャの調整方法や成形レンズの電圧変動等
によって得られるレジストパターンの寸法バラツキ精度
が低下してしまう。特に、コンタクトパターンを描画す
る場合、微細なルールで設計された矩形（四角）パター
ンを可変成形電子線で描画することになるため、得られ
る寸法バラツキ精度の劣化が顕著になってしまう。
【００１０】近年、ロジックデバイスの多品種化、少量
生産化に伴い、作製期間の短時間化（短ＴＡＴ化）が求
められており、短ＴＡＴ化を妨げる処理工程の削減が求
められている。また、デバイスの高集積化、微細化に伴
い、特に最小設計ルールが用いられるコンタクト描画工
程において、設計寸法に対して±１０％である０．０３
μｍ以下の寸法精度（バラツキ）が必要となっているた
め、この寸法精度を劣化させる原因となる可変成形電子
線による描画精度不足を回避することが不可欠になって
いる。
生産化に伴い、作製期間の短時間化（短ＴＡＴ化）が求
められており、短ＴＡＴ化を妨げる処理工程の削減が求
められている。また、デバイスの高集積化、微細化に伴
い、特に最小設計ルールが用いられるコンタクト描画工
程において、設計寸法に対して±１０％である０．０３
μｍ以下の寸法精度（バラツキ）が必要となっているた
め、この寸法精度を劣化させる原因となる可変成形電子
線による描画精度不足を回避することが不可欠になって
いる。
【００１１】本発明の目的は、電子線リソグラフィ工程
に要する時間を短縮し、また描画寸法変動を最小限に抑
えた電子線露光用マスク及び電子線描画方法を提供する
ことにある。
に要する時間を短縮し、また描画寸法変動を最小限に抑
えた電子線露光用マスク及び電子線描画方法を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る電子線露光用マスクは、コンタクト描
画用開口を有する電子線露光用マスクであって、コンタ
クト描画用開口は、部分一括露光用コンタクトパターン
を描画するものであって、種々のサイズをもつものであ
る。
め、本発明に係る電子線露光用マスクは、コンタクト描
画用開口を有する電子線露光用マスクであって、コンタ
クト描画用開口は、部分一括露光用コンタクトパターン
を描画するものであって、種々のサイズをもつものであ
る。
【００１３】また前記コンタクト描画用開口は、一度の
電子線照射によって描画可能な最大マスクパターン領域
内に１個或いは複数個設けられたものである。
電子線照射によって描画可能な最大マスクパターン領域
内に１個或いは複数個設けられたものである。
【００１４】また前記コンタクト描画用開口に加えて、
可変成形用開口を有するものである。
可変成形用開口を有するものである。
【００１５】また前記可変成形用開口は、マスク本体の
中央部に設けられたものである。
中央部に設けられたものである。
【００１６】また本発明に係る電子線描画方法は、電子
線露光用マスクを用いて電子線描画を行う電子線描画方
法であって、電子線露光用マスクは、一度の電子線照射
によって描画可能な最大マスクパターン領域内に１個又
は複数個のサイズの異なったコンタクト描画用開口を有
するものであり、コンタクト描画用開口を選択し、所望
パターンを露光するものである。
線露光用マスクを用いて電子線描画を行う電子線描画方
法であって、電子線露光用マスクは、一度の電子線照射
によって描画可能な最大マスクパターン領域内に１個又
は複数個のサイズの異なったコンタクト描画用開口を有
するものであり、コンタクト描画用開口を選択し、所望
パターンを露光するものである。
【００１７】また前記コンタクト描画用開口は、設計寸
法の異なる製品毎に選択するものである。
法の異なる製品毎に選択するものである。
【００１８】
【作用】本発明は、電子線露光用マスクに種々の寸法
（サイズ）を持ったコンタクト描画用開口部を作製し、
これを用いて所望コンタクトパターンを電子線露光する
ため、矩形電子線を形成するアパーチャ（絞り）の調
整、成形レンズの変動等による、描画寸法変動を最小限
に抑えることが可能となり、また、事前に行う電子線寸
法較正を行う必要もなくなり、電子線リソグラフィ工程
にかかる時間（ＴＡＴ）を大幅に削減可能となる。
（サイズ）を持ったコンタクト描画用開口部を作製し、
これを用いて所望コンタクトパターンを電子線露光する
ため、矩形電子線を形成するアパーチャ（絞り）の調
整、成形レンズの変動等による、描画寸法変動を最小限
に抑えることが可能となり、また、事前に行う電子線寸
法較正を行う必要もなくなり、電子線リソグラフィ工程
にかかる時間（ＴＡＴ）を大幅に削減可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００２０】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係る電子線露光用マスクを示す構成図である。
１に係る電子線露光用マスクを示す構成図である。
【００２１】図１に示す本発明の実施形態１に係る電子
線露光用マスクは、一度の電子線照射によって１個の所
望コンタクトパターンを描画するコンタクト描画用開口
部を持った電子線露光用マスクであり、このマスクを用
いて所望パターンを描画する電子線リソグラフィ工程を
実施する。
線露光用マスクは、一度の電子線照射によって１個の所
望コンタクトパターンを描画するコンタクト描画用開口
部を持った電子線露光用マスクであり、このマスクを用
いて所望パターンを描画する電子線リソグラフィ工程を
実施する。
【００２２】すなわち、図１において、電子線露光用マ
スク１は、矩形状の平面部１ａを有し、平面部１ａの周
縁から脚部１ｂが下方に延びて設けられている。そし
て、電子線露光用マスク１の平面部１ａには、種々のサ
イズを持った部分一括露光用コンタクト開口１、２、
３、４、５、６を上下に貫通して設けている。
スク１は、矩形状の平面部１ａを有し、平面部１ａの周
縁から脚部１ｂが下方に延びて設けられている。そし
て、電子線露光用マスク１の平面部１ａには、種々のサ
イズを持った部分一括露光用コンタクト開口１、２、
３、４、５、６を上下に貫通して設けている。
【００２３】一度の電子線照射によって一個の所望コン
タクトパターンを描画するため、一度の電子線照射時の
描画可能な最大マスクパターン領域７内に１個のコンタ
クト開口２、３、４、５、６をそれぞれ有している。こ
こで、電子線露光用マスク１中央部の開口パターンは、
可変成形用開口８である。
タクトパターンを描画するため、一度の電子線照射時の
描画可能な最大マスクパターン領域７内に１個のコンタ
クト開口２、３、４、５、６をそれぞれ有している。こ
こで、電子線露光用マスク１中央部の開口パターンは、
可変成形用開口８である。
【００２４】これら予め作製されたコンタクト開口２、
３、４、５、６のパターンを設計寸法の異なる製品毎に
選択し、所望パターンを露光する。電子線露光用マスク
に作製されたコンタクト開口２、３、４、５、６を用い
た描画であるため、電子線の寸法較正や、可変成形電子
線を成形するレンズの変動に左右されることなく、一定
の寸法で電子線露光を行うことができる。
３、４、５、６のパターンを設計寸法の異なる製品毎に
選択し、所望パターンを露光する。電子線露光用マスク
に作製されたコンタクト開口２、３、４、５、６を用い
た描画であるため、電子線の寸法較正や、可変成形電子
線を成形するレンズの変動に左右されることなく、一定
の寸法で電子線露光を行うことができる。
【００２５】図２の電子線リソグラフィ工程において、
従来実施されている電子線寸法較正、及び、パイロット
描画のステップを行うことなく、ステップ１として、製
品毎に設計された所望寸法（サイズ）に合わせて、電子
線露光用マスク１のコンタクト用開口２、３、４、５、
６を選択し、実際のコンタクト描画を全ウェハに対して
行う。
従来実施されている電子線寸法較正、及び、パイロット
描画のステップを行うことなく、ステップ１として、製
品毎に設計された所望寸法（サイズ）に合わせて、電子
線露光用マスク１のコンタクト用開口２、３、４、５、
６を選択し、実際のコンタクト描画を全ウェハに対して
行う。
【００２６】そして、ステップ２として、描画不良、ゴ
ミ等の検査のために外観チェックを行い、製品（描画ロ
ット）は次工程であるエッチング工程に進められる。
ミ等の検査のために外観チェックを行い、製品（描画ロ
ット）は次工程であるエッチング工程に進められる。
【００２７】したがって、本発明の実施形態１によれ
ば、従来の電子線寸法較正、及びパイロット描画を行う
ステップを削除することができるため、電子線リソグラ
フィ工程にかかるトータルの時間（ＴＡＴ）を大場に削
減できる。
ば、従来の電子線寸法較正、及びパイロット描画を行う
ステップを削除することができるため、電子線リソグラ
フィ工程にかかるトータルの時間（ＴＡＴ）を大場に削
減できる。
【００２８】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２を示す図である。図３に示す本発明の実施形態２に係
る電子線露光用マスクは、一度の電子線照射によって２
個の所望コンタクトパターンを描画するコンタクト描画
用開口部を持った電子線露光用マスクを示す例である。
２を示す図である。図３に示す本発明の実施形態２に係
る電子線露光用マスクは、一度の電子線照射によって２
個の所望コンタクトパターンを描画するコンタクト描画
用開口部を持った電子線露光用マスクを示す例である。
【００２９】具体的には、電子線露光用マスク１の最大
マスクパターン領域７内に２個のコンタクト用開口１
０、１１を設けている。２個のコンタクト開口１０、１
１は、予め設計時に決められるコンタクトパターン間の
距離、相対位置に基づいて決定する。
マスクパターン領域７内に２個のコンタクト用開口１
０、１１を設けている。２個のコンタクト開口１０、１
１は、予め設計時に決められるコンタクトパターン間の
距離、相対位置に基づいて決定する。
【００３０】例えば、図３（ｂ）に示す所望コンタクト
パターン群９を実際に電子線描画する際、設計データと
一度の電子線照射によって描画されるコンタクト用開口
１０及び１１が一致する場合、この開口パターン（電子
線露光用マスク）を用いた描画１２を行い、一致しない
コンタクトパターン開口１３を用いた描画１４を実施す
る。
パターン群９を実際に電子線描画する際、設計データと
一度の電子線照射によって描画されるコンタクト用開口
１０及び１１が一致する場合、この開口パターン（電子
線露光用マスク）を用いた描画１２を行い、一致しない
コンタクトパターン開口１３を用いた描画１４を実施す
る。
【００３１】これにより、得られるレジストパターンの
寸法精度を向上させるだけでなく、電子線描画時のショ
ット数を大幅に削減できるため、描画時間（スループッ
ト）を大幅に短縮できる。
寸法精度を向上させるだけでなく、電子線描画時のショ
ット数を大幅に削減できるため、描画時間（スループッ
ト）を大幅に短縮できる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子線露光用マスクに種々の寸法（サイズ）を持ったコン
タクト描画用開口を作製し、これを用いて所望コンタク
トパターンを電子線露光するため、矩形電子線を形成す
るアパーチャ（絞り）の調整、成形レンズの変動等によ
る、描画寸法変動を最小限に抑えることができ、その結
果、０．０４μｍレベルの寸法バラツキ精度を０．０２
μｍ以下に抑えることができる。
子線露光用マスクに種々の寸法（サイズ）を持ったコン
タクト描画用開口を作製し、これを用いて所望コンタク
トパターンを電子線露光するため、矩形電子線を形成す
るアパーチャ（絞り）の調整、成形レンズの変動等によ
る、描画寸法変動を最小限に抑えることができ、その結
果、０．０４μｍレベルの寸法バラツキ精度を０．０２
μｍ以下に抑えることができる。
【００３３】また、事前に行う電子線寸法較正を行う必
要もなくなり、電子線リソグラフィ工程にかかる時間
（ＴＡＴ）を大幅に削減することができる。
要もなくなり、電子線リソグラフィ工程にかかる時間
（ＴＡＴ）を大幅に削減することができる。
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態１を示す構成図、
（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【図２】本発明の実施形態１のマスクを用いて描画する
工程を示すフロートチャードである。
工程を示すフロートチャードである。
【図３】（ａ）は、本発明の実施形態２を示す構成図、
（ｂ）は描画工程を示す図である。
（ｂ）は描画工程を示す図である。
【図４】従来例を説明する図である。
【図５】従来例を説明する図である。
１ 電子線露光用マスク ２ コンタクト用開口 ３ コンタクト用開口 ４ コンタクト用開口 ５ コンタクト用開口 ６ コンタクト用開口 ７ 最大マスクパターン領域 ８ 可変成形用開口 ９ 所望コンタクトパターン群（設計データ） １０ コンタクト用開口 １１ コンタクト用開口 １２ コンタクト開口を用いた描画 １３ コンタクト開口 １４ コンタクト開口を用いた描画 １５ 所望パターン １６ 矩形分割ライン １７ 最大照射領域 １８ 矩形パターン １９ 矩形パターン ２０ 矩形パターン ２１ 矩形パターン
Claims (6)
- 【請求項１】 コンタクト描画用開口を有する電子線露
光用マスクであって、 コンタクト描画用開口は、部分一括露光用コンタクトパ
ターンを描画するものであって、種々のサイズをもつも
のであることを特徴とする電子線露光用マスク。 - 【請求項２】 前記コンタクト描画用開口は、一度の電
子線照射によって描画可能な最大マスクパターン領域内
に１個或いは複数個設けられたものであることを特徴と
する請求項１に記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項３】 前記コンタクト描画用開口に加えて、可
変成形用開口を有するものであることを特徴とする請求
項１又は２に記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項４】 前記可変成形用開口は、マスク本体の中
央部に設けられたものであることを特徴とする請求項３
に記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項５】 電子線露光用マスクを用いて電子線描画
を行う電子線描画方法であって、 電子線露光用マスクは、一度の電子線照射によって描画
可能な最大マスクパターン領域内に１個又は複数個のサ
イズの異なったコンタクト描画用開口を有するものであ
り、 前記コンタクト描画用開口を選択し、所望パターンを露
光するものであることを特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項６】 前記コンタクト描画用開口は、設計寸法
の異なる製品毎に選択するものであることを特徴とする
請求項５に記載の電子線描画方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9097537A JPH10289856A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 電子線露光用マスク及び電子線描画方法 |
| KR1019980013189A KR100277812B1 (ko) | 1997-04-15 | 1998-04-14 | 전자빔 노출용 마스크와 전자빔 드로잉 방법 |
| US09/060,078 US5998797A (en) | 1997-04-15 | 1998-04-15 | Mask for electron beam exposure and electron beam drawing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9097537A JPH10289856A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 電子線露光用マスク及び電子線描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289856A true JPH10289856A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14195006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9097537A Pending JPH10289856A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 電子線露光用マスク及び電子線描画方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5998797A (ja) |
| JP (1) | JPH10289856A (ja) |
| KR (1) | KR100277812B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4843425B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2011-12-21 | エルピーダメモリ株式会社 | 可変成形型電子ビーム描画装置 |
| US8389962B2 (en) * | 2011-05-31 | 2013-03-05 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for compensating for magnetic noise |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04271112A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| JPH05299328A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-12 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
-
1997
- 1997-04-15 JP JP9097537A patent/JPH10289856A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-14 KR KR1019980013189A patent/KR100277812B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-04-15 US US09/060,078 patent/US5998797A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5998797A (en) | 1999-12-07 |
| KR100277812B1 (ko) | 2001-02-01 |
| KR19980081368A (ko) | 1998-11-25 |
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